JPH10251841A - 真空成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 均一な特性の磁気記録媒体の製造歩留りが高
い成膜装置を提供することである。 【解決手段】 支持体上に粒子を堆積させて膜を形成す
る真空成膜装置であって、前記装置内に配設された排気
口と、前記排気口につらなる排気手段と、前記排気口に
設けられた排気流制御部材とを具備し、前記排気口が、
上下方向にあっては、前記装置内に配置された支持体上
に粒子が堆積する堆積領域の範囲より下部の領域に対応
して、左右方向にあっては、支持体の幅の範囲内に対応
して設けられ、前記排気流制御部材は、前記排気口外端
側が下で、排気口内側が上となる斜めの状態に設けられ
てなる真空成膜装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、幅方向において均
一な厚さの膜を形成できる真空蒸着などの成膜装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されている。すなわち、真空蒸着と言った乾式メッ
キ手段により磁性膜を形成した磁気記録媒体が提案され
ている。そして、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填
密度が高いことから、高密度記録に適したものである。

【０００３】金属薄膜型の磁性膜を形成する装置として
は、図４に示す斜め蒸着装置が知られている。図４中、
３１は真空槽、３２は冷却キャンロール、３３は冷却キ
ャンロール３２に沿って供給側ロールから巻取側ロール
に向けて走行する支持体、３４は磁性金属が充填された
ルツボ、３５は電子銃、３６は排気口であり、真空ポン
プによって排気口３６から真空槽３１内の気体が排気さ
れる。そして、真空ポンプを作動させて真空槽内を真空
排気し、ルツボの中の磁性金属に電子ビームを照射する
と、磁性金属は溶融し、上方に蒸発して行く。そして、
蒸発した磁性金属粒子は冷却キャンロールに添接されて
いる支持体面に付着・堆積し、斜め蒸着磁性膜が設けら
れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の真空蒸
着装置によって金属磁性膜を形成していると、支持体上
に形成された金属磁性膜の厚さが幅方向（支持体の長手
方向に直交する方向）において均一でなく、バラツキが
認められるものであった。この為、保磁力などの磁気特
性にバラツキがあり、均一な特性の磁気記録媒体の製造
歩留りは良くない。

【０００５】従って、本発明が解決しようとする課題
は、均一な特性の磁気記録媒体の製造歩留りが高い成膜
装置を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の研究が鋭意押し進められて行った結果、金属磁性膜の
厚さが幅方向において均一でない原因として、真空槽内
を真空とする為の排気にあることが突き止められた。す
なわち、真空槽内を真空とする為、排気が行われてお
り、この排気動作は磁性膜が形成されている時も行われ
ている。この為、真空槽内には僅かながらも気体の流れ
がある。この気流が、蒸発した金属磁性粒子が支持体に
蒸着する経路に影響を与える。そして、これによって、
金属磁性膜の厚さが幅方向において不均一になってい
た。

【０００７】この知見に基づいて本発明が達成されたも
のであり、上記課題は、支持体上に粒子を堆積させて膜
を形成する真空成膜装置であって、前記装置内に配設さ
れた排気口と、前記排気口につらなる排気手段と、前記
排気口に設けられた排気流制御部材とを具備し、前記排
気口が、上下方向にあっては、前記装置内に配置された
支持体上に粒子が堆積する堆積領域の範囲より下部の領
域に対応して、左右方向にあっては、支持体の幅の範囲
内に対応して設けられ、前記排気流制御部材は、前記排
気口外端側が下で、排気口内側が上となる斜めの状態に
設けられてなることを特徴とする真空成膜装置によって
解決される。

【０００８】又、支持体上に粒子を堆積させて膜を形成
する真空成膜装置であって、前記装置内に配設された排
気口と、前記排気口につらなる排気手段と、前記排気口
に設けられた排気流制御部材とを具備し、前記排気口
が、上下方向にあっては、前記装置内に配置された支持
体上に粒子が堆積する堆積領域の範囲より上部の領域に
対応して、左右方向にあっては、支持体の幅の範囲内に
対応して設けられ、前記排気流制御部材は、前記排気口
外端側が上で、排気口内側が下となる斜めの状態に設け
られてなることを特徴とする真空成膜装置によって解決
される。

