JPH10228604A - 複合型磁気ヘッド - Google Patents
複合型磁気ヘッドInfo
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- JPH10228604A JPH10228604A JP3165897A JP3165897A JPH10228604A JP H10228604 A JPH10228604 A JP H10228604A JP 3165897 A JP3165897 A JP 3165897A JP 3165897 A JP3165897 A JP 3165897A JP H10228604 A JPH10228604 A JP H10228604A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】酸化物磁性材料と窒素を含有する磁性金属膜か
らなる複合型磁気ヘッドの擬似信号出力及び擬似信号出
力のばらつきを抑圧し、ヘッド製造工程における歩留ま
りを向上させる。 【解決手段】主磁路が酸化物磁性材料よりなり、その少
なくとも一部が窒素を含有する磁性金属膜１４で構成さ
れる複合型磁気ヘッドで、酸化物磁性材料と窒素を含有
する磁性金属膜の界面に酸素濃度勾配酸化物非磁性膜１
３が配されており、酸素濃度勾配酸化物非磁性膜１３の
酸化物磁性材料側では酸素濃度が高く、磁性金属膜１４
側では酸素濃度が低い複合型磁気ヘッド。
らなる複合型磁気ヘッドの擬似信号出力及び擬似信号出
力のばらつきを抑圧し、ヘッド製造工程における歩留ま
りを向上させる。 【解決手段】主磁路が酸化物磁性材料よりなり、その少
なくとも一部が窒素を含有する磁性金属膜１４で構成さ
れる複合型磁気ヘッドで、酸化物磁性材料と窒素を含有
する磁性金属膜の界面に酸素濃度勾配酸化物非磁性膜１
３が配されており、酸素濃度勾配酸化物非磁性膜１３の
酸化物磁性材料側では酸素濃度が高く、磁性金属膜１４
側では酸素濃度が低い複合型磁気ヘッド。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は複合型磁気ヘッドに
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＶＴＲの分野では伝送帯域の拡大による
高画質化が進められている。これにともなう記録波長の
短波長化に対応するため、記録媒体では、その高保磁力
化と高残留磁束密度化が図られてきた。従来これに対応
するために磁気ヘッドとして、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶と高飽
和磁束密度を有する金属磁性膜からなる複合型磁気ヘッ
ドが開発されてきた。磁気ヘッドに適用されている高飽
和磁束密度の金属磁性膜として、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金
（センダスト、飽和磁束密度：１．０テスラ）、Ｃｏ系
非晶質合金膜（同：１．１テスラ）が代表的なものであ
るが、近年、特公平７−４４１０８号公報に開示されて
いるように、更に飽和磁束密度を大きくした、Ｆｅを主
成分とする微結晶からなる窒化合金膜（１．５〜１．８
テスラ）も開発されている。
高画質化が進められている。これにともなう記録波長の
短波長化に対応するため、記録媒体では、その高保磁力
化と高残留磁束密度化が図られてきた。従来これに対応
するために磁気ヘッドとして、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶と高飽
和磁束密度を有する金属磁性膜からなる複合型磁気ヘッ
ドが開発されてきた。磁気ヘッドに適用されている高飽
和磁束密度の金属磁性膜として、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金
（センダスト、飽和磁束密度：１．０テスラ）、Ｃｏ系
非晶質合金膜（同：１．１テスラ）が代表的なものであ
るが、近年、特公平７−４４１０８号公報に開示されて
いるように、更に飽和磁束密度を大きくした、Ｆｅを主
成分とする微結晶からなる窒化合金膜（１．５〜１．８
テスラ）も開発されている。
