JPH10298145A - ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型３−メトキシ−７−メトキシヘプタン誘導体およびそれを用いた液晶表示素子、およびそれらに関連する中間体およびその製造方法 - Google Patents
ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型３−メトキシ−７−メトキシヘプタン誘導体およびそれを用いた液晶表示素子、およびそれらに関連する中間体およびその製造方法Info
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- JPH10298145A JPH10298145A JP9124911A JP12491197A JPH10298145A JP H10298145 A JPH10298145 A JP H10298145A JP 9124911 A JP9124911 A JP 9124911A JP 12491197 A JP12491197 A JP 12491197A JP H10298145 A JPH10298145 A JP H10298145A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温から室温まで広い温度領域で、３安定状
態であるカイラルスメクチックＣA相を示し、高速応答
性、低閾値電圧および高チルト角を有する反強誘電性液
晶化合物およびそれを用いた液晶表示素子、およびそれ
に関連した中間体およびその製造方法の提供。 【解決手段】 式（１）または式（２）で示される反強
誘電性液晶化合物およびそれを用いた液晶表示素子、お
よびそれに関連した中間体としてのｓｙｎ−（２Ｓ，３
Ｒ）−、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−、ｓｙｎ−（２
Ｒ，３Ｓ）−およびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末
端メトキシアルカンおよびその製造方法。 【化１】 （式中、Ｒは炭素数６〜１４の直鎖状アルキル基、Ｘは
単結合または酸素結合、Ｙは水素原子またはフッ素原子
を表わす）
態であるカイラルスメクチックＣA相を示し、高速応答
性、低閾値電圧および高チルト角を有する反強誘電性液
晶化合物およびそれを用いた液晶表示素子、およびそれ
に関連した中間体およびその製造方法の提供。 【解決手段】 式（１）または式（２）で示される反強
誘電性液晶化合物およびそれを用いた液晶表示素子、お
よびそれに関連した中間体としてのｓｙｎ−（２Ｓ，３
Ｒ）−、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−、ｓｙｎ−（２
Ｒ，３Ｓ）−およびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末
端メトキシアルカンおよびその製造方法。 【化１】 （式中、Ｒは炭素数６〜１４の直鎖状アルキル基、Ｘは
単結合または酸素結合、Ｙは水素原子またはフッ素原子
を表わす）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規液晶化合物で
あるｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２
Ｓ，３Ｓ）型３−メトキシ−７−メトキシヘプタン誘導
体およびそれを用いた液晶表示素子に関する。さらに詳
しくは本発明は、高速応答性、低閾値電圧、および高チ
ルト角を有し、３安定状態であるカイラルスメクチック
ＣA相（以下、Ｓ CA☆という）を示す反強誘電性液晶
化合物である上記化合物、およびそれを用いた液晶表示
素子に関する。本発明はまた、例えば、反強誘電性液晶
化合物の光学活性部位である光学活性な１−トリフルオ
ロメチルアルコールとして有用である新規の光学活性な
ｓｙｎ体およびａｎｔｉ体２−ヒドロキシ−３−メトキ
シ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカン、
およびそれらの製造方法に関する。
あるｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２
Ｓ，３Ｓ）型３−メトキシ−７−メトキシヘプタン誘導
体およびそれを用いた液晶表示素子に関する。さらに詳
しくは本発明は、高速応答性、低閾値電圧、および高チ
ルト角を有し、３安定状態であるカイラルスメクチック
ＣA相（以下、Ｓ CA☆という）を示す反強誘電性液晶
化合物である上記化合物、およびそれを用いた液晶表示
素子に関する。本発明はまた、例えば、反強誘電性液晶
化合物の光学活性部位である光学活性な１−トリフルオ
ロメチルアルコールとして有用である新規の光学活性な
ｓｙｎ体およびａｎｔｉ体２−ヒドロキシ−３−メトキ
シ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカン、
およびそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】反強誘電性液晶化合物は印加電界に対し
て、３安定状態を示し、急峻な閾値とダブルヒステリシ
ス曲線が存在するため、マルチプレックス駆動が可能で
あり、高速応答性、高視野角を有し、大画面液晶ディス
プレイ材料および壁掛けテレビ材料等として期待されて
いる。しかしながら現在までに多くの文献に発表されて
いる（Ｒ）−１，１，１−トリフルオロオクタン誘導体
からなる反強誘電性液晶化合物はＳ CA☆が３０℃前後
より高温域まで存在するため、室温作動性に劣り、大画
面液晶ディスプレイ材料および壁掛けテレビ材料として
は実用化されていない。また、反強誘電性液晶化合物の
光学活性部位として有用な（Ｒ）−２−ヒドロキシ−
１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカンは知ら
れている（特開平５−１６３２０８）。しかしながら、
光学活性なｓｙｎ体およびａｎｔｉ体２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシ
アルカンは知られていない
て、３安定状態を示し、急峻な閾値とダブルヒステリシ
ス曲線が存在するため、マルチプレックス駆動が可能で
あり、高速応答性、高視野角を有し、大画面液晶ディス
プレイ材料および壁掛けテレビ材料等として期待されて
いる。しかしながら現在までに多くの文献に発表されて
いる（Ｒ）−１，１，１−トリフルオロオクタン誘導体
からなる反強誘電性液晶化合物はＳ CA☆が３０℃前後
より高温域まで存在するため、室温作動性に劣り、大画
面液晶ディスプレイ材料および壁掛けテレビ材料として
は実用化されていない。また、反強誘電性液晶化合物の
光学活性部位として有用な（Ｒ）−２−ヒドロキシ−
１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカンは知ら
れている（特開平５−１６３２０８）。しかしながら、
光学活性なｓｙｎ体およびａｎｔｉ体２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシ
アルカンは知られていない
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来知られ
ている１個の不斉炭素原子の（Ｒ）体からなる反強誘電
性液晶化合物とは異にし、隣接する２個の不斉炭素原子
を有するｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型またはａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型からなる新規な反強誘電性液晶化合物
であって、低温から室温まで広い温度領域でＳ CA☆を
示し、高速応答性、低閾値電圧および高チルト角を有す
る反強誘電性液晶化合物を提供することを目的する。ま
た、本発明は、反強誘電性液晶化合物の光学活性部位と
して有用である新規の隣接した２つの不斉炭素原子を有
する、光学活性なｓｙｎ体およびａｎｔｉ体２−ヒドロ
キシ−３−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メ
トキシアルカン、およびこれらの化合物を高収率で製造
する方法を提供することを目的する。
ている１個の不斉炭素原子の（Ｒ）体からなる反強誘電
性液晶化合物とは異にし、隣接する２個の不斉炭素原子
を有するｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型またはａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型からなる新規な反強誘電性液晶化合物
であって、低温から室温まで広い温度領域でＳ CA☆を
示し、高速応答性、低閾値電圧および高チルト角を有す
る反強誘電性液晶化合物を提供することを目的する。ま
た、本発明は、反強誘電性液晶化合物の光学活性部位と
して有用である新規の隣接した２つの不斉炭素原子を有
する、光学活性なｓｙｎ体およびａｎｔｉ体２−ヒドロ
キシ−３−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メ
トキシアルカン、およびこれらの化合物を高収率で製造
する方法を提供することを目的する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、新規化合物で
ある式（１）
ある式（１）
【０００５】
【化１０】
【０００６】（式中、Ｒは炭素数６〜１４の直鎖状アル
キル基、Ｘは単結合または酸素結合、Ｙは水素原子また
はフッ素原子を表わす）で示されるｓｙｎ−（２Ｓ，３
Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−アルキルまた
はアルコキシフェニル）または（４′′′−アルキルま
たはアルコキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾ
イルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、および
式（２）
キル基、Ｘは単結合または酸素結合、Ｙは水素原子また
はフッ素原子を表わす）で示されるｓｙｎ−（２Ｓ，３
Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−アルキルまた
はアルコキシフェニル）または（４′′′−アルキルま
たはアルコキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾ
イルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、および
式（２）
【０００７】
【化１１】
【０００８】（式中、Ｒ，Ｘ，Ｙは式（１）と同じ）で
示されるａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−アルキルまたはアルコキシフェニ
ル）または（４′′′−アルキルまたはアルコキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタンに関する。これらの化合
物を総称して本発明化合物という。また本発明化合物は
高速応答性、低閾値電圧、および高チルト角を有し、３
安定状態であるＳ CA☆を示す反強誘電性液晶化合物で
あり、液晶表示素子として用いることができる。すなわ
ち、本発明はまた式（１）または式（２）で示される化
合物を用いた液晶標示素子に関する。本発明は、また式
（１）または式（２）で代表される最終有用化合物の合
成中間体として位置付けられる、新規化合物である式
（Ａ）
示されるａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−アルキルまたはアルコキシフェニ
ル）または（４′′′−アルキルまたはアルコキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタンに関する。これらの化合
物を総称して本発明化合物という。また本発明化合物は
高速応答性、低閾値電圧、および高チルト角を有し、３
安定状態であるＳ CA☆を示す反強誘電性液晶化合物で
あり、液晶表示素子として用いることができる。すなわ
ち、本発明はまた式（１）または式（２）で示される化
合物を用いた液晶標示素子に関する。本発明は、また式
（１）または式（２）で代表される最終有用化合物の合
成中間体として位置付けられる、新規化合物である式
（Ａ）
【０００９】
【化１２】
【００１０】（式中、ｍは３〜６〜の整数を表わす）で
示されるｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３
−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシア
ルカン［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシアルカンという］、式（Ｂ）
示されるｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３
−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシア
ルカン［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシアルカンという］、式（Ｂ）
【００１１】
【化１３】
【００１２】［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示される
ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカン
［以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−
３−メトキシアルカンという］、式（Ｃ）
ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカン
［以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−
３−メトキシアルカンという］、式（Ｃ）
【００１３】
【化１４】
【００１４】［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示される
ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキ
シ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカン
［以下、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３
−メトキシアルカンという］、および式（Ｄ）
ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキ
シ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカン
［以下、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３
−メトキシアルカンという］、および式（Ｄ）
【００１５】
【化１５】
【００１６】［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示される
ａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカン
［以下、ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−
３−メトキシアルカンという］に関する。これらの４種
類の化合物もまた総称して本発明化合物ともいう。ま
た、本発明は式（Ｅ）
ａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカン
［以下、ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−
３−メトキシアルカンという］に関する。これらの４種
類の化合物もまた総称して本発明化合物ともいう。ま
た、本発明は式（Ｅ）
【００１７】
【化１６】
【００１８】［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示される
１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端
メトキシアルカン［以下、ヒドロキシケトンという］と
光学分割剤である（Ｓ）−２−ヒドロキシプロピオニル
クロリドとを反応させ（第１反応）、得られた反応生成
物を分取し、酸加水分解することにより（第２反応）、
得られた式（Ｆ）
１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端
メトキシアルカン［以下、ヒドロキシケトンという］と
光学分割剤である（Ｓ）−２−ヒドロキシプロピオニル
クロリドとを反応させ（第１反応）、得られた反応生成
物を分取し、酸加水分解することにより（第２反応）、
得られた式（Ｆ）
【００１９】
【化１７】
【００２０】［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示される
（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル末端メトキシアルカン［以下、（Ｓ）体ヒドロキシ
ケトンという］をアセチル化し（第３反応）、次いで金
属水素化物を用いて還元し（第４反応）、得られた反応
生成物とヨウ化メチルとを反応させた後、再度酸加水分
解し（第５反応）、得られたジアステレオマー混合物を
分取する（第６反応）ことにより、ｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカンおよび／
またはａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３
−メトキシアルカンである本発明化合物の製造方法に関
する。また、本発明は、前記式（Ｅ）で示されるヒドロ
キシケトンと光学分割剤である（Ｓ）−２−ヒドロキシ
プロピオニルクロリドとを反応させ（第１反応）、得ら
れた反応生成物を分取し、酸加水分解することにより
（第２反応）、得られた式（Ｇ）
（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル末端メトキシアルカン［以下、（Ｓ）体ヒドロキシ
ケトンという］をアセチル化し（第３反応）、次いで金
属水素化物を用いて還元し（第４反応）、得られた反応
生成物とヨウ化メチルとを反応させた後、再度酸加水分
解し（第５反応）、得られたジアステレオマー混合物を
分取する（第６反応）ことにより、ｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカンおよび／
またはａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３
−メトキシアルカンである本発明化合物の製造方法に関
する。また、本発明は、前記式（Ｅ）で示されるヒドロ
キシケトンと光学分割剤である（Ｓ）−２−ヒドロキシ
プロピオニルクロリドとを反応させ（第１反応）、得ら
れた反応生成物を分取し、酸加水分解することにより
（第２反応）、得られた式（Ｇ）
【００２１】
【化１８】
【００２２】［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示される
（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル末端メトキシアルカン［以下、（Ｒ）体ヒドロキシ
ケトンという］をアセチル化し（第３反応）、次いで、
金属水素化物を用いて還元し（第４反応）、得られた反
応生成物とヨウ化メチルとを反応させた後、再度酸加水
分解し（第５反応）、得られたジアステレオマー混合物
を分取する（第６反応）ことにより、ｓｙｎ体（２Ｒ，
３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカンおよび
／またはａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−
３−メトキシアルカンである本発明化合物の製造方法に
関する。
（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル末端メトキシアルカン［以下、（Ｒ）体ヒドロキシ
ケトンという］をアセチル化し（第３反応）、次いで、
金属水素化物を用いて還元し（第４反応）、得られた反
応生成物とヨウ化メチルとを反応させた後、再度酸加水
分解し（第５反応）、得られたジアステレオマー混合物
を分取する（第６反応）ことにより、ｓｙｎ体（２Ｒ，
３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカンおよび
／またはａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−
３−メトキシアルカンである本発明化合物の製造方法に
関する。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明化合物（以下、特に断らな
い限り、単に本発明化合物という）は以下に示す通り第
４段反応によって得られる。また、本発明化合物を構成
するＳ CA☆の発現性に最も寄与する光学活性アルコー
ルは｛（Ｓ）または（Ｒ）｝−１−アセトキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチルケト
ン［以下、出発原料化合物という］より、第２段反応を
経て、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタン［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシヘプタンという］、およびａｎｔｉ−
（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メト
キシヘプタンという］が得られる。
い限り、単に本発明化合物という）は以下に示す通り第
４段反応によって得られる。また、本発明化合物を構成
するＳ CA☆の発現性に最も寄与する光学活性アルコー
ルは｛（Ｓ）または（Ｒ）｝−１−アセトキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチルケト
ン［以下、出発原料化合物という］より、第２段反応を
経て、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタン［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシヘプタンという］、およびａｎｔｉ−
（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メト
キシヘプタンという］が得られる。
【００２４】またこれらの光学活性アルコールとエナン
チオマーの関係にある、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−
ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１
−トリフルオロヘプタン［以下、ｓｙｎ体（２Ｒ，３
Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンとい
う］、およびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキ
シ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフ
ルオロヘプタン［以下、ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２
−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンという］は本発明
化合物に対応する化合物も液晶表示素子として用いるこ
とができると考えられる。したがって、光学活性なｓｙ
ｎ体およびａｎｔｉ体２−ヒドロキシ−３−メトキシヘ
プタンは液晶表示素子のための液晶化合物の中間体とし
て有用であると考えられる。
チオマーの関係にある、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−
ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１
−トリフルオロヘプタン［以下、ｓｙｎ体（２Ｒ，３
Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンとい
う］、およびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキ
シ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフ
ルオロヘプタン［以下、ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２
−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンという］は本発明
化合物に対応する化合物も液晶表示素子として用いるこ
とができると考えられる。したがって、光学活性なｓｙ
ｎ体およびａｎｔｉ体２−ヒドロキシ−３−メトキシヘ
プタンは液晶表示素子のための液晶化合物の中間体とし
て有用であると考えられる。
【００２５】
【化１９】
【００２６】
【化２０】
【００２７】
【化２１】
【００２８】
【化２】
【００２９】［上記一連の式中、Ｒ、Ｘ、Ｙは式（１）
を表わし、ＨＡは金属水素化物を表わし、Ａは金属化物
を表わす。］ 本発明は、上記第４段反応によって得られる本発明化合
物である連続した２個の不斉炭素原子を有するｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型３
−メトキシ−７−メトキシヘプタン誘導体およびそれを
用いた液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、本発明
は式（１）
を表わし、ＨＡは金属水素化物を表わし、Ａは金属化物
を表わす。］ 本発明は、上記第４段反応によって得られる本発明化合
物である連続した２個の不斉炭素原子を有するｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型３
−メトキシ−７−メトキシヘプタン誘導体およびそれを
用いた液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、本発明
は式（１）
【００３０】
【化２３】
【００３１】［式中、Ｒは炭素数６〜１４の直鎖状アル
キル基、Ｘは単結合または酸素結合、Ｙは水素原子また
はフッ素原子を表わす］で示されるｓｙｎ−（２Ｓ，３
Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−アルキルまた
はアルコキシフェニル）または（４′′′−アルキルま
たはアルコキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾ
イルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、
ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物という。また本発
明化合物ともいう］、および本発明化合物を用いた液晶
表示素子、および式（２）
キル基、Ｘは単結合または酸素結合、Ｙは水素原子また
はフッ素原子を表わす］で示されるｓｙｎ−（２Ｓ，３
Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−アルキルまた
はアルコキシフェニル）または（４′′′−アルキルま
たはアルコキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾ
イルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、
ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物という。また本発
明化合物ともいう］、および本発明化合物を用いた液晶
表示素子、および式（２）
【００３２】
【化２４】
【００３３】（ただし、式中、Ｒ、Ｘ、Ｙは式（１）と
同じ）で示されるａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−
［４′−｛４″−（４′′′−アルキルまたはアルコキ
シフェニル）または（４′′′−アルキルまたはアルコ
キシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキ
シ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、ａｎｔｉ
体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物という。また本発明化合
物ともいう］、および本発明化合物を用いた液晶表示素
子に関する。
同じ）で示されるａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−
［４′−｛４″−（４′′′−アルキルまたはアルコキ
シフェニル）または（４′′′−アルキルまたはアルコ
キシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキ
シ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、ａｎｔｉ
体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物という。また本発明化合
物ともいう］、および本発明化合物を用いた液晶表示素
子に関する。
【００３４】［本発明化合物；ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）
型液晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化
合物］本発明化合物であるｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液
晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物
は式（１１）および式（１２）に示す通りであり、式
中、Ｒで表わされるアルキル基は炭素数６〜１４の直鎖
状アルキル基であり、それらの中でも有用なアルキル基
はｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−
ウンデシル基およびｎ−ドデシル基等炭素数８〜１２の
直鎖状アルキル基が好ましい。また、Ｘは単結合または
酸素結合を表わし、Ｙは水素原子またはフッ素原子を表
わす。
型液晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化
合物］本発明化合物であるｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液
晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物
は式（１１）および式（１２）に示す通りであり、式
中、Ｒで表わされるアルキル基は炭素数６〜１４の直鎖
状アルキル基であり、それらの中でも有用なアルキル基
はｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−
ウンデシル基およびｎ−ドデシル基等炭素数８〜１２の
直鎖状アルキル基が好ましい。また、Ｘは単結合または
酸素結合を表わし、Ｙは水素原子またはフッ素原子を表
わす。
【００３５】ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物の好
ましい具体例を示すと、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−
［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オクチルフェニル）
ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、
ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイルオキシ｝
ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−ド
デシルフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキ
シ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘプタン、およびｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２
−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オクチルオキシフ
ェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタン、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″
−（４′′′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびｓｙｎ
−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−
ｎ−ドデシルオキシフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタン、およびｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オ
クチル−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキ
シ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタン、ｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シル−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキ
シ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびｓｙｎ−
（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ
−ドデシル−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、およびｓｙ
ｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′
−ｎ−オクチルオキシ−３′′′−フルオロフェニル）
ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、
ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシルオキシ−３′′′−フルオロフ
ェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタンおよびｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−ｎ−ドデシルオキシ−３′′′−
フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキ
シ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘプタン等が挙げられる。
ましい具体例を示すと、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−
［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オクチルフェニル）
ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、
ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイルオキシ｝
ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−ド
デシルフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキ
シ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘプタン、およびｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２
−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オクチルオキシフ
ェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタン、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″
−（４′′′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびｓｙｎ
−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−
ｎ−ドデシルオキシフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタン、およびｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オ
クチル−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキ
シ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタン、ｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シル−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキ
シ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびｓｙｎ−
（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ
−ドデシル−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、およびｓｙ
ｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′
−ｎ−オクチルオキシ−３′′′−フルオロフェニル）
ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、
ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシルオキシ−３′′′−フルオロフ
ェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタンおよびｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−ｎ−ドデシルオキシ−３′′′−
フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキ
シ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘプタン等が挙げられる。
【００３６】ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物の
好ましい具体例を示すと、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−
２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オクチルフェニ
ル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイルオキシ｝
ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびａｎｔｉ−
（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ
−ドデシルフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオ
キシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタン、およびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）
−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オクチルオキ
シフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−
３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベン
ゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７
−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよび
ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−ドデシルオキシフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、およびａｎ
ｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−オクチル−３′′′−フルオロフェニ
ル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシル−３′′′−フルオロフェニ
ル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ンおよびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−ｎ−ドデシル−３′′′−フルオ
ロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−
３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタン、およびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−
［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オクチルオキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３
Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デシルオ
キシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキ
シ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびａｎｔｉ−
（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ
−ドデシルオキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベン
ゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７
−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン等が挙
げられる。
好ましい具体例を示すと、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−
２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オクチルフェニ
ル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイルオキシ｝
ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびａｎｔｉ−
（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ
−ドデシルフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオ
キシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタン、およびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）
−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オクチルオキ
シフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−
３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベン
ゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７
−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよび
ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−ドデシルオキシフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、およびａｎ
ｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−オクチル−３′′′−フルオロフェニ
ル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシル−３′′′−フルオロフェニ
ル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ンおよびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−ｎ−ドデシル−３′′′−フルオ
ロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−
３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタン、およびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−
［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−オクチルオキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３
Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デシルオ
キシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキ
シ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびａｎｔｉ−
（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ
−ドデシルオキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベン
ゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７
−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン等が挙
げられる。
【００３７】［本発明化合物：ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）
型液晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化
合物の製造方法］以下、｛（Ｓ）または（Ｒ）｝−１−
アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メ
トキシブチルケトンである出発原料化合物［以下、
（Ｓ）体アセトキシケトンまたは（Ｒ）体アセトキシケ
トンともいう］より第４段反応を経て本発明化合物を製
造する方法について詳細に説明する。 （第１段反応：反応生成物−１および反応生成物−２の
製造方法）第１段反応を反応式で示すと、式（３）、式
（４）
型液晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化
合物の製造方法］以下、｛（Ｓ）または（Ｒ）｝−１−
アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メ
トキシブチルケトンである出発原料化合物［以下、
（Ｓ）体アセトキシケトンまたは（Ｒ）体アセトキシケ
トンともいう］より第４段反応を経て本発明化合物を製
造する方法について詳細に説明する。 （第１段反応：反応生成物−１および反応生成物−２の
製造方法）第１段反応を反応式で示すと、式（３）、式
（４）
【００３８】
【化２５】
【００３９】
【化２６】
【００４０】（ただし、式中、ＨＡは金属水素化物を表
わし、Ａは金属化物を表わす）の通りであり、式（３）
で示される（Ｓ）体アセトキシケトンおよび式（４）で
示される（Ｒ）体アセトキシケトンのカルボニル炭素へ
のヒドリドのジアステレオ面区別した攻撃を経由して、
反応生成物−１および反応生成物−２を生成する。以
下、（Ｓ）体アセトキシケトンを金属水素化物を用いて
還元することにより得られる反応生成物−１の製造方法
について詳細に説明する。
わし、Ａは金属化物を表わす）の通りであり、式（３）
で示される（Ｓ）体アセトキシケトンおよび式（４）で
示される（Ｒ）体アセトキシケトンのカルボニル炭素へ
のヒドリドのジアステレオ面区別した攻撃を経由して、
反応生成物−１および反応生成物−２を生成する。以
下、（Ｓ）体アセトキシケトンを金属水素化物を用いて
還元することにより得られる反応生成物−１の製造方法
について詳細に説明する。
【００４１】上記製造方法において、金属水素化物はカ
ルボニル基のみを選択的に還元する化合物、例えば、水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ジイソブチルアルミニウ
ム等が挙げられる。水素化ホウ素ナトリウムの場合には
５％水酸化ナトリウム水溶液（水酸化ナトリウムの使用
量は水素化ホウ素ナトリウム１モルに対して５倍モルで
ある）とメタノール（メタノール使用量は水素化ホウ素
ナトリウム１モルに対して１Ｌである）を入れ、次いで
水素化ホウ素ナトリウム１モルを加えて調合した安定化
水素化ホウ素ナトリウム水溶液を使用する。これらの金
属水素化物は（Ｓ）体アセトキシケトンのカルボニル基
をジアステレオ面区別還元し反応生成物−１中のｓｙｎ
体（２Ｓ，３Ｒ）型とａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型との
生成比率に大きな影響を及ぼし、ｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型に富んだ反応生成物−１を得るのに好適な金属水
素化物としては安定化した水素化ホウ素ナトリウム水溶
液が最適である。
ルボニル基のみを選択的に還元する化合物、例えば、水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ジイソブチルアルミニウ
ム等が挙げられる。水素化ホウ素ナトリウムの場合には
５％水酸化ナトリウム水溶液（水酸化ナトリウムの使用
量は水素化ホウ素ナトリウム１モルに対して５倍モルで
ある）とメタノール（メタノール使用量は水素化ホウ素
ナトリウム１モルに対して１Ｌである）を入れ、次いで
水素化ホウ素ナトリウム１モルを加えて調合した安定化
水素化ホウ素ナトリウム水溶液を使用する。これらの金
属水素化物は（Ｓ）体アセトキシケトンのカルボニル基