【０００９】特に、支持体上に粒子を堆積させて膜を形
成する真空成膜装置であって、前記装置内に配設された
第１及び第２の排気口と、前記排気口につらなる排気手
段と、前記第１の排気口に設けられた第１の排気流制御
部材と、前記第２の排気口に設けられた第２の排気流制
御部材とを具備し、前記第１の排気口が、上下方向にあ
っては、前記装置内に配置された支持体上に粒子が堆積
する堆積領域の範囲より下部の領域に対応して、左右方
向にあっては、支持体の幅の範囲内に対応して設けら
れ、前記第２の排気口が、上下方向にあっては、前記装
置内に配置された支持体上に粒子が堆積する堆積領域の
範囲より上部の領域に対応して、左右方向にあっては、
支持体の幅の範囲内に対応して設けられ、しかも、前記
第１の排気流制御部材は、前記第１の排気口外端側が下
で、排気口内側が上となる斜めの状態に設けられ、前記
第２の排気流制御部材は、前記第２の排気口外端側が上
で、排気口内側が下となる斜めの状態に設けられてなる
ことを特徴とする真空成膜装置によって解決される。

【００１０】ここで、左右方向とは支持体の幅の方向
（支持体の長手方向に直交する方向）を言い、上下方向
とは垂直（鉛直）方向を言い、排気口外端側とは真空槽
内部側（後述する図２、図３において、記号Ａ側が排気
口外端側）を言い、排気口内側とは排気ポンプ側（真空
槽外部側。後述する図２、図３において、記号Ｂ側が排
気口内側）を言う。

【００１１】尚、上記真空成膜装置において、排気口と
支持体上に粒子が堆積する堆積領域との間には水平方向
に遮蔽部材が設けられていることが好ましい。又、真空
成膜装置は斜め蒸着装置であり、支持体上に堆積する粒
子は電子銃の照射によって蒸発したものであり、前記電
子銃は堆積領域を境にして排気口と反対側に設けられて
いることが好ましい。特に、真空成膜装置は斜め蒸着装
置であり、支持体上に堆積する粒子は電子銃の照射によ
って蒸発したものであり、粒子が堆積する堆積領域より
支持体が供給される上流側に電子銃が設けられており、
前記堆積領域より支持体が巻き取られる下流側に排気口
が設けられていることが好ましい。

【００１２】すなわち、上記のように真空成膜装置を構
成させていると、真空槽内を排気した際に形成される排
気流によって蒸発粒子の飛行経路が影響され難く、蒸発
粒子が支持体に均一に分散付着して堆積するようにな
る。この結果、支持体の幅方向において均一な厚さの膜
が形成されるようになる。従って、形成される膜が磁性
膜の場合には、幅方向において均一な磁気特性のものが
得られる。そして、得られた磁気記録媒体の原反を所定
幅にスリットして磁気テープを作製する場合でも、幅方
向において均一な特性のものが得られているから、スリ
ットして得た磁気テープ間にバラツキは少なく、均一な
ものが製造歩留り良く得られる。

