JPH10107034A - ワードラインの製造方法 - Google Patents

ワードラインの製造方法

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JPH10107034A
JPH10107034A JP9011965A JP1196597A JPH10107034A JP H10107034 A JPH10107034 A JP H10107034A JP 9011965 A JP9011965 A JP 9011965A JP 1196597 A JP1196597 A JP 1196597A JP H10107034 A JPH10107034 A JP H10107034A
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silicon
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silicide layer
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Uu Der-Yuan
ウー デル−ユアン
Chun Shen Ii
チュン シェン イー
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    • H10D64/01308—Manufacture or treatment of electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the conductor comprising a layer of silicon contacting the insulator, e.g. polysilicon the conductor further comprising a non-elemental silicon additional conductive layer, e.g. a metal silicide layer formed by the reaction of silicon with an implanted metal
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  • Semiconductor Memories (AREA)
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワードラインのパターン化を容易に行えるワ
ードラインの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に多数の列のゲートを形成する。
金属珪化物層をゲートの上方に形成した後、シリコン富
有層を形成する。シリコン富有層は高シリコン濃度を持
つ他の金属珪化物層かまたは純粋なシリコン層である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に半導体集積回
路（ＩＣ）の製造に関し、特に、ダイナミックランダム
アクセスメモリ回路中のワードライン（単語線）の製造
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイナミックランダムアクセスメモリ
（ＤＲＡＭ）のキャパシタ（コンデンサ）の表面積を最
大にするために、キャパシタは一般にワードラインの上
方に形成される。しかし、ワードラインと蓄電セルは両
方導電性層であるので、それらの間には絶縁層が必要で
ある。酸化珪素（珪素酸化物）および窒化珪素（珪素窒
化物）は両方とも絶縁層として広く使用されている。し
かし、窒化珪素を用いることは関連するトランジスタの
ゲートに潜在的な応力効果を生じさせると共にゲートの
パターン化の際の困難さが生ずる。したがって、酸化珪
素がこの用途に対して最もよく用いられる材料である。
蒸着が酸化珪素（頂部酸化物）層を形成するためによく
用いられ、特に、７００℃における低圧化学蒸着（ＬＰ
ＣＶＤ）が効率がよいので好ましい。
【０００３】下記はＤＲＡＭ製造の際に用いられるワー
ドラインを形成するためのプロセスを述べるものであ
る。
【０００４】図３を参照すると、ゲート酸化物層１４と
ワードライン１６を持った基板１０が設けられる。次
に、耐火性タングステン珪化物（ＷＳｉ2 ）層１８がポ
リシリコン材料であるワードライン１６上に形成され
る。この方法は相互連結抵抗を減少させる。問題の珪化
物は下記の３つの基本的な技術によって形成され、いず
れの技術も珪化物１８を形成する熱工程がその後行われ
る。 （１）ポリシリコン層１６上への純粋なタングステンの
蒸着、（２）２つの供給源（共通蒸発源）からシリコン
およびタングステンの同時蒸発、（３）複合ターゲット
からの、または共通スパッタリングまたは積層化による
タングステン珪化物のスパッタ蒸着。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】次に、図４を参照する
と、絶縁層２０が、タングステン珪化物層１８をその後
に蒸着される層から分離するために、タングステン珪化
物層１８の表面上に形成されねばならない。蒸着した酸
化珪素および窒化珪素がこの用途に用いられるが、７０
０℃におけるＬＰＣＶＤによって形成された酸化珪素層
が一般に一層良好な材料特性を与えるので、好ましい。
形成された酸化物層２０は安定でなければならないし、
適切な電気物理特性を呈しなければならない。しかし、
実際には、タングステン珪化物層１８の表面は、例えば
７００℃のような高温で酸素が存在すると、容易にタン
グステン酸化物に変換する。タングステン酸化物は初期
には揮発性であるが、頂部酸化物層２０が蒸着工程の結
果によって蒸着した後ではタングステン酸化物がタング
ステン珪化物層１８の上部表面に残ることは避けられな
い。したがって、望ましくないタングステン酸化物（Ｗ