をジアステレオ面区別還元し反応生成物−１中のｓｙｎ
体（２Ｓ，３Ｒ）型とａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型との
生成比率に大きな影響を及ぼし、ｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型に富んだ反応生成物−１を得るのに好適な金属水
素化物としては安定化した水素化ホウ素ナトリウム水溶
液が最適である。
【００４２】（Ｓ）体アセトキシケトンと金属水素化物
との供給割合は（Ｓ）体アセトキシケトン１モルに対し
て、１．０〜１．２グラム当量（金属水素化物中の水素
原子換算、以下同様）が好ましい。（Ｓ）体アセトキシ
ケトンと金属水素化物との混合方法は（Ｓ）体アセトキ
シケトンの有機溶媒溶液に金属水素化物の有機溶媒溶液
を滴下するのが好適である。有機溶媒はジエチルエーテ
ル、ＴＨＦ、ｎ−ヘキサン、トルエンおよびメタノール
等が好ましい。有機溶媒の使用量は（Ｓ）体アセトキシ
ケトン１モルに対して１．０〜２．５Ｌが好ましい。
（Ｓ）体アセトキシケトンと金属水素化物との反応温度
は−１０〜１０℃が好ましい。特に好ましくは０℃であ
る。滴下完了後、室温まで昇温し、引きつづき２時間撹
拌保持した後、４０℃の温水バスに浸漬し、１時間還元
して反応を完結させ、反応生成物−１を得る。本発明の
製造方法によれば、金属水素化物の種類にもよるが、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型
＝７５〜５５／２５〜４５（面積比）からなるジアステ
レオマー混合物である反応生成物−１が得られる。
との供給割合は（Ｓ）体アセトキシケトン１モルに対し
て、１．０〜１．２グラム当量（金属水素化物中の水素
原子換算、以下同様）が好ましい。（Ｓ）体アセトキシ
ケトンと金属水素化物との混合方法は（Ｓ）体アセトキ
シケトンの有機溶媒溶液に金属水素化物の有機溶媒溶液
を滴下するのが好適である。有機溶媒はジエチルエーテ
ル、ＴＨＦ、ｎ−ヘキサン、トルエンおよびメタノール
等が好ましい。有機溶媒の使用量は（Ｓ）体アセトキシ
ケトン１モルに対して１．０〜２．５Ｌが好ましい。
（Ｓ）体アセトキシケトンと金属水素化物との反応温度
は−１０〜１０℃が好ましい。特に好ましくは０℃であ
る。滴下完了後、室温まで昇温し、引きつづき２時間撹
拌保持した後、４０℃の温水バスに浸漬し、１時間還元
して反応を完結させ、反応生成物−１を得る。本発明の
製造方法によれば、金属水素化物の種類にもよるが、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型
＝７５〜５５／２５〜４５（面積比）からなるジアステ
レオマー混合物である反応生成物−１が得られる。
【００４３】また、式（４）の通り、（Ｓ）体アセトキ
シケトンの代りに（Ｒ）体アセトキシケトンを用いて、
上記と同様な操作により、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５〜５５／２５〜４５
（面積比）からなるジアステレオマー混合物である反応
生成物−２が得られる。
シケトンの代りに（Ｒ）体アセトキシケトンを用いて、
上記と同様な操作により、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５〜５５／２５〜４５
（面積比）からなるジアステレオマー混合物である反応
生成物−２が得られる。
【００４４】［同定例１：反応生成物−１がｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型か
らなるジアステレオマー混合物、または反応生成物−２
がｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体（２Ｒ，
３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であることの
確認］式（３）で示されるように、（Ｓ）体アセトキシ
ケトンを金属水素化物で還元して得た反応生成物−１溶
液の一部を取り、鉱酸で加水分解することにより、生成
物−１を得た。この生成物−１は1ＨＮＭＲ、ＩＲ、Ｍ
Ｓスペクトルの測定より、７−メトキシ−１，１，１−
トリフルオロヘプタン−２，３−ジオール（以下、ジオ
ールという）、また、19ＦＮＭＲスペクトルおよび光学
活性ガスクロマトグラフィーを求めると各々２本のピー
クが認められ、生成物−１は光学活性なジアステレオマ
ー混合物であり、光学活性ガスクロマトグラフィーの第
１ピークと19ＦＮＭＲスペクトルの第１ピークとの面積
比、および光学活性ガスクロマトグラフィーの第２ピー
クと19ＦＮＭＲスペクトルの第２ピークとの面積比が一
致した。
（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型か
らなるジアステレオマー混合物、または反応生成物−２
がｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体（２Ｒ，
３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であることの
確認］式（３）で示されるように、（Ｓ）体アセトキシ
ケトンを金属水素化物で還元して得た反応生成物−１溶
液の一部を取り、鉱酸で加水分解することにより、生成
物−１を得た。この生成物−１は1ＨＮＭＲ、ＩＲ、Ｍ
Ｓスペクトルの測定より、７−メトキシ−１，１，１−
トリフルオロヘプタン−２，３−ジオール（以下、ジオ
ールという）、また、19ＦＮＭＲスペクトルおよび光学
活性ガスクロマトグラフィーを求めると各々２本のピー
クが認められ、生成物−１は光学活性なジアステレオマ
ー混合物であり、光学活性ガスクロマトグラフィーの第
１ピークと19ＦＮＭＲスペクトルの第１ピークとの面積
比、および光学活性ガスクロマトグラフィーの第２ピー
クと19ＦＮＭＲスペクトルの第２ピークとの面積比が一
致した。
【００４５】次いで、上記で得た生成物−１と２，２−
ジメトキシプロパンとパラトルエンスルホン酸１水塩を
用いて、アセタール交換反応を行い、生成物を得た。こ
の生成物は1ＨＮＭＲ、ＩＲ、ＭＳスペクトルの測定よ
り、２，２−ジメトキシ−４−（４′−メトキシブチ
ル）−５−トリフルオロ−１，３−ジオキソラン（以
下、１，３−ジオキソランという）である。また、19Ｆ
ＮＭＲスペクトルは２本のピークを有し、その第１ピー
クの面積比は上記ジオールの19ＦＮＭＲスペクトルの第
１ピークの面積比と一致し、その第２ピークの面積比は
上記ジオールの第２ピークの面積比と一致した。また、
１，３−ジオキソランの1ＨＮＭＲスペクトル中のメチ
ル基の位置と面積比より、ｔｒａｎｓ体１，３−ジオキ
ソランおよびｃｉｓ体１，３−ジオキソランからなるジ
アステレオマー混合物であることが確認される。さらに
ｔｒａｎｓ体の面積比と一致する19ＦＮＭＲスペクトル
の第１ピークはｔｒａｎｓ体１，３−ジオキソランであ
り、ｃｉｓ体の面積比と一致する19ＦＮＭＲスペクトル
の第２ピークはｃｉｓ体１，３−ジオキソランである。
ジメトキシプロパンとパラトルエンスルホン酸１水塩を
用いて、アセタール交換反応を行い、生成物を得た。こ
の生成物は1ＨＮＭＲ、ＩＲ、ＭＳスペクトルの測定よ
り、２，２−ジメトキシ−４−（４′−メトキシブチ
ル）−５−トリフルオロ−１，３−ジオキソラン（以
下、１，３−ジオキソランという）である。また、19Ｆ
ＮＭＲスペクトルは２本のピークを有し、その第１ピー
クの面積比は上記ジオールの19ＦＮＭＲスペクトルの第
１ピークの面積比と一致し、その第２ピークの面積比は
上記ジオールの第２ピークの面積比と一致した。また、
１，３−ジオキソランの1ＨＮＭＲスペクトル中のメチ
ル基の位置と面積比より、ｔｒａｎｓ体１，３−ジオキ
ソランおよびｃｉｓ体１，３−ジオキソランからなるジ
アステレオマー混合物であることが確認される。さらに
ｔｒａｎｓ体の面積比と一致する19ＦＮＭＲスペクトル
の第１ピークはｔｒａｎｓ体１，３−ジオキソランであ
り、ｃｉｓ体の面積比と一致する19ＦＮＭＲスペクトル
の第２ピークはｃｉｓ体１，３−ジオキソランである。
【００４６】さらにｔｒａｎｓ体１，３−ジオキソラン
と面積比が一致するジオールの光学活性ガスクロマトグ
ラフィーの第１ピークはｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−７−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン−２，３
−ジオール［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ジオール
という］であり、ｃｉｓ体１，３−ジオキソランと面積
比が一致するジオールの光学活性ガスクロマトグラフィ
ーの第１ピークはａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン−２，３−ジ
オール［以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオールと
いう］である。また、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ジオー
ルと面積比が一致するジオールの19ＦＮＭＲスペクトル
はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ジオールであり、ａｎｔｉ
体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオールと面積比が一致するジオー
ルの19ＦＮＭＲスペクトルはａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型ジオールである。
と面積比が一致するジオールの光学活性ガスクロマトグ
ラフィーの第１ピークはｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−７−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン−２，３
−ジオール［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ジオール
という］であり、ｃｉｓ体１，３−ジオキソランと面積
比が一致するジオールの光学活性ガスクロマトグラフィ
ーの第１ピークはａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン−２，３−ジ
オール［以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオールと
いう］である。また、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ジオー
ルと面積比が一致するジオールの19ＦＮＭＲスペクトル
はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ジオールであり、ａｎｔｉ
体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオールと面積比が一致するジオー
ルの19ＦＮＭＲスペクトルはａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型ジオールである。
【００４７】よって生成物−１はｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型ジオールおよびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオ
ールからなるジアステレオマー混合物であることが確認
できる。したがって、２位と３位の不斉炭素原子の絶対
配置は加水分解反応前後では変化しないことより、反応
生成物−１はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ
体（２Ｓ，３Ｓ）型からなるジアステレオマー混合物で
ある。
Ｒ）型ジオールおよびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオ
ールからなるジアステレオマー混合物であることが確認
できる。したがって、２位と３位の不斉炭素原子の絶対
配置は加水分解反応前後では変化しないことより、反応
生成物−１はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ
体（２Ｓ，３Ｓ）型からなるジアステレオマー混合物で
ある。
【００４８】また、式（４）で示される生成物−２は上
と同様な理由で、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型ジオールお
よびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型ジオールからなるジア
ステレオマー混合物であることが確認され、反応生成物
−２はｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体（２
Ｒ，３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であるこ
とが確認できる。
と同様な理由で、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型ジオールお
よびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型ジオールからなるジア
ステレオマー混合物であることが確認され、反応生成物
−２はｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体（２
Ｒ，３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であるこ
とが確認できる。
【００４９】［第２段反応：ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型
２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン、ａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ン、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メ
トキシヘプタンおよびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−
ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの製造方法］第２段
反応を反応式で示すと、式（５）、（６）、（７）、
（８）
２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン、ａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ン、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メ
トキシヘプタンおよびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−
ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの製造方法］第２段
反応を反応式で示すと、式（５）、（６）、（７）、
（８）
【００５０】
【化２７】
【００５１】（ただし、式中、Ａは金属化物を表わす）
の通りであり、第１段反応で得たｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型からなるジア
ステレオマー混合物である反応生成物−１とヨウ化メチ
ルとを反応させた後、加水分解することにより、ジアス
テレオマー混合物−１を得る。次いでこれを分取するこ
とにより、式（５）で示されるｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）
型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンおよび式
（６）で示されるａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒド
ロキシ−３−メトキシヘプタンが得られ、他方第１段反
応で得たｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体
（２Ｒ，３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であ
る反応生成物−２を用い上記と同様な操作を行うことに
より、式（７）で示されるｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２
−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンおよび式（８）で
示されるａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−
３−メトキシヘプタンが得られる。
の通りであり、第１段反応で得たｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型からなるジア
ステレオマー混合物である反応生成物−１とヨウ化メチ
ルとを反応させた後、加水分解することにより、ジアス
テレオマー混合物−１を得る。次いでこれを分取するこ
とにより、式（５）で示されるｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）
型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンおよび式
（６）で示されるａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒド
ロキシ−３−メトキシヘプタンが得られ、他方第１段反
応で得たｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体
（２Ｒ，３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であ
る反応生成物−２を用い上記と同様な操作を行うことに
より、式（７）で示されるｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２
−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンおよび式（８）で
示されるａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−
３−メトキシヘプタンが得られる。
【００５２】有機溶媒中で、式（３）で得た反応生成物
−１中の金属化物とヨウ化メチル中のヨウ素が反応し、
Ｏ−メチル化体とヨウ素の金属化物を生成する。有機溶
媒は第１段反応で用いた有機溶媒が使用できるため、反
応生成物−１溶液にヨウ化メチルの有機溶媒溶液を直接
加えることにより、反応を行うことができる。ヨウ化メ
チルの反応系への供給速度は式（３）で使用された
（Ｓ）体アセトキシケトン換算１モルに対して、１．１
〜１．３モルが好ましい。ヨウ化メチルは反応熱を制御
するために有機溶媒で希釈して反応系へ供給するのが好
ましい。有機溶媒の好適な混合割合はヨウ化メチル１モ
ルに対して１〜３Ｌが好ましい。ヨウ化メチルの反応系
への滴下速度は（Ｓ）体アセトキシケトン換算１モルに
対して６０〜１２０分が好ましい。反応温度は−１０〜
１０℃が好ましい。ヨウ化メチルの滴下完了後、引きつ
づき３時間撹拌保持して反応を完結させる。
−１中の金属化物とヨウ化メチル中のヨウ素が反応し、
Ｏ−メチル化体とヨウ素の金属化物を生成する。有機溶
媒は第１段反応で用いた有機溶媒が使用できるため、反
応生成物−１溶液にヨウ化メチルの有機溶媒溶液を直接
加えることにより、反応を行うことができる。ヨウ化メ
チルの反応系への供給速度は式（３）で使用された
（Ｓ）体アセトキシケトン換算１モルに対して、１．１
〜１．３モルが好ましい。ヨウ化メチルは反応熱を制御
するために有機溶媒で希釈して反応系へ供給するのが好
ましい。有機溶媒の好適な混合割合はヨウ化メチル１モ
ルに対して１〜３Ｌが好ましい。ヨウ化メチルの反応系
への滴下速度は（Ｓ）体アセトキシケトン換算１モルに
対して６０〜１２０分が好ましい。反応温度は−１０〜
１０℃が好ましい。ヨウ化メチルの滴下完了後、引きつ
づき３時間撹拌保持して反応を完結させる。
【００５３】反応完了後、室温まで昇温した後、減圧濃
縮し有機溶媒と未反応ヨウ化メチルを留去した後、１規
定塩酸を加えて過剰の金属水素化物を分解した後、１０
％炭酸水素ナトリウム水溶液でｐＨ７に調整後、エーテ
ル抽出し、抽出液を濃縮し遊離ヨウ素入淡紫色の残渣に
飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて遊離ヨウ素を除
去した後、エーテル抽出し、抽出液を水洗した後、無水
硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、減圧濃縮
してシロップ状の残渣であるＯ−メチル化体を得る。
縮し有機溶媒と未反応ヨウ化メチルを留去した後、１規
定塩酸を加えて過剰の金属水素化物を分解した後、１０
％炭酸水素ナトリウム水溶液でｐＨ７に調整後、エーテ
ル抽出し、抽出液を濃縮し遊離ヨウ素入淡紫色の残渣に
飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて遊離ヨウ素を除
去した後、エーテル抽出し、抽出液を水洗した後、無水
硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、減圧濃縮
してシロップ状の残渣であるＯ−メチル化体を得る。
【００５４】次いで上記で得たＯ−メチル化体を鉱酸で
加水分解することによりジアステレオマー混合物−１を
得る。鉱酸は硫酸、塩酸、硝酸等が好ましい。鉱酸の使
用量は（Ｓ）体アセトキシケトン換算１モルに対して、
２〜５グラム当量が好ましい。鉱酸の濃度は２〜５規定
が好ましい。Ｏ−メチル化体を溶解するためにメタノー
ルおよびエタノール等のアルコールを添加する。アルコ
ールの添加量は目安として鉱酸水溶液の１〜２倍量であ
る。加水分解反応は還元しながら、（Ｓ）体アセトキシ
ケトン換算１モルを基準として４〜８時間行う。加水分
解反応完了後、減圧濃縮して、アルコールを留去した
後、エーテル抽出し、抽出液を１０％炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、水で順次洗浄した後、抽出液に無水硫酸マグ
ネシウムを加えて水分を除去した後減圧濃縮してエーテ
ルを留去し、シロップ状の残渣を得た後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで精製し、無色透明な液状の生
成物であるジアステレオマー混合物−１を得る。
加水分解することによりジアステレオマー混合物−１を
得る。鉱酸は硫酸、塩酸、硝酸等が好ましい。鉱酸の使
用量は（Ｓ）体アセトキシケトン換算１モルに対して、
２〜５グラム当量が好ましい。鉱酸の濃度は２〜５規定
が好ましい。Ｏ−メチル化体を溶解するためにメタノー
ルおよびエタノール等のアルコールを添加する。アルコ
ールの添加量は目安として鉱酸水溶液の１〜２倍量であ
る。加水分解反応は還元しながら、（Ｓ）体アセトキシ
ケトン換算１モルを基準として４〜８時間行う。加水分
解反応完了後、減圧濃縮して、アルコールを留去した
後、エーテル抽出し、抽出液を１０％炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、水で順次洗浄した後、抽出液に無水硫酸マグ
ネシウムを加えて水分を除去した後減圧濃縮してエーテ
ルを留去し、シロップ状の残渣を得た後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで精製し、無色透明な液状の生
成物であるジアステレオマー混合物−１を得る。
【００５５】式（７）および式（８）の通り、第１段反
応で得たｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体
（２Ｒ，３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物を用
いた以外は上述と同様な操作を行い、無色透明な液状の
生成物であるジアステレオマー混合物−２を得る。
応で得たｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体
（２Ｒ，３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物を用
いた以外は上述と同様な操作を行い、無色透明な液状の
生成物であるジアステレオマー混合物−２を得る。
【００５６】ジアステレオマー混合物−１および混合物
−２は1ＨＮＭＲ、ＩＲ吸収、ＭＳスペクトルを測定す
ることにより、２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メ
トキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、２
−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンという］であると
同定される。また、19ＦＮＭＲスペクトルを測定すると
２本のピークを有し、ジアステレオマー混合物−１の19
ＦＮＭＲスペクトルの第１ピーク／第２ピークの面積比
は反応生成物−１のｓｙｎ体／ａｎｔｉ体の面積比と一
致し、ジアステレオマー混合物−２の19ＦＮＭＲスペク
トルの第１ピーク／第２ピークの面積比は反応生成物−
２のｓｙｎ体／ａｎｔｉ体の面積比と一致する。さらに
ジアステレオマー混合物−１およびジアステレオマー混
合物−２を光学活性ガスクロマトグラフィーにかける
と、各々２本の光学活性なピークが認められ、ジアステ
レオマー混合物−１の光学活性ガスクロマトグラフィー
の第１ピーク／第２ピークの面積比は反応生成物−１の
ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型の面積比と一致し、ジアステレオマー混合物−２の光
学活性ガスクロマトグラフィーの第１ピーク／第２ピー
クの面積比は反応生成物−２のｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）
型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型の面積比と一致する。
−２は1ＨＮＭＲ、ＩＲ吸収、ＭＳスペクトルを測定す
ることにより、２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メ
トキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、２
−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンという］であると
同定される。また、19ＦＮＭＲスペクトルを測定すると
２本のピークを有し、ジアステレオマー混合物−１の19
ＦＮＭＲスペクトルの第１ピーク／第２ピークの面積比
は反応生成物−１のｓｙｎ体／ａｎｔｉ体の面積比と一
致し、ジアステレオマー混合物−２の19ＦＮＭＲスペク
トルの第１ピーク／第２ピークの面積比は反応生成物−
２のｓｙｎ体／ａｎｔｉ体の面積比と一致する。さらに
ジアステレオマー混合物−１およびジアステレオマー混
合物−２を光学活性ガスクロマトグラフィーにかける
と、各々２本の光学活性なピークが認められ、ジアステ
レオマー混合物−１の光学活性ガスクロマトグラフィー
の第１ピーク／第２ピークの面積比は反応生成物−１の
ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型の面積比と一致し、ジアステレオマー混合物−２の光
学活性ガスクロマトグラフィーの第１ピーク／第２ピー
クの面積比は反応生成物−２のｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）
型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型の面積比と一致する。
【００５７】よって、式（５）および式（６）で示され
る反応生成物−１、および式（７）および式（８）で示
される反応生成物−２の３位の不斉炭素原子に結合した
Ｏ−金属化物をＯ−メチル基に換えた後、２位の不斉炭
素原子に結合したアセトキシ基を水酸基に換えても、２
位と３位の不斉炭素原子の絶対配置は変わらないことよ
り、ジアステレオマー混合物−１はｓｙｎ−（２Ｓ，３
Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、ｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ンという］およびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒド
ロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタン［以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンという］から
なるジアステレオマー混合物であり、ジアステレオマー
混合物−２はｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタン［以下、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシヘプタンという］およびａｎｔ
ｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−
７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン［以
下、ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−
メトキシヘプタンという］からなるジアステレオマー混
合物である。
る反応生成物−１、および式（７）および式（８）で示
される反応生成物−２の３位の不斉炭素原子に結合した
Ｏ−金属化物をＯ−メチル基に換えた後、２位の不斉炭
素原子に結合したアセトキシ基を水酸基に換えても、２
位と３位の不斉炭素原子の絶対配置は変わらないことよ
り、ジアステレオマー混合物−１はｓｙｎ−（２Ｓ，３
Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、ｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ンという］およびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒド
ロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタン［以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンという］から
なるジアステレオマー混合物であり、ジアステレオマー
混合物−２はｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタン［以下、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシヘプタンという］およびａｎｔ
ｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−
７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン［以
下、ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−
メトキシヘプタンという］からなるジアステレオマー混
合物である。
【００５８】次いで、上記ジアステレオマー混合物−１
およびジアステレオマー混合物−２をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで分取することにより、式（５）で
示されるｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３
−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ
ヘプタンおよび式（６）で示されるａｎｔｉ−（２Ｓ，
３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタン、および式（７）
で示されるｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタンおよび式（８）で示されるａｎｔｉ−（２
Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンを得ることが
できる。
およびジアステレオマー混合物−２をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで分取することにより、式（５）で
示されるｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３
−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ
ヘプタンおよび式（６）で示されるａｎｔｉ−（２Ｓ，
３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタン、および式（７）
で示されるｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタンおよび式（８）で示されるａｎｔｉ−（２
Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンを得ることが
できる。
【００５９】［第３段反応：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−
２−（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ン｛ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオ
キシヘプタンという｝およびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）
−２−（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−メ
トキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプ
タン｛ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイ
ルオキシヘプタンという｝の各製造方法］第３段反応を
式で示すと、式（９）および式（１０）
２−（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ン｛ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオ
キシヘプタンという｝およびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）
−２−（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−メ
トキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプ
タン｛ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイ
ルオキシヘプタンという｝の各製造方法］第３段反応を
式で示すと、式（９）および式（１０）
【００６０】
【化２８】
【００６１】
【化２９】
【００６２】の通り、有機溶媒中で、第２段反応の式
（５）で得たｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ
−３−メトキシヘプタン、および式（６）で得たａｎｔ
ｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘ
プタンとアルカリ金属水素化物とを反応させ、生成した
反応生成物と４−ベンジルオキシベンゾイルクロリドと
を反応させ、得られた中間生成物−１および中間生成物
−２を溶媒中で、パラジウム炭素触媒の存在下、水素ガ
スで還元して、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベ
ンゾイルオキシヘプタンおよびａｎｔｉ体（２Ｓ，３
Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタンを製造する
ことができる。
（５）で得たｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ
−３−メトキシヘプタン、および式（６）で得たａｎｔ
ｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘ
プタンとアルカリ金属水素化物とを反応させ、生成した
反応生成物と４−ベンジルオキシベンゾイルクロリドと
を反応させ、得られた中間生成物−１および中間生成物
−２を溶媒中で、パラジウム炭素触媒の存在下、水素ガ
スで還元して、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベ
ンゾイルオキシヘプタンおよびａｎｔｉ体（２Ｓ，３
Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタンを製造する
ことができる。
【００６３】以下、式（９）で示される中間生成物−１
の製造方法について詳細に説明する。有機溶媒中で、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシ
ヘプタンとアルカリ金属水素化物とを反応させて反応生
成物を得る。有機溶媒としては特に限定されるものでな
く、例えば、ジエチルエーテル、ｎ−ヘキサン、トルエ
ンおよびＴＨＦ等が挙げられ、特に好ましくはジエチル
エーテルである。上記有機溶媒はｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンを基準と
して１〜５Ｌが好ましく、特に好ましくは２〜４Ｌであ
る。１Ｌ未満では反応熱の上昇により、水素の発生速度
が増大し、危険となる場合があり、５Ｌを超えると経済
的とはいえない。アルカリ金属水素化物としては水素化
リチウム、水素化ナトリウムおよび水素化カリウム等が
挙げられ、経済的に安価である点から、水素化ナトリウ
ムが特に好ましい。市販のアルカリ金属水素化物は通常
油性であるので、ｎ−ヘキサン等で洗浄、精製、乾燥し
た後、有機溶媒に懸濁したものを用いるのがよい。アル
カリ金属水素化物は、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシヘプタン１モルを基準として
１．０〜１．２モルが好ましい。１．０モル未満では反
応生成物の収率低下を招き、１．２モルを超えると経済
的とはいえない。
の製造方法について詳細に説明する。有機溶媒中で、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシ
ヘプタンとアルカリ金属水素化物とを反応させて反応生
成物を得る。有機溶媒としては特に限定されるものでな
く、例えば、ジエチルエーテル、ｎ−ヘキサン、トルエ
ンおよびＴＨＦ等が挙げられ、特に好ましくはジエチル
エーテルである。上記有機溶媒はｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンを基準と
して１〜５Ｌが好ましく、特に好ましくは２〜４Ｌであ
る。１Ｌ未満では反応熱の上昇により、水素の発生速度
が増大し、危険となる場合があり、５Ｌを超えると経済
的とはいえない。アルカリ金属水素化物としては水素化
リチウム、水素化ナトリウムおよび水素化カリウム等が
挙げられ、経済的に安価である点から、水素化ナトリウ
ムが特に好ましい。市販のアルカリ金属水素化物は通常
油性であるので、ｎ−ヘキサン等で洗浄、精製、乾燥し
た後、有機溶媒に懸濁したものを用いるのがよい。アル
カリ金属水素化物は、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシヘプタン１モルを基準として
１．０〜１．２モルが好ましい。１．０モル未満では反
応生成物の収率低下を招き、１．２モルを超えると経済
的とはいえない。
【００６４】ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ
−３−メトキシヘプタンとアルカリ金属水素化物の滴下
方法はアルカリ金属水素化物の有機溶媒懸濁液中に、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシ
ヘプタンの有機溶媒溶液を滴下するのが好ましい。逆の
滴下方法を行うと水素の異常発生が生じ、突沸の危険を
招く恐れがある。有機溶媒の使用比率はアルカリ金属水
素化物／ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３
−メトキシヘプタン＝１／７程度の容量比に按分するこ
とが好ましい。ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシヘプタンの反応系への供給速度は、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシ
ヘプタン１モルを３０〜９０分間かけて滴下するのが好
ましい。滴下をあまり短時間で行うと、水素の発生速度
が増大し危険を伴う恐れがあり、滴下速度が遅いと経済
的とはいえない。
−３−メトキシヘプタンとアルカリ金属水素化物の滴下
方法はアルカリ金属水素化物の有機溶媒懸濁液中に、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシ
ヘプタンの有機溶媒溶液を滴下するのが好ましい。逆の
滴下方法を行うと水素の異常発生が生じ、突沸の危険を
招く恐れがある。有機溶媒の使用比率はアルカリ金属水
素化物／ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３
−メトキシヘプタン＝１／７程度の容量比に按分するこ
とが好ましい。ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシヘプタンの反応系への供給速度は、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシ
ヘプタン１モルを３０〜９０分間かけて滴下するのが好
ましい。滴下をあまり短時間で行うと、水素の発生速度
が増大し危険を伴う恐れがあり、滴下速度が遅いと経済
的とはいえない。
【００６５】反応温度は−１０〜１０℃が好ましく、特
に好ましくは０℃付近である。−１０℃未満では経済的
とはいえず、１０℃を超えると、水素の発生速度が増大
し、危険を伴う恐れがある。ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型
２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの滴下完了後、
撹拌しながら、室温まで昇温し、引きつづき６０分間撹
拌保持して、反応を完結させ、反応生成物溶液を得る。
に好ましくは０℃付近である。−１０℃未満では経済的
とはいえず、１０℃を超えると、水素の発生速度が増大
し、危険を伴う恐れがある。ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型
２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの滴下完了後、
撹拌しながら、室温まで昇温し、引きつづき６０分間撹
拌保持して、反応を完結させ、反応生成物溶液を得る。
【００６６】次いで、上記で得た反応生成物溶液と４−
ベンジルオキシベンゾイルクロリドの有機溶媒溶液とを
反応させることにより、中間生成物−１を得ることがで
きる。有機溶媒は上記の反応で用いた有機溶媒が使用で
きる。したがって、上記反応生成物溶液に４−ベンジル
オキシベンゾイルクロリドの有機溶媒溶液を直接加える
ことにより、反応を行うことができる。４−ベンジルオ
キシベンゾイルクロリドの反応系への供給割合はｓｙｎ
体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプ
タンを基準として１．２〜１．３モルが好ましい。１．
１モル未満では中間生成物−１の収率低下を招く恐れが
あり、１．３モルを超えると精製操作が煩雑になるとと
もに、経済的とはいえない。４−ベンジルオキシベンゾ
イルクロリドは有機溶媒に溶解して反応系へ供給するの
が好ましい。有機溶媒の好適な混合割合は４−ベンジル
オキシベンゾイルクロリド１モルに対して０．５〜２Ｌ
好ましい。０．５Ｌ未満では反応温度の制御が困難とな
る場合があり、２Ｌを超えると経済的とはいえない。
ベンジルオキシベンゾイルクロリドの有機溶媒溶液とを
反応させることにより、中間生成物−１を得ることがで
きる。有機溶媒は上記の反応で用いた有機溶媒が使用で
きる。したがって、上記反応生成物溶液に４−ベンジル
オキシベンゾイルクロリドの有機溶媒溶液を直接加える
ことにより、反応を行うことができる。４−ベンジルオ
キシベンゾイルクロリドの反応系への供給割合はｓｙｎ
体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプ
タンを基準として１．２〜１．３モルが好ましい。１．
１モル未満では中間生成物−１の収率低下を招く恐れが
あり、１．３モルを超えると精製操作が煩雑になるとと
もに、経済的とはいえない。４−ベンジルオキシベンゾ
イルクロリドは有機溶媒に溶解して反応系へ供給するの
が好ましい。有機溶媒の好適な混合割合は４−ベンジル
オキシベンゾイルクロリド１モルに対して０．５〜２Ｌ
好ましい。０．５Ｌ未満では反応温度の制御が困難とな
る場合があり、２Ｌを超えると経済的とはいえない。
【００６７】４−ベンジルオキシベンゾイルクロリドの
反応系への供給速度は、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−
ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン１モルを基準として
１〜３時間が好ましい。あまり短時間ではゲル化する危
険があるとともに、あまりに長時間では経済的とはいえ
ない。反応温度は−１０〜１０℃が好ましく、特に好ま
しくは０℃付近である。−１０℃以下では経済的とはい
えず、１０℃を超えると反応温度の制御が困難となる恐
れがある。４−ベンジルオキシベンゾイルクロリド溶液
の滴下完了後、撹拌しながら、室温まで昇温し、引きつ
づき３時間撹拌保持することにより、反応を完結させ、
中間生成物−１を得る。
反応系への供給速度は、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−
ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン１モルを基準として
１〜３時間が好ましい。あまり短時間ではゲル化する危
険があるとともに、あまりに長時間では経済的とはいえ
ない。反応温度は−１０〜１０℃が好ましく、特に好ま
しくは０℃付近である。−１０℃以下では経済的とはい
えず、１０℃を超えると反応温度の制御が困難となる恐
れがある。４−ベンジルオキシベンゾイルクロリド溶液
の滴下完了後、撹拌しながら、室温まで昇温し、引きつ
づき３時間撹拌保持することにより、反応を完結させ、
中間生成物−１を得る。
【００６８】反応終了後、１規定塩酸を加えて、過剰の
アルカリ金属水素化物あるいは４−ベンジルオキシベン
ゾイルクロリドを、それぞれ塩化アルカリあるいは４−
ベンジルオキシベンゾイックアシッドとし、次いで、１
０％炭素水素ナトリウム水溶液を加えてｐＨ８に調整す
ることにより、４−ベンジルオキシベンゾイックアシッ
ドを水に可溶なソーダ塩とした後、エーテル抽出し、抽
出液を水洗した後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分
を除去した後、溶媒を減圧留去し、淡黄色のシロップ状
の残渣である中間生成物−１を得る。
アルカリ金属水素化物あるいは４−ベンジルオキシベン
ゾイルクロリドを、それぞれ塩化アルカリあるいは４−
ベンジルオキシベンゾイックアシッドとし、次いで、１
０％炭素水素ナトリウム水溶液を加えてｐＨ８に調整す
ることにより、４−ベンジルオキシベンゾイックアシッ
ドを水に可溶なソーダ塩とした後、エーテル抽出し、抽
出液を水洗した後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分
を除去した後、溶媒を減圧留去し、淡黄色のシロップ状
の残渣である中間生成物−１を得る。
【００６９】式（５）で示されるｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの代り
に、式（６）で示されるａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２
−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンを用いて上述と同
様な操作を行うことにより、式（１０）で示される淡黄
色のシロップ状の残渣である中間生成物−２を得る。次
いで、溶媒中で、中間生成物−１または中間生成物−２
をパラジウム炭素触媒の存在下、水素ガスで還元するこ
とにより、脱トルエンし、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒ
ドロキシベンゾイルオキシヘプタンまたはａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン
を製造することができる。
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの代り
に、式（６）で示されるａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２
−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンを用いて上述と同
様な操作を行うことにより、式（１０）で示される淡黄
色のシロップ状の残渣である中間生成物−２を得る。次
いで、溶媒中で、中間生成物−１または中間生成物−２
をパラジウム炭素触媒の存在下、水素ガスで還元するこ
とにより、脱トルエンし、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒ
ドロキシベンゾイルオキシヘプタンまたはａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン
を製造することができる。
【００７０】以下、式（９）で示されるｓｙｎ体（２
Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタンの製
造方法について詳細に説明する。溶媒としては、例え
ば、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサンおよびＴＨ
Ｆ等が挙げられ、それらの中でも、特に好ましくはメタ
ノールである。その使用量は中間生成物−１、１ｇを基
準として４〜２６ｍｌが好ましく、特に好ましくは１３
〜１７ｍｌである。４ｍｌ未満では反応系の粘度が増
し、パラジウム炭素触媒が均一に分散されにくく、収率
低下を招く恐れがあり、２６ｍｌを超えると脱トルエン
速度が遅くなり、経済的とはいえない。パラジウム炭素
触媒は、例えば、パラジウム含有量１、３、５、１０％
の各パラジウム炭素触媒が挙げられ、それらの中でも、
パラジウム原子換算で安価であることから、１０％パラ
ジウム炭素触媒が好適である。パラジウム炭素触媒の反
応系への供給割合は中間生成物−１、１０ｇを基準とし
て５〜３５ｍｇ（パラジウム純度換算、以下、同様）が
好ましく、特に好ましくは１５〜２５ｍｇである。５ｍ
ｇ未満では還元能力が不足し、収率低下を招く恐れがあ
り、３５ｍｇを超えると経済的とはいえない。
Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタンの製
造方法について詳細に説明する。溶媒としては、例え