【００１３】又、排気口から吸い込まれて来る粒子によ
って真空ポンプは損傷し難いものであり、真空ポンプの
耐久性も高まった。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の真空成膜装置は、支持体
上に粒子を堆積させて膜を形成する真空成膜装置であっ
て、前記装置内に配設された排気口と、前記排気口につ
らなる排気手段と、前記排気口に設けられた排気流制御
部材とを具備し、前記排気口が、上下方向にあっては、
前記装置内に配置された支持体上に粒子が堆積する堆積
領域の範囲より下部の領域に対応して、左右方向にあっ
ては、支持体の幅の範囲内に対応して設けられ、前記排
気流制御部材は、前記排気口外端側が下で、排気口内側
が上となる斜めの状態に設けられている。或いは、支持
体上に粒子を堆積させて膜を形成する真空成膜装置であ
って、前記装置内に配設された排気口と、前記排気口に
つらなる排気手段と、前記排気口に設けられた排気流制
御部材とを具備し、前記排気口が、上下方向にあって
は、前記装置内に配置された支持体上に粒子が堆積する
堆積領域の範囲より上部の領域に対応して、左右方向に
あっては、支持体の幅の範囲内に対応して設けられ、前
記排気流制御部材は、前記排気口外端側が上で、排気口
内側が下となる斜めの状態に設けられている。特に、支
持体上に粒子を堆積させて膜を形成する真空成膜装置で
あって、前記装置内に配設された第１及び第２の排気口
と、前記排気口につらなる排気手段と、前記第１の排気
口に設けられた第１の排気流制御部材と、前記第２の排
気口に設けられた第２の排気流制御部材とを具備し、前
記第１の排気口が、上下方向にあっては、前記装置内に
配置された支持体上に粒子が堆積する堆積領域の範囲よ
り下部の領域に対応して、左右方向にあっては、支持体
の幅の範囲内に対応して設けられ、前記第２の排気口
が、上下方向にあっては、前記装置内に配置された支持
体上に粒子が堆積する堆積領域の範囲より上部の領域に
対応して、左右方向にあっては、支持体の幅の範囲内に
対応して設けられ、しかも前記第１の排気流制御部材
は、前記第１の排気口外端側が下で、排気口内側が上と
なる斜めの状態に設けられ、前記第２の排気流制御部材
は、前記第２の排気口外端側が上で、排気口内側が下と
なる斜めの状態に設けられている。そして、排気口と支
持体上に粒子が堆積する堆積領域との間には水平方向に
遮蔽部材が設けられている。真空成膜装置は斜め蒸着装
置であり、支持体上に堆積する粒子は電子銃の照射によ
って蒸発したものであり、前記電子銃は堆積領域を境に
して排気口と反対側に設けられている。又、真空成膜装
置は斜め蒸着装置であり、支持体上に堆積する粒子は電
子銃の照射によって蒸発したものであり、粒子が堆積す
る堆積領域より支持体が供給される上流側に電子銃が設
けられており、前記堆積領域より支持体が巻き取られる
下流側に排気口が設けられている。又、排気口の左右方
向の中心が支持体の幅方向における中心位置と対応する
よう排気口が設けられている。

【００１５】以下、更に詳しく説明する。図１は本発明
になる真空成膜装置（斜め蒸着装置）の一実施形態を示
す概略図、図２は第１の排気口部分の側面図、図３は第
２の排気口部分の側面図である。各図中、１は真空槽、
２は真空槽１内に配設された円筒状の冷却キャンロール
である。尚、直交するＸ，Ｙ，Ｚの座標軸（Ｚ軸方向が
上下（鉛直）方向、Ｙ軸方向が左右方向、Ｘ軸方向が前
後方向とする。）で表される空間において、冷却キャン
ロール２の軸芯はＹ軸の方向（又は、Ｙ軸に平行な方
向）にある。

【００１６】長尺状の支持体３は、供給側ロール３ａか
ら繰り出され、冷却キャンロール２に添接され、そして
巻取側ロール３ｂに向けて走行し、巻取側ロール３ｂに
巻き取られて行く。従って、冷却キャンロール２に添っ
て走行する支持体３の走行方向は、Ｘ−Ｙ面内に投影し
た場合、＋Ｘから−Ｘの方向にある。Ｙ軸の方向に走行
することはない。尚、支持体３は、磁気記録媒体用の場
合、磁性を有するものでも、非磁性のものでも良いが、
一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリア
ミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネー
ト、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロー
ス系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といったフレキシブル
な高分子材料が用いられる。

【００１７】４は冷却キャンロール２の下方に設置され
たルツボであり、ルツボ４の中に膜構成材料、例えば磁
性金属が充填されている。磁性金属としては、例えばＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ
−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、
Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、
あるいはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いら
れる。尚、磁性金属粒子を堆積させて得られた磁性膜と
しては、前記材料の窒化物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−
Ｎ−Ｏ）や炭化物（例えば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）
等も挙げられる。

【００１８】５は支持体３が繰り出されて来る上流側の
位置に設置された電子銃であり、電子銃５からの電子ビ
ームがルツボ４の中に膜構成材料（磁性金属）に照射さ
れ、例えば磁性金属は溶融し、上方に蒸発して行く。そ
して、蒸発粒子は上方の支持体面に付着し、堆積して行
く。尚、最小入射角で支持体に付着する部分にＸ軸の原
点をおくと、＋Ｘの側に電子銃５は設けられている。