【０００３】これらの磁気ヘッドは、その製造プロセス
で、コア材自身の磁気特性を確保するための熱処理工
程、各コア半体を接合するためにガラスボンディングを
する際の熱処理工程等がある。この際、酸化物磁性材料
と磁性金属膜の界面で拡散が起こり非磁性層や磁気的に
非常に劣化された層（拡散層）が形成される。この拡散
層は、作動ギャップと略平行に位置しているために疑似
ギャップとして作用し、再生時の疑似信号の生成し、ヘ
ッド実用化の上で障害となっている。この問題点を解決
するために、特開平１−１００７１４号公報に開示され
ているように、拡散防止層として２０〜２００ÅのＳ
ｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎ
の酸化物薄膜の少なくとも１種類を拡散防止層として配
することが提案されている。
で、コア材自身の磁気特性を確保するための熱処理工
程、各コア半体を接合するためにガラスボンディングを
する際の熱処理工程等がある。この際、酸化物磁性材料
と磁性金属膜の界面で拡散が起こり非磁性層や磁気的に
非常に劣化された層（拡散層）が形成される。この拡散
層は、作動ギャップと略平行に位置しているために疑似
ギャップとして作用し、再生時の疑似信号の生成し、ヘ
ッド実用化の上で障害となっている。この問題点を解決
するために、特開平１−１００７１４号公報に開示され
ているように、拡散防止層として２０〜２００ÅのＳ
ｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎ
の酸化物薄膜の少なくとも１種類を拡散防止層として配
することが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の技術で
は、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金膜、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ系合金
膜では拡散防止膜効果が得られ、擬似信号出力は抑圧さ
れるものの、窒素を含有する磁性合金膜、例えばＦｅ−
Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系合金膜、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系合金膜では
疑似信号出力の増大、ばらつきが認められ、再生時の特
性の劣化およびヘッド製造工程における歩留まりの低下
につながっていた。
は、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金膜、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ系合金
膜では拡散防止膜効果が得られ、擬似信号出力は抑圧さ
れるものの、窒素を含有する磁性合金膜、例えばＦｅ−
Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系合金膜、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系合金膜では
疑似信号出力の増大、ばらつきが認められ、再生時の特
性の劣化およびヘッド製造工程における歩留まりの低下
につながっていた。
【０００５】本発明の目的は、酸化物磁性材料（主にフ
ェライト）と窒素を含有する磁性金属膜からなる複合型
磁気ヘッドの擬似信号出力及び擬似信号出力のばらつき
を抑圧し、ヘッド製造工程における歩留まりを向上させ
る磁気ヘッドを提供することにある。
ェライト）と窒素を含有する磁性金属膜からなる複合型
磁気ヘッドの擬似信号出力及び擬似信号出力のばらつき
を抑圧し、ヘッド製造工程における歩留まりを向上させ
る磁気ヘッドを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物磁性材
料（主にフェライト）と窒素を含有する磁性金属膜より
構成される複合型磁気ヘッドの擬似信号出力に関する実
験的な検討の結果見出されたものである。
料（主にフェライト）と窒素を含有する磁性金属膜より
構成される複合型磁気ヘッドの擬似信号出力に関する実