ば、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサンおよびＴＨ
Ｆ等が挙げられ、それらの中でも、特に好ましくはメタ
ノールである。その使用量は中間生成物−１、１ｇを基
準として４〜２６ｍｌが好ましく、特に好ましくは１３
〜１７ｍｌである。４ｍｌ未満では反応系の粘度が増
し、パラジウム炭素触媒が均一に分散されにくく、収率
低下を招く恐れがあり、２６ｍｌを超えると脱トルエン
速度が遅くなり、経済的とはいえない。パラジウム炭素
触媒は、例えば、パラジウム含有量１、３、５、１０％
の各パラジウム炭素触媒が挙げられ、それらの中でも、
パラジウム原子換算で安価であることから、１０％パラ
ジウム炭素触媒が好適である。パラジウム炭素触媒の反
応系への供給割合は中間生成物−１、１０ｇを基準とし
て５〜３５ｍｇ（パラジウム純度換算、以下、同様）が
好ましく、特に好ましくは１５〜２５ｍｇである。５ｍ
ｇ未満では還元能力が不足し、収率低下を招く恐れがあ
り、３５ｍｇを超えると経済的とはいえない。
【００７１】反応方法としては、例えば、密閉式の反応
容器に、中間生成物−１と溶媒を加えて均一な溶液を調
合し、次いで、撹拌しながら、１０％パラジウム炭素触
媒を入れ、できるだけ均一に分散した懸濁液を調合した
後、１．０５〜１．１５気圧程度の水素ガスで反応系を
シールして還元反応を行う。還元時間は水素ガスの吸収
がなくなるまでの時間とすればよい。例えば、中間生成
物−１、１０ｇを基準として、水素ガスを５〜７時間程
度供給するのが好ましい。５時間未満では還元が不足
し、収率低下を招き、７時間を超えると経済的とはいえ
ない。還元温度は１５〜３０℃が好ましい。１５℃未満
では還元速度が遅く、経済的とはいえず、３０℃を超え
ると水素ガスの使用量が多くなり、収率低下を招く恐れ
がある。反応終了後、濾過し、パラジウム炭素触媒を除
去し、濾液を減圧濃縮して、溶媒を除去し、シロップ状
の残渣を得る。この残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーまたは再結晶で精製し、無色透明な液状の生成
物−３を得る。
容器に、中間生成物−１と溶媒を加えて均一な溶液を調
合し、次いで、撹拌しながら、１０％パラジウム炭素触
媒を入れ、できるだけ均一に分散した懸濁液を調合した
後、１．０５〜１．１５気圧程度の水素ガスで反応系を
シールして還元反応を行う。還元時間は水素ガスの吸収
がなくなるまでの時間とすればよい。例えば、中間生成
物−１、１０ｇを基準として、水素ガスを５〜７時間程
度供給するのが好ましい。５時間未満では還元が不足
し、収率低下を招き、７時間を超えると経済的とはいえ
ない。還元温度は１５〜３０℃が好ましい。１５℃未満
では還元速度が遅く、経済的とはいえず、３０℃を超え
ると水素ガスの使用量が多くなり、収率低下を招く恐れ
がある。反応終了後、濾過し、パラジウム炭素触媒を除
去し、濾液を減圧濃縮して、溶媒を除去し、シロップ状
の残渣を得る。この残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーまたは再結晶で精製し、無色透明な液状の生成
物−３を得る。
【００７２】上記で得た生成物−３は各種スペクトル分
析により、２−（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタン（以下、ヒドロキシベンゾイルオキシヘプ
タンという）であることが確認される。また、この生成
物−３を光学活性液体クロマトグラフィーにかけると、
１本の光学活性ピークしか認められないことより、ｓｙ
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘ
プタンの２位の不斉炭素原子に結合した水酸基を４′−
ベンジルオキシベンゾイルオキシ基に換え、次いで、１
０％パラジウム炭素触媒下で、水素で還元し、４′−ヒ
ドロキシベンゾイルオキシ基に換えても、反応前後の２
位と３位の不斉炭素原子の絶対配置は変わらず、（２
Ｓ，３Ｒ）配置であることが確認され、生成物−３はｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−（４′−ヒドロキシベンゾ
イルオキシ）−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロヘプタン［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタンという］と
同定される。
析により、２−（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタン（以下、ヒドロキシベンゾイルオキシヘプ
タンという）であることが確認される。また、この生成
物−３を光学活性液体クロマトグラフィーにかけると、
１本の光学活性ピークしか認められないことより、ｓｙ
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘ
プタンの２位の不斉炭素原子に結合した水酸基を４′−
ベンジルオキシベンゾイルオキシ基に換え、次いで、１
０％パラジウム炭素触媒下で、水素で還元し、４′−ヒ
ドロキシベンゾイルオキシ基に換えても、反応前後の２
位と３位の不斉炭素原子の絶対配置は変わらず、（２
Ｓ，３Ｒ）配置であることが確認され、生成物−３はｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−（４′−ヒドロキシベンゾ
イルオキシ）−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロヘプタン［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタンという］と
同定される。
【００７３】また、式（５）で示されるｓｙｎ体（２
Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの
代りに、式（６）で示されるａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンを用いて、上
記と同様な操作を行うことにより、無色透明な液状の生
成物−４を得る。この生成物−４は各種スペクトルおよ
び光学活性液体クロマトグラフィーを測定することによ
りａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（４′−ヒドロキシ
ベンゾイルオキシ）−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタン［ａｎｔｉ体（２
Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタンとい
う］を得ることができる。
Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの
代りに、式（６）で示されるａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンを用いて、上
記と同様な操作を行うことにより、無色透明な液状の生
成物−４を得る。この生成物−４は各種スペクトルおよ
び光学活性液体クロマトグラフィーを測定することによ
りａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（４′−ヒドロキシ
ベンゾイルオキシ）−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタン［ａｎｔｉ体（２
Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタンとい
う］を得ることができる。
【００７４】［第４段反応：ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型
液晶化合物：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−アルキルまたはアルコキシフェニ
ル）または（４′′′−アルキルまたはアルコキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタン、およびａｎｔｉ体（２
Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物：ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−
２−［４′−｛４″−（４′′′−アルキルまたはアル
コキシフェニル）または（４′′′−アルキルまたはア
ルコキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオ
キシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキ
シ−１，１，１−トリフルオロヘプタンの製造方法］第
４段反応を式で示すと、式（１１）および式（１２）
液晶化合物：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−アルキルまたはアルコキシフェニ
ル）または（４′′′−アルキルまたはアルコキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタン、およびａｎｔｉ体（２
Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物：ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−
２−［４′−｛４″−（４′′′−アルキルまたはアル
コキシフェニル）または（４′′′−アルキルまたはア
ルコキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオ
キシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキ
シ−１，１，１−トリフルオロヘプタンの製造方法］第
４段反応を式で示すと、式（１１）および式（１２）
【００７５】
【化３０】
【００７６】［ただし、式中、Ｒ、Ｘ、Ｙは式（１）と
同じ］の通りであり、有機溶媒中で、式（９）で得たｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘ
プタンまたは式（１０）で得たａｎｔｉ体（２Ｓ，３
Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタンと４−
［（４′−アルキルまたはアルコキシフェニル）または
（４′−アルキルまたはアルコキシ−３′−フルオロフ
ェニル）］ベンゾイックアシッドとを、脱水縮合剤とし
てジシクロヘキシルカルボジイミド等を用い、触媒とし
てＮ，Ｎ′−ジメチル−４−アミノピリジン等の有機塩
基を用いて、反応させることにより、ｓｙｎ体（２Ｓ，
３Ｒ）型液晶化合物であるｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２
−［４′−｛４″−（４′′′−アルキルまたはアルコ
キシフェニル）または（４′′′−アルキルまたはアル
コキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキ
シ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタン、またはａｎｔｉ
体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物であるａｎｔｉ−（２
Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−アルキ
ルまたはアルコキシフェニル）または（４′′′−アル
キルまたはアルコキシ−３′′′−フルオロフェニル）
ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンを
容易に製造することができる。
同じ］の通りであり、有機溶媒中で、式（９）で得たｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘ
プタンまたは式（１０）で得たａｎｔｉ体（２Ｓ，３
Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタンと４−
［（４′−アルキルまたはアルコキシフェニル）または
（４′−アルキルまたはアルコキシ−３′−フルオロフ
ェニル）］ベンゾイックアシッドとを、脱水縮合剤とし
てジシクロヘキシルカルボジイミド等を用い、触媒とし
てＮ，Ｎ′−ジメチル−４−アミノピリジン等の有機塩
基を用いて、反応させることにより、ｓｙｎ体（２Ｓ，
３Ｒ）型液晶化合物であるｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２
−［４′−｛４″−（４′′′−アルキルまたはアルコ
キシフェニル）または（４′′′−アルキルまたはアル
コキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキ
シ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタン、またはａｎｔｉ
体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物であるａｎｔｉ−（２
Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−アルキ
ルまたはアルコキシフェニル）または（４′′′−アル
キルまたはアルコキシ−３′′′−フルオロフェニル）
ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンを
容易に製造することができる。
【００７７】以下、式（１１）で示されるｓｙｎ体（２
Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物の製造方法について詳細に説明
する。式（１１）で示される４−［（４′−アルキルま
たはアルコキシフェニル）または（４′−アルキルまた
はアルコキシ−３′−フルオロフェニル）］ベンゾイッ
クアシッドを具体的に説明すると、好適な具体例として
は４−（４′−ｎ−オクチルフェニル）ベンゾイックア
シッド、４−（４′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイッ
クアシッドおよび４−（４′−ｎ−ドデシルフェニル）
ベンゾイックアシッド、および４−（４′−ｎ−オクチ
ルオキシフェニル）ベンゾイックアシッド、４−（４′
−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾイックアシッドお
よび４−（４′−ｎ−ドデシルオキシフェニル）ベンゾ
イックアシッド、および４−（４′−オクチル−３′−
フルオロフェニル）ベンゾイックアシッド、４−（４′
−ｎ−デシル−３′−フルオロフェニル）ベンゾイック
アシッドおよび４−（４′−ｎ−ドデシル−３′−フル
オロフェニル）ベンゾイックアシッド、および４−
（４′−ｎ−オクチルオキシ−３′−フルオロフェニ
ル）ベンゾイックアシッド、４−（４′−ｎ−デシルオ
キシ−３′−フルオロフェニル）ベンゾイックアシッド
および４−（４′−ｎ−ドデシルオキシ−３′−フルオ
ロフェニル）ベンゾイックアシッド等が挙げられる。
Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物の製造方法について詳細に説明
する。式（１１）で示される４−［（４′−アルキルま
たはアルコキシフェニル）または（４′−アルキルまた
はアルコキシ−３′−フルオロフェニル）］ベンゾイッ
クアシッドを具体的に説明すると、好適な具体例として
は４−（４′−ｎ−オクチルフェニル）ベンゾイックア
シッド、４−（４′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイッ
クアシッドおよび４−（４′−ｎ−ドデシルフェニル）
ベンゾイックアシッド、および４−（４′−ｎ−オクチ
ルオキシフェニル）ベンゾイックアシッド、４−（４′
−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾイックアシッドお
よび４−（４′−ｎ−ドデシルオキシフェニル）ベンゾ
イックアシッド、および４−（４′−オクチル−３′−
フルオロフェニル）ベンゾイックアシッド、４−（４′
−ｎ−デシル−３′−フルオロフェニル）ベンゾイック
アシッドおよび４−（４′−ｎ−ドデシル−３′−フル
オロフェニル）ベンゾイックアシッド、および４−
（４′−ｎ−オクチルオキシ−３′−フルオロフェニ
ル）ベンゾイックアシッド、４−（４′−ｎ−デシルオ
キシ−３′−フルオロフェニル）ベンゾイックアシッド
および４−（４′−ｎ−ドデシルオキシ−３′−フルオ
ロフェニル）ベンゾイックアシッド等が挙げられる。
【００７８】有機溶媒は塩化メチレンまたはクロロホル
ム等の塩素系溶媒が好ましい。有機溶媒の使用量はｓｙ
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプ
タン１モルを基準として２０〜４０Ｌが好ましい。２０
Ｌ未満の場合には４−［（４′−アルキルまたはアルコ
キシフェニル）または（４′−アルキルまたはアルコキ
シ−３′−フルオロフェニル）］ベンゾイックアシッド
が溶解しにくい場合があり、収率低下を招く恐れがあ
り、４０Ｌを超えると経済的とはいえない。ｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン
と４−［（４′−アルキルまたはアルコキシフェニル）
または（４′−アルキルまたはアルコキシ−３′−フル
オロフェニル）］ベンゾイックアシッドとの供給割合
は、前者１モルを基準として後者１．０〜１．１モルが
好ましい。１．０モル未満の場合には収率低下を招く恐
れがあり、１．１モルを超えると経済的とはいえない。
ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシ
ヘプタンとＮ，Ｎ′−ジメチル−４−アミノピリジンと
の供給割合は、前者１モルを基準として後者０．４〜
０．８モルが好ましい。０．４モル未満では脱水時間が
長くなり、収率低下を招く恐れがあり、０．８モルを超
えると経済的とはいえない。
ム等の塩素系溶媒が好ましい。有機溶媒の使用量はｓｙ
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプ
タン１モルを基準として２０〜４０Ｌが好ましい。２０
Ｌ未満の場合には４−［（４′−アルキルまたはアルコ
キシフェニル）または（４′−アルキルまたはアルコキ
シ−３′−フルオロフェニル）］ベンゾイックアシッド
が溶解しにくい場合があり、収率低下を招く恐れがあ
り、４０Ｌを超えると経済的とはいえない。ｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン
と４−［（４′−アルキルまたはアルコキシフェニル）
または（４′−アルキルまたはアルコキシ−３′−フル
オロフェニル）］ベンゾイックアシッドとの供給割合
は、前者１モルを基準として後者１．０〜１．１モルが
好ましい。１．０モル未満の場合には収率低下を招く恐
れがあり、１．１モルを超えると経済的とはいえない。
ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシ
ヘプタンとＮ，Ｎ′−ジメチル−４−アミノピリジンと
の供給割合は、前者１モルを基準として後者０．４〜
０．８モルが好ましい。０．４モル未満では脱水時間が
長くなり、収率低下を招く恐れがあり、０．８モルを超
えると経済的とはいえない。
【００７９】ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベン
ゾイルオキシヘプタン、４−［（４′−アルキルまたは
アルコキシフェニル）または（４′−アルキルまたはア
ルコキシフェニル−３′−フルオロフェニル）］ベンゾ
イックアシッド、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−４−アミノピリ
ジンおよび塩化メチレンを混合し、室温で撹拌しなが
ら、均一な溶液を調合する。次いで、上述の溶液を撹拌
しながら、ジシクロヘキシルカルボジイミドを加える。
ジシクロヘキシルカルボジイミドの上記溶液への供給割
合はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオ
キシヘプタン１モルを基準として、１．３〜１．７モル
が好ましい。１．３モル未満では脱水縮合反応が不充分
となり、収率低下を招く恐れがあり、１．７モルを超え
ると経済的とはいえない。ジシクロヘキシルカルボジイ
ミドの供給完了後、撹拌しながら、室温で反応させる。
その反応時間はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベ
ンゾイルオキシヘプタン１モルに対して２５〜３５時間
が好ましい。２５時間未満では収率低下を招く恐れがあ
り、３５時間を超えると経済的とはいえない。反応温度
は室温が好ましい。
ゾイルオキシヘプタン、４−［（４′−アルキルまたは
アルコキシフェニル）または（４′−アルキルまたはア
ルコキシフェニル−３′−フルオロフェニル）］ベンゾ
イックアシッド、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−４−アミノピリ
ジンおよび塩化メチレンを混合し、室温で撹拌しなが
ら、均一な溶液を調合する。次いで、上述の溶液を撹拌
しながら、ジシクロヘキシルカルボジイミドを加える。
ジシクロヘキシルカルボジイミドの上記溶液への供給割
合はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオ
キシヘプタン１モルを基準として、１．３〜１．７モル
が好ましい。１．３モル未満では脱水縮合反応が不充分
となり、収率低下を招く恐れがあり、１．７モルを超え
ると経済的とはいえない。ジシクロヘキシルカルボジイ
ミドの供給完了後、撹拌しながら、室温で反応させる。
その反応時間はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベ
ンゾイルオキシヘプタン１モルに対して２５〜３５時間
が好ましい。２５時間未満では収率低下を招く恐れがあ
り、３５時間を超えると経済的とはいえない。反応温度
は室温が好ましい。
【００８０】反応完了後、析出したジシクロヘキシル尿
素の白色結晶を濾過して除去し、濾液を１規定塩酸、１
０％炭酸水素ナトリウム水溶液および水で順次洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後減
圧濃縮して溶媒を留去し、シロップ状の残渣を得る。こ
の残渣を熱エタノールで溶解した後、冷却晶析して、白
色の粗結晶を得る。次いで、この粗結晶をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで精製し、無色のシロップ状の
目的生成物を得る。この反応は式（１１）の通り、ｓｙ
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプ
タンの２個の不斉炭素原子の絶対配置には無関係である
ことより、光学活性な不斉中心は変化しないことより、
目的生成物はｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−アルキルまたはアルコキシフェニ
ル）または（４′′′−アルキルまたはアルコキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタンである。
素の白色結晶を濾過して除去し、濾液を１規定塩酸、１
０％炭酸水素ナトリウム水溶液および水で順次洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後減
圧濃縮して溶媒を留去し、シロップ状の残渣を得る。こ
の残渣を熱エタノールで溶解した後、冷却晶析して、白
色の粗結晶を得る。次いで、この粗結晶をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで精製し、無色のシロップ状の
目的生成物を得る。この反応は式（１１）の通り、ｓｙ
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプ
タンの２個の不斉炭素原子の絶対配置には無関係である
ことより、光学活性な不斉中心は変化しないことより、
目的生成物はｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−アルキルまたはアルコキシフェニ
ル）または（４′′′−アルキルまたはアルコキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタンである。
【００８１】ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベン
ゾイルオキシヘプタンの代りに、式（１０）で得たａｎ
ｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘ
プタンを用いて、上記と同様な操作を行い、式（１２）
で示される無色のシロップ状の目的生成物であるａｎｔ
ｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′
−アルキルまたはアルコキシフェニル）または
（４′′′−アルキルまたはアルコキシ−３′′′−フ
ルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキ
シ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘプタンを得ることができる。
ゾイルオキシヘプタンの代りに、式（１０）で得たａｎ
ｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘ
プタンを用いて、上記と同様な操作を行い、式（１２）
で示される無色のシロップ状の目的生成物であるａｎｔ
ｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′
−アルキルまたはアルコキシフェニル）または
（４′′′−アルキルまたはアルコキシ−３′′′−フ
ルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキ
シ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘプタンを得ることができる。
【００８２】目的生成物は、高速応答性、低閾値電圧お
よび高チルト角を有し、３安定状態であるＳ CA☆を示
す反強誘電性液晶化合物であり、液晶表示素子として用
いることができる。例えば、目的生成物の一例であるｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイルオキシ｝
ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタンの相転移温度を測定
した結果、Ｓ CA☆の温度範囲が
よび高チルト角を有し、３安定状態であるＳ CA☆を示
す反強誘電性液晶化合物であり、液晶表示素子として用
いることができる。例えば、目的生成物の一例であるｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイルオキシ｝
ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタンの相転移温度を測定
した結果、Ｓ CA☆の温度範囲が
【００８３】
【化３１】
【００８４】となり、他方ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−
２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デシルオキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタンの相転移温度を測定した
結果、Ｓ CA☆の温度範囲が
２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デシルオキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタンの相転移温度を測定した
結果、Ｓ CA☆の温度範囲が
【００８５】
【化３２】
【００８６】となる。ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化
合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物は単
独で、Ｓ CA☆が低温から室温まで広い温度領域を有す
る反強誘電性液晶化合物であることが確認できる。さら
にこれら液晶化合物を用いた液晶表示素子を作成し、室
温での印加電圧に対する透過光量変化より１つの暗状態
と２つの明状態を有する３安定状態のダブルヒステリシ
ス曲線が得られる。これをもとに液晶表示素子の性能を
測定した結果、高速応答性、低閾値電圧および高チルト
角を有することより、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化
合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物は室
温でのスイッチング操作ができる液晶表示素子を形成
し、壁掛けテレビ等の材料に適する優れた反強誘電性液
晶化合物であることが確認される。
合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物は単
独で、Ｓ CA☆が低温から室温まで広い温度領域を有す
る反強誘電性液晶化合物であることが確認できる。さら
にこれら液晶化合物を用いた液晶表示素子を作成し、室
温での印加電圧に対する透過光量変化より１つの暗状態
と２つの明状態を有する３安定状態のダブルヒステリシ
ス曲線が得られる。これをもとに液晶表示素子の性能を
測定した結果、高速応答性、低閾値電圧および高チルト
角を有することより、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化
合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物は室
温でのスイッチング操作ができる液晶表示素子を形成
し、壁掛けテレビ等の材料に適する優れた反強誘電性液
晶化合物であることが確認される。
【００８７】［式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）
で示される本発明化合物］以下、式（Ａ）〜式（Ｄ）で
示される本発明化合物（以下、特に断らない限り、単に
本発明化合物という）およびその製造方法について説明
する。式（Ａ）〜式（Ｄ）の本発明化合物において、式
中、ｍは３〜６を示す。ｍが３未満の本発明化合物は沸
点が低く取り扱いづらく、ｍが６を超えるものは製造し
づらい。好ましい−（ＣＨ2）m−基は１，３−トリメチ
レン基、１，４−テトラメチレン基、１，５−ペンタメ
チレン基および１，６−ヘキサメチレン基等が挙げられ
る。
で示される本発明化合物］以下、式（Ａ）〜式（Ｄ）で
示される本発明化合物（以下、特に断らない限り、単に
本発明化合物という）およびその製造方法について説明
する。式（Ａ）〜式（Ｄ）の本発明化合物において、式
中、ｍは３〜６を示す。ｍが３未満の本発明化合物は沸
点が低く取り扱いづらく、ｍが６を超えるものは製造し
づらい。好ましい−（ＣＨ2）m−基は１，３−トリメチ
レン基、１，４−テトラメチレン基、１，５−ペンタメ
チレン基および１，６−ヘキサメチレン基等が挙げられ
る。
【００８８】ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ
−３−メトキシアルカンの好適な具体例を開示すると、
ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキ
シ−６−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘキサ
ン、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メ
トキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプ
タン、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−８−メトキシ−１，１，１−トリフルオロオ
クタンおよびｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ
−３−メトキシ−９−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロノナン等が挙げられる。ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカンの好適な具体
例開示すると、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロ
キシ−３−メトキシ−６−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘキサン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−
トリフルオロヘプタン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２
−ヒドロキシ−３−メトキシ−８−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロオクタンおよびａｎｔｉ−（２Ｓ，３
Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−９−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロノナン等が挙げられる。
−３−メトキシアルカンの好適な具体例を開示すると、
ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキ
シ−６−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘキサ
ン、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メ
トキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプ
タン、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−８−メトキシ−１，１，１−トリフルオロオ
クタンおよびｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ
−３−メトキシ−９−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロノナン等が挙げられる。ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカンの好適な具体
例開示すると、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロ
キシ−３−メトキシ−６−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘキサン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−
トリフルオロヘプタン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２
−ヒドロキシ−３−メトキシ−８−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロオクタンおよびａｎｔｉ−（２Ｓ，３
Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−９−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロノナン等が挙げられる。
【００８９】ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ
−３−メトキシアルカンの好適な具体例開示すると、ｓ
ｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ
−６−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘキサン、
ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキ
シ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ン、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メ
トキシ−８−メトキシ−１，１，１−トリフルオロオク
タンおよびｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−９−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロノナン等が挙げられる。ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型
２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカンの好適な具体例
開示すると、ａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキ
シ−３−メトキシ−６−メトキシ−１，１，１−トリフ
ルオロヘキサン、ａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒド
ロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタン、ａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−
ヒドロキシ−３−メトキシ−８−メトキシ−１，１，１
−トリフルオロオクタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３
Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−９−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロノナン等が挙げられる。
−３−メトキシアルカンの好適な具体例開示すると、ｓ
ｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ
−６−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘキサン、
ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキ
シ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ン、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メ
トキシ−８−メトキシ−１，１，１−トリフルオロオク
タンおよびｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−９−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロノナン等が挙げられる。ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型
２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカンの好適な具体例
開示すると、ａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキ
シ−３−メトキシ−６−メトキシ−１，１，１−トリフ
ルオロヘキサン、ａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒド
ロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタン、ａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−
ヒドロキシ−３−メトキシ−８−メトキシ−１，１，１
−トリフルオロオクタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３
Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−９−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロノナン等が挙げられる。
【００９０】［原料化合物：ヒドロキシケトン］原料化
合物である前述の式（Ｅ）で示されるヒドロキシケトン
は新規化合物であり、２−ヒドロキシ−３，３，３−ト
リフルオロプロピオニトリルと末端メトキシアルキルマ
グネシウム＝ブロミドであるグリニャール試薬とを反応
させ、次いで酸処理することにより容易に製造すること
ができる。式（Ｅ）で示されるヒドロキシケトンにおい
て、式中、ｍは式（Ａ）のｍに対応し、好適な具体例と
しては、１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−３−メトキシプロピルケトン、１−ヒドロキシ−
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトン、１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−５−メトキシペンチルケトンおよび１−ヒドロキ
シ−２，２，２−トリフルオロエチル−６−メトキシヘ
キシルケトン等が挙げられる。
合物である前述の式（Ｅ）で示されるヒドロキシケトン
は新規化合物であり、２−ヒドロキシ−３，３，３−ト
リフルオロプロピオニトリルと末端メトキシアルキルマ
グネシウム＝ブロミドであるグリニャール試薬とを反応
させ、次いで酸処理することにより容易に製造すること
ができる。式（Ｅ）で示されるヒドロキシケトンにおい
て、式中、ｍは式（Ａ）のｍに対応し、好適な具体例と
しては、１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−３−メトキシプロピルケトン、１−ヒドロキシ−
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトン、１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−５−メトキシペンチルケトンおよび１−ヒドロキ
シ−２，２，２−トリフルオロエチル−６−メトキシヘ
キシルケトン等が挙げられる。
【００９１】（原料化合物の製造方法）原料化合物は、
有機溶媒中で、２−ヒドロキシ−３，３，３−トリフル
オロプロピオニトリル（以下、ヒドロキシニトリルとい
う）と式（Ｈ） ＣＨ3Ｏ（ＣＨ）mＭｇＢｒ （Ｈ） ［ただし、式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示される末端
メトキシアルキルマグネシウム＝ブロミド（以下、グリ
ニャール試薬という）とを反応させ、次いで酸加水分解
することにより製造することが出来る。原料化合物を製
造する反応式を式で示すと、式（Ｉ）
有機溶媒中で、２−ヒドロキシ−３，３，３−トリフル
オロプロピオニトリル（以下、ヒドロキシニトリルとい
う）と式（Ｈ） ＣＨ3Ｏ（ＣＨ）mＭｇＢｒ （Ｈ） ［ただし、式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示される末端
メトキシアルキルマグネシウム＝ブロミド（以下、グリ
ニャール試薬という）とを反応させ、次いで酸加水分解
することにより製造することが出来る。原料化合物を製
造する反応式を式で示すと、式（Ｉ）
【００９２】
【化３３】
【００９３】［ただし、式中、ｍは式（Ａ）と同じ］の
通りであり、ヒドロキシニトリルのニトリル基にグリニ
ャール試薬１モルが付加し、またヒドロキシニトリルの
水酸基とグリニャール試薬１モルとが反応し反応生成物
と末端メトキシアルカンが生成する。次いで、得られた
反応生成物１モルを３グラム当量の鉱酸水溶液［式
（Ｉ）の反応式は鉱酸として塩酸を用いた場合について
示す］で加水分解することにより、原料化合物が生成す
る。式（Ｉ）の反応は、グリニャール試薬に、ヒドロキ
シニトリルの有機溶媒溶液を滴下して行うのが、高収率
が得られる等から好ましい。逆の滴下を行うと、ニトリ
ル基にグリニャール試薬が２モル付加して、反応生成物
の収率を低下させる。
通りであり、ヒドロキシニトリルのニトリル基にグリニ
ャール試薬１モルが付加し、またヒドロキシニトリルの
水酸基とグリニャール試薬１モルとが反応し反応生成物
と末端メトキシアルカンが生成する。次いで、得られた
反応生成物１モルを３グラム当量の鉱酸水溶液［式
（Ｉ）の反応式は鉱酸として塩酸を用いた場合について
示す］で加水分解することにより、原料化合物が生成す
る。式（Ｉ）の反応は、グリニャール試薬に、ヒドロキ
シニトリルの有機溶媒溶液を滴下して行うのが、高収率
が得られる等から好ましい。逆の滴下を行うと、ニトリ
ル基にグリニャール試薬が２モル付加して、反応生成物
の収率を低下させる。
【００９４】グリニャール試薬を具体的に開示すると、
３−メトキシプロピルマグネシウム＝ブロミド、４−メ
トキシブチルマグネシウム＝ブロミド、５−メトキシペ
ンチルマグネシウム＝ブロミドおよび６−メトキシヘキ
シルマグネシウム＝ブロミド等のエーテル溶液が挙げら
れる。有機溶媒としては、ジエチルエーテル、ＴＨＦ、
ジグリム等の乾燥エーテル溶媒が挙げられ、それらの中
でも乾燥ジエチルエーテルが特に好ましい。ヒドロキシ
ニトリルを希釈するために用いる有機溶媒の使用量はヒ
ドロキシニトリル１モルに対して０．５〜２Ｌが好まし
い。０．５Ｌ未満では反応熱の制御が困難となる場合が
あり、２Ｌを超えると経済的とはいえない。
３−メトキシプロピルマグネシウム＝ブロミド、４−メ
トキシブチルマグネシウム＝ブロミド、５−メトキシペ
ンチルマグネシウム＝ブロミドおよび６−メトキシヘキ
シルマグネシウム＝ブロミド等のエーテル溶液が挙げら
れる。有機溶媒としては、ジエチルエーテル、ＴＨＦ、
ジグリム等の乾燥エーテル溶媒が挙げられ、それらの中
でも乾燥ジエチルエーテルが特に好ましい。ヒドロキシ
ニトリルを希釈するために用いる有機溶媒の使用量はヒ
ドロキシニトリル１モルに対して０．５〜２Ｌが好まし
い。０．５Ｌ未満では反応熱の制御が困難となる場合が
あり、２Ｌを超えると経済的とはいえない。
【００９５】ヒドロキシニトリルとグリニャール試薬と
の供給割合はヒドロキシニトリル１モルに対してグリニ
ャール試薬２〜２．２モルが好ましい。２モル未満では
反応生成物の収率低下を招き、２．２モルを超えると経
済的に有利とはいえなくなる。ヒドロキシニトリルの反
応系への供給速度は、ヒドロキシニトリル１モルを１０
０〜２５０分間かけて滴下するのが好ましい。１００分
間未満では反応熱の制御が困難となり、エーテルの突沸
の危険を招く恐れがあるとともに、反応生成物の収率低
下を招く。２５０分間を超えると経済的とはいえない。
反応温度は−１０〜１０℃が好ましく、特に０℃が好適
である。−１０℃未満では反応速度が遅く、経済的とは
いえず、１０℃を超えると反応熱の制御が困難となり、
反応生成物の収率低下を招く。ヒドロキシケトンの滴下
完了後、引き続き２時間撹拌保持して反応を完結させ、
反応生成物を生成させる。
の供給割合はヒドロキシニトリル１モルに対してグリニ
ャール試薬２〜２．２モルが好ましい。２モル未満では
反応生成物の収率低下を招き、２．２モルを超えると経
済的に有利とはいえなくなる。ヒドロキシニトリルの反
応系への供給速度は、ヒドロキシニトリル１モルを１０
０〜２５０分間かけて滴下するのが好ましい。１００分
間未満では反応熱の制御が困難となり、エーテルの突沸
の危険を招く恐れがあるとともに、反応生成物の収率低
下を招く。２５０分間を超えると経済的とはいえない。
反応温度は−１０〜１０℃が好ましく、特に０℃が好適
である。−１０℃未満では反応速度が遅く、経済的とは
いえず、１０℃を超えると反応熱の制御が困難となり、
反応生成物の収率低下を招く。ヒドロキシケトンの滴下
完了後、引き続き２時間撹拌保持して反応を完結させ、
反応生成物を生成させる。
【００９６】上記で得られた反応生成物溶液を鉱酸で加
水分解することにより、原料化合物であるヒドロキシケ
トンを得る。鉱酸としては塩酸、硫酸、硝酸等が挙げら
れ、それらの中でも塩酸が特に好ましい。鉱酸の使用量
はヒドロキシニトリル１モルに対して３〜４グラム当量
が好ましい。３グラム当量未満では反応生成物の加水分
解が不完全となり易く、４グラム当量を超えると経済的
とはいえない。鉱酸の濃度は２〜５規定が好ましい。２
規定未満では水層の量が多すぎ原料化合物の抽出操作が
煩雑となり、経済的とはいえない。５規定を超えると、
温度制御が困難となり、収率低下を招く。加水分解反応
は反応生成物溶液に鉱酸水溶液を滴下して行うのが好ま
しい。逆の滴下を行うと、反応熱の制御が困難となり、
収率低下を招く。
水分解することにより、原料化合物であるヒドロキシケ
トンを得る。鉱酸としては塩酸、硫酸、硝酸等が挙げら
れ、それらの中でも塩酸が特に好ましい。鉱酸の使用量
はヒドロキシニトリル１モルに対して３〜４グラム当量
が好ましい。３グラム当量未満では反応生成物の加水分
解が不完全となり易く、４グラム当量を超えると経済的
とはいえない。鉱酸の濃度は２〜５規定が好ましい。２
規定未満では水層の量が多すぎ原料化合物の抽出操作が
煩雑となり、経済的とはいえない。５規定を超えると、
温度制御が困難となり、収率低下を招く。加水分解反応
は反応生成物溶液に鉱酸水溶液を滴下して行うのが好ま
しい。逆の滴下を行うと、反応熱の制御が困難となり、
収率低下を招く。
【００９７】反応系への鉱酸水溶液の滴下時間はヒドロ
キシニトリル１モルに対して３０〜９０分間が好まし
い。あまりに早いと反応熱の制御が困難となり、あまり
に遅いと経済的とはいえない。加水分解反応はできるだ
け穏やかな温度で行うのが好ましく、常温が特に好適で
ある。あまりに高い温度では溶媒であるエーテルの引火
の危険を招く恐れがあるとともに、原料化合物の収率低
下を招く。あまりに低い温度では経済的とはいえない。
鉱酸の滴下完了後、引き続き２０分間撹拌保持すること
により、加水分解反応を完結させる。
キシニトリル１モルに対して３０〜９０分間が好まし
い。あまりに早いと反応熱の制御が困難となり、あまり
に遅いと経済的とはいえない。加水分解反応はできるだ
け穏やかな温度で行うのが好ましく、常温が特に好適で
ある。あまりに高い温度では溶媒であるエーテルの引火
の危険を招く恐れがあるとともに、原料化合物の収率低
下を招く。あまりに低い温度では経済的とはいえない。
鉱酸の滴下完了後、引き続き２０分間撹拌保持すること
により、加水分解反応を完結させる。
【００９８】加水分解反応終了後、エーテル抽出し、抽
出液を１０％炭酸ソーダ水溶液、水で順次洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、濃縮
し、溶媒を留去した後、蒸留し、無色透明な液状の生成
物である原料化合物を得る。この生成物は各種スペクト
ル分析により、１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフル
オロエチル末端メトキシアルキルケトンであることを確
認できる。
出液を１０％炭酸ソーダ水溶液、水で順次洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、濃縮
し、溶媒を留去した後、蒸留し、無色透明な液状の生成
物である原料化合物を得る。この生成物は各種スペクト
ル分析により、１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフル
オロエチル末端メトキシアルキルケトンであることを確
認できる。
【００９９】以下、原料化合物より、第６反応を経て、
本発明化合物を製造する方法について詳細に説明する。 （第１反応：反応混合物の製造方法）式（Ｉ）で得られ
た原料化合物であるヒドロキシケトンと光学分割剤であ
る（Ｓ）−２−アセトキシプロピオニルクロリド（以
下、光学分割剤という）とを反応させて、反応混合物を
得る第１反応を式で示すと、式（Ｊ）
本発明化合物を製造する方法について詳細に説明する。 （第１反応：反応混合物の製造方法）式（Ｉ）で得られ
