JPH10328560A - 耐熱性ｈｃ吸着剤 - Google Patents
耐熱性ｈｃ吸着剤Info
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- JPH10328560A JPH10328560A JP9145529A JP14552997A JPH10328560A JP H10328560 A JPH10328560 A JP H10328560A JP 9145529 A JP9145529 A JP 9145529A JP 14552997 A JP14552997 A JP 14552997A JP H10328560 A JPH10328560 A JP H10328560A
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- Japan
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- mfi
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- weight
- silicate
- adsorbent
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/02—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material
- B01J20/10—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material comprising silica or silicate
- B01J20/16—Alumino-silicates
- B01J20/18—Synthetic zeolitic molecular sieves
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた耐熱性を有するＨＣ吸着剤を提供す
る。 【解決手段】 ＨＣ吸着剤は、骨格構成元素としてＧａ
およびＩｎの少なくとも一方を含むＭＦＩ型メタロシリ
ケートよりなる。Ａｌ含有量はＡｌ≦０．０５重量％に
設定される。
る。 【解決手段】 ＨＣ吸着剤は、骨格構成元素としてＧａ
およびＩｎの少なくとも一方を含むＭＦＩ型メタロシリ
ケートよりなる。Ａｌ含有量はＡｌ≦０．０５重量％に
設定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車等の排気系
統に用いられる耐熱性ＨＣ（炭化水素）吸着剤に関す
る。
統に用いられる耐熱性ＨＣ（炭化水素）吸着剤に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】自動車の排気系統に配設される排気ガス
浄化用触媒としては種々の構成を有するものが知られて
いる。しかしながら、一般の排気ガス浄化用触媒は排気
ガスの温度が高い領域、例えば約１８０℃以上において
酸化による浄化能を発揮するものであるから、エンジン
始動直後の低温で、且つＨＣを高濃度に含む排気ガスに
対しては浄化能が極めて低い。
浄化用触媒としては種々の構成を有するものが知られて
いる。しかしながら、一般の排気ガス浄化用触媒は排気
ガスの温度が高い領域、例えば約１８０℃以上において
酸化による浄化能を発揮するものであるから、エンジン
始動直後の低温で、且つＨＣを高濃度に含む排気ガスに
対しては浄化能が極めて低い。
【０００３】そこで、低温排気ガス中のＨＣを捕えるべ
く、ＨＣ吸着剤を触媒よりも排気系統の下流側に配設す
ることが行われる。この場合、ＨＣ吸着剤としてはゼオ
ライトが用いられている。
く、ＨＣ吸着剤を触媒よりも排気系統の下流側に配設す
ることが行われる。この場合、ＨＣ吸着剤としてはゼオ
ライトが用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】排気系統を流れる排気
ガスの温度は、一般に１０００℃程度となるため、ＨＣ
吸着剤には前記温度に対応し得る耐熱性が要求される。
ガスの温度は、一般に１０００℃程度となるため、ＨＣ