【００１９】６は第１の遮蔽板であり、蒸発した粒子が
冷却キャンロール２に添接されている支持体３に付着・
堆積する領域を規制する。つまり、第１の遮蔽板６によ
って蒸着粒子の最小入射角が決定される。尚、この第１
の遮蔽板６は、前記堆積領域より下流側の位置であっ
て、冷却キャンロール２に添接されている支持体３（付
着・堆積位置）とルツボ４（蒸発源）との間に水平方向
に設けられたものである。すなわち、最小入射角で支持
体に付着する部分にＸ軸の原点をおくと、−Ｘの側に第
１の遮蔽板６は設けられている。

【００２０】７は冷却キャンロール２に添接されている
支持体３に蒸発粒子が付着・堆積する堆積領域より上流
側の位置に水平方向に設けられた第２の遮蔽板であり、
第２の遮蔽板によって蒸発粒子が真空槽１内に広く拡散
するのを防止する。尚、最小入射角で支持体に付着する
部分にＸ軸の原点をおくと、＋Ｘの側に第２の遮蔽板７
は設けられている。

【００２１】８は水平方向に設けられた第３の遮蔽板で
あり、冷却キャンロール２を間に挟んで第２の遮蔽板７
の延長上に設けられている。９は酸化性のガス、例えば
酸素ガスを供給するノズルであり、第１の遮蔽板６上に
配設されている。１０は、第１の遮蔽板６の下に設けら
れた第１の排気口である。この第１の排気口１０は、上
下方向（Ｚ軸方向）にあっては、支持体３上に粒子が堆
積する堆積領域の範囲より下部の領域に対応して、左右
方向（Ｙ軸方向）にあっては、支持体３の幅の範囲内に
対応して設けられている。特に、支持体３の幅方向にお
ける真ん中の位置に排気口１０の中心が対応して設けら
れている。

【００２２】１１は、第３の遮蔽板８の上に設けられた
第２の排気口である。この第２の排気口１１は、上下方
向（Ｚ軸方向）にあっては、支持体３上に粒子が堆積す
る堆積領域の範囲より上部の領域に対応して、左右方向
（Ｙ軸方向）にあっては、支持体３の幅の範囲内に対応
して設けられている。特に、支持体３の幅方向における
真ん中の位置に排気口１１の中心が対応して設けられて
いる。

【００２３】これらの排気口１０，１１には排気ポンプ
（真空ポンプ）が接続されており、真空ポンプを作動さ
せることによって、真空槽１内の気体は、図２、図３に
矢印で示すような経路を辿り、第１の排気口１０や第２
の排気口１１から排気されて行く。第１の排気口１０に
は、排気口外端側（図２において、記号Ａ側）が下で、
排気口内側（図２において、記号Ｂ側が排気口内側）が
上となる斜めの状態で第１の羽根１２が複数個設けられ
ている。第２の排気口１１には、排気口外端側（図３に
おいて、記号Ａ側）が上で、排気口内側（図３におい
て、記号Ｂ側が排気口内側）が下となる斜めの状態で第
２の羽根１３が複数個設けられている。

【００２４】上記装置を用い、非磁性の支持体３上に金
属磁性膜を形成するには、真空ポンプを作動させて真空
槽１内の真空度を１０^-4〜１０^-6Ｔｏｒｒ程度になし、
そしてルツボ４の中の磁性金属に電子銃５からの電子ビ
ームを照射すると、磁性金属は溶融し、上方に蒸発して
行く。そして、蒸発した磁性金属粒子は冷却キャンロー
ル２に添接されている支持体３面に付着・堆積し、斜め
蒸着磁性膜が設けられる。

【００２５】この磁性膜の形成に際して、真空ポンプの
作動により第１の排気口１０から排気されて行く排気流
は図２の矢印で示すような流れを示し、第２の排気口１
１から排気されて行く排気流は図３の矢印で示すような
流れを示す。この為、冷却キャンロール２に沿って斜め
蒸着しようとする直前の粒子に排気流が作用し、特定の
位置にのみ粒子を偏在させて付着・堆積せしめることは
ない。

【００２６】すなわち、上記のように装置を構成させて
いると、真空槽１内を排気した際に形成される排気流に
よって蒸発粒子の飛行経路は影響を受け難く、蒸発粒子
が支持体３に均一に分散付着して堆積するようになる。
この結果、支持体３の幅方向において均一な厚さの膜が
形成されるようになる。従って、形成される膜が磁性膜
の場合には、幅方向において均一な磁気特性のものが得
られる。そして、得られた磁気記録媒体の原反を所定幅
にスリットして磁気テープを作製する場合でも、幅方向
において均一な特性のものが得られているから、スリッ
トして得た磁気テープ間にバラツキは少なく、均一なも
のが製造歩留り良く得られる。