験的な検討の結果見出されたものである。
【０００７】すなわち、フェライトと窒素を含有する磁
性金属膜より構成される複合型磁気ヘッドの擬似信号出
力は、窒素を含まない磁性金属膜で構成したそれと比較
して、擬似信号出力の発生メカニズムが異なるという知
見を得た。
性金属膜より構成される複合型磁気ヘッドの擬似信号出
力は、窒素を含まない磁性金属膜で構成したそれと比較
して、擬似信号出力の発生メカニズムが異なるという知
見を得た。
【０００８】磁気ヘッドは、その製造プロセス中に熱処
理工程を有する。酸化物磁性材料と窒素を含有しない磁
性合金膜の界面での拡散は、主に酸化物磁性材料側の酸
素の拡散である。ところが、酸化物磁性材料と窒素を含
有する磁性金属膜の界面では、酸化物磁性材料側の酸素
の拡散とともに、磁性金属膜中の窒素が、拡散防止膜中
に拡散し、付着力の低下を引き起こしていることが明ら
かとなった。つまり、非磁性層の増大、付着力の不均一
が、擬似信号出力の増大、ばらつきにつながっている。
この擬似信号出力の増大、ばらつきを抑圧するために
は、酸化物磁性材料側からの酸素の拡散を防ぐととも
に、窒素を含有する磁性金属膜側から移動してきた窒素
を拡散防止膜中で窒化物生成能の高い元素と結合させる
ことで解決される。
理工程を有する。酸化物磁性材料と窒素を含有しない磁
性合金膜の界面での拡散は、主に酸化物磁性材料側の酸
素の拡散である。ところが、酸化物磁性材料と窒素を含
有する磁性金属膜の界面では、酸化物磁性材料側の酸素
の拡散とともに、磁性金属膜中の窒素が、拡散防止膜中
に拡散し、付着力の低下を引き起こしていることが明ら
かとなった。つまり、非磁性層の増大、付着力の不均一
が、擬似信号出力の増大、ばらつきにつながっている。
この擬似信号出力の増大、ばらつきを抑圧するために
は、酸化物磁性材料側からの酸素の拡散を防ぐととも
に、窒素を含有する磁性金属膜側から移動してきた窒素
を拡散防止膜中で窒化物生成能の高い元素と結合させる
ことで解決される。
【０００９】つまり、主磁路が酸化物磁性材料よりなり
その少なくとも一部が窒素を含有する磁性金属膜で構成
されている複合型磁気ヘッドで、酸化物磁性材料と窒素
を含有する磁性金属膜の界面に配された酸化物非磁性膜
の酸化物磁性材料側の酸素濃度を高くし、酸化物磁性材
料側からの酸素の拡散を防止するとともに、磁性金属膜
側の酸素濃度を低くし、窒化物生成能の高い元素を拡散
防止膜に適用することで擬似信号出力を抑圧し、そのば
らつきを小さくすることが可能となる。
その少なくとも一部が窒素を含有する磁性金属膜で構成
されている複合型磁気ヘッドで、酸化物磁性材料と窒素
を含有する磁性金属膜の界面に配された酸化物非磁性膜
の酸化物磁性材料側の酸素濃度を高くし、酸化物磁性材
料側からの酸素の拡散を防止するとともに、磁性金属膜
側の酸素濃度を低くし、窒化物生成能の高い元素を拡散
防止膜に適用することで擬似信号出力を抑圧し、そのば
らつきを小さくすることが可能となる。
【００１０】また、酸化物非磁性膜の酸素以外の主構成
元素としては、窒化物生成能が高い、Ｔｉ，Ｔａ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｚｒのうち、少なくとも１種類以上で
ある場合に特に有効である。
元素としては、窒化物生成能が高い、Ｔｉ，Ｔａ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｚｒのうち、少なくとも１種類以上で
ある場合に特に有効である。
【００１１】また、酸化物非磁性膜の膜厚は、４０Å以
上、１８０Å以下であることが、好ましい。
上、１８０Å以下であることが、好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１３】図１は本発明による磁気ヘッド１の概略図
であり、本実施例はフェライト−金属複合型構造を採る
ＶＴＲ用ヘッドへの適用例である。用いたフェライト単
結晶は、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトであり、磁性金属
膜はＦｅ−Ｔａ−Ｎ磁性金属膜を用いた。
であり、本実施例はフェライト−金属複合型構造を採る