た原料化合物であるヒドロキシケトンと光学分割剤であ
る（Ｓ）−２−アセトキシプロピオニルクロリド（以
下、光学分割剤という）とを反応させて、反応混合物を
得る第１反応を式で示すと、式（Ｊ）
【０１００】
【化３４】
【０１０１】［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］の通りであ
り、ヒドロキシケトンと光学分割剤とを混合し、該混合
液を減圧下で還流することにより、ヒドロキシケトン中
の水酸基の水素原子と光学分割剤中の塩素原子が反応
し、発生する塩化水素ガスを連続的に除去し、次いで未
反応ヒドロキシケトンおよび未反応光学分割剤をより高
真空度、より高温にて蒸留することにより、留去し、
（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピ
オニルオキシ］末端メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロアルカノン−３［以下、｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体
アルカノン−３という］および（２Ｒ）−２−［（２′
Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ］末端メト
キシ−１，１，１−トリフルオロアルカノン−３［以
下、｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体アルカノン−３とい
う］からなり、その生成比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝
体／｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体＝１／１（面積比）の
ジアステレオマー混合物（以下、反応混合物という）を
得る。
り、ヒドロキシケトンと光学分割剤とを混合し、該混合
液を減圧下で還流することにより、ヒドロキシケトン中
の水酸基の水素原子と光学分割剤中の塩素原子が反応
し、発生する塩化水素ガスを連続的に除去し、次いで未
反応ヒドロキシケトンおよび未反応光学分割剤をより高
真空度、より高温にて蒸留することにより、留去し、
（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピ
オニルオキシ］末端メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロアルカノン−３［以下、｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体
アルカノン−３という］および（２Ｒ）−２−［（２′
Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ］末端メト
キシ−１，１，１−トリフルオロアルカノン−３［以
下、｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体アルカノン−３とい
う］からなり、その生成比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝
体／｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体＝１／１（面積比）の
ジアステレオマー混合物（以下、反応混合物という）を
得る。
【０１０２】［反応混合物：｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝
体アルカノン−３および｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体ア
ルカノン−３からなり、その生成比率｛（２Ｓ），
（２′Ｓ）｝体／｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体＝１／１
（面積比）のジアステレオマー混合物］式（Ｊ）で示さ
れる反応混合物において、式中、ｍは式（Ａ）と同じで
あり、その好適な具体例を示すと、（２Ｓ）−２−
［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ］
−６−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘキサノン
−３および（２Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセト
キシプロピオニルオキシ］−６−メトキシ−１，１，１
−トリフルオロヘキサノン−３からなり、その生成比率
｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体／｛（２Ｒ），（２′
Ｓ）｝体＝１／１（面積比）のジアステレオマー混合
物、（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプ
ロピオニルオキシ］−７−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘプタノン−３および（２Ｒ）−２−［（２′
Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ］−７−メ
トキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタノン−３から
なり、その生成比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体／
｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体＝１／１（面積比）のジア
ステレオマー混合物、（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−
２′−アセトキシプロピオニルオキシ］−８−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロオクタノン−３および（２
Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニ
ルオキシ］−８−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ
オクタノン−３からなり、その生成比率｛（２Ｓ），
（２′Ｓ）｝体／｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体＝１／１
（面積比）のジアステレオマー混合物、および（２Ｓ）
−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオ
キシ］−９−メトキシ−１，１，１−トリフルオロノナ
ノン−３および（２Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′−ア
セトキシプロピオニルオキシ］−９−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロノナノン−３からなり、その生成
比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体／｛（２Ｒ），（２′
Ｓ）｝体＝１／１（面積比）のジアステレオマー混合物
等が挙げられる。
体アルカノン−３および｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体ア
ルカノン−３からなり、その生成比率｛（２Ｓ），
（２′Ｓ）｝体／｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体＝１／１
（面積比）のジアステレオマー混合物］式（Ｊ）で示さ
れる反応混合物において、式中、ｍは式（Ａ）と同じで
あり、その好適な具体例を示すと、（２Ｓ）−２−
［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ］
−６−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘキサノン
−３および（２Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセト
キシプロピオニルオキシ］−６−メトキシ−１，１，１
−トリフルオロヘキサノン−３からなり、その生成比率
｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体／｛（２Ｒ），（２′
Ｓ）｝体＝１／１（面積比）のジアステレオマー混合
物、（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプ
ロピオニルオキシ］−７−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘプタノン−３および（２Ｒ）−２−［（２′
Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ］−７−メ
トキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタノン−３から
なり、その生成比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体／
｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体＝１／１（面積比）のジア
ステレオマー混合物、（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−
２′−アセトキシプロピオニルオキシ］−８−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロオクタノン−３および（２
Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニ
ルオキシ］−８−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ
オクタノン−３からなり、その生成比率｛（２Ｓ），
（２′Ｓ）｝体／｛（２Ｒ），（２′Ｓ）｝体＝１／１
（面積比）のジアステレオマー混合物、および（２Ｓ）
−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオ
キシ］−９−メトキシ−１，１，１−トリフルオロノナ
ノン−３および（２Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′−ア
セトキシプロピオニルオキシ］−９−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロノナノン−３からなり、その生成
比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体／｛（２Ｒ），（２′
Ｓ）｝体＝１／１（面積比）のジアステレオマー混合物
等が挙げられる。
【０１０３】以下、式（Ｊ）で示される第１反応につい
て詳細に説明する。ヒドロキシケトンと光学分割剤との
混合割合はヒドロキシケトン１モルに対して１．０〜
１．２モルが好ましい。１モル未満では反応混合物の収
率低下を招き、１．２モルを超えると経済的とはいえな
い。ヒドロキシケトンと光学分割剤との混合方法は特に
制限がなく、いずれの混合方法でもよい。また、混合温
度は常温が好ましい。
て詳細に説明する。ヒドロキシケトンと光学分割剤との
混合割合はヒドロキシケトン１モルに対して１．０〜
１．２モルが好ましい。１モル未満では反応混合物の収
率低下を招き、１．２モルを超えると経済的とはいえな
い。ヒドロキシケトンと光学分割剤との混合方法は特に
制限がなく、いずれの混合方法でもよい。また、混合温
度は常温が好ましい。
【０１０４】ヒドロキシケトンと光学分割剤との反応条
件は副生塩化水素ガスがスムースに生成し、かつ該塩化
水素ガスを連続的に系外に除去するために、真空度１５
０〜２００ｍｍＨｇ、温度４０〜６０℃の条件で還流す
るのが好ましい。真空度１５０〜２００ｍｍＨｇで温度
４０℃未満では還流が生ぜず反応が進みにくい。６０℃
を超えると塩化水素ガスの異常発生を生じるとともに、
収率低下を伴う恐れがある。他方、温度４０〜６０℃で
真空度１５０ｍｍＨｇ未満では光学分割剤およびヒドロ
キシケトンの一部が蒸発し、収率低下を招く恐れがあ
り、真空度２００ｍｍＨｇを超えると還流が生ぜず反応
が進みにくい。脱塩化水素ガス反応の反応時間はヒドロ
キシケトン１モルに対して、３０〜９０分間が好まし
い。３０分未満では脱塩化水素ガス反応が不十分とな
り、収率低下を招く恐れがあり、９０分を超えると経済
的とはいえない。
件は副生塩化水素ガスがスムースに生成し、かつ該塩化
水素ガスを連続的に系外に除去するために、真空度１５
０〜２００ｍｍＨｇ、温度４０〜６０℃の条件で還流す
るのが好ましい。真空度１５０〜２００ｍｍＨｇで温度
４０℃未満では還流が生ぜず反応が進みにくい。６０℃
を超えると塩化水素ガスの異常発生を生じるとともに、
収率低下を伴う恐れがある。他方、温度４０〜６０℃で
真空度１５０ｍｍＨｇ未満では光学分割剤およびヒドロ
キシケトンの一部が蒸発し、収率低下を招く恐れがあ
り、真空度２００ｍｍＨｇを超えると還流が生ぜず反応
が進みにくい。脱塩化水素ガス反応の反応時間はヒドロ
キシケトン１モルに対して、３０〜９０分間が好まし
い。３０分未満では脱塩化水素ガス反応が不十分とな
り、収率低下を招く恐れがあり、９０分を超えると経済
的とはいえない。
【０１０５】塩化水素ガスの発生が終了した後、未反応
光学分割剤および未反応ヒドロキシケトンを除去するた
めに、真空度６０〜８０ｍｍＨｇ、温度８０〜１００℃
の条件で蒸留するのが好ましい。真空度６０〜８０ｍｍ
Ｈｇで温度８０℃では未反応光学分割剤および未反応ヒ
ドロキシケトンの除去時間が長くなり経済的とはいえ
ず、温度１００℃を超えると反応混合物の一部が蒸発
し、収率低下を招く恐れがある。他方、温度８０〜１０
０℃において、真空度６０ｍｍＨｇ未満では反応混合物
の一部が蒸発して収率低下を招く恐れがあり、真空度８
０ｍｍＨｇを超えると、未反応光学分割剤および未反応
ヒドロキシケトンの除去が不十分となり、反応生成物の
純度低下を招く恐れがある。なお蒸留時間はヒドロキシ
ケトン１モルに対して６０〜１２０分間が好ましい。あ
まりに早いと未反応光学分割剤および未反応のヒドロキ
シケトンの除去が不十分となり、あまりに遅いと経済的
とはいえない。
光学分割剤および未反応ヒドロキシケトンを除去するた
めに、真空度６０〜８０ｍｍＨｇ、温度８０〜１００℃
の条件で蒸留するのが好ましい。真空度６０〜８０ｍｍ
Ｈｇで温度８０℃では未反応光学分割剤および未反応ヒ
ドロキシケトンの除去時間が長くなり経済的とはいえ
ず、温度１００℃を超えると反応混合物の一部が蒸発
し、収率低下を招く恐れがある。他方、温度８０〜１０
０℃において、真空度６０ｍｍＨｇ未満では反応混合物
の一部が蒸発して収率低下を招く恐れがあり、真空度８
０ｍｍＨｇを超えると、未反応光学分割剤および未反応
ヒドロキシケトンの除去が不十分となり、反応生成物の
純度低下を招く恐れがある。なお蒸留時間はヒドロキシ
ケトン１モルに対して６０〜１２０分間が好ましい。あ
まりに早いと未反応光学分割剤および未反応のヒドロキ
シケトンの除去が不十分となり、あまりに遅いと経済的
とはいえない。
【０１０６】以上の操作により、無色透明な液状の生成
物が得られる。この生成物は以下に述べる通り、（２
Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニ
ルオキシ］−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシア
ルカノン−３および（２Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′
−アセトキシプロピオニルオキシ］−１，１，１−トリ
フルオロ末端メトキシアルカノン−３からなり、その生
成比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体／｛（２Ｒ），
（２′Ｓ）｝体＝１／１（面積比）のジアステレオマー
混合物であることが確認される。すなわち、第１反応に
おいて、光学分割剤の２位の不斉炭素原子の立体配置は
反応に無関係であり、（２′Ｓ）配置であること、ま
た、生成物の各種スペクトルを測定すると、生成物は２
−（２′−アセトキシプロピオニルオキシ）−１，１，
１−トリフルオロ末端メトキシアルカノン−３であり、
かつ、19ＦＮＭＲスペクトルは２本のピークが得られ、
第１ピーク／第２ピーク＝１／１（面積比）であること
等より生成物は光学活性な式（Ｊ）のジアステレオマー
混合物であることが確認できる。
物が得られる。この生成物は以下に述べる通り、（２
Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニ
ルオキシ］−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシア
ルカノン−３および（２Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′
−アセトキシプロピオニルオキシ］−１，１，１−トリ
フルオロ末端メトキシアルカノン−３からなり、その生
成比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体／｛（２Ｒ），
（２′Ｓ）｝体＝１／１（面積比）のジアステレオマー
混合物であることが確認される。すなわち、第１反応に
おいて、光学分割剤の２位の不斉炭素原子の立体配置は
反応に無関係であり、（２′Ｓ）配置であること、ま
た、生成物の各種スペクトルを測定すると、生成物は２
−（２′−アセトキシプロピオニルオキシ）−１，１，
１−トリフルオロ末端メトキシアルカノン−３であり、
かつ、19ＦＮＭＲスペクトルは２本のピークが得られ、
第１ピーク／第２ピーク＝１／１（面積比）であること
等より生成物は光学活性な式（Ｊ）のジアステレオマー
混合物であることが確認できる。
【０１０７】（第２反応：（Ｓ）体ヒドロキシケトンお
よび（Ｒ）体ヒドロキシケトンの製造方法）第２反応を
反応式で示すと式（Ｋ）および式（Ｌ）
よび（Ｒ）体ヒドロキシケトンの製造方法）第２反応を
反応式で示すと式（Ｋ）および式（Ｌ）
【０１０８】
【化３５】
【０１０９】［式中、ｍは、式（Ａ）と同じ］の通りで
あり、第１反応で得られた反応混合物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにより、第１ピークである第一フ
ラクションと第２ピークである第二フラクションを分取
し、溶媒を減圧留去することにより、無色透明な液状の
第一フラクションからの生成物と無色透明な液状の第二
フラクションからの生成物を得る。また、それらの生成
物の取得比率は１／１であることが確認される。さら
に、各生成物の1ＨＮＭＲスペクトル、ＩＲ吸収スペク
トル、ＭＳスペクトルは、第１反応の反応混合物と同じ
であることが確認される。さらに第一フラクションおよ
び第二フラクションからの生成物の各19ＦＮＭＲスペク
トルは反応混合物の19Ｆスペクトルの第１ピークおよび
第２ピークと同じであることが確認される。
あり、第１反応で得られた反応混合物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにより、第１ピークである第一フ
ラクションと第２ピークである第二フラクションを分取
し、溶媒を減圧留去することにより、無色透明な液状の
第一フラクションからの生成物と無色透明な液状の第二
フラクションからの生成物を得る。また、それらの生成
物の取得比率は１／１であることが確認される。さら
に、各生成物の1ＨＮＭＲスペクトル、ＩＲ吸収スペク
トル、ＭＳスペクトルは、第１反応の反応混合物と同じ
であることが確認される。さらに第一フラクションおよ
び第二フラクションからの生成物の各19ＦＮＭＲスペク
トルは反応混合物の19Ｆスペクトルの第１ピークおよび
第２ピークと同じであることが確認される。
【０１１０】次いで、第一フラクションからの生成物お
よび第二フラクションからの生成物を鉱酸で加水分解す
ることにより、式（Ｋ）の通り、（Ｓ）−１−ヒドロキ
シ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メトキシアル
キルケトン［以下、（Ｓ）体ヒドロキシケトンとい
う］、および式（Ｌ）の通り、（Ｒ）−１−ヒドロキシ
−２，２，２−トリフルオロエチル末端メトキシアルキ
ルケトン［以下、（Ｒ）体ヒドロキシケトンという］が
得られ、（Ｓ）体乳酸と酢酸が副生する。
よび第二フラクションからの生成物を鉱酸で加水分解す
ることにより、式（Ｋ）の通り、（Ｓ）−１−ヒドロキ
シ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メトキシアル
キルケトン［以下、（Ｓ）体ヒドロキシケトンとい
う］、および式（Ｌ）の通り、（Ｒ）−１−ヒドロキシ
−２，２，２−トリフルオロエチル末端メトキシアルキ
ルケトン［以下、（Ｒ）体ヒドロキシケトンという］が
得られ、（Ｓ）体乳酸と酢酸が副生する。
【０１１１】［（Ｓ）体ヒドロキシケトンおよび（Ｒ）
体ヒドロキシケトン］（Ｓ）体ヒドロキシケトンを具体
的に開示すると、（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，２，２
−トリフルオロエチル−３−メトキシプロピルケトン、
（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン、（Ｓ）−１−ヒドロ
キシ−２，２，２−トリフルオロエチル−５−メトキシ
ペンチルケトンおよび（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−６−メトキシヘキシルケ
トン等が挙げられる。（Ｒ）体ヒドロキシケトンを具体
的に開示すると、（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，２，２
−トリフルオロエチル−３−メトキシプロピルケトン、
（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン、（Ｒ）−１−ヒドロ
キシ−２，２，２−トリフルオロエチル−５−メトキシ
ペンチルケトンおよび（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−６−メトキシヘキシルケ
トン等が挙げられる。
体ヒドロキシケトン］（Ｓ）体ヒドロキシケトンを具体
的に開示すると、（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，２，２
−トリフルオロエチル−３−メトキシプロピルケトン、
（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン、（Ｓ）−１−ヒドロ
キシ−２，２，２−トリフルオロエチル−５−メトキシ
ペンチルケトンおよび（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−６−メトキシヘキシルケ
トン等が挙げられる。（Ｒ）体ヒドロキシケトンを具体
的に開示すると、（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，２，２
−トリフルオロエチル−３−メトキシプロピルケトン、
（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン、（Ｒ）−１−ヒドロ
キシ−２，２，２−トリフルオロエチル−５−メトキシ
ペンチルケトンおよび（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−６−メトキシヘキシルケ
トン等が挙げられる。
【０１１２】以下、式（Ｋ）で示される第２反応につい
て詳細に説明する。第１反応で得られた反応混合物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで分取し、溶媒を留
去することにより、無色透明な液状の、第一フラクショ
ンからの生成物および第二フラクションからの生成物を
得る。次いで、第一フラクションからの生成物を鉱酸で
加水分解することにより、（Ｓ）体ヒドロキシケトンを
得る。鉱酸としては硫酸、塩酸、硝酸等が挙げられ、そ
れらの中でもガス発生の少ない硫酸が好ましい。鉱酸の
使用量は例えば、上記で得られた第一フラクションから
の生成物１モルに対して５〜１５グラム当量が好まし
い。５グラム当量未満では加水分解が不十分となり、収
率低下を招く恐れがあり、１５グラム当量を超えると経
済的とはいえない。鉱酸の濃度は２〜５規定が好まし
い。２規定未満では精製操作が煩雑になり、５規定を超
えると経済的に有利とはいえない。
て詳細に説明する。第１反応で得られた反応混合物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで分取し、溶媒を留
去することにより、無色透明な液状の、第一フラクショ
ンからの生成物および第二フラクションからの生成物を
得る。次いで、第一フラクションからの生成物を鉱酸で
加水分解することにより、（Ｓ）体ヒドロキシケトンを
得る。鉱酸としては硫酸、塩酸、硝酸等が挙げられ、そ
れらの中でもガス発生の少ない硫酸が好ましい。鉱酸の
使用量は例えば、上記で得られた第一フラクションから
の生成物１モルに対して５〜１５グラム当量が好まし
い。５グラム当量未満では加水分解が不十分となり、収
率低下を招く恐れがあり、１５グラム当量を超えると経
済的とはいえない。鉱酸の濃度は２〜５規定が好まし
い。２規定未満では精製操作が煩雑になり、５規定を超
えると経済的に有利とはいえない。
【０１１３】第一フラクションからの生成物と鉱酸水溶
液とを混合し、次いで均一に溶解させるためにメチルア
ルコールまたはエチルアルコールを添加する。アルコー
ルの添加量は目安として鉱酸水溶液の１〜２倍量であ
る。１倍量未満では均一な溶液が得られず、加水分解が
不十分となり、収率低下を招く恐れがあり、２倍量を超
えると経済的とはいえない。加水分解反応は還元しなが
ら、第一フラクションからの生成物１モルを基準として
４〜８時間行う。４時間未満では加水分解が不十分とな
り、収率低下を招く恐れがあり、８時間を超えると経済
的とはいえない。
液とを混合し、次いで均一に溶解させるためにメチルア
ルコールまたはエチルアルコールを添加する。アルコー
ルの添加量は目安として鉱酸水溶液の１〜２倍量であ
る。１倍量未満では均一な溶液が得られず、加水分解が
不十分となり、収率低下を招く恐れがあり、２倍量を超
えると経済的とはいえない。加水分解反応は還元しなが
ら、第一フラクションからの生成物１モルを基準として
４〜８時間行う。４時間未満では加水分解が不十分とな
り、収率低下を招く恐れがあり、８時間を超えると経済
的とはいえない。
【０１１４】加水分解終了後、室温まで冷却した後、エ
ーテル抽出し、抽出液を１０％炭酸水素ナトリウム水溶
液、水で順次洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムを加
えて水分を除去した後、濃縮し溶媒を留去した後、蒸留
し、無色透明な液状の生成物（生成物−１とする）を得
る。この生成物−１は下記同定例−Ａより、（Ｓ）−１
−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メ
トキシアルキルケトンであることが確認できる。また、
第一フラクションからの生成物の代わりに第二フラクシ
ョンからの生成物を用いた以外は、上記と同様な操作を
行うことにより、式（Ｌ）の通り、無色透明な液状の生
成物（生成物−２とする）を得る。この生成物−２は下
記同定例−Ａより、（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，２，
２−トリフルオロエチル末端メトキシアルキルケトンで
あることが確認できる。
ーテル抽出し、抽出液を１０％炭酸水素ナトリウム水溶
液、水で順次洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムを加
えて水分を除去した後、濃縮し溶媒を留去した後、蒸留
し、無色透明な液状の生成物（生成物−１とする）を得
る。この生成物−１は下記同定例−Ａより、（Ｓ）−１
−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メ
トキシアルキルケトンであることが確認できる。また、
第一フラクションからの生成物の代わりに第二フラクシ
ョンからの生成物を用いた以外は、上記と同様な操作を
行うことにより、式（Ｌ）の通り、無色透明な液状の生
成物（生成物−２とする）を得る。この生成物−２は下
記同定例−Ａより、（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，２，
２−トリフルオロエチル末端メトキシアルキルケトンで
あることが確認できる。
【０１１５】［同定例−Ａ：生成物−１が（Ｓ）体ヒド
ロキシケトンであり、生成物−２が（Ｒ）体ヒドロキシ
ケトンであることの確認］生成物−１および生成物−２
は各種スペクトル分析より原料化合物である１−ヒドロ
キシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メトキシア
ルキルケトンと同じである。次いで、（Ｓ）−Ｎ−（２
−ヒドロキシ−３，３，３−トリフルオロプロピオニ
ル）ピロリジンと、式（Ｉ）で示される末端メトキシア
ルキルマグネシウム＝ブロミドからなるグリニャール試
薬とを反応させることによって得られた（Ｓ）−１−ヒ
ドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メトキ
シアルキルケトン［以下、（Ｓ）体標品という］を光学
異性体分離用カラムを有するガスクロマトグラフィー
（以下、光学活性ガスクロマトグラフィーという）にか
けると、１本の光学活性ピークが得られる。
ロキシケトンであり、生成物−２が（Ｒ）体ヒドロキシ
ケトンであることの確認］生成物−１および生成物−２
は各種スペクトル分析より原料化合物である１−ヒドロ
キシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メトキシア
ルキルケトンと同じである。次いで、（Ｓ）−Ｎ−（２
−ヒドロキシ−３，３，３−トリフルオロプロピオニ
ル）ピロリジンと、式（Ｉ）で示される末端メトキシア
ルキルマグネシウム＝ブロミドからなるグリニャール試
薬とを反応させることによって得られた（Ｓ）−１−ヒ
ドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メトキ
シアルキルケトン［以下、（Ｓ）体標品という］を光学
異性体分離用カラムを有するガスクロマトグラフィー
（以下、光学活性ガスクロマトグラフィーという）にか
けると、１本の光学活性ピークが得られる。
【０１１６】次いで第１反応で得られたヒドロキシケト
ンを光学活性ガスクロマトグラフィーにかけると２本の
光学活性なピークが得られ、その第１ピークの保持時間
が（Ｓ）体標品と一致したことにより、第１ピークは
（Ｓ）体ヒドロキシケトンであることが確認され、残り
の第２ピークは（Ｒ）体ヒドロキシケトンであることが
判明する。次いで、式（Ｋ）で得られた生成物−１を光
学活性ガスクロマトグラフィーにかけると、１本の光学
活性なピークが得られ、そのピークの保持時間が（Ｓ）
体標品の保持時間と一致したことにより、（Ｓ）−１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メト
キシアルキルケトンであることが確認できる。また、式
（Ｌ）で得られた生成物−２を上述の光学活性ガスクロ
マトグラフィーにかけると、１本の光学活性なピークが
得られ、そのピークの保持時間が（Ｒ）体ヒドロキシケ
トンと一致したことにより、生成物−２は（Ｒ）−１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メト
キシアルキルケトンであることが確認できる。
ンを光学活性ガスクロマトグラフィーにかけると２本の
光学活性なピークが得られ、その第１ピークの保持時間
が（Ｓ）体標品と一致したことにより、第１ピークは
（Ｓ）体ヒドロキシケトンであることが確認され、残り
の第２ピークは（Ｒ）体ヒドロキシケトンであることが
判明する。次いで、式（Ｋ）で得られた生成物−１を光
学活性ガスクロマトグラフィーにかけると、１本の光学
活性なピークが得られ、そのピークの保持時間が（Ｓ）
体標品の保持時間と一致したことにより、（Ｓ）−１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メト
キシアルキルケトンであることが確認できる。また、式
（Ｌ）で得られた生成物−２を上述の光学活性ガスクロ
マトグラフィーにかけると、１本の光学活性なピークが
得られ、そのピークの保持時間が（Ｒ）体ヒドロキシケ
トンと一致したことにより、生成物−２は（Ｒ）−１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メト
キシアルキルケトンであることが確認できる。
【０１１７】したがって、式（Ｋ）で得られた第一フラ
クションからの生成物は（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−
２′−アセトキシプロピオニルオキシ］−１，１，１−
トリフルオロ末端メトキシアルカノン−３であり、第二
フラクションからの生成物は（２Ｒ）−２−［（２′
Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ］−１，
１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカノン−３であ
ることが確認できる。また第一フラクションからの生成
物の19ＦＮＭＲスペクトルは［（２Ｓ）（２′Ｓ）］体
アルカノン−３であり、第二フラクションからの生成物
の19ＦＮＭＲスペクトルは［（２Ｒ）（２′Ｓ）］体ア
ルカノン−３であることが確認できる。
クションからの生成物は（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−
２′−アセトキシプロピオニルオキシ］−１，１，１−
トリフルオロ末端メトキシアルカノン−３であり、第二
フラクションからの生成物は（２Ｒ）−２−［（２′
Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ］−１，
１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカノン−３であ
ることが確認できる。また第一フラクションからの生成
物の19ＦＮＭＲスペクトルは［（２Ｓ）（２′Ｓ）］体
アルカノン−３であり、第二フラクションからの生成物
の19ＦＮＭＲスペクトルは［（２Ｒ）（２′Ｓ）］体ア
ルカノン−３であることが確認できる。
【０１１８】よって、第１反応で得られた反応混合物は
（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピ
オニルオキシ］−１，１，１−トリフルオロ末端メトキ
シアルカノン−３および（２Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−
２′−アセトキシプロピオニルオキシ］−１，１，１−
トリフルオロ末端メトキシアルカノン−３からなり、そ
の生成比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝／｛（２Ｒ），
（２′Ｓ）｝体＝１／１（面積比）のジアステレオマー
混合物であることが確認できる。
（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピ
オニルオキシ］−１，１，１−トリフルオロ末端メトキ
シアルカノン−３および（２Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−
２′−アセトキシプロピオニルオキシ］−１，１，１−
トリフルオロ末端メトキシアルカノン−３からなり、そ
の生成比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝／｛（２Ｒ），
（２′Ｓ）｝体＝１／１（面積比）のジアステレオマー
混合物であることが確認できる。
【０１１９】［第３反応：（Ｓ）体アセトキシケトンお
よび（Ｒ）体アセトキシケトンの製造方法］第３反応を
反応式で示すと、式（Ｍ）および式（Ｎ）
よび（Ｒ）体アセトキシケトンの製造方法］第３反応を
反応式で示すと、式（Ｍ）および式（Ｎ）
【０１２０】
【化３６】
【０１２１】［ただし、式中、ｍは式（Ａ）と同じ］の
通りであり、第２反応で得られた（Ｓ）体ヒドロキシケ
トンまたは（Ｒ）体ヒドロキシケトンとアセチルクロリ
ドとを混合し、減圧下で還流することにより、（Ｓ）体
または（Ｒ）体ヒドロキシケトン中の水酸基の水素原子
とアセチルクロリド中の塩素原子が反応し、発生する塩
化水素ガスを連続的に除去し、次いで、より高真空度、
より高温で、還流することにより未反応アセチルクロリ
ドを除去した後、蒸留することにより、無色透明な液状
の（Ｓ）体アセトキシケトンまたは無色透明な液状の
（Ｒ）体アセトキシケトンを得る。
通りであり、第２反応で得られた（Ｓ）体ヒドロキシケ
トンまたは（Ｒ）体ヒドロキシケトンとアセチルクロリ
ドとを混合し、減圧下で還流することにより、（Ｓ）体
または（Ｒ）体ヒドロキシケトン中の水酸基の水素原子
とアセチルクロリド中の塩素原子が反応し、発生する塩
化水素ガスを連続的に除去し、次いで、より高真空度、
より高温で、還流することにより未反応アセチルクロリ
ドを除去した後、蒸留することにより、無色透明な液状
の（Ｓ）体アセトキシケトンまたは無色透明な液状の
（Ｒ）体アセトキシケトンを得る。
【０１２２】［（Ｓ）体アセトキシケトンおよび（Ｒ）
体アセトキシケトン］（Ｓ）体アセトキシケトンを具体
的に開示すると、（Ｓ）−１−アセトキシ−２，２，２
−トリフルオロエチル−３−メトキシプロピルケトン、
（Ｓ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン、（Ｓ）−１−アセト
キシ−２，２，２−トリフルオロエチル−５−メトキシ
ペンチルケトンおよび（Ｓ）−１−アセトキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−６−メトキシヘキシルケ
トン等が挙げられる。（Ｒ）体アセトキシケトンを具体
的に開示すると、（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２
−トリフルオロエチル−３−メトキシプロピルケトン、
（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン、（Ｒ）−１−アセト
キシ−２，２，２−トリフルオロエチル−５−メトキシ
ペンチルケトンおよび（Ｒ）−１−アセトキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−６−メトキシヘキシルケ
トン等が挙げられる。
体アセトキシケトン］（Ｓ）体アセトキシケトンを具体
的に開示すると、（Ｓ）−１−アセトキシ−２，２，２
−トリフルオロエチル−３−メトキシプロピルケトン、
（Ｓ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン、（Ｓ）−１−アセト
キシ−２，２，２−トリフルオロエチル−５−メトキシ
ペンチルケトンおよび（Ｓ）−１−アセトキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−６−メトキシヘキシルケ
トン等が挙げられる。（Ｒ）体アセトキシケトンを具体
的に開示すると、（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２
−トリフルオロエチル−３−メトキシプロピルケトン、
（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン、（Ｒ）−１−アセト
キシ−２，２，２−トリフルオロエチル−５−メトキシ
ペンチルケトンおよび（Ｒ）−１−アセトキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−６−メトキシヘキシルケ
トン等が挙げられる。
【０１２３】以下、式（Ｍ）で示される（Ｓ）体ヒドロ
キシケトンとアセチルクロリドによる（Ｓ）体アセトキ
シケトンの製造方法について、詳細に説明する。（Ｓ）
体ヒドロキシケトンとアセチルクロリドとの混合割合は
（Ｓ）体ヒドロキシケトン１モルに対して１．０〜１．
２モルが好ましい。１モル未満では（Ｓ）体アセトキシ
ケトンの収率低下を招く恐れがあり、１．２モルを超え
ると経済的とはいえない。（Ｓ）体ヒドロキシケトンと
アセチルクロリドとの混合方法は特に制限はない。また
混合温度は室温で行われる。
キシケトンとアセチルクロリドによる（Ｓ）体アセトキ
シケトンの製造方法について、詳細に説明する。（Ｓ）
体ヒドロキシケトンとアセチルクロリドとの混合割合は
（Ｓ）体ヒドロキシケトン１モルに対して１．０〜１．
２モルが好ましい。１モル未満では（Ｓ）体アセトキシ
ケトンの収率低下を招く恐れがあり、１．２モルを超え
ると経済的とはいえない。（Ｓ）体ヒドロキシケトンと
アセチルクロリドとの混合方法は特に制限はない。また
混合温度は室温で行われる。
【０１２４】（Ｓ）体ヒドロキシケトンとアセチルクロ
リドとの反応条件は副生塩化水素ガスがスムースに生成
し、かつ該塩化水素ガスを連続的に系外に除去するため
に、真空度６００〜７００ｍｍＨｇ、温度５０〜６０℃
の条件で還流するのが好ましい。真空度６００〜７００
ｍｍＨｇで温度５０℃未満では還流が生じにくく反応が
進みにくい。６０℃を超えると塩化水素ガスの異常発生
を生じるととも、収率低下を伴う恐れがある。他方温度
５０〜６０℃において、真空度６００ｍｍＨｇ未満では
塩化水素ガスの異常発生を生じるとともに収率低下を伴
う恐れがあり、７００ｍｍＨｇを超えると塩化水素ガス
の除去時間が長くなり経済的とはいえない。脱塩化水素
ガスの反応時間は（Ｓ）体ヒドロキシケトン１モルに対
して、３０〜９０分が好ましい。３０分未満では脱塩化
水素ガス反応が不十分となり収率低下を招く。９０分を
超えると経済的とはいえない。
リドとの反応条件は副生塩化水素ガスがスムースに生成
し、かつ該塩化水素ガスを連続的に系外に除去するため
に、真空度６００〜７００ｍｍＨｇ、温度５０〜６０℃
の条件で還流するのが好ましい。真空度６００〜７００
ｍｍＨｇで温度５０℃未満では還流が生じにくく反応が
進みにくい。６０℃を超えると塩化水素ガスの異常発生
を生じるととも、収率低下を伴う恐れがある。他方温度
５０〜６０℃において、真空度６００ｍｍＨｇ未満では
塩化水素ガスの異常発生を生じるとともに収率低下を伴
う恐れがあり、７００ｍｍＨｇを超えると塩化水素ガス
の除去時間が長くなり経済的とはいえない。脱塩化水素
ガスの反応時間は（Ｓ）体ヒドロキシケトン１モルに対
して、３０〜９０分が好ましい。３０分未満では脱塩化
水素ガス反応が不十分となり収率低下を招く。９０分を
超えると経済的とはいえない。
【０１２５】塩化水素ガスの発生が終了後、真空度５０
０ｍｍＨｇ、温度６０〜７０℃で蒸留し、未反応アセチ
ルクロリドを留去した後、真空度と温度を上げ、蒸留
し、無色透明な液状の生成物を得る。この生成物は各種
スペクトル分析より１−アセトキシ−２，２，２−トリ
フルオロエチル末端メトキシアルキルケトンであること
を確認できる。また、２位の不斉炭素原子の絶対配置は
アセチル化反応前後では変わらないことより、生成物は
（Ｓ）体アセトキシケトンであることが確認できる。な
お、（Ｓ）体ヒドロキシケトンは釜残として残る。ま
た、式（Ｎ）で示されるように（Ｓ）体ヒドロキシケト
ンの代りに（Ｒ）体ヒドロキシケトンを用いて、上記と
同様な操作を行うことにより、（Ｒ）体アセトキシケト
ンを得ることができる。
０ｍｍＨｇ、温度６０〜７０℃で蒸留し、未反応アセチ
ルクロリドを留去した後、真空度と温度を上げ、蒸留
し、無色透明な液状の生成物を得る。この生成物は各種
スペクトル分析より１−アセトキシ−２，２，２−トリ
フルオロエチル末端メトキシアルキルケトンであること
を確認できる。また、２位の不斉炭素原子の絶対配置は
アセチル化反応前後では変わらないことより、生成物は
（Ｓ）体アセトキシケトンであることが確認できる。な
お、（Ｓ）体ヒドロキシケトンは釜残として残る。ま
た、式（Ｎ）で示されるように（Ｓ）体ヒドロキシケト
ンの代りに（Ｒ）体ヒドロキシケトンを用いて、上記と
同様な操作を行うことにより、（Ｒ）体アセトキシケト
ンを得ることができる。
【０１２６】（第４反応：反応生成物−１および反応生
成物−２の各製造方法）第４反応を反応式で示すと、式
（Ｏ）および式（Ｐ）
成物−２の各製造方法）第４反応を反応式で示すと、式
（Ｏ）および式（Ｐ）
【０１２７】
【化３７】
【０１２８】［ただし、式中、ＨＡは金属水素化物を表
わし、Ａは金属化物を表わす。ｍは式（Ａ）と同じであ
る］の通りであり、第３反応で得られた式（Ｍ）で示さ
れる（Ｓ）体アセトキシケトンおよび式（Ｎ）で示され
る（Ｒ）体アセトキシケトンのカルボニル炭素へのジア
ステレオ面区別した攻撃を経由して、反応生成物−１お
よび反応生成物−２を生成する。後述の同定例２より、
反応生成物−１はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎ
ｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型、および反応生成物−２はｓｙ
ｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）
型からなるジアステレオマー混合物であることが確認で
きる。
わし、Ａは金属化物を表わす。ｍは式（Ａ）と同じであ
る］の通りであり、第３反応で得られた式（Ｍ）で示さ
れる（Ｓ）体アセトキシケトンおよび式（Ｎ）で示され
る（Ｒ）体アセトキシケトンのカルボニル炭素へのジア
ステレオ面区別した攻撃を経由して、反応生成物−１お
よび反応生成物−２を生成する。後述の同定例２より、
反応生成物−１はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎ
ｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型、および反応生成物−２はｓｙ
ｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）
型からなるジアステレオマー混合物であることが確認で
きる。
【０１２９】以下、（Ｓ）体アセトキシケトンを金属水
素化物を用いて還元することにより得られる反応生成物
−１の製造方法について詳細に説明する。上記製造方法
において、金属水素化物はカルボニル基のみを選択的に
還元する化合物、例えば水素化ホウ素ナトリウム、水素
化ジイソブチルアルミニウム等が挙げられる。水素化ホ
ウ素ナトリウムの場合には５％水酸化ナトリウム水溶液
（水酸化ナトリウムの使用量は水素化ホウ素ナトリウム
１モルに対して５倍モルである）とメタノール（メタノ
ールの使用量は水素化ホウ素ナトリウム１モルに対して
１リットルである）を入れ、次いで水素化ホウ素ナトリ
ウム１モルを加えて調合された安定化した水素化ホウ素
ナトリウム水溶液を使用する。これらの金属水素化物は
（Ｓ）体アセトキシケトンのカルボニル基をジアステレ
オ面区別還元し、反応生成物−１中のｓｙｎ体（２Ｓ，
３Ｒ）型とａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型との生成比率に
大きな影響を及ぼすと考えられている。したがって、目
的に応じて、金属水素化物を適宜選択すればよい。特定
の金属水素化物を用いることことにより、ｓｙｎ体（２
Ｓ，３Ｒ）型に富んだ反応生成物−１を得ることができ
る。例えば、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型に富んだ反応生
成物−１を得るのに好適な金属水素化物としては安定化
した水素化ホウ素ナトリウム水溶液が最適である。
素化物を用いて還元することにより得られる反応生成物
−１の製造方法について詳細に説明する。上記製造方法
において、金属水素化物はカルボニル基のみを選択的に
還元する化合物、例えば水素化ホウ素ナトリウム、水素
化ジイソブチルアルミニウム等が挙げられる。水素化ホ
ウ素ナトリウムの場合には５％水酸化ナトリウム水溶液
（水酸化ナトリウムの使用量は水素化ホウ素ナトリウム
１モルに対して５倍モルである）とメタノール（メタノ
ールの使用量は水素化ホウ素ナトリウム１モルに対して
１リットルである）を入れ、次いで水素化ホウ素ナトリ
ウム１モルを加えて調合された安定化した水素化ホウ素
ナトリウム水溶液を使用する。これらの金属水素化物は
（Ｓ）体アセトキシケトンのカルボニル基をジアステレ
オ面区別還元し、反応生成物−１中のｓｙｎ体（２Ｓ，
３Ｒ）型とａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型との生成比率に
大きな影響を及ぼすと考えられている。したがって、目
的に応じて、金属水素化物を適宜選択すればよい。特定
の金属水素化物を用いることことにより、ｓｙｎ体（２
Ｓ，３Ｒ）型に富んだ反応生成物−１を得ることができ
る。例えば、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型に富んだ反応生
成物−１を得るのに好適な金属水素化物としては安定化
した水素化ホウ素ナトリウム水溶液が最適である。
【０１３０】（Ｓ）体アセトキシケトンと金属水素化物
との供給割合は（Ｓ）体アセトキシケトン１モルに対し
て１．０〜１．２グラム当量（金属水素化物中の水素原
子換算、以下同様）が好ましい。１．０グラム当量未満
では反応生成物−１の収率低下を招き、１．２グラム当
量を超えると経済的とはいえない。（Ｓ）体アセトキシ
ケトンと金属水素化物との混合方法は（Ｓ）体アセトキ
シケトンの有機溶媒溶液に金属水素化物の有機溶媒溶液
を滴下するのが好適である。逆の滴下を行うと、水素が
異常発生し、突沸や発火の危険を招く恐れがある。金属
水素化物の有機溶媒溶液の滴下時間は（Ｓ）体アセトキ
シケトン１モルに対して３０〜９０分が好ましい。あま
りに早い滴下時間では、急激に水素が発生して、突沸や
発火の危険を生じる可能性があり、あまりに遅い滴下時
間では経済的とはいえない。
との供給割合は（Ｓ）体アセトキシケトン１モルに対し
て１．０〜１．２グラム当量（金属水素化物中の水素原
子換算、以下同様）が好ましい。１．０グラム当量未満
では反応生成物−１の収率低下を招き、１．２グラム当
量を超えると経済的とはいえない。（Ｓ）体アセトキシ
ケトンと金属水素化物との混合方法は（Ｓ）体アセトキ
シケトンの有機溶媒溶液に金属水素化物の有機溶媒溶液
を滴下するのが好適である。逆の滴下を行うと、水素が
異常発生し、突沸や発火の危険を招く恐れがある。金属
水素化物の有機溶媒溶液の滴下時間は（Ｓ）体アセトキ
シケトン１モルに対して３０〜９０分が好ましい。あま
りに早い滴下時間では、急激に水素が発生して、突沸や
発火の危険を生じる可能性があり、あまりに遅い滴下時
間では経済的とはいえない。
【０１３１】有機溶媒としては、ジエチルエーテル、Ｔ
ＨＦ、ｎ−ヘキサン、トルエンおよびメタノール等が好
ましく、特に好ましくはジエチルエーテルである。有機
溶媒の使用量は（Ｓ）体アセトキシケトン１モルに対し
て１．０〜２．５Ｌが好ましい。有機溶媒があまりに少
ないと反応熱の制御が困難となり、収率低下を招く恐れ
があり、２．５Ｌを超えると経済的とはいえない。上記
有機溶媒の好適な量のうち、金属水素化物として安定化
した水素化ホウ素ナトリウム水溶液には、（Ｓ）体アセ
トキシケトン１モルに対して、有機溶媒１．６Ｌを
（Ｓ）体アセトキシケトンに加えるのが好ましい。金属
水素化物として水素化ジイソブチルアルミニウムの場合
には、有機溶媒１Ｌを（Ｓ）体アセトキシケトンに加
え、残り１Ｌを水素化ジイソブチルアルミニウムに加え
た溶液が好ましい。（Ｓ）体アセトキシケトンと金属水
素化物との反応温度は−１０〜１０℃が好ましい。特に
好ましくは０℃である。−１０℃未満では経済的とはい
えず、１０℃を超えると水素の異常発生が生じる恐れが
ある。滴下完了後、室温まで昇温し、引きつづき２時間
撹拌保持した後、４０℃の温水バスに浸漬し、１時間還
流して反応を完結させ、反応生成物−１を得る本発明の
製造方法によれば、金属水素化物の種類にもよるが、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型
＝７５〜５５／２５〜４５（面積比）からなるジアステ