吸着剤には前記温度に対応し得る耐熱性が要求される。
【０００５】そこで、耐熱性を向上すべく、高シリカア
ルミナ比を持ち、熱劣化の起点となるＡｌの量を減じた
ゼオライトが提案されているが、このゼオライトにおい
ても、未だ耐熱性の改善が十分でなく、またＨＣ吸着脱
離性能も低い、という問題があった。
ルミナ比を持ち、熱劣化の起点となるＡｌの量を減じた
ゼオライトが提案されているが、このゼオライトにおい
ても、未だ耐熱性の改善が十分でなく、またＨＣ吸着脱
離性能も低い、という問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、十分に改善さ
れた耐熱性を有し、また良好なＨＣ吸着脱離性能を有す
る前記ＨＣ吸着剤を提供することを目的とする。
れた耐熱性を有し、また良好なＨＣ吸着脱離性能を有す
る前記ＨＣ吸着剤を提供することを目的とする。
【０００７】前記目的を達成するため本発明によれば、
骨格構成元素としてＧａおよびＩｎの少なくとも一方を
含むＭＦＩ型メタロシリケートよりなり、Ａｌ含有量が
Ａｌ≦０．０５重量％である耐熱性ＨＣ吸着剤が提供さ
れる。
骨格構成元素としてＧａおよびＩｎの少なくとも一方を
含むＭＦＩ型メタロシリケートよりなり、Ａｌ含有量が
Ａｌ≦０．０５重量％である耐熱性ＨＣ吸着剤が提供さ
れる。
【０００８】ＭＦＩ型メタロシリケートは、ＭＦＩ型ア
ルミノシリケート、例えばＺＳＭ−５ゼオライトに代表
される三次元骨格構造を有し、その構造のＧａ位置およ
びＩｎ位置は、ＺＳＭ−５ゼオライトのＡｌ位置に対応
する。しかもＧａおよびＩｎは前記三次元骨格構造にお
ける結合力が高く、その構造から脱離しにくいという特
性を発揮する。
ルミノシリケート、例えばＺＳＭ−５ゼオライトに代表
される三次元骨格構造を有し、その構造のＧａ位置およ
びＩｎ位置は、ＺＳＭ−５ゼオライトのＡｌ位置に対応
する。しかもＧａおよびＩｎは前記三次元骨格構造にお
ける結合力が高く、その構造から脱離しにくいという特
性を発揮する。
【０００９】このような三次元骨格構造を有し、またＡ
ｌ含有量を前記のように設定されたＭＦＩ型メタロシリ
ケートよりなるＨＣ吸着剤は、高い耐熱性を有し、また
良好なＨＣ吸着脱離性能を有する。
ｌ含有量を前記のように設定されたＭＦＩ型メタロシリ
ケートよりなるＨＣ吸着剤は、高い耐熱性を有し、また
良好なＨＣ吸着脱離性能を有する。
【００１０】ただし、Ａｌ含有量がＡｌ＞０．０５重量
％では耐熱性が低下する。なお、ＭＦＩ型メタロシリケ
ートにおいて、その耐熱性向上の観点からはＡｌ量はゼ
ロであることが望ましいが、ＡｌはＭＦＩ型メタロシリ
ケート合成において、その原料中に不純物として含まれ
ていることからＡｌ量をゼロに抑えることは難しい。し
たがって、Ａｌ含有量の下限値は、限りなくゼロに近い
値である、と言える。
％では耐熱性が低下する。なお、ＭＦＩ型メタロシリケ
ートにおいて、その耐熱性向上の観点からはＡｌ量はゼ
ロであることが望ましいが、ＡｌはＭＦＩ型メタロシリ
ケート合成において、その原料中に不純物として含まれ
ていることからＡｌ量をゼロに抑えることは難しい。し
たがって、Ａｌ含有量の下限値は、限りなくゼロに近い
値である、と言える。
【００１１】
Ｉ．ＭＦＩ型ガリウムシリケートの合成 （１） ６．５kgの市販コロイダルシリカ（３０重量％
ＳｉＯ2 、０．４重量％Ｎａ2 Ｏ）と、０．４kgのＴＰ
Ａ−Ｂｒ（テトラプロピルアンモニウムブロマイド、テ
ンプレート剤）と、５kgの純水とを混合して１１．９kg
の第１の原料を調製した。
ＳｉＯ2 、０．４重量％Ｎａ2 Ｏ）と、０．４kgのＴＰ
Ａ−Ｂｒ（テトラプロピルアンモニウムブロマイド、テ
ンプレート剤）と、５kgの純水とを混合して１１．９kg
の第１の原料を調製した。
【００１２】（２） １５．２ｇの塩化ガリウム（Ｇａ
Ｃｌ3 、純度９９．９９９％）と、０．３kgの水酸化ナ
トリウムと、８kgの純水とを混合して８．３kgの第２の
原料を調製した。
Ｃｌ3 、純度９９．９９９％）と、０．３kgの水酸化ナ
トリウムと、８kgの純水とを混合して８．３kgの第２の
原料を調製した。
【００１３】（３） 第１の原料をステンレス製容器に
入れ、その第１の原料を攪拌しながらそれに第２の原料