ＶＴＲ用ヘッドへの適用例である。用いたフェライト単
結晶は、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトであり、磁性金属
膜はＦｅ−Ｔａ−Ｎ磁性金属膜を用いた。
【００１４】図１で、１０、１１はコア半体で、Ｍｎ−
Ｚｎフェライト材よりなるコア基体１２Ａ、１２ＢとＦ
ｅ−Ｔａ−Ｎよりなる磁性金属膜１４、フェライトとＦ
ｅ−Ｔａ−Ｎ膜の界面に配された酸素濃度勾配酸化物非
磁性膜１３とによって主として構成されている。コア半
体１０、１１はフロント側とリア側で突き合わされて、
フロント側には図示せぬギャップ規制薄膜を介在させた
所定トラック幅の作動ギャップ１６が形成されている。
１７は融着ガラスでコア半体１０、１１を一体に結合し
ている。１８は巻線窓で、図示せぬコイルが巻かれるよ
うになっている。１９は摺動幅を規制する段差である。
Ｚｎフェライト材よりなるコア基体１２Ａ、１２ＢとＦ
ｅ−Ｔａ−Ｎよりなる磁性金属膜１４、フェライトとＦ
ｅ−Ｔａ−Ｎ膜の界面に配された酸素濃度勾配酸化物非
磁性膜１３とによって主として構成されている。コア半
体１０、１１はフロント側とリア側で突き合わされて、
フロント側には図示せぬギャップ規制薄膜を介在させた
所定トラック幅の作動ギャップ１６が形成されている。
１７は融着ガラスでコア半体１０、１１を一体に結合し
ている。１８は巻線窓で、図示せぬコイルが巻かれるよ
うになっている。１９は摺動幅を規制する段差である。
【００１５】図２は作動ギャップ部分の拡大図である。
コア半体１０は、Ｍｎ−Ｚｎフェライトよりなるコア半
体１２ＡとＦｅ−Ｔａ−Ｎよりなる磁性金属膜１４、及
びその両者の界面に配された酸素濃度勾配酸化物非磁性
膜１３、Ｃｒ2Ｏ3膜よりなるギャップ規制薄膜１５とか
ら構成されている。コア半体１１も同様に構成されてい
る。
コア半体１０は、Ｍｎ−Ｚｎフェライトよりなるコア半
体１２ＡとＦｅ−Ｔａ−Ｎよりなる磁性金属膜１４、及
びその両者の界面に配された酸素濃度勾配酸化物非磁性
膜１３、Ｃｒ2Ｏ3膜よりなるギャップ規制薄膜１５とか
ら構成されている。コア半体１１も同様に構成されてい
る。
【００１６】次に、図１に示した磁気ヘッドの製造方法
を図３から図８を用いて説明する。まず、Ｍｎ−Ｚｎ単
結晶フェライトの母材ブロックを１対用意し、一方の母
材ブロックに図３に示したようにトラック幅を得るため
のトラック溝３２及び融着ガラス充填溝３３を高精度ダ
イサ等を用いて形成しＩコアとなるフェライトブロック
３０を得る。また、他方の母材ブロックに図４に示した
ようにトラック幅を得るためのトラック溝３２及び融着
ガラス充填溝３３及び巻線用溝３４を高精度ダイサ等を
用いて形成しＣコアとなるフェライトブロック３１を得
る。次に、母材ブロックを切り出す際やトラック溝３
２、融着ガラス充填溝３３、巻線用溝３４を高精度ダイ
サ等を用いて加工した際に形成されたＭｎ−Ｚｎフェラ
イト上の加工変質層を除去するために、リン酸によるフ
ェライトブロック３０、３１のエッチングを行ない表面
層を０．０５〜０．５０μｍ除去する。その後、対をな
す２つのフェライトブロック３０、３１の突合せ面の全
面に拡散防止膜である酸素濃度勾配酸化物非磁性膜を形
成する。本実施例では、Ｃｒ酸化膜を用いた。成膜は、
ＲＦスパッタリング装置を用い、Ｃｒ（純度３Ｎ）ター
ゲットを純ＡｒガスとＡｒ−Ｏ2（Ｏ2：５０％）混合ガ
スの両者を混合した雰囲気で形成した。成膜速度は、約
３０Å／ｍｉｎ．とし、フェライトブロック３０，３１
への成膜初期では、Ａｒ−Ｏ2（Ｏ2：５０％）混合ガス
のみ流量を２０ＳＣＣＭとし、成膜終了時点では、純Ａ
ｒガスのみ流量を２０ＳＣＣＭとなるようにし、その間
は、両者のガス流量が、２０ＳＣＣＭを保持するよう
に、Ａｒ−Ｏ2（Ｏ2：５０％）混合ガス流量を減らし、
純Ａｒガスの流量を増やすという操作を行なった。尚、
膜厚は、約２０，４０，６０，１２０，１８０，２１
０，２４０Åについて作成した。その後、Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎよりなる磁性金属膜１４、ギャップ規制膜１５をスパ