レオマー混合物である反応生成物−１が得られる。
ＨＦ、ｎ−ヘキサン、トルエンおよびメタノール等が好
ましく、特に好ましくはジエチルエーテルである。有機
溶媒の使用量は（Ｓ）体アセトキシケトン１モルに対し
て１．０〜２．５Ｌが好ましい。有機溶媒があまりに少
ないと反応熱の制御が困難となり、収率低下を招く恐れ
があり、２．５Ｌを超えると経済的とはいえない。上記
有機溶媒の好適な量のうち、金属水素化物として安定化
した水素化ホウ素ナトリウム水溶液には、（Ｓ）体アセ
トキシケトン１モルに対して、有機溶媒１．６Ｌを
（Ｓ）体アセトキシケトンに加えるのが好ましい。金属
水素化物として水素化ジイソブチルアルミニウムの場合
には、有機溶媒１Ｌを（Ｓ）体アセトキシケトンに加
え、残り１Ｌを水素化ジイソブチルアルミニウムに加え
た溶液が好ましい。（Ｓ）体アセトキシケトンと金属水
素化物との反応温度は−１０〜１０℃が好ましい。特に
好ましくは０℃である。−１０℃未満では経済的とはい
えず、１０℃を超えると水素の異常発生が生じる恐れが
ある。滴下完了後、室温まで昇温し、引きつづき２時間
撹拌保持した後、４０℃の温水バスに浸漬し、１時間還
流して反応を完結させ、反応生成物−１を得る本発明の
製造方法によれば、金属水素化物の種類にもよるが、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型
＝７５〜５５／２５〜４５（面積比）からなるジアステ
レオマー混合物である反応生成物−１が得られる。
【０１３２】また式（Ｐ）の通り、（Ｓ）体アセトキシ
ケトンの代りに（Ｒ）体アセトキシケトンを用いて、上
記と同様な操作により、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａ
ｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型＝７５〜５５／２５〜４５
（面積比）からなるジアステレオマー混合物である反応
生成物−２が得られる。
ケトンの代りに（Ｒ）体アセトキシケトンを用いて、上
記と同様な操作により、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａ
ｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型＝７５〜５５／２５〜４５
（面積比）からなるジアステレオマー混合物である反応
生成物−２が得られる。
【０１３３】［同定例Ｂ：反応生成物−１がｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型か
らなるジアステレオマー混合物、または、反応生成物−
２がｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体（２
Ｒ，３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であるこ
との確認］式（Ｏ）で示されるように、（Ｓ）体アセト
キシケトンを金属水素化物で還元することにより得られ
た反応生成物−１溶液の一部、および式（Ｐ）で示され
るように（Ｒ）体アセトキシケトンを金属水素化物で還
元することにより得られた反応生成物−２溶液の一部を
取り、鉱酸で加水分解することにより、各々生成物−１
および生成物−２を得る。これらの生成物は1ＨＮＭＲ
スペクトル、ＩＲ吸収スペクトル、ＭＳスペクトルの測
定より、１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカ
ン−２，３−ジオール（以下、ジオール誘導体という）
である。また19ＦＮＭＲスペクトルは２本のピークを有
することより、ジオール誘導体はジアステレオマー混合
物である。
（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型か
らなるジアステレオマー混合物、または、反応生成物−
２がｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体（２
Ｒ，３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であるこ
との確認］式（Ｏ）で示されるように、（Ｓ）体アセト
キシケトンを金属水素化物で還元することにより得られ
た反応生成物−１溶液の一部、および式（Ｐ）で示され
るように（Ｒ）体アセトキシケトンを金属水素化物で還
元することにより得られた反応生成物−２溶液の一部を
取り、鉱酸で加水分解することにより、各々生成物−１
および生成物−２を得る。これらの生成物は1ＨＮＭＲ
スペクトル、ＩＲ吸収スペクトル、ＭＳスペクトルの測
定より、１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカ
ン−２，３−ジオール（以下、ジオール誘導体という）
である。また19ＦＮＭＲスペクトルは２本のピークを有
することより、ジオール誘導体はジアステレオマー混合
物である。
【０１３４】また、反応混合液−１より誘導されたジオ
ール誘導体−１および反応混合物−２より誘導されたジ
オール誘導体−２は光学活性ガスクロマトグラフィーに
かけると、各々異なった２本の光学活性ピークが認めら
れることより、ジオール誘導体−１およびジオール誘導
体−２は光学活性なジアステレオマー混合物であり、各
々光学活性ガスクロマトグラフィーの第１ピークと、上
記19ＦＮＭＲスペクトルの第１ピークとの面積比、およ
び光学活性な第２ピークと、上記19ＦＮＭＲスペクトル
の第２ピークとの面積比が一致した。
ール誘導体−１および反応混合物−２より誘導されたジ
オール誘導体−２は光学活性ガスクロマトグラフィーに
かけると、各々異なった２本の光学活性ピークが認めら
れることより、ジオール誘導体−１およびジオール誘導
体−２は光学活性なジアステレオマー混合物であり、各
々光学活性ガスクロマトグラフィーの第１ピークと、上
記19ＦＮＭＲスペクトルの第１ピークとの面積比、およ
び光学活性な第２ピークと、上記19ＦＮＭＲスペクトル
の第２ピークとの面積比が一致した。
【０１３５】次いで、上述で得られたジオール誘導体−
１およびジオール誘導体−２と２，２−ジメトキシプロ
パンをパラトルエンスルホン酸１水塩を用いて、アセタ
ール交換反応を行い各生成物を得る。これらの生成物は
1ＨＮＭＲスペクトル、ＩＲ吸収スペクトルおよびＭＳ
スペクトルを測定することにより、２，２−ジメトキシ
−４−（末端メトキシアルキル）−５−トリフルオロメ
チル−１，３−ジオキソラン（以下、１，３−ジオキソ
ラン誘導体という）である。また19ＦＮＭＲスペクトル
は２本のピークを有することより、１，３−ジオキソラ
ン誘導体はジアステレオマー混合物であることが確認さ
れる。さらに１，３−ジオキソラン誘導体の1ＨＮＭＲ
スペクトル中のメチル基の位置と面積比より、ｔｒａｎ
ｓ体１，３−ジオキソラン誘導体およびｃｉｓ体１，３
−ジオキソラン誘導体からなるジアステレオマー混合物
であることが確認される。さらにｔｒａｎｓ体の面積比
と一致する19ＦＮＭＲスペクトルの第１ピークはｔｒａ
ｎｓ体１，３−ジオキソラン誘導体であり、ｃｉｓ体の
面積比と一致する19ＦＮＭＲスペクトルの第２ピークは
ｃｉｓ体１，３−ジオキソラン誘導体であることが確認
される。
１およびジオール誘導体−２と２，２−ジメトキシプロ
パンをパラトルエンスルホン酸１水塩を用いて、アセタ
ール交換反応を行い各生成物を得る。これらの生成物は
1ＨＮＭＲスペクトル、ＩＲ吸収スペクトルおよびＭＳ
スペクトルを測定することにより、２，２−ジメトキシ
−４−（末端メトキシアルキル）−５−トリフルオロメ
チル−１，３−ジオキソラン（以下、１，３−ジオキソ
ラン誘導体という）である。また19ＦＮＭＲスペクトル
は２本のピークを有することより、１，３−ジオキソラ
ン誘導体はジアステレオマー混合物であることが確認さ
れる。さらに１，３−ジオキソラン誘導体の1ＨＮＭＲ
スペクトル中のメチル基の位置と面積比より、ｔｒａｎ
ｓ体１，３−ジオキソラン誘導体およびｃｉｓ体１，３
−ジオキソラン誘導体からなるジアステレオマー混合物
であることが確認される。さらにｔｒａｎｓ体の面積比
と一致する19ＦＮＭＲスペクトルの第１ピークはｔｒａ
ｎｓ体１，３−ジオキソラン誘導体であり、ｃｉｓ体の
面積比と一致する19ＦＮＭＲスペクトルの第２ピークは
ｃｉｓ体１，３−ジオキソラン誘導体であることが確認
される。
【０１３６】さらにｔｒａｎｓ体１，３−ジオキソラン
誘導体と面積比が一致するジオール誘導体−１の光学活
性ガスクロマトグラフィーの第１ピークはｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシア
ルカン−２，３−ジオール［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型ジオールともいう］、およびｃｉｓ体１，３−ジ
オキソラン誘導体と面積比が一致するジオール誘導体−
１の光学活性ガスクロマトグラフィーの第２ピークはａ
ｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−１，１，１−トリフルオロ末
端メトキシアルカン−２，３−ジオール［以下、ａｎｔ
ｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオールという］であり、ジオー
ル誘導体−１はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ジオールおよ
びａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオールからなるジアス
テレオマー混合物であることが確認できる。したがっ
て、２位と３位の不斉炭素原子の絶対配置は加水分解反
応前後では変化しないことより、反応生成物−１はｓｙ
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型からなるジアステレオマー混合物であることが確認で
きる。
誘導体と面積比が一致するジオール誘導体−１の光学活
性ガスクロマトグラフィーの第１ピークはｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシア
ルカン−２，３−ジオール［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型ジオールともいう］、およびｃｉｓ体１，３−ジ
オキソラン誘導体と面積比が一致するジオール誘導体−
１の光学活性ガスクロマトグラフィーの第２ピークはａ
ｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−１，１，１−トリフルオロ末
端メトキシアルカン−２，３−ジオール［以下、ａｎｔ
ｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオールという］であり、ジオー
ル誘導体−１はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ジオールおよ
びａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオールからなるジアス
テレオマー混合物であることが確認できる。したがっ
て、２位と３位の不斉炭素原子の絶対配置は加水分解反
応前後では変化しないことより、反応生成物−１はｓｙ
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型からなるジアステレオマー混合物であることが確認で
きる。
【０１３７】また、ジオール誘導体−２は上記と同様な
理由で、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型ジオールおよびａｎ
ｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型ジオールからなるジアステレオ
マー混合物であることが確認され、反応生成物−２はｓ
ｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体（２Ｒ，３
Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であることが確
認できる。
理由で、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型ジオールおよびａｎ
ｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型ジオールからなるジアステレオ
マー混合物であることが確認され、反応生成物−２はｓ
ｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体（２Ｒ，３
Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であることが確
認できる。
【０１３８】［第５反応：ジアステレオマー混合物−１
およびジアステレオマー混合物−２の各製造方法］第５
反応を反応式で示すと、式（Ｑ）、式（Ｒ）
およびジアステレオマー混合物−２の各製造方法］第５
反応を反応式で示すと、式（Ｑ）、式（Ｒ）
【０１３９】
【化３８】
【０１４０】［ただし、式中、Ａは金属化物を表わし、
ｍは式（Ａ）と同じ］であり、第４反応で得られたｓｙ
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型からなるジアステレオマー混合物である反応生成物−
１、およびｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体
（２Ｒ，３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であ
る反応生成物−２とヨウ化メチルとを反応させた後、加
水分解することにより、式（Ｑ）で示されるジアステレ
オマー混合物−１および式（Ｒ）で示されるジアステレ
オマー混合物−２を得ることができる。
ｍは式（Ａ）と同じ］であり、第４反応で得られたｓｙ
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）
型からなるジアステレオマー混合物である反応生成物−
１、およびｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型およびａｎｔｉ体
（２Ｒ，３Ｒ）型からなるジアステレオマー混合物であ
る反応生成物−２とヨウ化メチルとを反応させた後、加
水分解することにより、式（Ｑ）で示されるジアステレ
オマー混合物−１および式（Ｒ）で示されるジアステレ
オマー混合物−２を得ることができる。
【０１４１】［ジアステレオマー混合物−１、およびジ
アステレオマー混合物−２］式（Ｑ）で示されるジアス
テレオマー混合物−１の好適な具体例を開示すると、ｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ
−６−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘキサンお
よびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−６−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
キサンからなるジアステレオマー混合物、ｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびａｎｔ
ｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−
７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンから
なるジアステレオマー混合物、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）
−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−８−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロオクタンおよびａｎｔｉ−（２
Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−８−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロオクタンからなるジア
ステレオマー混合物、およびｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−
２−ヒドロキシ−３−メトキシ−９−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロノナンおよびａｎｔｉ−（２Ｓ，
３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−９−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロノナンからなるジアステレ
オマー混合物等が挙げられる。
アステレオマー混合物−２］式（Ｑ）で示されるジアス
テレオマー混合物−１の好適な具体例を開示すると、ｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ
−６−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘキサンお
よびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−６−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
キサンからなるジアステレオマー混合物、ｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよびａｎｔ
ｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−
７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンから
なるジアステレオマー混合物、ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）
−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−８−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロオクタンおよびａｎｔｉ−（２
Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−８−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロオクタンからなるジア
ステレオマー混合物、およびｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−
２−ヒドロキシ−３−メトキシ−９−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロノナンおよびａｎｔｉ−（２Ｓ，
３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−９−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロノナンからなるジアステレ
オマー混合物等が挙げられる。
【０１４２】式（Ｒ）で示されるジアステレオマー混合
物−２の好適な具体例を開示すると、ｓｙｎ−（２Ｒ，
３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−６−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘキサンおよびａｎｔｉ−
（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−６−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘキサンからなる
ジアステレオマー混合物、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２
−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロヘプタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３
Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタンからなるジアステレ
オマー混合物、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキ
シ−３−メトキシ−８−メトキシ−１，１，１−トリフ
ルオロオクタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−
ヒドロキシ−３−メトキシ−８−メトキシ−１，１，１
−トリフルオロオクタンからなるジアステレオマー混合
物、およびｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−９−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロノナンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロ
キシ−３−メトキシ−９−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロノナンからなるジアステレオマー混合物等が挙
げられる。
物−２の好適な具体例を開示すると、ｓｙｎ−（２Ｒ，
３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−６−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘキサンおよびａｎｔｉ−
（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−６−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘキサンからなる
ジアステレオマー混合物、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２
−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロヘプタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３
Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタンからなるジアステレ
オマー混合物、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキ
シ−３−メトキシ−８−メトキシ−１，１，１−トリフ
ルオロオクタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−
ヒドロキシ−３−メトキシ−８−メトキシ−１，１，１
−トリフルオロオクタンからなるジアステレオマー混合
物、およびｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−９−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロノナンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロ
キシ−３−メトキシ−９−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロノナンからなるジアステレオマー混合物等が挙
げられる。
【０１４３】以下、式（Ｑ）で示されるジアステレオマ
ー混合物−１の製造方法について詳細に説明する。有機
溶媒中で、式（Ｏ）で得た反応生成物−１中の金属化物
とヨウ化メチル中のヨウ素が反応し、Ｏ−メチル化体と
ヨウ素の金属化物を生成する。有機溶媒は第４段反応で
用いた有機溶媒が使用できる。したがって、反応生成物
−１溶液にヨウ化メチルの有機溶媒溶液を直接加えるこ
とにより、反応を行うことができる。
ー混合物−１の製造方法について詳細に説明する。有機
溶媒中で、式（Ｏ）で得た反応生成物−１中の金属化物
とヨウ化メチル中のヨウ素が反応し、Ｏ−メチル化体と
ヨウ素の金属化物を生成する。有機溶媒は第４段反応で
用いた有機溶媒が使用できる。したがって、反応生成物
−１溶液にヨウ化メチルの有機溶媒溶液を直接加えるこ
とにより、反応を行うことができる。
【０１４４】ヨウ化メチルの反応系への供給速度は式
（Ｏ）で使用された（Ｓ）体アセトキシケトン換算１モ
ルに対して、１．１〜１．３モルが好ましい。１．１モ
ル未満ではジアステレオマー混合物−１の収率低下を招
く恐れがあり、１．３モルを超えると経済的とはいえな
い。ヨウ化メチルは反応熱を制御するために有機溶媒で
希釈して反応系へ供給するのが好ましい。有機溶媒の好
適な混合割合はヨウ化メチル１モルに対して１〜３Ｌが
好ましい。１Ｌ未満では反応熱の制御が困難となり、突
沸の危険を招く恐れがあり、３Ｌを超えると経済的とは
いえない。ヨウ化メチルの反応系への滴下速度は（Ｓ）
体アセトキシケトン換算１モルに対して６０〜１２０分
が好ましい。６０分未満では反応熱の制御が困難とな
り、１２０分を超えると経済的とはいえない。反応温度
は−１０〜１０℃が好ましい。−１０℃未満では経済的
とはいえず、１０℃を超えると突沸を招く恐れがある。
（Ｏ）で使用された（Ｓ）体アセトキシケトン換算１モ
ルに対して、１．１〜１．３モルが好ましい。１．１モ
ル未満ではジアステレオマー混合物−１の収率低下を招
く恐れがあり、１．３モルを超えると経済的とはいえな
い。ヨウ化メチルは反応熱を制御するために有機溶媒で
希釈して反応系へ供給するのが好ましい。有機溶媒の好
適な混合割合はヨウ化メチル１モルに対して１〜３Ｌが
好ましい。１Ｌ未満では反応熱の制御が困難となり、突
沸の危険を招く恐れがあり、３Ｌを超えると経済的とは
いえない。ヨウ化メチルの反応系への滴下速度は（Ｓ）
体アセトキシケトン換算１モルに対して６０〜１２０分
が好ましい。６０分未満では反応熱の制御が困難とな
り、１２０分を超えると経済的とはいえない。反応温度
は−１０〜１０℃が好ましい。−１０℃未満では経済的
とはいえず、１０℃を超えると突沸を招く恐れがある。
【０１４５】ヨウ化メチルの滴下完了後、引きつづき３
時間撹拌保持して反応を完結させる。反応完了後、室温
まで昇温した後、減圧濃縮して有機溶媒と未反応ヨウ化
メチルを留去した後、１規定塩酸を加えて過剰の安定化
水素化ホウ素ナトリウムを分解した後、１０％炭酸水素
ナトリウム水溶液でｐＨ７に調整後、エーテル抽出し、
抽出液を濃縮し、遊離ヨウ素入淡黄色の残渣に飽和チオ
硫酸ナトリウム水溶液を加えて遊離ヨウ素を除去した
後、エーテル抽出し、抽出液を水洗した後、無水硫酸マ
グネシウムを加えて水分を除去した後、減圧濃縮してシ
ロップ状の残渣であるＯ−メチル化誘導体を得る。
時間撹拌保持して反応を完結させる。反応完了後、室温
まで昇温した後、減圧濃縮して有機溶媒と未反応ヨウ化
メチルを留去した後、１規定塩酸を加えて過剰の安定化
水素化ホウ素ナトリウムを分解した後、１０％炭酸水素
ナトリウム水溶液でｐＨ７に調整後、エーテル抽出し、
抽出液を濃縮し、遊離ヨウ素入淡黄色の残渣に飽和チオ
硫酸ナトリウム水溶液を加えて遊離ヨウ素を除去した
後、エーテル抽出し、抽出液を水洗した後、無水硫酸マ
グネシウムを加えて水分を除去した後、減圧濃縮してシ
ロップ状の残渣であるＯ−メチル化誘導体を得る。
【０１４６】鉱酸は硫酸、塩酸、硝酸等が好ましく、特
に好ましくはガス発生の少ない硫酸である。鉱酸の使用
量は（Ｓ）体アセトキシケトン換算１モルに対して、２
〜５グラム当量が好ましい。２グラム当量未満では加水
分解反応が不十分となり、ジアステレオマー混合物−１
の収率低下を招く恐れがあり、５グラム当量を超えると
経済的とはいえない。鉱酸の濃度は２〜５規定が好まし
い。２規定未満では加水分解時間が長くなり経済的とは
いえず、５規定を超えるとジアステレオマー混合物−１
の収率低下を招く恐れがある。
に好ましくはガス発生の少ない硫酸である。鉱酸の使用
量は（Ｓ）体アセトキシケトン換算１モルに対して、２
〜５グラム当量が好ましい。２グラム当量未満では加水
分解反応が不十分となり、ジアステレオマー混合物−１
の収率低下を招く恐れがあり、５グラム当量を超えると
経済的とはいえない。鉱酸の濃度は２〜５規定が好まし
い。２規定未満では加水分解時間が長くなり経済的とは
いえず、５規定を超えるとジアステレオマー混合物−１
の収率低下を招く恐れがある。
【０１４７】Ｏ−メチル化誘導体−１を溶解するために
メタノールおよびエタノール等のアルコールを添加す
る。アルコールの添加量は目安として鉱酸水溶液の１〜
２倍量である。１倍量未満では均一な溶液が得られず、
加水分解が不十分となり、２倍量を超えると経済的とは
いえない。加水分解反応は、還元しながら、（Ｓ）体ア
セトキシケトン換算１モルを基準として４〜８時間行
う。４時間未満では加水分解が不十分となり、収率低下
を招く恐れがあり、８時間を超えると経済的とはいえな
い。
メタノールおよびエタノール等のアルコールを添加す
る。アルコールの添加量は目安として鉱酸水溶液の１〜
２倍量である。１倍量未満では均一な溶液が得られず、
加水分解が不十分となり、２倍量を超えると経済的とは
いえない。加水分解反応は、還元しながら、（Ｓ）体ア
セトキシケトン換算１モルを基準として４〜８時間行
う。４時間未満では加水分解が不十分となり、収率低下
を招く恐れがあり、８時間を超えると経済的とはいえな
い。
【０１４８】加水分解反応完了後、減圧濃縮して、アル
コールを留去した後、エーテル抽出し、抽出液を１０％
炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄した後、抽出
液に無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、
減圧濃縮してエーテルを留去し、シロップ状の残渣を得
る。この残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製し、無色透明な液状の生成物であるジアステレオマ
ー混合物−１を得る。式（Ｑ）で示される反応生成物−
１の代わりに式（Ｒ）で示される反応生成物−２を用い
た以外は上述と同様な操作を行い、無色透明な液状の生
成物であるジアステレオマー混合物−２を得る。
コールを留去した後、エーテル抽出し、抽出液を１０％
炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄した後、抽出
液に無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、
減圧濃縮してエーテルを留去し、シロップ状の残渣を得
る。この残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製し、無色透明な液状の生成物であるジアステレオマ
ー混合物−１を得る。式（Ｑ）で示される反応生成物−
１の代わりに式（Ｒ）で示される反応生成物−２を用い
た以外は上述と同様な操作を行い、無色透明な液状の生
成物であるジアステレオマー混合物−２を得る。
【０１４９】［同定例Ｃ：ジアステレオマー混合物−
１、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メ
トキシアルカンおよびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−
ヒドロキシ−３−メトキシアルカンからなるジアステレ
オマー混合物およびジアステレオマー混合物−２、ｓｙ
ｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシア
ルカンおよびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシアルカンからなるジアステレオマー混
合物であることの確認］
１、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メ
トキシアルカンおよびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−
ヒドロキシ−３−メトキシアルカンからなるジアステレ
オマー混合物およびジアステレオマー混合物−２、ｓｙ
ｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシア
ルカンおよびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシアルカンからなるジアステレオマー混
合物であることの確認］
【０１５０】上述で得られたジアステレオマー混合物−
１およびジアステレオマー混合物−２は1ＨＮＭＲスペ
クトル、ＩＲ吸収スペクトル、ＭＳスペクトルを分析す
ることにより、２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカンである。ま
た、19ＦＮＭＲスペクトル分析により、２本のピークを
有し、ジアステレオマー混合物−１の19ＦＮＭＲスペク
トルの第１ピーク／第２ピークとの面積比は反応生成物
−１のｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，
３Ｓ）型の面積比と一致し、ジアステレオマー混合物−
２の19ＦＮＭＲスペクトルの第１ピーク／第２ピークと
の面積比は反応生成物−２のｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型
／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型の面積比と一致した。さ
らに光学活性ガスクロマトグラフィーにかけると各々２
本の光学活性なピークが認められ、ジアステレオマー混
合物−１の第１ピーク／第２ピークの面積比もまた反応
生成物−１のｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型の面積比と一致し、ジアステレオマー
混合物−２の第１ピーク／第２ピークの面積比は反応生
成物−２のｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２
Ｒ，３Ｒ）型の面積比と一致する。
１およびジアステレオマー混合物−２は1ＨＮＭＲスペ
クトル、ＩＲ吸収スペクトル、ＭＳスペクトルを分析す
ることにより、２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカンである。ま
た、19ＦＮＭＲスペクトル分析により、２本のピークを
有し、ジアステレオマー混合物−１の19ＦＮＭＲスペク
トルの第１ピーク／第２ピークとの面積比は反応生成物
−１のｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，
３Ｓ）型の面積比と一致し、ジアステレオマー混合物−
２の19ＦＮＭＲスペクトルの第１ピーク／第２ピークと
の面積比は反応生成物−２のｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型
／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型の面積比と一致した。さ
らに光学活性ガスクロマトグラフィーにかけると各々２
本の光学活性なピークが認められ、ジアステレオマー混
合物−１の第１ピーク／第２ピークの面積比もまた反応
生成物−１のｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型の面積比と一致し、ジアステレオマー
混合物−２の第１ピーク／第２ピークの面積比は反応生
成物−２のｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２
Ｒ，３Ｒ）型の面積比と一致する。
【０１５１】したがって、式（Ｑ）で示される反応生成
物−１および式（Ｒ）で示される反応生成物−２の３位
の不斉炭素原子に結合したＯ−金属化物をＯ−メチル基
に換えた後、２位の不斉炭素原子に結合したアセトキシ
基を水酸基に換えても、２位と３位の不斉炭素原子の絶
対配置は変わらないことより、ジアステレオマー混合物
−１はｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアル
カンおよびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ
−３−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキ
シアルカンからなるジアステレオマー混合物であり、他
方ジアステレオマー混合物−２はｓｙｎ−（２Ｒ，３
Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロ末端メトキシアルカンおよびａｎｔｉ−（２
Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロ末端メトキシアルカンからなるジアス
テレオマー混合物である。
物−１および式（Ｒ）で示される反応生成物−２の３位
の不斉炭素原子に結合したＯ−金属化物をＯ−メチル基
に換えた後、２位の不斉炭素原子に結合したアセトキシ
基を水酸基に換えても、２位と３位の不斉炭素原子の絶
対配置は変わらないことより、ジアステレオマー混合物
−１はｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアル
カンおよびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ
−３−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキ
シアルカンからなるジアステレオマー混合物であり、他
方ジアステレオマー混合物−２はｓｙｎ−（２Ｒ，３
Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロ末端メトキシアルカンおよびａｎｔｉ−（２
Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロ末端メトキシアルカンからなるジアス
テレオマー混合物である。
【０１５２】［第６反応：本発明化合物−ｓｙｎ体（２
Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカン、
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メト
キシアルカン、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシアルカンおよびａｎｔｉ体（２Ｒ，３
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカン−の製造
方法］第６反応を反応式で示すと、式（Ｓ）および式
（Ｔ）
Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカン、
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メト
キシアルカン、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシアルカンおよびａｎｔｉ体（２Ｒ，３
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシアルカン−の製造
方法］第６反応を反応式で示すと、式（Ｓ）および式
（Ｔ）
【０１５３】
【化３９】
【０１５４】［ただし、式中、ｍは式（Ａ）と同じ］の
通り、第５反応で得られたジアステレオマー混合物−１
およびジアステレオマー混合物−２を精留（１００ｇ以
上）またはシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分取
することにより、４個の本発明化合物を得ることができ
る。
通り、第５反応で得られたジアステレオマー混合物−１
およびジアステレオマー混合物−２を精留（１００ｇ以
上）またはシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分取
することにより、４個の本発明化合物を得ることができ
る。
【０１５５】すなわち、式（Ｓ）の通り、ジアステレオ
マー混合物−１を例えばシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーとして中低圧液体クロマトグラフィーで、第１ピ
ークである第一フラクションおよび第２ピークである第
二フラクションを分取し、溶離液を留去し、第一フラク
ションから得られる無色透明な液状の目的生成物である
ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキ
シ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカンの
本発明生成物、および第二フラクションから得られる無
色透明な液状の目的生成物であるａｎｔｉ−（２Ｓ，３
Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロ末端メトキシアルカンの本発明化合物を取得
することができる。また式（Ｔ）の通り、ジアステレオ
マー混合物−２を上記と同じ操作を行うことにより、第
一フラクションから得られる無色透明な液状の目的生成
物であるｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３
−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシア
ルカンの本発明化合物、および第二フラクションから得
られる無色透明な液状の目的生成物であるａｎｔｉ−
（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカンの本発明化
合物を取得することができる。
マー混合物−１を例えばシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーとして中低圧液体クロマトグラフィーで、第１ピ
ークである第一フラクションおよび第２ピークである第
二フラクションを分取し、溶離液を留去し、第一フラク
ションから得られる無色透明な液状の目的生成物である
ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキ
シ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカンの
本発明生成物、および第二フラクションから得られる無
色透明な液状の目的生成物であるａｎｔｉ−（２Ｓ，３
Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロ末端メトキシアルカンの本発明化合物を取得
することができる。また式（Ｔ）の通り、ジアステレオ
マー混合物−２を上記と同じ操作を行うことにより、第
一フラクションから得られる無色透明な液状の目的生成
物であるｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３
−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ末端メトキシア
ルカンの本発明化合物、および第二フラクションから得
られる無色透明な液状の目的生成物であるａｎｔｉ−
（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカンの本発明化
合物を取得することができる。
【０１５６】
【実施例】以下、第１段反応〜第４段反応に関する実施
例、および第４段反応で得られるｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型液晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液
晶化合物の有用性を示す試験を実施例に示す。 ［実施例１：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロ
キシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘプタン、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒド
ロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−
２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタンの製造］（第１段反応〜
第２段反応）
例、および第４段反応で得られるｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型液晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液
晶化合物の有用性を示す試験を実施例に示す。 ［実施例１：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタン、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロ
キシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘプタン、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒド
ロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−
２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタンの製造］（第１段反応〜
第２段反応）
【０１５７】［第１段反応−１：金属水素化物として、
水素化ホウ素ナトリウムを用いた場合：反応生成物−
１：ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３
Ｓ）型＝７５／２５（面積比）からなるジアステレオマ
ー混合物の製造］温度計、撹拌機、還流冷却器および滴
下ロートを備えた丸底フラスコに（Ｓ）−１−アセトキ
シ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブ
チルケトン１６．６４ｇ（６５ミリモル）とジエチルエ
ーテル１０４ｍｌを入れ、氷水バスに浸漬し、撹拌しな
がら、０℃に調整した。次いで、滴下ロートに５％カ性
ソーダ水溶液７１．５ｇ（８９．４ミリモル）と水素化
ホウ素ナトリウム０．６８ｇ（７１．５ミリグラム当
量）およびメタノール１８ｍｌを入れ、均一に溶解した
安定化水素化ホウ素ナトリウム水溶液を撹拌しながら、
１５分間かけて滴下した。滴下完了後、氷水バスを取り
去り、室温まで昇温し、引きつづき２時間撹拌保持して
反応を完結させ、反応生成物−１溶液を得た。
水素化ホウ素ナトリウムを用いた場合：反応生成物−
１：ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３
Ｓ）型＝７５／２５（面積比）からなるジアステレオマ
ー混合物の製造］温度計、撹拌機、還流冷却器および滴
下ロートを備えた丸底フラスコに（Ｓ）−１−アセトキ
シ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブ
チルケトン１６．６４ｇ（６５ミリモル）とジエチルエ
ーテル１０４ｍｌを入れ、氷水バスに浸漬し、撹拌しな
がら、０℃に調整した。次いで、滴下ロートに５％カ性
ソーダ水溶液７１．５ｇ（８９．４ミリモル）と水素化
ホウ素ナトリウム０．６８ｇ（７１．５ミリグラム当
量）およびメタノール１８ｍｌを入れ、均一に溶解した
安定化水素化ホウ素ナトリウム水溶液を撹拌しながら、
１５分間かけて滴下した。滴下完了後、氷水バスを取り
去り、室温まで昇温し、引きつづき２時間撹拌保持して
反応を完結させ、反応生成物−１溶液を得た。
【０１５８】［同定例１：反応生成物−１がｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５
／２５（面積比）からなるジアステレオマー混合物であ
ることの確認］温度計、撹拌機、還流冷却器および滴下
ロートを備えた４ツ口丸底フラスコに、上記で得た反応
生成物−１溶液の１／５と３規定塩酸４８ｍｌとメタノ
ール４８ｍｌを入れ、８０℃温水バスに浸漬し、撹拌し
ながら、４時間還流し、加水分解反応を行った。反応完
了後、室温まで冷却した後、エーテル抽出し、抽出液を
１０％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、
減圧濃縮し、溶媒を留去し、シロップ状の残渣を得た。
（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５
／２５（面積比）からなるジアステレオマー混合物であ
ることの確認］温度計、撹拌機、還流冷却器および滴下
ロートを備えた４ツ口丸底フラスコに、上記で得た反応
生成物−１溶液の１／５と３規定塩酸４８ｍｌとメタノ
ール４８ｍｌを入れ、８０℃温水バスに浸漬し、撹拌し
ながら、４時間還流し、加水分解反応を行った。反応完
了後、室温まで冷却した後、エーテル抽出し、抽出液を
１０％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、
減圧濃縮し、溶媒を留去し、シロップ状の残渣を得た。
【０１５９】この残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー［溶離液ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコール
＝９５／５（容量比）］で精製し、無色透明な液状の生
成物−１［収量２．２７ｇ（１０．５３ミリモル）収率
９０％］を得た。この生成物−１の各種スペクトルを測
定した結果は次の通りであり、７−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロヘプタン−２，３−ジオール（以下、
ジオールという）であった。なお、生成物−１の19ＦＮ
ＭＲスペクトルは２本のピークが認められ、その第１ピ
ーク／第２ピーク＝７５／２５（面積比）からなるジア
ステレオマー混合物であった。1ＨＮＭＲスペクトル図
を図１に示した。
フィー［溶離液ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコール
＝９５／５（容量比）］で精製し、無色透明な液状の生
成物−１［収量２．２７ｇ（１０．５３ミリモル）収率
９０％］を得た。この生成物−１の各種スペクトルを測
定した結果は次の通りであり、７−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロヘプタン−２，３−ジオール（以下、
ジオールという）であった。なお、生成物−１の19ＦＮ
ＭＲスペクトルは２本のピークが認められ、その第１ピ
ーク／第２ピーク＝７５／２５（面積比）からなるジア
ステレオマー混合物であった。1ＨＮＭＲスペクトル図
を図１に示した。
【０１６０】1ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3）：１．
２８〜１．４６ｐｐｍ（４Ｈ）、１．６２〜１．７１ｐ
ｐｍ（２Ｈ）、２．０８〜２．１３ｐｐｍ（２Ｈ）、
２．５０ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、３．４４〜３．５９ｐ
ｐｍ（２Ｈ）、３．７１〜３．７９ｐｐｍ（１Ｈ）、
４．１２〜４．２４ｐｐｍ（１Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）；第１ピーク：−０．３９ｐｐｍ、面積比率７
５％、ｓｙｎ体ジオール☆1、第２ピーク：−１．６８
ｐｐｍ、面積比率２５％、ａｎｔｉ体ジオール☆1ＩＲ
吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１２０ｃｍ-1（ＣＯ
Ｃ）、３，４１０ｃｍ-1（ＯＨ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ２１６（Ｍ+） （☆1：本
同定例で確認）
２８〜１．４６ｐｐｍ（４Ｈ）、１．６２〜１．７１ｐ
ｐｍ（２Ｈ）、２．０８〜２．１３ｐｐｍ（２Ｈ）、
２．５０ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、３．４４〜３．５９ｐ