を徐々に加えた。
入れ、その第１の原料を攪拌しながらそれに第２の原料
を徐々に加えた。
【００１４】（４） 第１，２の原料よりなる混合物を
３０分間攪拌して、全体に亘り均一なガリウムシリケー
トアルカリゲルを得た。このアルカリゲルの組成は次の
通りであった。ＳｉＯ2 ／Ｇａ2 Ｏ3 モル比＝７５０、
Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３３、Ｈ2 Ｏ／Ｎａ
2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／ＳｉＯ2 モル比＝
０．０５ （５） 前記アルカリゲルをオートクレーブに投入し、
攪拌しつつ１７０℃に２４時間保持して結晶化を行い、
これにより結晶スラリを得た。
３０分間攪拌して、全体に亘り均一なガリウムシリケー
トアルカリゲルを得た。このアルカリゲルの組成は次の
通りであった。ＳｉＯ2 ／Ｇａ2 Ｏ3 モル比＝７５０、
Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３３、Ｈ2 Ｏ／Ｎａ
2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／ＳｉＯ2 モル比＝
０．０５ （５） 前記アルカリゲルをオートクレーブに投入し、
攪拌しつつ１７０℃に２４時間保持して結晶化を行い、
これにより結晶スラリを得た。
【００１５】（６） 結晶スラリに固液分離処理を施し
て固体成分を得、次いで固体成分を洗浄し、その後濾過
を行ってケーキを得た。
て固体成分を得、次いで固体成分を洗浄し、その後濾過
を行ってケーキを得た。
【００１６】（７） ケーキを１１０℃にて２４時間乾
燥し、次いでケーキを、電気炉を用いて５５０℃にて１
２時間焼成し、その後焼成物を粉砕して、約１．３kgの
粉末状ＭＦＩ型ガリウムシリケートを得た。
燥し、次いでケーキを、電気炉を用いて５５０℃にて１
２時間焼成し、その後焼成物を粉砕して、約１．３kgの
粉末状ＭＦＩ型ガリウムシリケートを得た。
【００１７】このＭＦＩ型ガリウムシリケートにおける
Ｇａ含有量はＧａ＝０．４重量％、Ａｌ含有量はＡｌ＝
０．０４重量％であった。このＡｌは市販コロイダルシ
リカに混入していたものと考えられる。
Ｇａ含有量はＧａ＝０．４重量％、Ａｌ含有量はＡｌ＝
０．０４重量％であった。このＡｌは市販コロイダルシ
リカに混入していたものと考えられる。
【００１８】II． ＭＦＩ型アルミノシリケートの合成 前記Ｉ項における塩化ガリウムの代りにアルミン酸ナト
リウム（５２．７重量％Ａｌ2 Ｏ3 、４１．９重量％Ｎ
ａ2 Ｏ）を用いた以外は、前記Ｉ項と同様の方法で、約
１．３kgの粉末状ＭＦＩ型アルミノシリケート（ＺＳＭ
−５ゼオライト）を得た。
リウム（５２．７重量％Ａｌ2 Ｏ3 、４１．９重量％Ｎ
ａ2 Ｏ）を用いた以外は、前記Ｉ項と同様の方法で、約
１．３kgの粉末状ＭＦＩ型アルミノシリケート（ＺＳＭ
−５ゼオライト）を得た。
【００１９】この場合、アルミノシリケートアルカリゲ
ルの組成は次の通りであった。ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 モ
ル比＝７５０、Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３
３、Ｈ 2 Ｏ／Ｎａ2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／
ＳｉＯ2 モル比＝０．０５またＭＦＩ型アルミノシリケ
ートにおけるＡｌ含有量はＡｌ＝０．１８重量％であっ
た。
ルの組成は次の通りであった。ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 モ
ル比＝７５０、Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３
３、Ｈ 2 Ｏ／Ｎａ2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／
ＳｉＯ2 モル比＝０．０５またＭＦＩ型アルミノシリケ
ートにおけるＡｌ含有量はＡｌ＝０．１８重量％であっ