ッタリング法により形成し、図５、図６に示すフェライ
トブロック３０’、３１’を得る。
を図３から図８を用いて説明する。まず、Ｍｎ−Ｚｎ単
結晶フェライトの母材ブロックを１対用意し、一方の母
材ブロックに図３に示したようにトラック幅を得るため
のトラック溝３２及び融着ガラス充填溝３３を高精度ダ
イサ等を用いて形成しＩコアとなるフェライトブロック
３０を得る。また、他方の母材ブロックに図４に示した
ようにトラック幅を得るためのトラック溝３２及び融着
ガラス充填溝３３及び巻線用溝３４を高精度ダイサ等を
用いて形成しＣコアとなるフェライトブロック３１を得
る。次に、母材ブロックを切り出す際やトラック溝３
２、融着ガラス充填溝３３、巻線用溝３４を高精度ダイ
サ等を用いて加工した際に形成されたＭｎ−Ｚｎフェラ
イト上の加工変質層を除去するために、リン酸によるフ
ェライトブロック３０、３１のエッチングを行ない表面
層を０．０５〜０．５０μｍ除去する。その後、対をな
す２つのフェライトブロック３０、３１の突合せ面の全
面に拡散防止膜である酸素濃度勾配酸化物非磁性膜を形
成する。本実施例では、Ｃｒ酸化膜を用いた。成膜は、
ＲＦスパッタリング装置を用い、Ｃｒ（純度３Ｎ）ター
ゲットを純ＡｒガスとＡｒ−Ｏ2（Ｏ2：５０％）混合ガ
スの両者を混合した雰囲気で形成した。成膜速度は、約
３０Å／ｍｉｎ．とし、フェライトブロック３０，３１
への成膜初期では、Ａｒ−Ｏ2（Ｏ2：５０％）混合ガス
のみ流量を２０ＳＣＣＭとし、成膜終了時点では、純Ａ
ｒガスのみ流量を２０ＳＣＣＭとなるようにし、その間
は、両者のガス流量が、２０ＳＣＣＭを保持するよう
に、Ａｒ−Ｏ2（Ｏ2：５０％）混合ガス流量を減らし、
純Ａｒガスの流量を増やすという操作を行なった。尚、
膜厚は、約２０，４０，６０，１２０，１８０，２１
０，２４０Åについて作成した。その後、Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎよりなる磁性金属膜１４、ギャップ規制膜１５をスパ
ッタリング法により形成し、図５、図６に示すフェライ
トブロック３０’、３１’を得る。
【００１７】続いて、図７に示すように突き合わせ面同
士で正確に位置させて突き合わせ、巻線用溝３４及び融
着ガラス充填溝３３に融着ガラス棒３５をセットする。
その後両フェライトブロック３０’、３１’同士を圧着
した状態で加熱接合して、図８に示す接合ブロック３６
を得る。この接合ブロック３６を高精度ダイサ等を用い
て摺動幅規制溝を形成した後に図８に示す仮想線４２に
沿って切断し、ヘッドチップを得る。その後、摺動面の
曲面加工、及び鏡面加工を施すことにより前記図１に示
したような磁気ヘッド１が得られる。
士で正確に位置させて突き合わせ、巻線用溝３４及び融
着ガラス充填溝３３に融着ガラス棒３５をセットする。
その後両フェライトブロック３０’、３１’同士を圧着
した状態で加熱接合して、図８に示す接合ブロック３６
を得る。この接合ブロック３６を高精度ダイサ等を用い
て摺動幅規制溝を形成した後に図８に示す仮想線４２に
沿って切断し、ヘッドチップを得る。その後、摺動面の
曲面加工、及び鏡面加工を施すことにより前記図１に示
したような磁気ヘッド１が得られる。
【００１８】本実施例では、比較例として、Ｃｒ2Ｏ3タ
ーゲットを純Ａｒガス雰囲気中で形成した酸化Ｃｒ膜を
拡散防止膜として適用した場合の磁気ヘッドも同様に作
成し、擬似信号出力、ヘッド強度の測定を行なった。比
較例での拡散防止膜膜厚は約１２０Åである。尚、ヘッ
ド強度の測定は、ヘッドチップでの膜の付着力を定量化
する目的で行なった。
ーゲットを純Ａｒガス雰囲気中で形成した酸化Ｃｒ膜を
拡散防止膜として適用した場合の磁気ヘッドも同様に作
成し、擬似信号出力、ヘッド強度の測定を行なった。比
較例での拡散防止膜膜厚は約１２０Åである。尚、ヘッ
ド強度の測定は、ヘッドチップでの膜の付着力を定量化
する目的で行なった。
【００１９】擬似信号出力は、上述のように作成した本
発明のヘッドと比較例のヘッドについて、電磁変換特性
におけるヘッド出力の周波数特性を測定し、７ＭＨｚで
の再生出力のうねりを測定した。また、ヘッド強度は、
Ｉコア半体を固定した状態で、Ｃコア半体に加重を加