ｐｍ（２Ｈ）、３．７１〜３．７９ｐｐｍ（１Ｈ）、
４．１２〜４．２４ｐｐｍ（１Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）；第１ピーク：−０．３９ｐｐｍ、面積比率７
５％、ｓｙｎ体ジオール☆1、第２ピーク：−１．６８
ｐｐｍ、面積比率２５％、ａｎｔｉ体ジオール☆1ＩＲ
吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１２０ｃｍ-1（ＣＯ
Ｃ）、３，４１０ｃｍ-1（ＯＨ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ２１６（Ｍ+） （☆1：本
同定例で確認）
【０１６１】次いで、生成物−１を光学活性ガスクロマ
トグラフィー［条件；カラム：商品名シクロデックスβ
２３６（クロムパック社製）、サイズ：内径０．２５ｍ
／ｍ長さ２５ｍ、シリカキャピラリーカラム、カラム温
度：８０℃×１０分保持した後、昇温速度４℃／ｍｉｎ
で２００℃迄昇温、キァリアーガス：ヘリウム、ガス流
量７０ＮＬ／ｍｉｎ、スプリット比１００／１、検出：
ＦＩＤ］にかけると、２本の光学活性なピークが認めら
れ、 第１ピーク：保持時間２０．８０分、面積比率７５％、
ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ジオール☆2 第２ピーク：保持時間２０．９０分、面積比率２５％、
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオール☆2（☆2は本同定
例で確認）。
トグラフィー［条件；カラム：商品名シクロデックスβ
２３６（クロムパック社製）、サイズ：内径０．２５ｍ
／ｍ長さ２５ｍ、シリカキャピラリーカラム、カラム温
度：８０℃×１０分保持した後、昇温速度４℃／ｍｉｎ
で２００℃迄昇温、キァリアーガス：ヘリウム、ガス流
量７０ＮＬ／ｍｉｎ、スプリット比１００／１、検出：
ＦＩＤ］にかけると、２本の光学活性なピークが認めら
れ、 第１ピーク：保持時間２０．８０分、面積比率７５％、
ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ジオール☆2 第２ピーク：保持時間２０．９０分、面積比率２５％、
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ジオール☆2（☆2は本同定
例で確認）。
【０１６２】次いで、温度計、撹拌機、還流冷却器を備
えた３ツ口丸底フラスコに、上記で得た生成物−１、
１．０８ｇ（５ミリモル）と２，２−ジメトキシプロパ
ン５ｍｌとパラトルエンスルホン酸１水塩０．１ｇを入
れ、９０℃の温水バスに浸漬し、撹拌しながら、５時間
還流し、アセタール交換反応を行い、反応終了後、シリ
カゲルクロマトグラフィーを用いて分取し、８２℃で蒸
留し、留分を濃縮し、無色透明な液状の生成物を得た。
えた３ツ口丸底フラスコに、上記で得た生成物−１、
１．０８ｇ（５ミリモル）と２，２−ジメトキシプロパ
ン５ｍｌとパラトルエンスルホン酸１水塩０．１ｇを入
れ、９０℃の温水バスに浸漬し、撹拌しながら、５時間
還流し、アセタール交換反応を行い、反応終了後、シリ
カゲルクロマトグラフィーを用いて分取し、８２℃で蒸
留し、留分を濃縮し、無色透明な液状の生成物を得た。
【０１６３】この生成物の各種スペクトルを測定した結
果は次の通りであり、２，２−ジメチル−４−（４′−
メトキシブチル）−５−トリフルオロメチル−１，３−
ジオキソラン（以下、１，３−ジオキソラン誘導体とい
う）であることが確認された。また1ＨＮＭＲスペクト
ルのメチル基の位置と面積比率より、上記生成物はｔｒ
ａｎｓ−２，２−ジメチル−４−（４′−メトキシブチ
ル）−５−トリフルオロメチル−１，３−ジオキソラン
（以下、ｔｒａｎｓ体１，３−ジオキソラン誘導体とい
う）およびｃｉｓ−２，２−ジメチル−４−（４′−メ
トキシブチル）−５−トリフルオロメチル−１，３−ジ
オキソラン（以下、ｃｉｓ体１，３−ジオキソラン誘導
体という）からなり、その生成比率ｔｒａｎｓ体／ｃｉ
ｓ体＝７５／２５（面積比）のジアステレオマー混合物
であることが確認できた。1ＨＮＭＲスペクトル図を図
２に示した。
果は次の通りであり、２，２−ジメチル−４−（４′−
メトキシブチル）−５−トリフルオロメチル−１，３−
ジオキソラン（以下、１，３−ジオキソラン誘導体とい
う）であることが確認された。また1ＨＮＭＲスペクト
ルのメチル基の位置と面積比率より、上記生成物はｔｒ
ａｎｓ−２，２−ジメチル−４−（４′−メトキシブチ
ル）−５−トリフルオロメチル−１，３−ジオキソラン
（以下、ｔｒａｎｓ体１，３−ジオキソラン誘導体とい
う）およびｃｉｓ−２，２−ジメチル−４−（４′−メ
トキシブチル）−５−トリフルオロメチル−１，３−ジ
オキソラン（以下、ｃｉｓ体１，３−ジオキソラン誘導
体という）からなり、その生成比率ｔｒａｎｓ体／ｃｉ
ｓ体＝７５／２５（面積比）のジアステレオマー混合物
であることが確認できた。1ＨＮＭＲスペクトル図を図
２に示した。
【０１６４】1ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3）：１．
２８〜１．５６ｐｐｍ（４Ｈ）、１．６４〜１．７２ｐ
ｐｍ（２Ｈ）、２．００〜２．０８ｐｐｍ（２Ｈ）、
２．４６ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、４．３０〜４．３６ｐ
ｐｍ（１Ｈ）、４．４４〜４．５０ｐｐｍ（１Ｈ） ｔｒａｎｓ体１，３−ジオキソラン誘導体：１．４９ｐ
ｐｍ（ＣＨ3）、１．５３ｐｐｍ（ＣＨ3）、面積比率７
５％、ｃｉｓ体１，３−ジオキソラン誘導体１．４５ｐ
ｐｍ（ＣＨ3）、１．５８ｐｐｍ（ＣＨ3）、面積比率２
５％19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）；第１ピーク−１．３３ｐｐｍ、面積比率７５
％、ｔｒａｎｓ体１，３−ジオキソラン誘導体、第２ピ
ーク −２．９２ｐｐｍ、面積比率２５％、ｃｉｓ体
１，３−ジオキソラン誘導体 ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１３０ｃｍ
-1（ＣＯＣ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ２５６（Ｍ+）
２８〜１．５６ｐｐｍ（４Ｈ）、１．６４〜１．７２ｐ
ｐｍ（２Ｈ）、２．００〜２．０８ｐｐｍ（２Ｈ）、
２．４６ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、４．３０〜４．３６ｐ
ｐｍ（１Ｈ）、４．４４〜４．５０ｐｐｍ（１Ｈ） ｔｒａｎｓ体１，３−ジオキソラン誘導体：１．４９ｐ
ｐｍ（ＣＨ3）、１．５３ｐｐｍ（ＣＨ3）、面積比率７
５％、ｃｉｓ体１，３−ジオキソラン誘導体１．４５ｐ
ｐｍ（ＣＨ3）、１．５８ｐｐｍ（ＣＨ3）、面積比率２
５％19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）；第１ピーク−１．３３ｐｐｍ、面積比率７５
％、ｔｒａｎｓ体１，３−ジオキソラン誘導体、第２ピ
ーク −２．９２ｐｐｍ、面積比率２５％、ｃｉｓ体
１，３−ジオキソラン誘導体 ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１３０ｃｍ
-1（ＣＯＣ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ２５６（Ｍ+）
【０１６５】ｔｒａｎｓ体１，３−ジオキソラン誘導体
の面積比率７５％と一致するジオールの19ＦＮＭＲスペ
クトルの第１ピーク（−０．３９ｐｐｍ）はｓｙｎ−７
−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン−２，
３−ジオール（以下、ｓｙｎ体ジオールという）、およ
びｃｉｓ体１，３−ジオキソラン誘導体の面積比率２５
％と一致するジオールの19ＦＮＭＲスペクトルの第２ピ
ーク（−１．６８ｐｐｍ）はａｎｔｉ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタン−２，３−ジオール
（以下、ａｎｔｉ体ジオールという）であることが確認
できた。
の面積比率７５％と一致するジオールの19ＦＮＭＲスペ
クトルの第１ピーク（−０．３９ｐｐｍ）はｓｙｎ−７
−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン−２，
３−ジオール（以下、ｓｙｎ体ジオールという）、およ
びｃｉｓ体１，３−ジオキソラン誘導体の面積比率２５
％と一致するジオールの19ＦＮＭＲスペクトルの第２ピ
ーク（−１．６８ｐｐｍ）はａｎｔｉ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタン−２，３−ジオール
（以下、ａｎｔｉ体ジオールという）であることが確認
できた。
【０１６６】また、（Ｓ）体アセトキシケトンの還元に
より得た反応生成物−１を加水分解して得られたジオー
ルの19ＦＮＭＲスペクトルの面積比率７５％のｓｙｎ体
ジオールと一致する光学活性ガスクロマトグラフィーの
第１ピーク（保持時間２０．８０分）はｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ
ヘプタン−２，３−ジオール［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，
３Ｒ）型ジオールという］であり、ジオールの19ＦＮＭ
Ｒスペクトルの面積比率２５％のａｎｔｉ体ジオールと
一致する光学活性ガスクロマトグラフィーの第２ピーク
（保持時間２０．９０分）はａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン−
２，３−ジオール［以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型
ジオールという］であることが確認できた。したがっ
て、反応生成物−１を加水分解して得た生成物−１はｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタン−２，３−ジオールおよびａｎｔｉ
−（２Ｓ，３Ｓ）−７−メトキシ−１，１，１−トリフ
ルオロヘプタン−２，３−ジオールからなり、その生成
比率ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３
Ｓ）型＝７５／２５（面積比）のジアステレオマー混合
物であることが確認できた。
より得た反応生成物−１を加水分解して得られたジオー
ルの19ＦＮＭＲスペクトルの面積比率７５％のｓｙｎ体
ジオールと一致する光学活性ガスクロマトグラフィーの
第１ピーク（保持時間２０．８０分）はｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロ
ヘプタン−２，３−ジオール［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，
３Ｒ）型ジオールという］であり、ジオールの19ＦＮＭ
Ｒスペクトルの面積比率２５％のａｎｔｉ体ジオールと
一致する光学活性ガスクロマトグラフィーの第２ピーク
（保持時間２０．９０分）はａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン−
２，３−ジオール［以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型
ジオールという］であることが確認できた。したがっ
て、反応生成物−１を加水分解して得た生成物−１はｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタン−２，３−ジオールおよびａｎｔｉ
−（２Ｓ，３Ｓ）−７−メトキシ−１，１，１−トリフ
ルオロヘプタン−２，３−ジオールからなり、その生成
比率ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３
Ｓ）型＝７５／２５（面積比）のジアステレオマー混合
物であることが確認できた。
【０１６７】よって、反応生成物−１溶液は加水分解反
応前後では２位と３位の不斉炭素原子の絶対配置は変化
しないことより、反応生成物−１はｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５／２５（面
積比）からなるジアステレオマー混合物であることが確
認できた。
応前後では２位と３位の不斉炭素原子の絶対配置は変化
しないことより、反応生成物−１はｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５／２５（面
積比）からなるジアステレオマー混合物であることが確
認できた。
【０１６８】［第１段反応−２；金属水素化物として、
水素化ジイソブチルアルミニウムを用いた場合、反応生
成物−２：ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２
Ｒ，３Ｒ）型＝５５／４５（面積比）からなるジアステ
レオマー混合物の製造］温度計、撹拌機、還流冷却器お
よび滴下ロートを備えた丸底フラスコに、実施例１で得
た（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロ
エチル−４−メトキシブチルケトン１６．６４ｇ（６５
ミリモル）とジエチルエーテル６５ｍｌを入れ、氷水バ
スに浸漬し、撹拌しながら、０℃に調整した。次いで、
滴下ロートに、水素化ジイソブチルアルミニウム１０．
１５ｇ（７１．５ミリグラム当量）とジエチルエーテル
６５ｍｌを入れ、均一に溶解した水素化ジイソブチルア
ルミニウム溶液を撹拌しながら、１６分間かけて滴下し
た。
水素化ジイソブチルアルミニウムを用いた場合、反応生
成物−２：ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２
Ｒ，３Ｒ）型＝５５／４５（面積比）からなるジアステ
レオマー混合物の製造］温度計、撹拌機、還流冷却器お
よび滴下ロートを備えた丸底フラスコに、実施例１で得
た（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロ
エチル−４−メトキシブチルケトン１６．６４ｇ（６５
ミリモル）とジエチルエーテル６５ｍｌを入れ、氷水バ
スに浸漬し、撹拌しながら、０℃に調整した。次いで、
滴下ロートに、水素化ジイソブチルアルミニウム１０．
１５ｇ（７１．５ミリグラム当量）とジエチルエーテル
６５ｍｌを入れ、均一に溶解した水素化ジイソブチルア
ルミニウム溶液を撹拌しながら、１６分間かけて滴下し
た。
【０１６９】滴下完了後、氷水バスを取り去り、室温ま
で昇温し、引きつづき、２時間撹拌保持して反応を完結
させ、反応生成物−２溶液を得た。以下、反応生成物−
１溶液１／５の代わりに反応生成物−２溶液１／５を用
いた以外は同定例と同様の操作を行い、無色透明な液状
の生成物［収量２．２７ｇ（１０．５３ミリモル）収率
９０％］を得た。この生成物−２は19ＦＮＭＲスペクト
ルの第１ピーク／第２ピークの面積比率、および光学活
性ガスクロマトグラフィーの第１ピークおよび第２ピー
クの保持時間と面積比率以外の各種スペクトルは同定例
−１の生成物−１と一致し、生成物−２もまた７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン−２，３−ジ
オールであった。
で昇温し、引きつづき、２時間撹拌保持して反応を完結
させ、反応生成物−２溶液を得た。以下、反応生成物−
１溶液１／５の代わりに反応生成物−２溶液１／５を用
いた以外は同定例と同様の操作を行い、無色透明な液状
の生成物［収量２．２７ｇ（１０．５３ミリモル）収率
９０％］を得た。この生成物−２は19ＦＮＭＲスペクト
ルの第１ピーク／第２ピークの面積比率、および光学活
性ガスクロマトグラフィーの第１ピークおよび第２ピー
クの保持時間と面積比率以外の各種スペクトルは同定例
−１の生成物−１と一致し、生成物−２もまた７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン−２，３−ジ
オールであった。
【０１７０】19ＦＮＭＲスペクトル：第１ピーク−０．
３９ｐｐｍ、面積比率５５％、ｓｙｎ体ジオール、第２
ピーク：−１．６８ｐｐｍ、面積比率４５％、ａｎｔｉ
体ジオール 光学活性ガスクロマトグラフィー：第１ピーク保持時間
１９．８５分、面積比率５５％、ｓｙｎ体（２Ｒ，３
Ｓ）型ジオール、第２ピーク保持時間２１．５６分、面
積比率４５％、ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型ジオール となり、同定例−１の結果をふまえて、生成物−２はｓ
ｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタン−２，３−ジオールおよびａｎｔｉ
−（２Ｒ，３Ｒ）−７−メトキシ−１，１，１−トリフ
ルオロヘプタン−２，３−ジオールからなり、その生成
比率ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３
Ｒ）型＝５５／４５（面積比）のジアステレオマー混合
物であることが確認できた。したがって、反応生成物−
２溶液は加水分解反応前後では２位と３位の不斉炭素原
子の絶対配置は変化しないことより、反応生成物−２は
ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）
型＝５５／４５（面積比）からなるジアステレオマー混
合物であることが確認できた。
３９ｐｐｍ、面積比率５５％、ｓｙｎ体ジオール、第２
ピーク：−１．６８ｐｐｍ、面積比率４５％、ａｎｔｉ
体ジオール 光学活性ガスクロマトグラフィー：第１ピーク保持時間
１９．８５分、面積比率５５％、ｓｙｎ体（２Ｒ，３
Ｓ）型ジオール、第２ピーク保持時間２１．５６分、面
積比率４５％、ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型ジオール となり、同定例−１の結果をふまえて、生成物−２はｓ
ｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタン−２，３−ジオールおよびａｎｔｉ
−（２Ｒ，３Ｒ）−７−メトキシ−１，１，１−トリフ
ルオロヘプタン−２，３−ジオールからなり、その生成
比率ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３
Ｒ）型＝５５／４５（面積比）のジアステレオマー混合
物であることが確認できた。したがって、反応生成物−
２溶液は加水分解反応前後では２位と３位の不斉炭素原
子の絶対配置は変化しないことより、反応生成物−２は
ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）
型＝５５／４５（面積比）からなるジアステレオマー混
合物であることが確認できた。
【０１７１】［第２段反応：ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型
２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン、ａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ン、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メ
トキシヘプタンおよびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−
ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの製造］ ［第２段反応−１；ジアステレオマー混合物−１：ｓｙ
ｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−
７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよ
びａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メ
トキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプ
タンからなり、その生成比率ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型
／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５／２５（面積比）
のジアステレオマー混合物、およびジアステレオマー混
合物−２：ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒド
ロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタンからなり、その生成比率ｓｙｎ体
（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型＝５５
／４５（面積比）のジアステレオマー混合物の製造］
２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン、ａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ン、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メ
トキシヘプタンおよびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型２−
ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの製造］ ［第２段反応−１；ジアステレオマー混合物−１：ｓｙ
ｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−
７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンおよ
びａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メ
トキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプ
タンからなり、その生成比率ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型
／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５／２５（面積比）
のジアステレオマー混合物、およびジアステレオマー混
合物−２：ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒド
ロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタンからなり、その生成比率ｓｙｎ体
（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型＝５５
／４５（面積比）のジアステレオマー混合物の製造］
【０１７２】第１段反応−１で得た残り４／５の反応生
成物−１溶液入フラスコを氷水バスに浸漬し、撹拌しな
がら、０℃に調整した。次いで、滴下ロートにヨウ化メ
チル８．８６ｇ（６２．２ミリモル）とジエチルエーテ
ル１２４ｍｌを加えて２２分間かけて滴下した。滴下完
了後、引きつづき３時間撹拌保持して反応を完結させ
た。反応終了後、氷水バスを取り去り、室温まで昇温し
た後、減圧濃縮し、有機溶媒と未反応ヨウ化メチルを留
去した後、１規定塩酸を加えて過剰の安定化水素化ホウ
素ナトリウムを分解した後、１０％炭酸水素ナトリウム
水溶液でｐＨ７に調整した後、エーテル抽出し、抽出液
を濃縮し、得られた遊離ヨウ素入淡紫色の残渣に飽和チ
オ硫酸ソーダ水溶液を加えて、遊離ヨウ素を除去した
後、再度エーテル抽出し、抽出液を水洗した後、無水硫
酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、濃縮し、シ
ロップ状の残渣であるＯ−メチル化誘導体を得た。次い
で、温度計、撹拌機、還流冷却器を備えた三ツ口丸底フ
ラスコに、上記Ｏ−メチル化誘導体の全量と３．５規定
硫酸水溶液１８２ｍｌとメタノール２７３ｍｌを入れ、
撹拌しながら、均一な溶液を調合した。次いで、８０℃
温水バスに浸漬し、撹拌しながら、沸騰するまで昇温
し、引きつづき３時間還流し、加水分解反応を行った。
成物−１溶液入フラスコを氷水バスに浸漬し、撹拌しな
がら、０℃に調整した。次いで、滴下ロートにヨウ化メ
チル８．８６ｇ（６２．２ミリモル）とジエチルエーテ
ル１２４ｍｌを加えて２２分間かけて滴下した。滴下完
了後、引きつづき３時間撹拌保持して反応を完結させ
た。反応終了後、氷水バスを取り去り、室温まで昇温し
た後、減圧濃縮し、有機溶媒と未反応ヨウ化メチルを留
去した後、１規定塩酸を加えて過剰の安定化水素化ホウ
素ナトリウムを分解した後、１０％炭酸水素ナトリウム
水溶液でｐＨ７に調整した後、エーテル抽出し、抽出液
を濃縮し、得られた遊離ヨウ素入淡紫色の残渣に飽和チ
オ硫酸ソーダ水溶液を加えて、遊離ヨウ素を除去した
後、再度エーテル抽出し、抽出液を水洗した後、無水硫
酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、濃縮し、シ
ロップ状の残渣であるＯ−メチル化誘導体を得た。次い
で、温度計、撹拌機、還流冷却器を備えた三ツ口丸底フ
ラスコに、上記Ｏ−メチル化誘導体の全量と３．５規定
硫酸水溶液１８２ｍｌとメタノール２７３ｍｌを入れ、
撹拌しながら、均一な溶液を調合した。次いで、８０℃
温水バスに浸漬し、撹拌しながら、沸騰するまで昇温
し、引きつづき３時間還流し、加水分解反応を行った。
【０１７３】加水分解反応完了後、温水バスを取り去
り、撹拌しながら、室温迄冷却した後、エーテル抽出
し、抽出液を１０％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順
次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除
去した後、減圧濃縮し、溶媒を留去した後、真空度７０
ｍｍＨｇ、バス温度８０℃で蒸留し、未反応Ｏ−メチル
化誘導体を留去した後、真空度２０ｍｍＨｇ、バス温度
９０℃で蒸留し、留出液をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー［溶離液ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコー
ル＝９５／５（容量比）］で精製し、無色透明な液状の
生成物であるジアステレオマー混合物−１［収量８．７
２ｇ（３７．９ミリモル）対（Ｓ）−１−アセトキシ−
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトン収率７２．９％］を得た。この生成物−１の各種
スペクトルを測定した結果は次の通りであり、２−ヒド
ロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタンであった。なお、1ＨＮＭＲスペク
トル図を図３に示した。（☆3、☆4は同定例２で確認）
り、撹拌しながら、室温迄冷却した後、エーテル抽出
し、抽出液を１０％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順
次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除
去した後、減圧濃縮し、溶媒を留去した後、真空度７０
ｍｍＨｇ、バス温度８０℃で蒸留し、未反応Ｏ−メチル
化誘導体を留去した後、真空度２０ｍｍＨｇ、バス温度
９０℃で蒸留し、留出液をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー［溶離液ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコー
ル＝９５／５（容量比）］で精製し、無色透明な液状の
生成物であるジアステレオマー混合物−１［収量８．７
２ｇ（３７．９ミリモル）対（Ｓ）−１−アセトキシ−
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトン収率７２．９％］を得た。この生成物−１の各種
スペクトルを測定した結果は次の通りであり、２−ヒド
ロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタンであった。なお、1ＨＮＭＲスペク
トル図を図３に示した。（☆3、☆4は同定例２で確認）
【０１７４】1ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3）：１．
２８〜１．４６ｐｐｍ（４Ｈ）、１．６４〜１．７０ｐ
ｐｍ（２Ｈ）、２．１２〜２．１７ｐｐｍ（２Ｈ）、
２．５０ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、２．７０ｐｐｍ（Ｓ）
（３Ｈ）、３．４６〜３．６０ｐｐｍ（１Ｈ）、３．７
０〜３．７８ｐｐｍ（１Ｈ）、４．１７〜４．２４ｐｐ
ｍ（１Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）；第１ピーク−２．３６ｐｐｍ、面積比率７５
％、ｓｙｎ体☆3、第２ピーク −４．４１ｐｐｍ、面
積比率２５％、ａｎｔｉ体☆3 ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１３０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、３，４２０ｃｍ-1（ＯＨ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ２３０（Ｍ+）
２８〜１．４６ｐｐｍ（４Ｈ）、１．６４〜１．７０ｐ
ｐｍ（２Ｈ）、２．１２〜２．１７ｐｐｍ（２Ｈ）、
２．５０ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、２．７０ｐｐｍ（Ｓ）
（３Ｈ）、３．４６〜３．６０ｐｐｍ（１Ｈ）、３．７
０〜３．７８ｐｐｍ（１Ｈ）、４．１７〜４．２４ｐｐ
ｍ（１Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）；第１ピーク−２．３６ｐｐｍ、面積比率７５
％、ｓｙｎ体☆3、第２ピーク −４．４１ｐｐｍ、面
積比率２５％、ａｎｔｉ体☆3 ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１３０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、３，４２０ｃｍ-1（ＯＨ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ２３０（Ｍ+）
【０１７５】次いで、ジアステレオマー混合物−１を光
学活性ガスクロマトグラフィー［条件；カラム：商品名
シクロデックスβ２３６Ｍ（クロムパック社製）、サイ
ズ：内径０．２５ｍ／ｍ長さ２５ｍ、シリカキャピラリ
ーカラム、カラム温度：７０℃×１０分保持した後、昇
温速度４℃／ｍｉｎで２００℃迄昇温、キアリアーガ
ス：ヘリウム、ガス流量７０ＮＬ／ｍｉｎ、スプリット
比１００／１、検出：ＦＩＤ］にかけると、２本の光学
活性なピークが認められ、各ピークの保持時間と面積比
率は次の通り。 第１ピーク：保持時間２６．１１分、面積比率７５％、
ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型☆4 第２ピーク：保持時間２６．６８分、面積比率２５％、
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型☆4
学活性ガスクロマトグラフィー［条件；カラム：商品名
シクロデックスβ２３６Ｍ（クロムパック社製）、サイ
ズ：内径０．２５ｍ／ｍ長さ２５ｍ、シリカキャピラリ
ーカラム、カラム温度：７０℃×１０分保持した後、昇
温速度４℃／ｍｉｎで２００℃迄昇温、キアリアーガ
ス：ヘリウム、ガス流量７０ＮＬ／ｍｉｎ、スプリット
比１００／１、検出：ＦＩＤ］にかけると、２本の光学
活性なピークが認められ、各ピークの保持時間と面積比
率は次の通り。 第１ピーク：保持時間２６．１１分、面積比率７５％、
ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型☆4 第２ピーク：保持時間２６．６８分、面積比率２５％、
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型☆4
【０１７６】また、第１段反応−１で得た反応生成物−
１溶液４／５の代わりに第１段反応−２で得た反応生成
物−２溶液４／５を用いた以外は上記と同様な操作を行
い、無色透明な液状の生成物であるジアステレオマー混
合物−２［収量８．７２ｇ（３７．９ミリモル）対
（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン収率７２．９％］を得
た。この生成物は19ＦＮＭＲスペクトル第１ピーク：面
積比率５５％、第２ピーク：面積比率４５％、光学活性
ガスクロマトグラフィーの第１ピーク：保持時間２５．
６６分、面積比率５５％、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型☆
5、第２ピーク：保持時間２６．９３分、面積比率４５
％、ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型☆5（☆5は同定例２で
確認）以外の各種スペクトルはジアステレオマー混合物
−１と一致した。
１溶液４／５の代わりに第１段反応−２で得た反応生成
物−２溶液４／５を用いた以外は上記と同様な操作を行
い、無色透明な液状の生成物であるジアステレオマー混
合物−２［収量８．７２ｇ（３７．９ミリモル）対
（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン収率７２．９％］を得
た。この生成物は19ＦＮＭＲスペクトル第１ピーク：面
積比率５５％、第２ピーク：面積比率４５％、光学活性
ガスクロマトグラフィーの第１ピーク：保持時間２５．
６６分、面積比率５５％、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型☆
5、第２ピーク：保持時間２６．９３分、面積比率４５
％、ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型☆5（☆5は同定例２で
確認）以外の各種スペクトルはジアステレオマー混合物
−１と一致した。
【０１７７】［同定例２：ジアステレオマー混合物−
１：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メ
トキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプ
タンおよびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタンからなり、その生成比率ｓｙｎ体（２Ｓ，
３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５／２５
（面積比）のジアステレオマー混合物、およびジアステ
レオマー混合物−２：ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−
トリフルオロヘプタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）
−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタンからなり、その生成比率
ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）
型＝５５／４５（面積比）のジアステレオマー混合物で
あることの確認］
１：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メ
トキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプ
タンおよびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタンからなり、その生成比率ｓｙｎ体（２Ｓ，
３Ｒ）型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５／２５
（面積比）のジアステレオマー混合物、およびジアステ
レオマー混合物−２：ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−
トリフルオロヘプタンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）
−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタンからなり、その生成比率
ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）
型＝５５／４５（面積比）のジアステレオマー混合物で
あることの確認］
【０１７８】ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型／ａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５／２５（面積比）のジアステレ
オマー混合物である反応生成物−１溶液の３位の不斉炭
素原子に結合したＯ−金属化物基をヨウ化メチルと反応
させＯ−メチル基に換えた後、２位の不斉炭素原子に結
合したアセトキシ基を加水分解しヒドロキシ基に換える
ことにより得られたジアステレオマー混合物−１は光学
活性ガスクロマトグラフィーにかけると、２本の光学活
性ピークが得られ、かつ第１ピーク（保持時間２６．１
１分）／第２ピーク（保持時間２６．６８分）＝７５／
２５（面積比）となり、反応前後で面積比が一致したこ
とにより、２位と３位の不斉炭素原子の絶対配置は反応
前後では変化しないことが判明し、光学活性ガスクロマ
トグラフィーの面積比率７５％である第１ピーク（保持
時間２６．１１分）はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型であ
り、面積比率２５％の第２ピーク（保持時間２６．６８
分）はａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型であった。
（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５／２５（面積比）のジアステレ
オマー混合物である反応生成物−１溶液の３位の不斉炭
素原子に結合したＯ−金属化物基をヨウ化メチルと反応
させＯ−メチル基に換えた後、２位の不斉炭素原子に結
合したアセトキシ基を加水分解しヒドロキシ基に換える
ことにより得られたジアステレオマー混合物−１は光学
活性ガスクロマトグラフィーにかけると、２本の光学活
性ピークが得られ、かつ第１ピーク（保持時間２６．１
１分）／第２ピーク（保持時間２６．６８分）＝７５／
２５（面積比）となり、反応前後で面積比が一致したこ
とにより、２位と３位の不斉炭素原子の絶対配置は反応
前後では変化しないことが判明し、光学活性ガスクロマ
トグラフィーの面積比率７５％である第１ピーク（保持
時間２６．１１分）はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型であ
り、面積比率２５％の第２ピーク（保持時間２６．６８
分）はａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型であった。
【０１７９】よって、ジアステレオマー混合物−１はｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンお
よびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタンからなり、その生成比率ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）
型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５／２５（面積
比）のジアステレオマー混合物であることが確認でき
た。なお、19ＦＮＭＲスペクトルの面積比７５％である
第１ピーク（−２．３６ｐｐｍ）はｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型であり、面積比２５％である第２ピーク（−４．
４１ｐｐｍ）はａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型であること
が確認できた。
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンお
よびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタンからなり、その生成比率ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）
型／ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型＝７５／２５（面積
比）のジアステレオマー混合物であることが確認でき
た。なお、19ＦＮＭＲスペクトルの面積比７５％である
第１ピーク（−２．３６ｐｐｍ）はｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型であり、面積比２５％である第２ピーク（−４．
４１ｐｐｍ）はａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型であること
が確認できた。
【０１８０】また、第１段反応−２で得たｓｙｎ体（２
Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型＝５５／４
５（面積比）である反応生成物−２溶液を用いて、上述
で得られたジアステレオマー混合物−２は上記と同様な
理由で、光学活性ガスクロマトグラフィーの面積比率５
５％である第１ピーク（保持時間２５．６６分）はｓｙ
ｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型であり、面積比率４５％の第２ピ
ーク（保持時間２６．９３分）はａｎｔｉ体（２Ｒ，３
Ｒ）型であった。よって、ジアステレオマー混合物−２
はｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタンからなり、その生成比率ｓｙｎ体（２Ｒ，３
Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型＝５５／４５（面
積比）のジアステレオマー混合物であることが確認でき
た。
Ｒ，３Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型＝５５／４
５（面積比）である反応生成物−２溶液を用いて、上述
で得られたジアステレオマー混合物−２は上記と同様な
理由で、光学活性ガスクロマトグラフィーの面積比率５
５％である第１ピーク（保持時間２５．６６分）はｓｙ
ｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型であり、面積比率４５％の第２ピ
ーク（保持時間２６．９３分）はａｎｔｉ体（２Ｒ，３
Ｒ）型であった。よって、ジアステレオマー混合物−２
はｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ンおよびａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−
３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタンからなり、その生成比率ｓｙｎ体（２Ｒ，３
Ｓ）型／ａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型＝５５／４５（面
積比）のジアステレオマー混合物であることが確認でき
た。
【０１８１】［第２段反応−２：ｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン、ａｎｔ
ｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘ
プタン、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３
−メトキシヘプタンおよびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型
２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの各製造］第１
段反応−１で得たジアステレオマー混合物−１、７．５
９ｇ（３３ミリモル）を中低圧液体クロマトグラフィー
［条件：ＬＯＢＡＲカラムＬｉＣＨＲＯＰＲＥＰＳｉ６
０（メルク社）：サイズ内径３７ｍｍ、高さ４００ｍ
ｍ、溶離液ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９
５／５（容量比）、流量５Ｌ／ｍｉｎ、供給量３ｇ、検
出紫外検出器波長２５４ｎｍの紫外吸収］にかけ、第１
ピークである第一フラクションおよび第２ピークである
第二フラクシュンを各々分取した後、減圧濃縮し溶離液
を留去し、無色透明な液状の第一フラクションからの生
成物［収量５．１２ｇ（２２．２６ミリモル）収得率６
７．５％］および無色透明な液状の第二フラクションか
らの生成物［収量１．７１ｇ（７．４２ミリモル）収得
率２２．５％］を得た。
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン、ａｎｔ
ｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘ
プタン、ｓｙｎ体（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３
−メトキシヘプタンおよびａｎｔｉ体（２Ｒ，３Ｒ）型
２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの各製造］第１
段反応−１で得たジアステレオマー混合物−１、７．５
９ｇ（３３ミリモル）を中低圧液体クロマトグラフィー
［条件：ＬＯＢＡＲカラムＬｉＣＨＲＯＰＲＥＰＳｉ６
０（メルク社）：サイズ内径３７ｍｍ、高さ４００ｍ
ｍ、溶離液ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９
５／５（容量比）、流量５Ｌ／ｍｉｎ、供給量３ｇ、検
出紫外検出器波長２５４ｎｍの紫外吸収］にかけ、第１
ピークである第一フラクションおよび第２ピークである
第二フラクシュンを各々分取した後、減圧濃縮し溶離液
を留去し、無色透明な液状の第一フラクションからの生
成物［収量５．１２ｇ（２２．２６ミリモル）収得率６
７．５％］および無色透明な液状の第二フラクションか
らの生成物［収量１．７１ｇ（７．４２ミリモル）収得
率２２．５％］を得た。
【０１８２】これらの生成物の1ＨＮＭＲスペクトル、
ＩＲ吸収スペクトルおよびＭＳスペクトルはジアステレ
オマー混合物−１と一致し、２−ヒドロキシ−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリプルオロヘプタ
ンであった。また19ＦＮＭＲスペクトルおよび光学活性
ガスクロマトグラフィーは各々１本ずつのピークが認め
られ、第一フラクションからの生成物の19ＦＮＭＲスペ
クトルおよび光学活性ガスクロマトグラフィーは上述の
ジアステレオマー混合物−１の19ＦＮＭＲスペクトルの
第１ピーク（−２．３６ｐｐｍ）、光学活性ガスクロマ
トグラフィーの第１ピーク（保持時間２６．１１分）と
一致したことより、第一フラクションからの生成物はｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリプルオロヘフタンで
あった。
ＩＲ吸収スペクトルおよびＭＳスペクトルはジアステレ
オマー混合物−１と一致し、２−ヒドロキシ−３−メト
キシ−７−メトキシ−１，１，１−トリプルオロヘプタ
ンであった。また19ＦＮＭＲスペクトルおよび光学活性
ガスクロマトグラフィーは各々１本ずつのピークが認め
られ、第一フラクションからの生成物の19ＦＮＭＲスペ
クトルおよび光学活性ガスクロマトグラフィーは上述の
ジアステレオマー混合物−１の19ＦＮＭＲスペクトルの
第１ピーク（−２．３６ｐｐｍ）、光学活性ガスクロマ
トグラフィーの第１ピーク（保持時間２６．１１分）と
一致したことより、第一フラクションからの生成物はｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリプルオロヘフタンで
あった。
【０１８３】また、第二フラクションからの生成物の19
ＦＮＭＲスペクトル、光学活性ガスクロマトグラフィー
は上記ジアステレオマー混合物−１の19ＦＮＭＲスペク
トルの第２ピーク（−４．４１ｐｐｍ）、光学活性ガス
クロマトグラフィーの第２ピーク（保持時間２６．６８
分）と一致したことより、第二フラクションからの生成
物はａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタンであった。
ＦＮＭＲスペクトル、光学活性ガスクロマトグラフィー
は上記ジアステレオマー混合物−１の19ＦＮＭＲスペク
トルの第２ピーク（−４．４１ｐｐｍ）、光学活性ガス
クロマトグラフィーの第２ピーク（保持時間２６．６８
分）と一致したことより、第二フラクションからの生成
物はａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタンであった。
【０１８４】第一フラクションからの生成物：ｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ン 分取時間８５〜９０分、収得量５．１２ｇ（２２．２６
ミリモル）、収得率６７．５％、収得比率７５％19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）−２．３６ｐｐｍ、ｓｙｎ体、光学活性ガスク
ロマトグラフィー保持時間２６．１１分、ｓｙｎ体（２
Ｓ，３Ｒ）型 第二フラクションからの生成物：ａｎｔｉ体（２Ｓ，３
Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン 分取時間１１５〜１３５分、収得量１．７１ｇ（７．４
２ミリモル）、収得率２２．５％、収得比率２５％19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）−４．４１ｐｐｍ、ａｎｔｉ体、光学活性ガス
クロマトグラフィー保持時間２６．６８分、ａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型
（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ン 分取時間８５〜９０分、収得量５．１２ｇ（２２．２６
ミリモル）、収得率６７．５％、収得比率７５％19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）−２．３６ｐｐｍ、ｓｙｎ体、光学活性ガスク
ロマトグラフィー保持時間２６．１１分、ｓｙｎ体（２
Ｓ，３Ｒ）型 第二フラクションからの生成物：ａｎｔｉ体（２Ｓ，３
Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン 分取時間１１５〜１３５分、収得量１．７１ｇ（７．４
２ミリモル）、収得率２２．５％、収得比率２５％19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）−４．４１ｐｐｍ、ａｎｔｉ体、光学活性ガス
クロマトグラフィー保持時間２６．６８分、ａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型
【０１８５】第１段反応で得たジアステレオマー混合物
−２ ７．５９ｇ（３３ミリモル）を上記と同様な条件
で、中低圧液体クロマトグラフィーにかけ、第一フラク
ションと第二フラクションに分取し、減圧濃縮し、溶離
液を留去し、無色透明な液状の第一フラクションからの
生成物［収量３．７６ｇ（１６．３５ミリモル）収得率
４９．５％］および無色透明な液状の第二フラクション