【００２７】又、排気口１０，１１から吸い込まれて来
る粒子が減少した為、真空ポンプは損傷し難く、真空ポ
ンプの耐久性も高まった。

【００２８】

【実施例１】図１に示す装置に支持体３として厚さ６．
３μｍで幅１５５ｍｍの長尺状ポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルムを装着し、このＰＥＴフィルム
を１ｍ／ｍｉｎの走行速度で走行させ、そして第２の排
気口１１からは真空排気せず、第１の排気口１０からの
み真空排気し、更にノズル９より酸素ガスを２２ＳＣＣ
Ｍの割合で供給し、又、電子銃５の出力を２０ｋｗと
し、ＰＥＴフィルム上にＣｏ金属磁性膜を斜め蒸着によ
り形成した。

【００２９】

【実施例２】図１に示す装置に支持体３として厚さ６．
３μｍで幅１５５ｍｍの長尺状ＰＥＴフィルムを装着
し、このＰＥＴフィルムを１ｍ／ｍｉｎの走行速度で走
行させ、そして第１の排気口１０からは真空排気せず、
第２の排気口１１からのみ真空排気し、更にノズル９よ
り酸素ガスを２５ＳＣＣＭの割合で供給し、又、電子銃
５の出力を２２ｋｗとし、ＰＥＴフィルム上にＣｏ金属
磁性膜を斜め蒸着により形成した。

【００３０】

【実施例３】図１に示す装置に支持体３として厚さ６．
３μｍで幅１５５ｍｍの長尺状ＰＥＴフィルムを装着
し、このＰＥＴフィルムを１ｍ／ｍｉｎの走行速度で走
行させ、そして第１の排気口１０及び第２の排気口１１
から真空排気し、更にノズル９より酸素ガスを２８ＳＣ
ＣＭの割合で供給し、又、電子銃５の出力を２５ｋｗと
し、ＰＥＴフィルム上にＣｏ金属磁性膜を斜め蒸着によ
り形成した。

【００３１】

【比較例】図４に示す装置に支持体として厚さ６．３μ
ｍで幅１５５ｍｍの長尺状ＰＥＴフィルムを装着し、こ
のＰＥＴフィルムを１ｍ／ｍｉｎの走行速度で走行さ
せ、そして排気口３６から真空排気し、更にノズルより
酸素ガスを２５ＳＣＣＭの割合で供給し、又、電子銃３
５の出力を２２ｋｗとし、ＰＥＴフィルム上にＣｏ金属
磁性膜を斜め蒸着により形成した。

【００３２】

【特性】上記実施例１〜実施例３及び比較例で得た幅１
５５ｍｍの磁気記録媒体原反について、金属磁性膜の厚
さを段差計により調べると共に、保磁力をＶＳＭで調べ
たので、その結果を表−１に示す。 表−１ Ａ点−Ｂ点 Ｂ点−Ｃ点 厚さの差 保磁力の差 厚さの差 保磁力の差 実施例１ ２ｎｍ −３０Ｏｅ １ｎｍ ２０Ｏｅ 実施例２ ２ｎｍ −４０Ｏｅ −１ｎｍ ２５Ｏｅ 実施例３ １ｎｍ −３０Ｏｅ −１ｎｍ −１０Ｏｅ 比較例 −６ｎｍ ８５Ｏｅ １１ｎｍ −１３０Ｏｅ ＊Ａ点は金属磁性膜の幅方向における真ん中の位置 Ｂ点は金属磁性膜の幅方向における真ん中より左側に４ｃｍ離れた位置 Ｃ点は金属磁性膜の幅方向における真ん中より右側に４ｃｍ離れた位置 これから判る通り、本発明の装置で成膜すると、幅方向
におけるバラツキが少ない膜が形成される。