え、ヘッドが破壊された加重値を測定した。
発明のヘッドと比較例のヘッドについて、電磁変換特性
におけるヘッド出力の周波数特性を測定し、７ＭＨｚで
の再生出力のうねりを測定した。また、ヘッド強度は、
Ｉコア半体を固定した状態で、Ｃコア半体に加重を加
え、ヘッドが破壊された加重値を測定した。
【００２０】図９にヘッド強度と７ＭＨｚでの再生出力
のうねりの関係を示す。比較例のヘッドが、７ＭＨｚで
の再生出力のうねりで、１．２〜４．７ｄＢとばらつい
ているのに対し、本発明のヘッドでは、ヘッド強度も比
較例と比較して高く、また、そのばらつきも小さく、更
に７ＭＨｚでの再生出力のうねりも約１ｄＢ以下とな
り、ヘッド強度（膜の付着力）、擬似信号出力の点で優
れていることが判る。
のうねりの関係を示す。比較例のヘッドが、７ＭＨｚで
の再生出力のうねりで、１．２〜４．７ｄＢとばらつい
ているのに対し、本発明のヘッドでは、ヘッド強度も比
較例と比較して高く、また、そのばらつきも小さく、更
に７ＭＨｚでの再生出力のうねりも約１ｄＢ以下とな
り、ヘッド強度（膜の付着力）、擬似信号出力の点で優
れていることが判る。
【００２１】また、酸素濃度勾配酸化物非磁性膜の酸素
以外の主構成元素が、Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｒ，
Ｚｒのうち、少なくとも１種類以上である場合も、７Ｍ
Ｈｚでの再生出力のうねりが約１ｄＢ以下となり、良好
な特性を示す。
以外の主構成元素が、Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｒ，
Ｚｒのうち、少なくとも１種類以上である場合も、７Ｍ
Ｈｚでの再生出力のうねりが約１ｄＢ以下となり、良好
な特性を示す。
【００２２】図１０に、膜厚と７ＭＨｚでの再生出力の
うねりの関係を示す。膜厚が、４０Å〜１８０Åで７Ｍ
Ｈｚでの再生出力のうねりが１．５ｄＢ以下となること
が判る。
うねりの関係を示す。膜厚が、４０Å〜１８０Åで７Ｍ
Ｈｚでの再生出力のうねりが１．５ｄＢ以下となること
が判る。
【００２３】
【発明の効果】本発明の複合型磁気ヘッドでは、酸化物
磁性材料（主にフェライト）と窒素を含有する磁性金属
膜との界面に、酸素濃度勾配酸化物非磁性膜が形成され
ており、酸素濃度勾配酸化物非磁性膜の酸化物磁性材料
側で酸素濃度が高く、磁性金属膜側で酸素濃度を低くす
ることで、酸化物磁性材料中の酸素の拡散を防ぎ、また
窒素を含む磁性金属膜中の窒素が拡散防止膜と反応し付
着力を向上することが可能となり、擬似信号出力の増
大、ばらつきを少なくし、歩留まりの向上につながる。
磁性材料（主にフェライト）と窒素を含有する磁性金属
膜との界面に、酸素濃度勾配酸化物非磁性膜が形成され
ており、酸素濃度勾配酸化物非磁性膜の酸化物磁性材料
側で酸素濃度が高く、磁性金属膜側で酸素濃度を低くす
ることで、酸化物磁性材料中の酸素の拡散を防ぎ、また
窒素を含む磁性金属膜中の窒素が拡散防止膜と反応し付
着力を向上することが可能となり、擬似信号出力の増
大、ばらつきを少なくし、歩留まりの向上につながる。
【００２４】また、酸素濃度勾配酸化物非磁性膜の酸素
以外の主構成元素が、窒化物生成能が高いＴｉ，Ｔａ，
Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｚｒのうち、少なくとも１種類以上
である場合にその効果が大きい。
以外の主構成元素が、窒化物生成能が高いＴｉ，Ｔａ，
Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｚｒのうち、少なくとも１種類以上
である場合にその効果が大きい。
【００２５】また、酸化物非磁性膜の膜厚は、４０Å以
上、１８０Å以下で形成している場合にその効果が大き
い。
上、１８０Å以下で形成している場合にその効果が大き
い。
【図１】本発明の磁気ヘッドの斜視図。
【図２】本発明の磁気ヘッドの作動ギャップ部分の説明
図。
図。
【図３】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す説明図。
【図４】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す説明図。