からの生成物［収量３．０７ｇ（１３．５５ミリモル）
収得率４０．５％］を得た。
−２ ７．５９ｇ（３３ミリモル）を上記と同様な条件
で、中低圧液体クロマトグラフィーにかけ、第一フラク
ションと第二フラクションに分取し、減圧濃縮し、溶離
液を留去し、無色透明な液状の第一フラクションからの
生成物［収量３．７６ｇ（１６．３５ミリモル）収得率
４９．５％］および無色透明な液状の第二フラクション
からの生成物［収量３．０７ｇ（１３．５５ミリモル）
収得率４０．５％］を得た。
【０１８６】また、これらの生成物の19ＦＮＭＲスペク
トルおよび光学活性ガスクロマトグラフィーは各々１本
ずつのピークが認められ、第一フラクションからの生成
物はジアステレオマー混合物−２の光学活性ガスクロマ
トグラフィーの第１ピーク（保持時間２５．６６分）、
19ＦＮＭＲスペクトルの第１ピーク（−２．３６ｐｐ
ｍ）と一致したことより、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２
−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロヘプタンであり、第二フラクションか
らの生成物はジアステレオマー混合物−２の光学活性ガ
スクロマトグラフィーの第２ピーク（保持時間２６．９
３分）、19ＦＮＭＲスペクトルの第２ピーク（−４．４
１ｐｐｍ）と一致したことより、ａｎｔｉ−（２Ｒ，３
Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタンであった。
トルおよび光学活性ガスクロマトグラフィーは各々１本
ずつのピークが認められ、第一フラクションからの生成
物はジアステレオマー混合物−２の光学活性ガスクロマ
トグラフィーの第１ピーク（保持時間２５．６６分）、
19ＦＮＭＲスペクトルの第１ピーク（−２．３６ｐｐ
ｍ）と一致したことより、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２
−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロヘプタンであり、第二フラクションか
らの生成物はジアステレオマー混合物−２の光学活性ガ
スクロマトグラフィーの第２ピーク（保持時間２６．９
３分）、19ＦＮＭＲスペクトルの第２ピーク（−４．４
１ｐｐｍ）と一致したことより、ａｎｔｉ−（２Ｒ，３
Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタンであった。
【０１８７】第一フラクションからの生成物：ｓｙｎ体
（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ン 分取時間８５〜９０分、収得量３．７６ｇ（１６．３５
ミリモル）、収得率４９．５％、収得比率５５％19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）−２．３６ｐｐｍ、ｓｙｎ体、光学活性ガスク
ロマトグラフィー保持時間２５．６６分、ｓｙｎ体（２
Ｒ，３Ｓ）型 第二フラクションからの生成物：ａｎｔｉ体（２Ｒ，３
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン 分取時間１１５〜１３５分、収得量３．０７ｇ（１３．
３５ミリモル）、収得率４０．５％、収得比率４５％19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）−４．４１ｐｐｍ、ａｎｔｉ体、光学活性ガス
クロマトグラフィー保持時間２６．９３分、ａｎｔｉ体
（２Ｒ，３Ｒ）型
（２Ｒ，３Ｓ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ン 分取時間８５〜９０分、収得量３．７６ｇ（１６．３５
ミリモル）、収得率４９．５％、収得比率５５％19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）−２．３６ｐｐｍ、ｓｙｎ体、光学活性ガスク
ロマトグラフィー保持時間２５．６６分、ｓｙｎ体（２
Ｒ，３Ｓ）型 第二フラクションからの生成物：ａｎｔｉ体（２Ｒ，３
Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタン 分取時間１１５〜１３５分、収得量３．０７ｇ（１３．
３５ミリモル）、収得率４０．５％、収得比率４５％19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）−４．４１ｐｐｍ、ａｎｔｉ体、光学活性ガス
クロマトグラフィー保持時間２６．９３分、ａｎｔｉ体
（２Ｒ，３Ｒ）型
【０１８８】［実施例２：ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液
晶化合物：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、およびａｎ
ｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物：ａｎｔｉ−（２
Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シルオキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンである本発明
化合物の製造］（第３段〜第４段反応） ［第３段反応：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−（４′−
ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−メトキシ−７−メ
トキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン｛以下、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘ
プタンという｝、およびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２
−（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−メトキ
シ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン
｛以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾ
イルオキシヘプタンという｝の各製造］
晶化合物：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、およびａｎ
ｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物：ａｎｔｉ−（２
Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シルオキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンである本発明
化合物の製造］（第３段〜第４段反応） ［第３段反応：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−（４′−
ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−メトキシ−７−メ
トキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン｛以下、ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘ
プタンという｝、およびａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２
−（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−メトキ
シ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン
｛以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾ
イルオキシヘプタンという｝の各製造］
【０１８９】［第３段反応−１：中間生成物−１および
中間生成物−２の各製造］温度計、撹拌機、還流冷却器
および滴下ロートを備えた４つ口丸底フラスコにｎ−ヘ
キサンで洗浄、精製、乾燥した水素化ナトリウム１３２
ｍｇ（５．５ミリモル）とジエチルエーテル２ｍｌを入
れ、氷水バスに挿入し、撹拌しながら、０℃の懸濁液を
調合した。次いで滴下ロートに実施例１で得たｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ン１，１５０ｍｇ（５ミリモル）とジエチルエーテル１
３ｍｌを入れ、撹拌しながら、５分間かけて滴下した。
滴下完了後、氷水バスを取り去り、撹拌しながら、室温
まで昇温し、引きつづき６０分間撹拌保持して反応を完
結させ、反応生成物溶液を得た。次いで、反応生成物溶
液入フラスコを再度氷水バスに浸漬し、０℃に調整し
た。別途滴下ロートに４−ベンジルオキシベンゾイルク
ロリド１，４８０ｍｇ（６ミリモル）とジエチルエーテ
ル８ｍｌを入れ、１０分間かけて滴下した。
中間生成物−２の各製造］温度計、撹拌機、還流冷却器
および滴下ロートを備えた４つ口丸底フラスコにｎ−ヘ
キサンで洗浄、精製、乾燥した水素化ナトリウム１３２
ｍｇ（５．５ミリモル）とジエチルエーテル２ｍｌを入
れ、氷水バスに挿入し、撹拌しながら、０℃の懸濁液を
調合した。次いで滴下ロートに実施例１で得たｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタ
ン１，１５０ｍｇ（５ミリモル）とジエチルエーテル１
３ｍｌを入れ、撹拌しながら、５分間かけて滴下した。
滴下完了後、氷水バスを取り去り、撹拌しながら、室温
まで昇温し、引きつづき６０分間撹拌保持して反応を完
結させ、反応生成物溶液を得た。次いで、反応生成物溶
液入フラスコを再度氷水バスに浸漬し、０℃に調整し
た。別途滴下ロートに４−ベンジルオキシベンゾイルク
ロリド１，４８０ｍｇ（６ミリモル）とジエチルエーテ
ル８ｍｌを入れ、１０分間かけて滴下した。
【０１９０】滴下完了後、氷水バスを取り去り、撹拌し
ながら、室温まで昇温し、引き続き３時間撹拌保持し、
反応を完結させた。反応終了後、１規定塩酸５ｍｌを入
れ、１６分間撹拌した後、１０％炭酸水素ナトリウム水
溶液でｐＨ８に調整した。次いで、エーテル抽出し、抽
出液を水洗した後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分
を除去した後、溶媒を減圧留去し、淡黄色のシロップ状
の残渣である中間生成物−１を得た。ｓｙｎ体（２Ｓ，
３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの代わ
りに実施例１で得たａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシヘプタンを用いた以外は上記と
同様な操作を行い、淡黄色のシロップ状の残渣である中
間生成物−２を得た。
ながら、室温まで昇温し、引き続き３時間撹拌保持し、
反応を完結させた。反応終了後、１規定塩酸５ｍｌを入
れ、１６分間撹拌した後、１０％炭酸水素ナトリウム水
溶液でｐＨ８に調整した。次いで、エーテル抽出し、抽
出液を水洗した後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分
を除去した後、溶媒を減圧留去し、淡黄色のシロップ状
の残渣である中間生成物−１を得た。ｓｙｎ体（２Ｓ，
３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの代わ
りに実施例１で得たａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシヘプタンを用いた以外は上記と
同様な操作を行い、淡黄色のシロップ状の残渣である中
間生成物−２を得た。
【０１９１】［第３段反応−２：ｓｙｎ体（２Ｓ，３
Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン、およびａ
ｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシ
ヘプタンの各製造］温度計、撹拌機、滴下ロート、水素
ガスチャージ管およびポリエチレン樹脂風船を備えた密
閉型５ツ口丸底フラスコに、上記第３段反応−１で得た
中間生成物−１の全量とメタノール２７ｍｌを入れ、撹
拌しながら、均一な溶液を得た。次いで、滴下ロートに
１０％パラジウム炭素触媒３６ｍｇを入れ、撹拌しなが
ら、ゆっくり滴下し、均一に分散された懸濁液を調合し
た。次いで、室温で、撹拌しながら、圧力１．１ｋｇ／
ｃｍ2程度の水素ガスで反応系をシールし、還元反応を
行った。還元反応は懸濁液を撹拌しながら、水素ガスの
吸収がなくなるまで、３時間水素ガスを供給し、反応を
完結した。
Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン、およびａ
ｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシ
ヘプタンの各製造］温度計、撹拌機、滴下ロート、水素
ガスチャージ管およびポリエチレン樹脂風船を備えた密
閉型５ツ口丸底フラスコに、上記第３段反応−１で得た
中間生成物−１の全量とメタノール２７ｍｌを入れ、撹
拌しながら、均一な溶液を得た。次いで、滴下ロートに
１０％パラジウム炭素触媒３６ｍｇを入れ、撹拌しなが
ら、ゆっくり滴下し、均一に分散された懸濁液を調合し
た。次いで、室温で、撹拌しながら、圧力１．１ｋｇ／
ｃｍ2程度の水素ガスで反応系をシールし、還元反応を
行った。還元反応は懸濁液を撹拌しながら、水素ガスの
吸収がなくなるまで、３時間水素ガスを供給し、反応を
完結した。
【０１９２】還元反応完了後、得られた反応懸濁液を濾
過し、パラジウム炭素触媒を除去し、濾液を減圧濃縮し
てメタノールを留去した後、副生したトルエンは真空ポ
ンプを稼働させて除去し、シロップ状の残渣を得た。こ
の残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離液
ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９５／５（容
量比）］で精製し、無色透明な液状の生成物−１［収量
１，２６０ｍｇ（３．６ミリモル）収率７２％］を得
た。この生成物−１の各種スペクトルを測定した結果は
次の通りであり、２−（４′−ヒドロキシベンゾイルオ
キシ）−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタンであることが確認できた。なお1Ｈ
ＮＭＲスペクトル図を示すと図４となった。
過し、パラジウム炭素触媒を除去し、濾液を減圧濃縮し
てメタノールを留去した後、副生したトルエンは真空ポ
ンプを稼働させて除去し、シロップ状の残渣を得た。こ
の残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離液
ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９５／５（容
量比）］で精製し、無色透明な液状の生成物−１［収量
１，２６０ｍｇ（３．６ミリモル）収率７２％］を得
た。この生成物−１の各種スペクトルを測定した結果は
次の通りであり、２−（４′−ヒドロキシベンゾイルオ
キシ）−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタンであることが確認できた。なお1Ｈ
ＮＭＲスペクトル図を示すと図４となった。
【０１９３】1ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3）：１．
２２〜１．４４ｐｐｍ（４Ｈ）、１．６２〜１．７１ｐ
ｐｍ（２Ｈ）、２．０７〜２．１６ｐｐｍ（２Ｈ）、
２．５０ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、２．５６ｐｐｍ（Ｓ）
（３Ｈ）、３．９３〜４．００ｐｐｍ（１Ｈ）、４．３
３〜４．３６ｐｐｍ（１Ｈ）、５．１８〜５．２１ｐｐ
ｍ（１Ｈ）、６．８６〜８．３５ｐｐｍ（ＡＢパター
ン）（４Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）：−２．０７ｐｐｍ ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１２０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，７３０ｃｍ-1（ＣＯＯ）、３，４２
０ｃｍ-1（ＯＨ）、 ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ３５０（Ｍ+）
２２〜１．４４ｐｐｍ（４Ｈ）、１．６２〜１．７１ｐ
ｐｍ（２Ｈ）、２．０７〜２．１６ｐｐｍ（２Ｈ）、
２．５０ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、２．５６ｐｐｍ（Ｓ）
（３Ｈ）、３．９３〜４．００ｐｐｍ（１Ｈ）、４．３
３〜４．３６ｐｐｍ（１Ｈ）、５．１８〜５．２１ｐｐ
ｍ（１Ｈ）、６．８６〜８．３５ｐｐｍ（ＡＢパター
ン）（４Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）：−２．０７ｐｐｍ ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１２０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，７３０ｃｍ-1（ＣＯＯ）、３，４２
０ｃｍ-1（ＯＨ）、 ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ３５０（Ｍ+）
【０１９４】上記生成物−１を光学活性液体クロマトグ
ラフィー［条件：光学異性体分離用カラム：｛商品名、
アミロース系光学異性体分離用ＨＰＬＣカラム：ダイセ
ル工業（株）｝、分離剤：アミロース・トリス｛（Ｓ）
−１−フェニルエチルカルバメート｝をシリカゲルでコ
ーティングしたもの（グレードＣＨＩＲＡＬＰＡＫ．Ａ
Ｓ）、サイズ：内径４．６ｍ／ｍ、長さ２５０ｍ／ｍ、
溶離液：ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９５
／５（容量比）、流速：０．５ｍｌ／ｍｉｎ、試料：
０．１ｍｇ、検出：紫外検出器、波長２５４ｎｍの紫外
吸収］にかけると、１本の光学活性ピークが認められ、
その保持時間は１０．４７分であった。
ラフィー［条件：光学異性体分離用カラム：｛商品名、
アミロース系光学異性体分離用ＨＰＬＣカラム：ダイセ
ル工業（株）｝、分離剤：アミロース・トリス｛（Ｓ）
−１−フェニルエチルカルバメート｝をシリカゲルでコ
ーティングしたもの（グレードＣＨＩＲＡＬＰＡＫ．Ａ
Ｓ）、サイズ：内径４．６ｍ／ｍ、長さ２５０ｍ／ｍ、
溶離液：ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９５
／５（容量比）、流速：０．５ｍｌ／ｍｉｎ、試料：
０．１ｍｇ、検出：紫外検出器、波長２５４ｎｍの紫外
吸収］にかけると、１本の光学活性ピークが認められ、
その保持時間は１０．４７分であった。
【０１９５】したがって、実施例１で得たｓｙｎ体（２
Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの
２位の不斉炭素原子に結合した水酸基と水素化ナトリウ
ムとを反応させ、ナトリウムアルコラート化し、次い
で、４−ベンジルオキシベンゾイルクロリドと反応さ
せ、４′−ベンジルオキシベンゾイルオキシ化し、次い
で、パラジウム炭素触媒の存在下、水素で還元すること
により、生成物−１が得られる反応では、光学活性液体
クロマトグラフィー分析より、１本の光学活性ピークし
か認められないことより、反応前後の２位と３位の不斉
炭素原子の絶対配置は変化しないことが判明し、生成物
−１はｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−（４′−ヒドロキ
シベンゾイルオキシ）−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、ｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン
という］であった。また、19ＦＮＭＲスペクトルのピー
ク（−２．０７ｐｐｍ）はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒ
ドロキシベンゾイルオキシヘプタンであることが確認さ
れた。
Ｓ，３Ｒ）型２−ヒドロキシ−３−メトキシヘプタンの
２位の不斉炭素原子に結合した水酸基と水素化ナトリウ
ムとを反応させ、ナトリウムアルコラート化し、次い
で、４−ベンジルオキシベンゾイルクロリドと反応さ
せ、４′−ベンジルオキシベンゾイルオキシ化し、次い
で、パラジウム炭素触媒の存在下、水素で還元すること
により、生成物−１が得られる反応では、光学活性液体
クロマトグラフィー分析より、１本の光学活性ピークし
か認められないことより、反応前後の２位と３位の不斉
炭素原子の絶対配置は変化しないことが判明し、生成物
−１はｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−（４′−ヒドロキ
シベンゾイルオキシ）−３−メトキシ−７−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロヘプタン［以下、ｓｙｎ体
（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン
という］であった。また、19ＦＮＭＲスペクトルのピー
ク（−２．０７ｐｐｍ）はｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒ
ドロキシベンゾイルオキシヘプタンであることが確認さ
れた。
【０１９６】また、第３段反応−１で得た中間生成物−
１の代わりにａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシヘプタンから誘導された中間生成物−
２の全量を用い、上記と同様な操作を行うことにより、
無色透明な液状の生成物［収量１，２６０ｍｇ（３．６
ミリモル）収率７２％］を得た。この生成物−２の各種
スペクトルおよび光学活性液体クロマトグラフィーを測
定した結果、1ＨＮＭＲスペクトル、ＩＲ吸収スペクト
ル、ＭＳスペクトルは上記と同様であり、光学活性液体
クロマトグラフィーおよび19ＦＮＭＲスペクトルは各々
１本ずつのピークが認められ、それらのピークの保持時
間およびｐｐｍは上記と異なることから、上記と同様の
理由で、生成物−２はａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−
（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン
［以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾ
イルオキシヘプタンという］であった。 光学活性液体クロマトグラフィー：保持時間１２．８８
分、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイル
オキシヘプタン19 ＦＮＭＲスペクトル：−２．５８ｐｐｍ ａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン
１の代わりにａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型２−ヒドロキ
シ−３−メトキシヘプタンから誘導された中間生成物−
２の全量を用い、上記と同様な操作を行うことにより、
無色透明な液状の生成物［収量１，２６０ｍｇ（３．６
ミリモル）収率７２％］を得た。この生成物−２の各種
スペクトルおよび光学活性液体クロマトグラフィーを測
定した結果、1ＨＮＭＲスペクトル、ＩＲ吸収スペクト
ル、ＭＳスペクトルは上記と同様であり、光学活性液体
クロマトグラフィーおよび19ＦＮＭＲスペクトルは各々
１本ずつのピークが認められ、それらのピークの保持時
間およびｐｐｍは上記と異なることから、上記と同様の
理由で、生成物−２はａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−
（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−メトキシ
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン
［以下、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾ
イルオキシヘプタンという］であった。 光学活性液体クロマトグラフィー：保持時間１２．８８
分、ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイル
オキシヘプタン19 ＦＮＭＲスペクトル：−２．５８ｐｐｍ ａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン
【０１９７】［第４段反応：ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型
液晶化合物：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、およびａｎ
ｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物：ａｎｔｉ−（２
Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シルオキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンである本発明
化合物の製造］温度計、撹拌機、還流冷却器および滴下
ロートを備えた４ツ口丸底フラスコに第３段反応−２で
得たｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオ
キシヘプタン３５０ｍｇ（１ミリモル）と４−（４′−
ｎ−デシルフェニル）ベンゾイックアシッド３５４ｍｇ
（１．０５ミリモル）と、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミ
ノピリジン７３ｍｇ（０．６ミリモル）および塩化メチ
レン３０ｍｌを入れ、室温で撹拌して均一な溶液を調合
した。次いで、滴下ロートにジシクロヘキシルカルボジ
イミド３０９ｍｇ（１．５ミリモル）を入れ、撹拌しな
がら、滴下し、引きつづき４時間撹拌保持して反応を完
結させた。
液晶化合物：ｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−
｛４″−（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタン、およびａｎ
ｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物：ａｎｔｉ−（２
Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シルオキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンである本発明
化合物の製造］温度計、撹拌機、還流冷却器および滴下
ロートを備えた４ツ口丸底フラスコに第３段反応−２で
得たｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオ
キシヘプタン３５０ｍｇ（１ミリモル）と４−（４′−
ｎ−デシルフェニル）ベンゾイックアシッド３５４ｍｇ
（１．０５ミリモル）と、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミ
ノピリジン７３ｍｇ（０．６ミリモル）および塩化メチ
レン３０ｍｌを入れ、室温で撹拌して均一な溶液を調合
した。次いで、滴下ロートにジシクロヘキシルカルボジ
イミド３０９ｍｇ（１．５ミリモル）を入れ、撹拌しな
がら、滴下し、引きつづき４時間撹拌保持して反応を完
結させた。
【０１９８】反応完了後、析出したジシクロヘキシル尿
素の白色結晶を濾過して除去し、濾液を１規定塩酸、１
０％炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順で洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、減圧
濃縮して塩化メチレンを留去し、シロップ状の残渣を得
た。この残渣にエタノール１０ｍｌを加えて、加熱還流
し、溶解した後、冷却晶析し白色の粗結晶を得た。この
粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離液
ｎ−ヘキサン／アセトニトリル＝９０／１０（容量
比）］で精製し、シロップ状の生成物−１［収量５３６
ｍｇ（０．８ミリモル）収率８０％］を得た。
素の白色結晶を濾過して除去し、濾液を１規定塩酸、１
０％炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順で洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、減圧
濃縮して塩化メチレンを留去し、シロップ状の残渣を得
た。この残渣にエタノール１０ｍｌを加えて、加熱還流
し、溶解した後、冷却晶析し白色の粗結晶を得た。この
粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離液
ｎ−ヘキサン／アセトニトリル＝９０／１０（容量
比）］で精製し、シロップ状の生成物−１［収量５３６
ｍｇ（０．８ミリモル）収率８０％］を得た。
【０１９９】この生成物−１の1ＨＮＭＲスペクトル、
19ＦＮＭＲスペクトル、ＩＲ吸収スペクトルおよびＭＳ
スペクトルを測定した結果は次の通りであり、２−
［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベ
ンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−
７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンであ
った。また、この生成物−１は第３段反応−２で得たｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘ
プタンの２位と３位の不斉炭素原子の絶対配置には無関
係の場所で反応が行われているから、２位と３位の不斉
中心は反応前後では変化しないことより、ｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シルフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタン［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化
合物という］の本発明化合物であることが確認できた。
1ＨＮＭＲスペクトル図を図５に示した。
19ＦＮＭＲスペクトル、ＩＲ吸収スペクトルおよびＭＳ
スペクトルを測定した結果は次の通りであり、２−
［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デシルフェニル）ベ
ンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−
７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンであ
った。また、この生成物−１は第３段反応−２で得たｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘ
プタンの２位と３位の不斉炭素原子の絶対配置には無関
係の場所で反応が行われているから、２位と３位の不斉
中心は反応前後では変化しないことより、ｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シルフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタン［以下、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化
合物という］の本発明化合物であることが確認できた。
1ＨＮＭＲスペクトル図を図５に示した。
【０２００】1ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3）：１．
１３〜１．５１ｐｐｍ（２７Ｈ）、２．０７〜２．１１
ｐｐｍ（２Ｈ）、２．５０ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、２．
５９ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、３．９３〜３．９９ｐｐｍ
（１Ｈ）、４．３３〜４．３８ｐｐｍ（１Ｈ）、６．９
６〜８．０４ｐｐｍ（ＡＢパターン）（１２Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）：−５．１７ｐｐｍ ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１３０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，６８０ｃｍ-1（ＣＯＯ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ６７０（Ｍ+）
１３〜１．５１ｐｐｍ（２７Ｈ）、２．０７〜２．１１
ｐｐｍ（２Ｈ）、２．５０ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、２．
５９ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、３．９３〜３．９９ｐｐｍ
（１Ｈ）、４．３３〜４．３８ｐｐｍ（１Ｈ）、６．９
６〜８．０４ｐｐｍ（ＡＢパターン）（１２Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）：−５．１７ｐｐｍ ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１３０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，６８０ｃｍ-1（ＣＯＯ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ６７０（Ｍ+）
【０２０１】また、第３段反応−２で得たｓｙｎ体（２
Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン３５
０ｍｇ（１ミリモル）の代わりに第３段反応−２で得た
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキ
シヘプタン３５０ｍｇ（１ミリモル）、および４−
（４′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイックアシッド３
５４ｍｇ（１．０５ミリモル）の代わりに４−（４′−
ｎ−デシルオキシ−３′−フルオロフェニル）ベンゾイ
ックアシッド３９１ｍｇ（１．０５ミリモル）を用いた
以外は上記と同様な操作を行い、シロップ状の生成物−
２［収量５６３ｍｇ（０．８ミリモル）収率８０％］を
得た。
Ｓ，３Ｒ）型ヒドロキシベンゾイルオキシヘプタン３５
０ｍｇ（１ミリモル）の代わりに第３段反応−２で得た
ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型ヒドロキシベンゾイルオキ
シヘプタン３５０ｍｇ（１ミリモル）、および４−
（４′−ｎ−デシルフェニル）ベンゾイックアシッド３
５４ｍｇ（１．０５ミリモル）の代わりに４−（４′−
ｎ−デシルオキシ−３′−フルオロフェニル）ベンゾイ
ックアシッド３９１ｍｇ（１．０５ミリモル）を用いた
以外は上記と同様な操作を行い、シロップ状の生成物−
２［収量５６３ｍｇ（０．８ミリモル）収率８０％］を
得た。
【０２０２】この生成物−２の各種スペクトルを測定し
た結果は次の通りであり、かつ、２位と３位の不斉炭素
原子の絶対配置には無関係の場所で反応が行われるた
め、２位と３位の不斉炭素原子の不斉中心は反応前後で
は変化しないことより、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２
−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デシルオキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタン［以下、ａｎｔｉ体（２
Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物という］の本発明化合物である
ことが確認できた。1ＨＮＭＲスペクトル図を図６に示
した。
た結果は次の通りであり、かつ、２位と３位の不斉炭素
原子の絶対配置には無関係の場所で反応が行われるた
め、２位と３位の不斉炭素原子の不斉中心は反応前後で
は変化しないことより、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２
−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デシルオキシ−
３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベン
ゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロヘプタン［以下、ａｎｔｉ体（２
Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物という］の本発明化合物である
ことが確認できた。1ＨＮＭＲスペクトル図を図６に示
した。
【０２０３】1ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3）：１．
０４〜１．５６ｐｐｍ（２７Ｈ）、２．０８〜２．１３
ｐｐｍ（２Ｈ）、２．５２ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、２．
６１ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、３．９１〜４．０１ｐｐｍ
（１Ｈ）、４．３５〜４．４１ｐｐｍ（１Ｈ）、７．４
５〜７．６１ｐｐｍ（ＡＢパターン）（１１Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）：＋５２．００ｐｐｍ（Ｆ）、−４．９２ｐｐ
ｍ ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１３０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，７２０ｃｍ-1（ＣＯＯ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ７０４（Ｍ+）
０４〜１．５６ｐｐｍ（２７Ｈ）、２．０８〜２．１３
ｐｐｍ（２Ｈ）、２．５２ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、２．
６１ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、３．９１〜４．０１ｐｐｍ
（１Ｈ）、４．３５〜４．４１ｐｐｍ（１Ｈ）、７．４
５〜７．６１ｐｐｍ（ＡＢパターン）（１１Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）：＋５２．００ｐｐｍ（Ｆ）、−４．９２ｐｐ
ｍ ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１３０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，７２０ｃｍ-1（ＣＯＯ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ７０４（Ｍ+）
【０２０４】［実施例３：ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液
晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物
の有用性を示す試験例］ ［ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物およびａｎｔｉ
体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物の相転移温度の測定］ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物およびａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物について、ＤＳＣおよび後
述の液晶表示素子の電場応答を偏光顕微鏡で観察するこ
とにより、相転移温度を測定した結果は次の通り。ただ
し、Ｃｒｙ：結晶相、Ｓ CA☆：反強誘電性液晶相、Ｓ
C☆：強誘電性液晶相、ＳＡ：スメクチックＡ相および
ＩＳＯ：等方性液体相を表わす。また、上段の値は２℃
／ｍｉｎで昇温したとき、下段の値は２℃／ｍｉｎで降
温したときの相転移温度を示す。 ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物：ｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シルフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタン
晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物
の有用性を示す試験例］ ［ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物およびａｎｔｉ
体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物の相転移温度の測定］ｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物およびａｎｔｉ体
（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物について、ＤＳＣおよび後
述の液晶表示素子の電場応答を偏光顕微鏡で観察するこ
とにより、相転移温度を測定した結果は次の通り。ただ
し、Ｃｒｙ：結晶相、Ｓ CA☆：反強誘電性液晶相、Ｓ
C☆：強誘電性液晶相、ＳＡ：スメクチックＡ相および
ＩＳＯ：等方性液体相を表わす。また、上段の値は２℃
／ｍｉｎで昇温したとき、下段の値は２℃／ｍｉｎで降
温したときの相転移温度を示す。 ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物：ｓｙｎ−（２
Ｓ，３Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シルフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］
−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタン
【０２０５】
【化４０】
【０２０６】ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物：
ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシルオキシ−３′′′−フルオロフ
ェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタン
ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−ｎ−デシルオキシ−３′′′−フルオロフ
ェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタン
【０２０７】
【化４１】
【０２０８】となり、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化
合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物は低
温から室温までの広い温度領域で反強誘電性液晶相を示
した。
合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物は低
温から室温までの広い温度領域で反強誘電性液晶相を示
した。
【０２０９】（液晶表示素子の作製）透明電極付きの２
枚のガラス基板に、ポリイミドをスピンコートした配向
膜をラビング処理し、それぞれのラビング方向が互に平
行になるように、１．７μｍのギャップ間隔で貼り合せ
て、セルを組み立てた。上記で得られたセルに実施例２
で得たｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物、およびａ
ｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物を加熱し、等方性
液体相にして注入した。次いで、液晶状態まで徐冷し
た。この液晶入セルを透過軸を直交させた偏光子と検光
子で挟み、カイラルスメクチックＣ相における分子層の
法線方向と偏光子または検光子の方向が一致するように
設置し、電界無印加時（０Ｖ）のとき、第３安定状態を
暗状態とし、電界印加によって、カイラルスメクチック
Ｃ相に変化させ、その状態を明状態として用いることに
より、暗および明の表示を行うことができる液晶表示素
子を作製した。すなわち、印加電圧が０Ｖのとき透過光
量が最小となるように偏光子に対するセルの角度を調整
した。なお、透過光量は検光子の透過軸を回転させ、偏
光子の透過軸と一致させたときの値を１００％とした。
枚のガラス基板に、ポリイミドをスピンコートした配向
膜をラビング処理し、それぞれのラビング方向が互に平
行になるように、１．７μｍのギャップ間隔で貼り合せ
て、セルを組み立てた。上記で得られたセルに実施例２
で得たｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物、およびａ
ｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物を加熱し、等方性
液体相にして注入した。次いで、液晶状態まで徐冷し
た。この液晶入セルを透過軸を直交させた偏光子と検光
子で挟み、カイラルスメクチックＣ相における分子層の
法線方向と偏光子または検光子の方向が一致するように
設置し、電界無印加時（０Ｖ）のとき、第３安定状態を
暗状態とし、電界印加によって、カイラルスメクチック
Ｃ相に変化させ、その状態を明状態として用いることに
より、暗および明の表示を行うことができる液晶表示素
子を作製した。すなわち、印加電圧が０Ｖのとき透過光
量が最小となるように偏光子に対するセルの角度を調整
した。なお、透過光量は検光子の透過軸を回転させ、偏
光子の透過軸と一致させたときの値を１００％とした。
【０２１０】（液晶表示素子の評価）上記で作成したｓ
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物の表示素子を用い、
２０℃において印加電圧±１０Ｖに対する透過光量変化
を測定した図を図７に示した。図７より１つの暗状態と
２つの明状態を示したダブルヒステリシス曲線が得られ
た。また、２０℃における印加電圧変化に対する透過光
量変化により、液晶表示素子の性能を測定した結果は以
下の通り。（セル膜厚１．７μｍ、測定温度２０℃、印
加電圧±１０Ｖの条件で測定する） 応答時間：３５．７／４２．９μｓ［（暗→明／明→
暗）状態に変化させた時間］ 閾値電圧：４．７Ｖ／μｍ（完全に明状態になる電圧） チルト角：３３°（閾値電圧のとき、光軸が偏光子とな
す角度）
ｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物の表示素子を用い、
２０℃において印加電圧±１０Ｖに対する透過光量変化
を測定した図を図７に示した。図７より１つの暗状態と
２つの明状態を示したダブルヒステリシス曲線が得られ
た。また、２０℃における印加電圧変化に対する透過光
量変化により、液晶表示素子の性能を測定した結果は以
下の通り。（セル膜厚１．７μｍ、測定温度２０℃、印
加電圧±１０Ｖの条件で測定する） 応答時間：３５．７／４２．９μｓ［（暗→明／明→
暗）状態に変化させた時間］ 閾値電圧：４．７Ｖ／μｍ（完全に明状態になる電圧） チルト角：３３°（閾値電圧のとき、光軸が偏光子とな
す角度）
【０２１１】また、上記で作成したａｎｔｉ体（２Ｓ，
３Ｓ）型液晶化合物の表示素子を用い、１５℃において
印加電圧±１６Ｖに対する透過光量変化を測定した図を
図８に示した。図８より１つの暗状態と２つの明状態を
示したダブルヒステリシス曲線が得られた。また、１５
℃における印加電圧変化に対する透過光量変化により、
液晶表示素子の性能を測定した結果は以下の通り。（セ
ル膜厚１．７μｍ、測定温度１５℃、印加電圧±１６Ｖ
の条件で測定する） 応答時間：４７．５／５７．１μｓ［（暗→明／明→
暗）状態に変化させた時間］ 閾値電圧：８．２Ｖ／μｍ（完全に明状態になる電圧） チルト角：４０．５°（閾値電圧のとき、光軸が偏光子
となす角度）
３Ｓ）型液晶化合物の表示素子を用い、１５℃において
印加電圧±１６Ｖに対する透過光量変化を測定した図を
図８に示した。図８より１つの暗状態と２つの明状態を
示したダブルヒステリシス曲線が得られた。また、１５
℃における印加電圧変化に対する透過光量変化により、
液晶表示素子の性能を測定した結果は以下の通り。（セ
ル膜厚１．７μｍ、測定温度１５℃、印加電圧±１６Ｖ
の条件で測定する） 応答時間：４７．５／５７．１μｓ［（暗→明／明→
暗）状態に変化させた時間］ 閾値電圧：８．２Ｖ／μｍ（完全に明状態になる電圧） チルト角：４０．５°（閾値電圧のとき、光軸が偏光子
となす角度）
【０２１２】以上の結果、ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液
晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物
は低温から室温までの広い温度領域の反強誘電性液晶相
を有し、それらを用いた液晶表示素子は３安定状態のダ
ブルヒステリシス曲線を示し、応答速度が早く、閾値電
圧が小さく、かつチルト角が大きく壁掛けテレビ用液晶
材料等として優れた反強誘電性液晶化合物であることが
確認できた。
晶化合物およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物
は低温から室温までの広い温度領域の反強誘電性液晶相
を有し、それらを用いた液晶表示素子は３安定状態のダ
ブルヒステリシス曲線を示し、応答速度が早く、閾値電
圧が小さく、かつチルト角が大きく壁掛けテレビ用液晶
材料等として優れた反強誘電性液晶化合物であることが
確認できた。
【０２１３】以下、原料化合物〜第６反応に関する実施
例に基づいて、本発明を具体的に説明する。 ［実施例Ａ：（Ｓ）−１−アセトキシ−２，２，２−ト
リフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンおよび
（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトンの製造］ （原料化合物〜第３反応） （原料化合物：１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフル
オロエチル−４−メトキシブチルケトンの製造）
例に基づいて、本発明を具体的に説明する。 ［実施例Ａ：（Ｓ）−１−アセトキシ−２，２，２−ト
リフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンおよび
（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトンの製造］ （原料化合物〜第３反応） （原料化合物：１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフル
オロエチル−４−メトキシブチルケトンの製造）
【０２１４】温度計、撹拌機、還流冷却器および滴下ロ