た。
【００２０】III ．ＨＣ吸着脱離テスト 排気ガスを想定して表１に示す組成を備えたテスト用ガ
スを調製した。
スを調製した。
【００２１】
【表１】
【００２２】浄化テストは、先ず、１００ｇの新規のＭ
ＦＩ型ガリウムシリケートを固定床流通式反応装置に設
置し、次いでその装置内にテスト用ガスを空間速度Ｓ．
Ｖ．＝５００００ｈ-1で流通させると共にテスト用ガス
の温度を常温〜２００℃まで昇温速度２０℃／min で上
昇させ、所定のガス温度にてＣ5 Ｈ10（ペンテン）吸着
率とＣ5 Ｈ10脱離率とを測定した。また同様の測定を新
規のＭＦＩ型アルミノシリケートについても行った。
ＦＩ型ガリウムシリケートを固定床流通式反応装置に設
置し、次いでその装置内にテスト用ガスを空間速度Ｓ．
Ｖ．＝５００００ｈ-1で流通させると共にテスト用ガス
の温度を常温〜２００℃まで昇温速度２０℃／min で上
昇させ、所定のガス温度にてＣ5 Ｈ10（ペンテン）吸着
率とＣ5 Ｈ10脱離率とを測定した。また同様の測定を新
規のＭＦＩ型アルミノシリケートについても行った。
【００２３】さらにＭＦＩ型ガリウムシリケートおよび
ＭＦＩ型アルミノシリケートを還流ガス（１体積％
Ｏ2 、１０体積％Ｈ2 Ｏおよび残部Ｎ2 ）中に保持して
９００℃２０時間のエージング処理を行い、次いでそれ
らについて前記同様の測定を行った。
ＭＦＩ型アルミノシリケートを還流ガス（１体積％
Ｏ2 、１０体積％Ｈ2 Ｏおよび残部Ｎ2 ）中に保持して
９００℃２０時間のエージング処理を行い、次いでそれ
らについて前記同様の測定を行った。
【００２４】図１，２は測定結果を示し、図１は新規の
ＭＦＩ型ガリウムシリケート等に、図２はエージング処
理後のＭＦＩ型ガリウムシリケート等にそれぞれ該当す
る。図１，２から明らかなように、エージング処理後の
ＭＦＩ型ガリウムシリケートによるＣ5 Ｈ10吸着率およ
びＣ5 Ｈ10脱離率は新規状態のそれと略同じであり、し
たがってＭＦＩ型ガリウムシリケートは優れた耐熱性を
有することが判る。一方、ＭＦＩ型アルミノシリケート
においては、エージング処理後の、Ｃ5 Ｈ10に対する吸
着脱離性能が、新規状態のそれに比べて低下するもの
で、これはＭＦＩ型アルミノシリケートの耐熱性が低い
ことに起因する。
ＭＦＩ型ガリウムシリケート等に、図２はエージング処
理後のＭＦＩ型ガリウムシリケート等にそれぞれ該当す
る。図１，２から明らかなように、エージング処理後の
ＭＦＩ型ガリウムシリケートによるＣ5 Ｈ10吸着率およ
びＣ5 Ｈ10脱離率は新規状態のそれと略同じであり、し
たがってＭＦＩ型ガリウムシリケートは優れた耐熱性を
有することが判る。一方、ＭＦＩ型アルミノシリケート
においては、エージング処理後の、Ｃ5 Ｈ10に対する吸
着脱離性能が、新規状態のそれに比べて低下するもの
で、これはＭＦＩ型アルミノシリケートの耐熱性が低い
ことに起因する。
【００２５】IV．Ａｌ含有量 前記Ｉ項で述べたＭＦＩ型ガリウムシリケートの合成に
おいて、そのアルカリゲルにアルミナをその添加量を変
えて混入することにより、Ａｌ含有量を異にする各種Ｍ
ＦＩ型ガリウムシリケートを得た。
おいて、そのアルカリゲルにアルミナをその添加量を変
えて混入することにより、Ａｌ含有量を異にする各種Ｍ
ＦＩ型ガリウムシリケートを得た。
【００２６】これら新規のＭＦＩ型ガリウムシリケート
について、前記III 項で述べた場合と同様の方法で１分
間におけるＣ5 Ｈ10吸着率を測定した。
について、前記III 項で述べた場合と同様の方法で１分
間におけるＣ5 Ｈ10吸着率を測定した。
【００２７】また各ＭＦＩ型ガリウムシリケートを、エ
ンジン（排気量２２００cc）の排気系統に組込んで、８
００℃、１００時間のエージング処理を行い、次いで各
ＭＦＩ型ガリウムシリケートについて、前記同様の測定
を行った。
ンジン（排気量２２００cc）の排気系統に組込んで、８
００℃、１００時間のエージング処理を行い、次いで各
ＭＦＩ型ガリウムシリケートについて、前記同様の測定
を行った。
【００２８】図３は測定結果を示す。図３より、Ａｌ含
有量をＡｌ≦０．０５重量％に設定すると、エージング
処理後も、新規状態と同様に高いＣ5 Ｈ10吸着率を得る