【００３３】

【発明の効果】本発明の装置を用いると、真空槽内を排
気した際に形成される排気流が蒸発粒子の飛行経路に影
響を与え難く、蒸発粒子が支持体に均一に分散付着して
堆積するようになる。この結果、支持体の幅方向におい
て均一な厚さの膜が形成されるようになる。従って、形
成される膜が磁性膜の場合には、幅方向において均一な
磁気特性のものが得られる。そして、得られた磁気記録
媒体の原反を所定幅にスリットして磁気テープを作製す
る場合でも、幅方向において均一な特性のものが得られ
ているから、スリットして得た磁気テープ間にバラツキ
は少なく、均一なものが製造歩留り良く得られる。

【００３４】又、排気口から吸い込まれて来る粒子によ
って真空ポンプは損傷し難いものであり、耐久性も高
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明になる真空成膜装置の一実施形態を示す
概略図

【図２】第１の排気口部分の側面図

【図３】第２の排気口部分の側面図

【図４】従来の真空成膜装置の概略図

【符号の説明】

１ 真空槽 ２ 冷却キャンロール ３ 支持体 ４ ルツボ ５ 電子銃 ６ 第１の遮蔽板 ８ 第３の遮蔽板 ９ ノズル １０ 第１の排気口 １１ 第２の排気口 １２ 第１の羽根（第１の排気流制御部材） １３ 第２の羽根（第２の排気流制御部材）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に粒子を堆積させて膜を形成す
   る真空成膜装置であって、 前記装置内に配設された排気口と、前記排気口につらな
   る排気手段と、前記排気口に設けられた排気流制御部材
   とを具備し、 前記排気口が、上下方向にあっては、前記装置内に配置
   された支持体上に粒子が堆積する堆積領域の範囲より下
   部の領域に対応して、左右方向にあっては、支持体の幅
   の範囲内に対応して設けられ、 前記排気流制御部材は、前記排気口外端側が下で、排気
   口内側が上となる斜めの状態に設けられてなることを特
   徴とする真空成膜装置。
2. 【請求項２】 支持体上に粒子を堆積させて膜を形成す
   る真空成膜装置であって、 前記装置内に配設された排気口と、前記排気口につらな
   る排気手段と、前記排気口に設けられた排気流制御部材
   とを具備し、 前記排気口が、上下方向にあっては、前記装置内に配置
   された支持体上に粒子が堆積する堆積領域の範囲より上
   部の領域に対応して、左右方向にあっては、支持体の幅
   の範囲内に対応して設けられ、 前記排気流制御部材は、前記排気口外端側が上で、排気
   口内側が下となる斜めの状態に設けられてなることを特
   徴とする真空成膜装置。
3. 【請求項３】 支持体上に粒子を堆積させて膜を形成す
   る真空成膜装置であって、 前記装置内に配設された第１及び第２の排気口と、前記
   排気口につらなる排気手段と、前記第１の排気口に設け
   られた第１の排気流制御部材と、前記第２の排気口に設
   けられた第２の排気流制御部材とを具備し、 前記第１の排気口が、上下方向にあっては、前記装置内
   に配置された支持体上に粒子が堆積する堆積領域の範囲
   より下部の領域に対応して、左右方向にあっては、支持
   体の幅の範囲内に対応して設けられ、 前記第２の排気口が、上下方向にあっては、前記装置内
   に配置された支持体上に粒子が堆積する堆積領域の範囲
   より上部の領域に対応して、左右方向にあっては、支持
   体の幅の範囲内に対応して設けられ、 しかも、前記第１の排気流制御部材は、前記第１の排気
   口外端側が下で、排気口内側が上となる斜めの状態に設
   けられ、 前記第２の排気流制御部材は、前記第２の排気口外端側
   が上で、排気口内側が下となる斜めの状態に設けられて
   なることを特徴とする真空成膜装置。
4. 【請求項４】 真空成膜装置は斜め蒸着装置であり、支
   持体上に堆積する粒子は電子銃の照射によって蒸発した
   ものであり、前記電子銃は堆積領域を境にして排気口と
   反対側に設けられていることを特徴とする請求項１〜請
   求項３いずれかの真空成膜装置。
5. 【請求項５】 真空成膜装置は斜め蒸着装置であり、支
   持体上に堆積する粒子は電子銃の照射によって蒸発した
   ものであり、粒子が堆積する堆積領域より支持体が供給
   される上流側に電子銃が設けられており、前記堆積領域
   より支持体が巻き取られる下流側に排気口が設けられて
   いることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの成
   膜装置。