ートを備えた四ツ口丸底フラスコに０．９モル／Ｌのグ
リニャール試薬７００ｍｌ［４−メトキシブチルマグネ
シウム＝ブロミド１２０．３３ｇ（６３０ミリモル）、
残りジエチルエーテル］を入れ、氷水バスに浸漬し、０
℃に調整した。滴下ロートに２−ヒドロキシ−３，３，
３−トリフルオロプロピオニトリル３７．５ｇ（３００
ミリモル）と乾燥ジエチルエーテル３７５ｍｌを入れ、
撹拌しながら、１００分間かけて滴下し、滴下完了後、
引きつづき２時間撹拌保持して反応を完結させ、反応生
成物溶液を得た。次いで、氷水バスを取り去り、撹拌し
ながら、室温まで昇温した。滴下ロートに３．５規定塩
酸３００ｍｌを入れ、撹拌しながら、３３分間かけて滴
下し、引きつづき２０分間撹拌保持して、加水分解反応
を完結させた。次いで、エーテル抽出し、抽出液を水洗
した後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した
後、濃縮し、溶媒を留去した後、真空度７５ｍｍＨｇ、
バス温度９０℃で蒸留し、無色透明な液状の生成物［収
量５１．３６ｇ（２４０ミリモル）収率８０％］を得
た。
ートを備えた四ツ口丸底フラスコに０．９モル／Ｌのグ
リニャール試薬７００ｍｌ［４−メトキシブチルマグネ
シウム＝ブロミド１２０．３３ｇ（６３０ミリモル）、
残りジエチルエーテル］を入れ、氷水バスに浸漬し、０
℃に調整した。滴下ロートに２−ヒドロキシ−３，３，
３−トリフルオロプロピオニトリル３７．５ｇ（３００
ミリモル）と乾燥ジエチルエーテル３７５ｍｌを入れ、
撹拌しながら、１００分間かけて滴下し、滴下完了後、
引きつづき２時間撹拌保持して反応を完結させ、反応生
成物溶液を得た。次いで、氷水バスを取り去り、撹拌し
ながら、室温まで昇温した。滴下ロートに３．５規定塩
酸３００ｍｌを入れ、撹拌しながら、３３分間かけて滴
下し、引きつづき２０分間撹拌保持して、加水分解反応
を完結させた。次いで、エーテル抽出し、抽出液を水洗
した後、無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した
後、濃縮し、溶媒を留去した後、真空度７５ｍｍＨｇ、
バス温度９０℃で蒸留し、無色透明な液状の生成物［収
量５１．３６ｇ（２４０ミリモル）収率８０％］を得
た。
【０２１５】この生成物の1ＨＮＭＲ、19ＦＮＭＲ、Ｉ
Ｒ吸収、ＭＳスペクトルを測定した結果は次の通りであ
り、１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル
−４−メトキシブチルケトンであることが確認された。1 ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3）：１．０９〜１．５
４ｐｐｍ（４Ｈ）、１．６１〜１．９７ｐｐｍ（２
Ｈ）、２．０５〜２．３６ｐｐｍ（２Ｈ）、２．６０ｐ
ｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、３．３１〜３．８２ｐｐｍ（１
Ｈ）、４．５３〜４．７１ｐｐｍ（１Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）：−５．６７ｐｐｍ、 ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１２０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，６７０ｃｍ-1（ＣＣＯ）、３，２８
０ｃｍ-1（ＯＨ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ２１４（Ｍ+） また1ＨＮＭＲスペクトル図を図９に示した。
Ｒ吸収、ＭＳスペクトルを測定した結果は次の通りであ
り、１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル
−４−メトキシブチルケトンであることが確認された。1 ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3）：１．０９〜１．５
４ｐｐｍ（４Ｈ）、１．６１〜１．９７ｐｐｍ（２
Ｈ）、２．０５〜２．３６ｐｐｍ（２Ｈ）、２．６０ｐ
ｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、３．３１〜３．８２ｐｐｍ（１
Ｈ）、４．５３〜４．７１ｐｐｍ（１Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）：−５．６７ｐｐｍ、 ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１２０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，６７０ｃｍ-1（ＣＣＯ）、３，２８
０ｃｍ-1（ＯＨ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ２１４（Ｍ+） また1ＨＮＭＲスペクトル図を図９に示した。
【０２１６】［第１反応：反応混合物―（２Ｓ）−２−
｛（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ｝
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタノン
−３および（２Ｒ）−２−｛（２′Ｓ）−２′−アセト
キシプロピオニルオキシ｝−７−メトキシ−１，１，１
−トリフルオロヘプタノン−３からなる生成比率１／１
（面積比）のジアステレオマー混合物―の製造］温度
計、撹拌機、滴下ロートおよび還流冷却器を備え、還流
冷却器の先端がカ性ソーダ吸収塔および塩化カルシウム
塔を備え、その先端がアスピレーターにつながっている
四ツ口丸底フラスコに、上記で得た１−ヒドロキシ−
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトン５０．２ｇ（２３５ミリモル）と光学分割剤であ
る（Ｓ）−２−アセトキシプロピオニルクロリド３８．
９ｇ（２５８．５ミリモル）を入れ、撹拌しながら、真
空度１８０ｍｍＨｇに保ち、バス温度５０℃に浸漬し、
沸騰させ、引きつづき３０分間還流し、脱塩化水素ガス
反応を行い、発生した塩化水素ガスを連続的に系外に除
去した。
｛（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ｝
−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタノン
−３および（２Ｒ）−２−｛（２′Ｓ）−２′−アセト
キシプロピオニルオキシ｝−７−メトキシ−１，１，１
−トリフルオロヘプタノン−３からなる生成比率１／１
（面積比）のジアステレオマー混合物―の製造］温度
計、撹拌機、滴下ロートおよび還流冷却器を備え、還流
冷却器の先端がカ性ソーダ吸収塔および塩化カルシウム
塔を備え、その先端がアスピレーターにつながっている
四ツ口丸底フラスコに、上記で得た１−ヒドロキシ−
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトン５０．２ｇ（２３５ミリモル）と光学分割剤であ
る（Ｓ）−２−アセトキシプロピオニルクロリド３８．
９ｇ（２５８．５ミリモル）を入れ、撹拌しながら、真
空度１８０ｍｍＨｇに保ち、バス温度５０℃に浸漬し、
沸騰させ、引きつづき３０分間還流し、脱塩化水素ガス
反応を行い、発生した塩化水素ガスを連続的に系外に除
去した。
【０２１７】還流が停止した時点で脱塩化水素ガス反応
が完了したと判断し、真空度を上げ、真空度７５ｍｍＨ
ｇ、バス温度９０℃で蒸留し、未反応光学分割剤および
未反応１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチ
ル−４−メトキシブチルケトンを留去し、無色透明な液
状の生成物［収量６９．３７ｇ（２１１．５ミリモル）
収率９０％］を得た。この生成物の1ＨＮＭＲ、19ＦＮ
ＭＲ、ＩＲ吸収、ＭＳスペクトルを測定した結果は次の
通りであり、２−（２ ′−アセトキシプロピオニルオキ
シ）−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ノン−３であることが確認された。また1ＨＮＭＲスペ
クトル図を図１０に示した。なお、光学分割剤中の不斉
炭素原子の立体配置は反応に無関係であり、（２′Ｓ）
配置である。
が完了したと判断し、真空度を上げ、真空度７５ｍｍＨ
ｇ、バス温度９０℃で蒸留し、未反応光学分割剤および
未反応１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチ
ル−４−メトキシブチルケトンを留去し、無色透明な液
状の生成物［収量６９．３７ｇ（２１１．５ミリモル）
収率９０％］を得た。この生成物の1ＨＮＭＲ、19ＦＮ
ＭＲ、ＩＲ吸収、ＭＳスペクトルを測定した結果は次の
通りであり、２−（２ ′−アセトキシプロピオニルオキ
シ）−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタ
ノン−３であることが確認された。また1ＨＮＭＲスペ
クトル図を図１０に示した。なお、光学分割剤中の不斉
炭素原子の立体配置は反応に無関係であり、（２′Ｓ）
配置である。
【０２１８】1ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3）：１．
０６ｐｐｍ（ｄ）（３Ｈ）、１．３４〜１．５４ｐｐｍ
（４Ｈ）、１．７２〜１．８０ｐｐｍ（２Ｈ）、２．０
５〜２．１３ｐｐｍ（２Ｈ）、２．５０ｐｐｍ（Ｓ）
（３Ｈ）、３．０８ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、３．７４〜
３．７８ｐｐｍ（１Ｈ）、３．９８〜４．０６ｐｐｍ
（１Ｈ） ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１１０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，７３０ｃｍ-1（ＣＯ）、１，７６０
ｃｍ-1（ＣＣＯ）、 ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ３２８（Ｍ+）、19ＦＮＭＲ
スペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3ＣＯＯＨ）
（☆A：同定例Ａより確認） 第１ピーク：−３．７０ｐｐｍ、面積比１｛（２Ｓ），
（２′Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−３ ☆A 第２ピーク：−４．２１ｐｐｍ、面積比１｛（２Ｒ），
（２′Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−３ ☆A
０６ｐｐｍ（ｄ）（３Ｈ）、１．３４〜１．５４ｐｐｍ
（４Ｈ）、１．７２〜１．８０ｐｐｍ（２Ｈ）、２．０
５〜２．１３ｐｐｍ（２Ｈ）、２．５０ｐｐｍ（Ｓ）
（３Ｈ）、３．０８ｐｐｍ（Ｓ）（３Ｈ）、３．７４〜
３．７８ｐｐｍ（１Ｈ）、３．９８〜４．０６ｐｐｍ
（１Ｈ） ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１１０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，７３０ｃｍ-1（ＣＯ）、１，７６０
ｃｍ-1（ＣＣＯ）、 ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ３２８（Ｍ+）、19ＦＮＭＲ
スペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3ＣＯＯＨ）
（☆A：同定例Ａより確認） 第１ピーク：−３．７０ｐｐｍ、面積比１｛（２Ｓ），
（２′Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−３ ☆A 第２ピーク：−４．２１ｐｐｍ、面積比１｛（２Ｒ），
（２′Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−３ ☆A
【０２１９】［第２反応：（Ｓ）−１−ヒドロキシ−
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトンおよび（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−ト
リフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンの製造］
第１反応で得られた反応混合物６８．２２ｇ（２０８ミ
リモル）を下記条件で中低圧液体クロマトグラフィーに
かけ、第１フラクションと第２フラクションに分取し、
溶離液を留去し、無色透明な液状の第１フラクションか
らの生成物および無色透明な液状の第２フラクションか
らの生成物を得た。
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトンおよび（Ｒ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−ト
リフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンの製造］
第１反応で得られた反応混合物６８．２２ｇ（２０８ミ
リモル）を下記条件で中低圧液体クロマトグラフィーに
かけ、第１フラクションと第２フラクションに分取し、
溶離液を留去し、無色透明な液状の第１フラクションか
らの生成物および無色透明な液状の第２フラクションか
らの生成物を得た。
【０２２０】中低圧液体クロマトグラフィー：ＬＯＢＡ
ＲカラムＬｉＣＨＲＯＰＲＥＰＳｉ６０（メルク社
製）、サイズ内径４０ｍｍ、高さ４００ｍｍ 溶離液：ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９５
／５（容量比）、流速５ｍｌ／ｍｉｎ、チャージ量：３
ｇ、検出：紫外検出器波長２５４ｎｍ 第１フラクションからの生成物｛（２Ｓ），（２′
Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−３ ☆B（☆Bは同定
例−Ａより確認） 保持時間６５〜８５分、収得量３０．７ｇ（９３．６ミ
リモル）、収得率４５％、収得比率１、19ＦＮＭＲスペ
クトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3ＣＯＯＨ）−３．
７０ｐｐｍ 第２フラクションからの生成物｛（２Ｒ），（２′
Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−３ ☆B 保持時間１１５〜１６５分、収得量３０．７ｇ（９３．
６ミリモル）、収得率４５％、収得比率１、19ＦＮＭＲ
スペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3ＣＯＯＨ）−
４．２１ｐｐｍ1 ＨＮＭＲ、ＩＲ吸収、ＭＳスペクトルは第１反応で得
た生成物と一致した。
ＲカラムＬｉＣＨＲＯＰＲＥＰＳｉ６０（メルク社
製）、サイズ内径４０ｍｍ、高さ４００ｍｍ 溶離液：ｎ−ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９５
／５（容量比）、流速５ｍｌ／ｍｉｎ、チャージ量：３
ｇ、検出：紫外検出器波長２５４ｎｍ 第１フラクションからの生成物｛（２Ｓ），（２′
Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−３ ☆B（☆Bは同定
例−Ａより確認） 保持時間６５〜８５分、収得量３０．７ｇ（９３．６ミ
リモル）、収得率４５％、収得比率１、19ＦＮＭＲスペ
クトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3ＣＯＯＨ）−３．
７０ｐｐｍ 第２フラクションからの生成物｛（２Ｒ），（２′
Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−３ ☆B 保持時間１１５〜１６５分、収得量３０．７ｇ（９３．
６ミリモル）、収得率４５％、収得比率１、19ＦＮＭＲ
スペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3ＣＯＯＨ）−
４．２１ｐｐｍ1 ＨＮＭＲ、ＩＲ吸収、ＭＳスペクトルは第１反応で得
た生成物と一致した。
【０２２１】次いで、還流冷却器、撹拌機、温度計およ
び滴下ロートを備えた四ツ口丸底フラスコに上記で得た
第１フラクションからの生成物２９．５２ｇ（９０ミリ
モル）と３．５規定硫酸水溶液２７０ｍｌとメタノール
４０５ｍｌを入れ、撹拌しながら、均一な溶液を調合し
た。次いで８０℃温水バスに浸漬し、撹拌しながら、沸
騰するまで加温し、引きつづき３時間還流し、加水分解
反応を行った。反応完了後、室温まで冷却した後、エー
テル抽出し、抽出液を１０％炭酸水素ナトリウム水溶
液、水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを加え
て水分を除去した後、濃縮し、溶媒を留去した後、真空
度７５ｍｍＨｇ、バス温度９０℃で蒸留し、無色透明な
液状の生成物−１［収量１７．６６ｇ（８１ミリモル）
収率９０％］を得た。第１フラクションからの生成物の
代わりに第２フラクションからの生成物を用いた以外は
上記と同様の操作を行うことにより、無色透明な液状の
生成物−２［収量１７．６６ｇ（８１ミリモル）収率９
０％］を得た。
び滴下ロートを備えた四ツ口丸底フラスコに上記で得た
第１フラクションからの生成物２９．５２ｇ（９０ミリ
モル）と３．５規定硫酸水溶液２７０ｍｌとメタノール
４０５ｍｌを入れ、撹拌しながら、均一な溶液を調合し
た。次いで８０℃温水バスに浸漬し、撹拌しながら、沸
騰するまで加温し、引きつづき３時間還流し、加水分解
反応を行った。反応完了後、室温まで冷却した後、エー
テル抽出し、抽出液を１０％炭酸水素ナトリウム水溶
液、水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを加え
て水分を除去した後、濃縮し、溶媒を留去した後、真空
度７５ｍｍＨｇ、バス温度９０℃で蒸留し、無色透明な
液状の生成物−１［収量１７．６６ｇ（８１ミリモル）
収率９０％］を得た。第１フラクションからの生成物の
代わりに第２フラクションからの生成物を用いた以外は
上記と同様の操作を行うことにより、無色透明な液状の
生成物−２［収量１７．６６ｇ（８１ミリモル）収率９
０％］を得た。
【０２２２】［同定例−Ａ：生成物−１が（Ｓ）−１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メ
トキシブチルケトン｛以下、（Ｓ）体ヒドロキシブチル
ケトンという｝、および生成物−２が（Ｒ）−１−ヒド
ロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキ
シブチルケトン｛以下、（Ｒ）体ヒドロキシブチルケト
ンという｝であることの確認］生成物−１および生成物
−２は各種スペクトル分析より、原料化合物である１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メ
トキシブチルケトンと一致した。
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メ
トキシブチルケトン｛以下、（Ｓ）体ヒドロキシブチル
ケトンという｝、および生成物−２が（Ｒ）−１−ヒド
ロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキ
シブチルケトン｛以下、（Ｒ）体ヒドロキシブチルケト
ンという｝であることの確認］生成物−１および生成物
−２は各種スペクトル分析より、原料化合物である１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メ
トキシブチルケトンと一致した。
【０２２３】次いで、（Ｓ）−Ｎ−（２−ヒドロキシ−
３，３，３−トリフルオロプロピオニル）ピロリジン
と、式（Ｉ）で示される末端メトキシアルキルマグネシ
ウム＝ブロミドからなるグリニャール試薬とを反応させ
ることによって得られた（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチルケト
ン［以下、（Ｓ）体標品という］および原料化合物１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メ
トキシブチルケトンを、下記条件で、光学異性体分離用
カラムを有するガスクロマトグラフィー（以下、光学活
性ガスクロマトグラフィーという）にかけた。 カラム：商品名ＣＨＲＡＬＤＥＸ Ｂ−ＴＡ（ＡＳＴＥ
Ｃ社製）、内径０．２５ｍｍ、長さ１０ｍ、シリカキャ
ピラリーカラム カラム温度：１２０℃×１０分保持した後、昇温速度４
℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温、キャリアーガス：ヘリ
ウム、ガス流量７０ＮＬ／ｍｉｎ、スプリット比１００
／１、検出：ＦＩＤ
３，３，３−トリフルオロプロピオニル）ピロリジン
と、式（Ｉ）で示される末端メトキシアルキルマグネシ
ウム＝ブロミドからなるグリニャール試薬とを反応させ
ることによって得られた（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチルケト
ン［以下、（Ｓ）体標品という］および原料化合物１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メ
トキシブチルケトンを、下記条件で、光学異性体分離用
カラムを有するガスクロマトグラフィー（以下、光学活
性ガスクロマトグラフィーという）にかけた。 カラム：商品名ＣＨＲＡＬＤＥＸ Ｂ−ＴＡ（ＡＳＴＥ
Ｃ社製）、内径０．２５ｍｍ、長さ１０ｍ、シリカキャ
ピラリーカラム カラム温度：１２０℃×１０分保持した後、昇温速度４
℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温、キャリアーガス：ヘリ
ウム、ガス流量７０ＮＬ／ｍｉｎ、スプリット比１００
／１、検出：ＦＩＤ
【０２２４】（Ｓ）体標品の光学活性ガスクロマトグラ
フィーは１本の光学活性なピークが得られ、その保持時
間は２８．８４分となった。原料化合物である１−ヒド
ロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキ
シブチルケトンの光学活性ガスクロマトグラフィーは２
本の光学活性なピークが得られ、その第１ピークの保持
時間は２８．８４分となり（Ｓ）体標品と一致したこと
により、（Ｓ）体ヒドロキシブチルケトンであり、その
第２ピークの保持時間は２９．２５分となり、（Ｒ）体
ヒドロキシブチルケトンであることが確認できた。
フィーは１本の光学活性なピークが得られ、その保持時
間は２８．８４分となった。原料化合物である１−ヒド
ロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキ
シブチルケトンの光学活性ガスクロマトグラフィーは２
本の光学活性なピークが得られ、その第１ピークの保持
時間は２８．８４分となり（Ｓ）体標品と一致したこと
により、（Ｓ）体ヒドロキシブチルケトンであり、その
第２ピークの保持時間は２９．２５分となり、（Ｒ）体
ヒドロキシブチルケトンであることが確認できた。
【０２２５】次いで、生成物−１、および生成物−２を
上記と同様な条件で、光学活性ガスクロマトグラフィー
にかけると各々１本ずつの光学活性ピークが得られ、生
成物−１のピークの保持時間は２８．８４分となり、
（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトンであり、生成物−２の
ピークの保持時間は２９．２５分となり、（Ｒ）−１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メ
トキシブチルケトンであることが確認できた。
上記と同様な条件で、光学活性ガスクロマトグラフィー
にかけると各々１本ずつの光学活性ピークが得られ、生
成物−１のピークの保持時間は２８．８４分となり、
（Ｓ）−１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトンであり、生成物−２の
ピークの保持時間は２９．２５分となり、（Ｒ）−１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−メ
トキシブチルケトンであることが確認できた。
【０２２６】よって、第１フラクションからの生成物は
（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピ
オニルオキシ］−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタノン−３であり、第２フラクションからの生
成物は（２Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシ
プロピオニルオキシ］−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタノン−３であることが確認できた。ま
た、前記第１反応で得た反応混合物は（２Ｓ）−２−
［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ］
−１，１，１−トリフルオロヘプタノン−３および（２
Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニ
ルオキシ］−１，１，１−トリフルオロヘプタノン−３
からなる生成比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体／｛（２
Ｒ），（２′Ｓ）｝体＝１／１のジアステレオマー混合
物であることが確認できた。なお、反応混合物の19ＦＮ
ＭＲスペクトルの第１ピーク（−３．７０ｐｐｍ）は
｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−
３であり、第２ピーク（−４．２１ｐｐｍ）は｛（２
Ｒ），（２′Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−３であ
ることが確認できた。
（２Ｓ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピ
オニルオキシ］−７−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロヘプタノン−３であり、第２フラクションからの生
成物は（２Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシ
プロピオニルオキシ］−７−メトキシ−１，１，１−ト
リフルオロヘプタノン−３であることが確認できた。ま
た、前記第１反応で得た反応混合物は（２Ｓ）−２−
［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニルオキシ］
−１，１，１−トリフルオロヘプタノン−３および（２
Ｒ）−２−［（２′Ｓ）−２′−アセトキシプロピオニ
ルオキシ］−１，１，１−トリフルオロヘプタノン−３
からなる生成比率｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体／｛（２
Ｒ），（２′Ｓ）｝体＝１／１のジアステレオマー混合
物であることが確認できた。なお、反応混合物の19ＦＮ
ＭＲスペクトルの第１ピーク（−３．７０ｐｐｍ）は
｛（２Ｓ），（２′Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−
３であり、第２ピーク（−４．２１ｐｐｍ）は｛（２
Ｒ），（２′Ｓ）｝体７−メトキシヘプタノン−３であ
ることが確認できた。
【０２２７】［第３反応：（Ｓ）体アセトキシケトン・
（Ｓ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン、および（Ｒ）体アセ
トキシケトン・（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−
トリフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンの各製
造方法］温度計、撹拌機、滴下ロートおよび還流冷却器
を備え、その先端がカ性ソーダ吸収塔および塩化カルシ
ウム塔を備え、その先端がアスピレーターにつながって
いる四ツ口丸底フラスコに、第２反応で得た（Ｓ）−１
−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−
メトキシブチルケトン１６．２６ｇ（７６ミリモル）と
アセチルクロリド６．５６ｇ（８３．６ミリモル）を加
え、真空度６５０ｍｍＨｇで、バス温度６０℃に浸漬
し、沸騰させ、引きつづき２０分間還流し、脱塩化水素
ガス反応を行い、発生した塩化水素ガスを連続的に系外
に除去した。還流が停止した時点で、脱塩化水素ガス反
応が完了したと判断し、真空度を４６０ｍｍＨｇに上
げ、バス温度６０℃で蒸留し、未反応アセチルクロリド
を除去した後、真空度９０ｍｍＨｇに上げ、９０℃温水
バスで蒸留し、無色透明な液状の生成物［収量１７．５
ｇ（６８．４ミリモル）収率９０％］を得た。
（Ｓ）−１−アセトキシ−２，２，２−トリフルオロエ
チル−４−メトキシブチルケトン、および（Ｒ）体アセ
トキシケトン・（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−
トリフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンの各製
造方法］温度計、撹拌機、滴下ロートおよび還流冷却器
を備え、その先端がカ性ソーダ吸収塔および塩化カルシ
ウム塔を備え、その先端がアスピレーターにつながって
いる四ツ口丸底フラスコに、第２反応で得た（Ｓ）−１
−ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル−４−
メトキシブチルケトン１６．２６ｇ（７６ミリモル）と
アセチルクロリド６．５６ｇ（８３．６ミリモル）を加
え、真空度６５０ｍｍＨｇで、バス温度６０℃に浸漬
し、沸騰させ、引きつづき２０分間還流し、脱塩化水素
ガス反応を行い、発生した塩化水素ガスを連続的に系外
に除去した。還流が停止した時点で、脱塩化水素ガス反
応が完了したと判断し、真空度を４６０ｍｍＨｇに上
げ、バス温度６０℃で蒸留し、未反応アセチルクロリド
を除去した後、真空度９０ｍｍＨｇに上げ、９０℃温水
バスで蒸留し、無色透明な液状の生成物［収量１７．５
ｇ（６８．４ミリモル）収率９０％］を得た。
【０２２８】この生成物の各種スペクトルを測定した結
果は次の通りであり、１−アセトキシ−２，２，２−ト
リフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンであるこ
とが確認できた。（Ｓ）−ヒドロキシブチルケトンの２
位の不斉炭素に結合した水酸基をアセチル基に換えても
２位の不斉炭素原子の立体配置は変化しないことは確認
済みであり、生成物は（Ｓ）−１−アセトキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチルケト
ンであった。この生成物の1ＨＮＭＲスペクトル図を図
１１に示した。
果は次の通りであり、１−アセトキシ−２，２，２−ト
リフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンであるこ
とが確認できた。（Ｓ）−ヒドロキシブチルケトンの２
位の不斉炭素に結合した水酸基をアセチル基に換えても
２位の不斉炭素原子の立体配置は変化しないことは確認
済みであり、生成物は（Ｓ）−１−アセトキシ−２，
２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチルケト
ンであった。この生成物の1ＨＮＭＲスペクトル図を図
１１に示した。
【０２２９】1ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3）：１．
０７ｐｐｍ（ｄ）（３Ｈ）、１．３２〜１．８２ｐｐｍ
（４Ｈ）、１．７２〜１．７８ｐｐｍ（２Ｈ）、２．０
８〜２．１２ｐｐｍ（２Ｈ）、２．５０ｐｐｍ（Ｓ）
（３Ｈ）、４．００〜４．０８ｐｐｍ（１Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）：＋２．２２ｐｐｍ ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１２０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，７３０ｃｍ-1（ＣＯ）、１，７６０
ｃｍ-1（ＯＨ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ２５６（Ｍ+）、
０７ｐｐｍ（ｄ）（３Ｈ）、１．３２〜１．８２ｐｐｍ
（４Ｈ）、１．７２〜１．７８ｐｐｍ（２Ｈ）、２．０
８〜２．１２ｐｐｍ（２Ｈ）、２．５０ｐｐｍ（Ｓ）
（３Ｈ）、４．００〜４．０８ｐｐｍ（１Ｈ）19 ＦＮＭＲスペクトル（ｆｒｏｍ ｅｘｔ． ＣＦ3Ｃ
ＯＯＨ）：＋２．２２ｐｐｍ ＩＲ吸収スペクトル（ｎｅａｔ）：１，１２０ｃｍ
-1（ＣＯＣ）、１，７３０ｃｍ-1（ＣＯ）、１，７６０
ｃｍ-1（ＯＨ） ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ２５６（Ｍ+）、
【０２３０】（Ｓ）体ヒドロキシケトンの代わりに
（Ｒ）体ヒドロキシケトンを用いて、上記と同様な操作
を行うことにより、（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，
２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンを
得た。
（Ｒ）体ヒドロキシケトンを用いて、上記と同様な操作
を行うことにより、（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，
２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンを
得た。
【０２３１】上記で得られた（Ｓ）−１−アセトキシ−
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトンまたは（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−ト
リフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンから、金
属水素化物によるカルボニル基の還元、ヨウ化メチルと
の反応、酸加水分解、得られたジアステレオマー混合物
の分取を経ての、中間体としての本発明化合物であるｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）
−、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−またはａｎｔｉ−（２
Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンの製造は前記
実施例１と全く同様にして行うことができる。
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトンまたは（Ｒ）−１−アセトキシ−２，２，２−ト
リフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンから、金
属水素化物によるカルボニル基の還元、ヨウ化メチルと
の反応、酸加水分解、得られたジアステレオマー混合物
の分取を経ての、中間体としての本発明化合物であるｓ
ｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−、ａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）
−、ｓｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−またはａｎｔｉ−（２
Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンの製造は前記
実施例１と全く同様にして行うことができる。
【０２３２】
【発明の効果】本発明によって提供されるｓｙｎ体（２
Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型３−メ
トキシ−７−メトキシヘプタン誘導体は低温から室温ま
での広い温度領域で反強誘電性液晶相を示し、それを用
いた液晶表示素子は３安定状態のダブルヒステリシス曲
線を表わし、高速応答性、低閾値電圧および高チルト角
を示す。したがって上記誘導体は、例えば、、壁掛けテ
レビおよび大画面ディスプレイ用液晶材料として好適で
ある。また、本発明によって提供される、新規の隣接し
た２つの不斉炭素原子を有する光学活性なｓｙｎ体およ
びａｎｔｉ体２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロ末端メトキシアルカンは反強誘電性液
晶化合物の光学活性部位として有用であり、その製造方
法はこれらの化合物を高収率で製造する方法である。
Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型３−メ
トキシ−７−メトキシヘプタン誘導体は低温から室温ま
での広い温度領域で反強誘電性液晶相を示し、それを用
いた液晶表示素子は３安定状態のダブルヒステリシス曲
線を表わし、高速応答性、低閾値電圧および高チルト角
を示す。したがって上記誘導体は、例えば、、壁掛けテ
レビおよび大画面ディスプレイ用液晶材料として好適で
ある。また、本発明によって提供される、新規の隣接し
た２つの不斉炭素原子を有する光学活性なｓｙｎ体およ
びａｎｔｉ体２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロ末端メトキシアルカンは反強誘電性液
晶化合物の光学活性部位として有用であり、その製造方
法はこれらの化合物を高収率で製造する方法である。
【図１】実施例１の第１段反応−１の同定例１で得た生
成物−１である７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタン−２，３−ジオールの1ＨＮＭＲスペクトル
図である。
成物−１である７−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロヘプタン−２，３−ジオールの1ＨＮＭＲスペクトル
図である。
【図２】実施例１の第１段反応−１の同定例１で得た生
成物であるｔｒａｎｓ−２，２−ジメチル−４−（４′
−メトキシブチル）−５−トリフルオロメチル−１，３
−ジオキソランおよびｃｉｓ−２，２−ジメチル−４−
（４′−メトキシブチル）−５−トリフルオロメチル−
１，３−ジオキソランからなり、その生成比率ｔｒａｎ
ｓ体／ｃｉｓ体＝７５／２５（面積比）のジアステレオ
マー混合物の1ＨＮＭＲスペクトル図である。
成物であるｔｒａｎｓ−２，２−ジメチル−４−（４′
−メトキシブチル）−５−トリフルオロメチル−１，３
−ジオキソランおよびｃｉｓ−２，２−ジメチル−４−
（４′−メトキシブチル）−５−トリフルオロメチル−
１，３−ジオキソランからなり、その生成比率ｔｒａｎ
ｓ体／ｃｉｓ体＝７５／２５（面積比）のジアステレオ
マー混合物の1ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図３】実施例１の第２段反応−１で得たジアステレオ
マー混合物−１である２−ヒドロキシ−３−メトキシ−
７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンの1
ＨＮＭＲスペクトル図である。
マー混合物−１である２−ヒドロキシ−３−メトキシ−
７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンの1
ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図４】実施例２の第３段反応−２で得た生成物−１で
ある２−（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタンの1ＨＮＭＲスペクトル図である。
ある２−（４′−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタンの1ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図５】実施例２の第４段反応の生成物−１であるｓｙ
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物：ｓｙｎ−（２Ｓ，３
Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デシルフ
ェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタンの1ＨＮＭＲスペクトル図である。
ｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物：ｓｙｎ−（２Ｓ，３
Ｒ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デシルフ
ェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−
メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリフルオロヘ
プタンの1ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図６】実施例２の第４段反応の生成物−２であるａｎ
ｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物：ａｎｔｉ−（２
Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シルオキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンの1ＨＮＭＲ
スペクトル図である。
ｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物：ａｎｔｉ−（２
Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−（４′′′−ｎ−デ
シルオキシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイル
オキシ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メト
キシ−１，１，１−トリフルオロヘプタンの1ＨＮＭＲ
スペクトル図である。
【図７】実施例３：ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合
物の有用性を示す試験例において、実施例２の第４段反
応で得たｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物を用いた
液晶表示素子のダブルヒステリシス曲線である。
物の有用性を示す試験例において、実施例２の第４段反
応で得たｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型液晶化合物を用いた
液晶表示素子のダブルヒステリシス曲線である。
【図８】実施例３：ａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化
合物の有用性を示す試験例において、実施例２の第４段
反応で得たａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物を用
いた液晶表示素子のダブルヒステリシス曲線である。
合物の有用性を示す試験例において、実施例２の第４段
反応で得たａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型液晶化合物を用
いた液晶表示素子のダブルヒステリシス曲線である。
【図９】原料化合物：１−ヒドロキシ−２，２，２−ト
リフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンのスペク
トル図である。
リフルオロエチル−４−メトキシブチルケトンのスペク
トル図である。
【図１０】実施例Ａの第１反応で得た２−（２´−アセ
トキシプロピオニルオキシ）−７−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロヘプタノン−３のスペクトル図であ
る。
トキシプロピオニルオキシ）−７−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロヘプタノン−３のスペクトル図であ
る。
【図１１】実施例Ａの第３反応で得た１−アセトキシ−
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトンのスペクトル図である。
２，２，２−トリフルオロエチル−４−メトキシブチル
ケトンのスペクトル図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ // Ｃ０７Ｍ 7:00 (54)【発明の名称】 ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型３−メトキシ−７−メトキシヘプ タン誘導体およびそれを用いた液晶表示素子、およびそれらに関連する中間体およびその製造方 法
Claims (10)
- 【請求項１】 式（１） 【化１】 （式中、Ｒは炭素数６〜１４の直鎖状アルキル基、Ｘは
単結合または酸素結合、Ｙは水素原子またはフッ素原子
を表わす）で示されるｓｙｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−
［４′−｛４″−（４′′′−アルキルまたはアルコキ
シフェニル）または（４′′′−アルキルまたはアルコ
キシ−３′′′−フルオロフェニル）ベンゾイルオキ
シ｝ベンゾイルオキシ］−３−メトキシ−７−メトキシ
−１，１，１−トリフルオロヘプタン。 - 【請求項２】 【化２】 （式中、Ｒ，Ｘ，Ｙは式（１）と同じ）で示されるａｎ
ｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２−［４′−｛４″−
（４′′′−アルキルまたはアルコキシフェニル）また
は（４′′′−アルキルまたはアルコキシ−３′′′−
フルオロフェニル）ベンゾイルオキシ｝ベンゾイルオキ
シ］−３−メトキシ−７−メトキシ−１，１，１−トリ
フルオロヘプタン。 - 【請求項３】 請求項１記載の式（１）で示される化合
物を用いた液晶表示素子。 - 【請求項４】 請求項２記載の式（２）で示される化合
物を用いた液晶表示素子。 - 【請求項５】 式（Ａ） 【化３】 （式中、ｍは３〜６〜の整数を表わす）で示されるｓｙ
ｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカン。 - 【請求項６】 式（Ｂ） 【化４】 ［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示されるａｎｔｉ−
（２Ｓ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカン。 - 【請求項７】 式（Ｃ） 【化５】 ［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示されるｓｙｎ−（２
Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，１，
１−トリフルオロ末端メトキシアルカン。 - 【請求項８】 式（Ｄ） 【化６】 ［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示されるａｎｔｉ−
（２Ｒ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，
１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカン。 - 【請求項９】 式（Ｅ） 【化７】 ［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示される１−ヒドロキ
シ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メトキシアル
キルケトンと光学分割剤である（Ｓ）−２−アセトキシ
プロピオニルクロリドとを反応させ、得られた反応生成
物を分取し、酸加水分解することにより、得られた式
（Ｆ） 【化８】 ［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示される（Ｓ）−１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メト
キシアルカンをアセチル化し、次いで金属水素化物を用
いて還元し、得られた反応生成物とヨウ化メチルとを反
応させた後、酸加水分解し、得られたジアステレオマー
混合物を分取することを特徴とする請求項５記載のｓｙ
ｎ−（２Ｓ，３Ｒ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ−
１，１，１−トリフルオロ末端メトキシアルカンおよび
／または請求項６記載のａｎｔｉ−（２Ｓ，３Ｓ）−２
−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，１，１−トリフルオ
ロ末端メトキシアルカンの製造方法。 - 【請求項１０】請求項９記載の式（Ｅ）で示される１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メト
キシアルキルケトンと光学分割剤（Ｓ）−２−アセトキ
シプロピオニルクロリドとを反応させ、得られた反応生
成物を分取し、酸加水分解することにより、得られた式
（Ｇ） 【化９】 ［式中、ｍは式（Ａ）と同じ］で示される（Ｒ）−１−
ヒドロキシ−２，２，２−トリフルオロエチル末端メト
キシアルカンをアセチル化し、次いで、金属水素化物を
用いて還元し、得られた反応生成物とヨウ化メチルとを
反応させた後、酸加水分解し、得られたジアステレオマ
ー混合物を分取することを特徴とする請求項７記載のｓ
ｙｎ−（２Ｒ，３Ｓ）−２−ヒドロキシ−３−メトキシ
−１，１，１−トリプルオロ末端メトキシアルカンおよ
び／または請求項８記載のａｎｔｉ−（２Ｒ，３Ｒ）−
２−ヒドロキシ−３−メトキシ−１，１，１−トリフル
オロ末端メトキシアルカンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9124911A JPH10298145A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型３−メトキシ−７−メトキシヘプタン誘導体およびそれを用いた液晶表示素子、およびそれらに関連する中間体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9124911A JPH10298145A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型３−メトキシ−７−メトキシヘプタン誘導体およびそれを用いた液晶表示素子、およびそれらに関連する中間体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10298145A true JPH10298145A (ja) | 1998-11-10 |
Family
ID=14897173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9124911A Pending JPH10298145A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | ｓｙｎ体（２Ｓ，３Ｒ）型およびａｎｔｉ体（２Ｓ，３Ｓ）型３−メトキシ−７−メトキシヘプタン誘導体およびそれを用いた液晶表示素子、およびそれらに関連する中間体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10298145A (ja) |
-
1997
- 1997-04-28 JP JP9124911A patent/JPH10298145A/ja active Pending
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