ことができる。このことから、Ａｌ含有量がＡｌ≦０．
０５重量％であるＭＦＩ型ガリウムシリケートは優れた
耐熱性を有することが判る。
有量をＡｌ≦０．０５重量％に設定すると、エージング
処理後も、新規状態と同様に高いＣ5 Ｈ10吸着率を得る
ことができる。このことから、Ａｌ含有量がＡｌ≦０．
０５重量％であるＭＦＩ型ガリウムシリケートは優れた
耐熱性を有することが判る。
【００２９】なお、ＭＦＩ型ガリウムシリケートにおい
て、そのＧａ含有量は０．０１重量％≦Ｇａ≦０．５重
量％が適当である。Ｇａ含有量がＧａ＜０．０１重量％
では結晶性が悪くなり、一方、Ｇａ＞０．５重量％では
ＳｉＯ2 ／Ｇａ2 Ｏ3 モル比が小さくなるためＨＣに対
する選択吸着性能が低下する。
て、そのＧａ含有量は０．０１重量％≦Ｇａ≦０．５重
量％が適当である。Ｇａ含有量がＧａ＜０．０１重量％
では結晶性が悪くなり、一方、Ｇａ＞０．５重量％では
ＳｉＯ2 ／Ｇａ2 Ｏ3 モル比が小さくなるためＨＣに対
する選択吸着性能が低下する。
【００３０】Ｖ．（１） 前記Ｉ項における塩化ガリウ
ムの代わりに塩化インジウム（ＩｎＣｌ3 、純度９９．
９９９％）を用い、それ以外は前記Ｉ項と同様の方法
で、約１．３kgの粉末状ＭＦＩ型インジウムシリケート
を得た。
ムの代わりに塩化インジウム（ＩｎＣｌ3 、純度９９．
９９９％）を用い、それ以外は前記Ｉ項と同様の方法
で、約１．３kgの粉末状ＭＦＩ型インジウムシリケート
を得た。
【００３１】この場合、インジウムシリケートアルカリ
ゲルの組成は次の通りであった。ＳｉＯ2 ／ＩｎＯ3 モ
ル比＝７５０、Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３
３、Ｈ 2 Ｏ／Ｎａ2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／
ＳｉＯ2 モル比＝０．０５このＭＦＩ型インジウムシリ
ケートにおけるＩｎ含有量はＩｎ＝０．６重量％、Ａｌ
含有量はＡｌ＝０．０４重量％であった。
ゲルの組成は次の通りであった。ＳｉＯ2 ／ＩｎＯ3 モ
ル比＝７５０、Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３
３、Ｈ 2 Ｏ／Ｎａ2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／
ＳｉＯ2 モル比＝０．０５このＭＦＩ型インジウムシリ
ケートにおけるＩｎ含有量はＩｎ＝０．６重量％、Ａｌ
含有量はＡｌ＝０．０４重量％であった。
【００３２】（２） 前記III 項と同様の方法で、新規
のＭＦＩ型インジウムシリケートについてＨＣ吸着脱離
テストを行い、所定のガス温度にてＣ5 Ｈ10（ペンテ
ン）吸着率とＣ5 Ｈ10脱離率とを測定した。また前記II
I 項と同様の方法でＭＦＩ型インジウムシリケートにエ
ージング処理を施し、次いでその処理後のＭＦＩ型イン
ジウムシリケートについて前記同様の測定を行った。
のＭＦＩ型インジウムシリケートについてＨＣ吸着脱離
テストを行い、所定のガス温度にてＣ5 Ｈ10（ペンテ
ン）吸着率とＣ5 Ｈ10脱離率とを測定した。また前記II
I 項と同様の方法でＭＦＩ型インジウムシリケートにエ
ージング処理を施し、次いでその処理後のＭＦＩ型イン
ジウムシリケートについて前記同様の測定を行った。
【００３３】図４，５は測定結果を示し、図４は新規の
ＭＦＩ型インジウムシリケートに、図５はエージング処
理後のＭＦＩ型インジウムシリケートにそれぞれ該当す
る。なお、比較のため、図４，５には、それぞれ図１，
２に示したＭＦＩ型アルミノシリケートに関するデータ
も記載されている。図４，５から明らかなように、エー
ジング処理後のＭＦＩ型インジウムシリケートによるＣ
5 Ｈ10吸着率およびＣ 5 Ｈ10脱離率は新規状態のそれと
略同じであり、したがってＭＦＩ型インジウムシリケー
トは優れた耐熱性を有することが判る。
ＭＦＩ型インジウムシリケートに、図５はエージング処
理後のＭＦＩ型インジウムシリケートにそれぞれ該当す
る。なお、比較のため、図４，５には、それぞれ図１，
２に示したＭＦＩ型アルミノシリケートに関するデータ
も記載されている。図４，５から明らかなように、エー
