JPS58127380A - Ｍｏｓ型半導体装置 - Google Patents

Ｍｏｓ型半導体装置

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Publication number
JPS58127380A
JPS58127380A JP57010363A JP1036382A JPS58127380A JP S58127380 A JPS58127380 A JP S58127380A JP 57010363 A JP57010363 A JP 57010363A JP 1036382 A JP1036382 A JP 1036382A JP S58127380 A JPS58127380 A JP S58127380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulation film
type semiconductor
channel part
diffused layer
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP57010363A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Ogata
尾形　俊昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS58127380A publication Critical patent/JPS58127380A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
    • H10D64/311—Gate electrodes for field-effect devices
    • H10D64/411—Gate electrodes for field-effect devices for FETs
    • H10D64/511—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs
    • H10D64/514—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs characterised by the insulating layers
    • H10D64/516—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs characterised by the insulating layers the thicknesses being non-uniform
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/601—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET] having lightly-doped drain or source extensions, e.g. LDD IGFETs or DDD IGFETs 
    • H10D30/603—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET] having lightly-doped drain or source extensions, e.g. LDD IGFETs or DDD IGFETs  having asymmetry in the channel direction, e.g. lateral high-voltage MISFETs having drain offset region or extended drain IGFETs [EDMOS]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/113—Isolations within a component, i.e. internal isolations
    • H10D62/115—Dielectric isolations, e.g. air gaps
    • H10D62/116—Dielectric isolations, e.g. air gaps adjoining the input or output regions of field-effect devices, e.g. adjoining source or drain regions

Landscapes

  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＭＯ！３型半導体装置の構造に関する。
本発明の目的はＭＯ８型半導体装置、特に微細化された
ＭＯＢ型半導体装置の耐圧向上にある。
以下図に依って詳しく説明する。
第１図は従来の耐圧を改善したＭＯＢ型半導体Ｗ＆皺の
断面図である。不純物濃度の高いドレイン拡散層１と、
ゲート配置！２下のチャネル部３の間に選択酸化ｌＸ４
を設け、選択酸化膜下の不純物濃度の低い拡散層５でチ
ャネル部３とドレイン拡散層１を結ぶ。第１図に示す構
造の耐圧を改善したＭＯ５型半導体装置は通常のＭＯ８
Ｏ８型体導体装置一チップ上に混載する事が容易である
為に、螢光表示管、液晶表示装置等の駆動回路とロジッ
ク回路、メモリ等を一体化した半導体装置に多く用いら
れている。しかしロジック回路、メモリ等の微細化に合
わせて駆動回路を微細化する場合、選択醸化膜を使用す
る為に生じるバーズビーク６の存在が問題になる。本発
明は上記の欠点を除去した微細化に適した構造のＭＯａ
型半導体装置である。
第２図は本発明の耐圧を改善したＭＯ８型半導体装置の
断面図である。不純物濃度の高いドレイン拡散層７とゲ
ート配置ＩＢ下のチャネル部９の間に断面がほぼ矩形の
絶縁膜１ｏを埋め込み、チャネル部９とドレイン拡散層
７の間を不純物濃度の低し・拡散層１１で結ぶ。絶縁膜
１ｏの形成は、反応性イオンエツチング等、指向性と選
択性に優れたエツチング７法でシリコン基板１２をエツ
チングして矩形の溝を形成した後、熱酸化を用いて酸化
シリコン膜を形成するか、あるいは気相成長法【こよっ
て酸化シリコン１．窒化シリコン等の絶縁物を埋め込む
。絶縁膜の長さはα５μ悔もあれば充分である為微細化
に大いに適している。絶縁１［１０の長さ、深さ、及び
拡散層の不純物嬢度を変える事により、広い耐圧仕様に
対応する事が出来、耐圧を特に高くした場合には駆動回
路に使用し、少し耐圧を上げて半導体装置の信頼性を向
上する等、多様な用達に使用出来る。上記の例ではドレ
イン側のみ絶縁膜を埋め込んだが、ドレイン側、ソース
側両方に形成する事も出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の耐圧を改善したＭＯｓ型半導体装置の断
面図である。 第２図は本発明の耐圧を改善したＭＯ１３型半導体装置
の断面図である。 １．７・・・・・・ドレイン拡散層 ４・・・・・・・・・・・・選択酸化膜１０・・・・・
・・・・絶縁膜 ５．１１・・・・・・拡散層 以　　上 出願人　株式金社趣紡精工舎 代理人　弁理士　最上　　務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ドレイン拡散層とチャネル部の間に断面形状がほぼ矩形
    である絶縁膜が埋め込まれている事を特徴とするＭＯＢ
    型半導体装置。
JP57010363A 1982-01-26 1982-01-26 Ｍｏｓ型半導体装置 Pending JPS58127380A (ja)

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