Ｏ3 ）の層２２が酸化珪素層２０の下に形成されるのは
避けられない。言い換えると、タングステン酸化物層２
２がタングステン珪化物層１８と酸化珪素層２０との間
に形成される。さらに、タングステン酸化物層２２は滑
らかでなく、多数の凸凹の面を持つので、酸化珪素の表
面も同様に荒くなる。観察される他の結果は、ポリシリ
コン層１６が厚い一方、対照的に、タングステン珪化物
層１８が薄いことである。前述の望ましくない結果によ
ってワードライン線１６のパターン化を困難にする。
【０００６】したがって、本発明の目的は、前述の問題
を克服したワードラインの製造方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の目的
を、基板上に複数の列のゲートを形成し、ゲートの各列
に第１の金属珪化物層を形成し、珪素富有である他の金
属珪化物層を形成するか、またはそれに代えて前に形成
した金属珪化物層上に珪素層を形成することから成るワ
ードラインの新規な製造方法によって達成する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照して本発
明の実施例を詳細に説明する。
【０００９】最初に図１を参照すると、ゲート酸化物層
２４とポリシリコンワードライン２６を持った基板２０
が用意される。次に、耐火性金属珪化物層２８、好まし
くは、タングステン珪化物がワードライン上に形成され
る。この点までの製造工程は当業者にとって公知である
ので、詳細には説明しない。次に、シリコン富有金属珪
化物、または純粋シリコン層３０が金属珪化物層２８の
上部表面に形成される。かくして、層３０は層２８より
高濃度のシリコンを持つ。このシリコン富有金属珪化物
層３０は、好ましくは、反応体シリコン塩化物（ＳｉＣ
ｌ2 Ｈ2 ）およびタングステン弗化物（ＷＦ6 ）で化学
蒸着されたタングステン珪化物層である。タングステン
弗化物は腐食性ガスであり、比較的高い密度を持ち、室
温でかなり高い蒸気圧を持つ。市販のコールドウオール
（ｃｏｌｄ−ｗａｌｌ）システムがタングステン珪化物
蒸着に用いられて成功を収めている。シリコン塩化物と
タングステン弗化物は、例えば、１：１の比でよい。
【００１０】次に、図２を参照すると、次に、頂部酸化
物層３２がシリコン富有タングステン珪化物または純粋
珪素の層３０の上部面に形成される。この方法で、タン
グステン酸化物の形成という欠点がないことが見いださ
れており、したがって、ワードラインのパターン化の困
難性が小さくなる。さらに、酸化物層３２の表面は滑ら
かに保たれる。さらに、本発明の前述の実施例に従って
ワードラインを製造することによって、ゲート、ポリシ
リコン２６または金属珪化物層２８の厚みは変化しな
い。
【００１１】本発明は好ましい実施例で説明してきた
が、本発明はこの実施例に限定されるものではない。反
対に、本発明は種々の変形および同様な手順を含むもの
である。したがって、本発明の範囲は、すべてのそのよ
うな変形や同様な手順を含むように最も広義に解釈すべ
きである。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ワードラインのパターン化が容易なワードラインの製造
方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明のワードライン製造方法の好まし
い実施例の工程を示す断面図である。
【図２】図２は本発明のワードライン製造方法の好まし
い実施例の工程を示す断面図である。
【図３】図３はワードラインを製造する従来例の工程を
示す断面図である。
【図４】図４はワードラインを製造する従来例の工程を
示す断面図である。
【符号の説明】
２４ ゲート酸化物層 ２６ ポリシリコン ２８ 耐火性金属珪化物層 ３０ シリコン富有金属珪化物、または純粋シリコン
層 ３２ 頂部酸化物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/336 (72)発明者 イー チュン シェン 台湾 タイチュン シティ クオフェン ストリート レイン 70 ナンバー 30

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ワードラインの製造方法において、 基板を用意し、 基板上にゲートを形成し、 ゲート上に第１金属珪化物層を形成し、 第１金属珪化物層より高い濃度のシリコンを持つ第２金
    属珪化物層を第１金属珪化物層上に形成する、 ことを特徴とする製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の製造方法に従って製造さ
    れたダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）
    のワードライン。
  3. 【請求項３】 第２金属珪化物層の上方に頂部酸化物層
    をさらに形成することを特徴とする請求項１記載の製造
    方法。
  4. 【請求項４】 ワードラインの製造方法において、 基板を用意し、 基板上にゲートを形成し、 ゲート上に第１金属珪化物層を形成し、 金属珪化物層上にシリコン層を形成する、 ことを特徴とする製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の製造方法に従って製造さ
    れたダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）
    のワードライン。
  6. 【請求項６】 シリコン層の上方に頂部酸化物層をさら
    に形成することを特徴とする請求項１記載の製造方法。
JP9011965A 1996-09-21 1997-01-07 ワードラインの製造方法 Pending JPH10107034A (ja)

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