ジング処理後のＭＦＩ型インジウムシリケートによるＣ
5 Ｈ10吸着率およびＣ 5 Ｈ10脱離率は新規状態のそれと
略同じであり、したがってＭＦＩ型インジウムシリケー
トは優れた耐熱性を有することが判る。
【００３４】なお、ＭＦＩ型インジウムシリケートにお
いて、そのＩｎ含有量は０．０１重量％≦Ｉｎ≦０．６
重量％が適当である。Ｉｎ含有量がＩｎ＜０．０１重量
％では結晶化度が低く構造が不安定であり、一方、Ｉｎ
＞０．６重量％ではＳｉＯ2／Ｉｎ2 Ｏ3 モル比が小さ
くなるためＨＣに対する選択吸着性能が低下する。
いて、そのＩｎ含有量は０．０１重量％≦Ｉｎ≦０．６
重量％が適当である。Ｉｎ含有量がＩｎ＜０．０１重量
％では結晶化度が低く構造が不安定であり、一方、Ｉｎ
＞０．６重量％ではＳｉＯ2／Ｉｎ2 Ｏ3 モル比が小さ
くなるためＨＣに対する選択吸着性能が低下する。
【００３５】またＭＦＩ型メタロシリケートは骨格構成
元素としてＧａおよびＩｎの両方を含んでいてもよい。
元素としてＧａおよびＩｎの両方を含んでいてもよい。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、前記のように構成する
ことによって、十分に改善された耐熱性を有し、また良
好なＨＣ吸着脱離性能を有するＨＣ吸着剤を提供するこ
とができる。
ことによって、十分に改善された耐熱性を有し、また良
好なＨＣ吸着脱離性能を有するＨＣ吸着剤を提供するこ
とができる。
【図１】新規状態のＭＦＩ型ガリウムシリケート等にお
けるガス温度と、Ｃ5 Ｈ10吸着率およびＣ5 Ｈ10脱離率
との関係を示すグラフである。
けるガス温度と、Ｃ5 Ｈ10吸着率およびＣ5 Ｈ10脱離率
との関係を示すグラフである。
【図２】エージング処理後のＭＦＩ型ガリウムシリケー
ト等におけるガス温度と、Ｃ5Ｈ10吸着率およびＣ5 Ｈ
10脱離率との関係を示すグラフである。
ト等におけるガス温度と、Ｃ5Ｈ10吸着率およびＣ5 Ｈ
10脱離率との関係を示すグラフである。
【図３】ＭＦＩ型ガリウムシリケートに関するＡｌ含有
量と、１分間におけるＣ5 Ｈ10吸着率との関係を示すグ
ラフである。
量と、１分間におけるＣ5 Ｈ10吸着率との関係を示すグ
ラフである。
【図４】新規状態のＭＦＩ型インジウムシリケート等に
おけるガス温度と、Ｃ5 Ｈ10吸着率およびＣ5 Ｈ10脱離
率との関係を示すグラフである。
おけるガス温度と、Ｃ5 Ｈ10吸着率およびＣ5 Ｈ10脱離
率との関係を示すグラフである。
【図５】エージング処理後のＭＦＩ型インジウムシリケ
ート等におけるガス温度と、Ｃ 5 Ｈ10吸着率およびＣ5
Ｈ10脱離率との関係を示すグラフである。
ート等におけるガス温度と、Ｃ 5 Ｈ10吸着率およびＣ5
Ｈ10脱離率との関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 治彦 埼玉県和光市中央１丁目４番１号 株式会 社本田技術研究所内 (72)発明者 藤澤 義和 埼玉県和光市中央１丁目４番１号 株式会 社本田技術研究所内 (72)発明者 三田 宗雄 東京都江東区亀戸９丁目15番１号 日本化 学工業株式会社内 (72)発明者 上本 賢治 東京都江東区亀戸９丁目15番１号 日本化 学工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 骨格構成元素としてＧａおよびＩｎの少
なくとも一方を含むＭＦＩ型メタロシリケートよりな
り、Ａｌ含有量がＡｌ≦０．０５重量％であることを特
徴とする耐熱性ＨＣ吸着剤。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/147,527 US6096674A (en) | 1997-06-03 | 1997-03-17 | Heat-resistant HC adsorbent |
| JP9145529A JPH10328560A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 耐熱性ｈｃ吸着剤 |
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