【図５】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す説明図。
【図６】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す説明図。
【図７】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す説明図。
【図８】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す説明図。
【図９】本発明の磁気ヘッドと比較例の磁気ヘッドの強
度と７ＭＨｚでの再生出力のうねりの関係を示す説明
図。
度と７ＭＨｚでの再生出力のうねりの関係を示す説明
図。
【図１０】本発明の磁気ヘッドの酸化物非磁性材料の膜
厚と７ＭＨｚでのうねりの関係を示す説明図。
厚と７ＭＨｚでのうねりの関係を示す説明図。
１０，１１…コア半体、 １２Ａ、１２Ｂ…コア基体、 １３…酸素濃度勾配酸化物非磁性膜、 １４…磁性金属膜、 １５…ギャップ規制薄膜、 １６…作動ギャップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲田 健吉 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所映像情報メディア事業部内 (72)発明者 三浦 義從 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所マルチメディアシステム開 発本部内
Claims (3)
- 【請求項１】主磁路が酸化物磁性材料よりなり、その少
なくとも一部が窒素を含有する磁性金属膜で構成される
複合型磁気ヘッドにおいて、上記酸化物磁性材料と上記
窒素を含有する磁性金属膜の界面に酸化物非磁性膜が配
されており、上記酸化物非磁性膜の上記酸化物磁性材料
側では酸素濃度が高く、上記磁性金属膜側では酸素濃度
が低くされてなることを特徴とする複合型磁気ヘッド。 - 【請求項２】上記酸化物非磁性膜の酸素以外の主構成元
素が、Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｚｒのうち、少
なくとも１種類以上である請求項１に記載の複合型磁気
ヘッド。 - 【請求項３】上記酸化物非磁性膜の膜厚が、４０Å以
上、１８０Å以下である請求項１または２に記載の複合
型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3165897A JPH10228604A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 複合型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3165897A JPH10228604A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 複合型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10228604A true JPH10228604A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12337256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3165897A Pending JPH10228604A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 複合型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10228604A (ja) |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP3165897A patent/JPH10228604A/ja active Pending
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