JPS58159363A - 半導体集積回路の入出力保護装置 - Google Patents

半導体集積回路の入出力保護装置

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JPS58159363A
JPS58159363A JP57042177A JP4217782A JPS58159363A JP S58159363 A JPS58159363 A JP S58159363A JP 57042177 A JP57042177 A JP 57042177A JP 4217782 A JP4217782 A JP 4217782A JP S58159363 A JPS58159363 A JP S58159363A
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JP
Japan
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output
drain region
protecting device
prescribed
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JP57042177A
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JPH0312472B2 (ja
Inventor
Koji Eguchi
江口　宏次
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/811—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using FETs as protective elements

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  • Logic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発＃４は牛導体集積回路の入出力保賎装盲に関する。
従来、入出力保＠＊を扛、入力側と出力側にそれぞれ孤
別にその＋段を施している為にし１アウトパターンの占
有面積は入力保―襞電のみ、あるいは出力保線装置のみ
よりも当然のことながら大急〈なりていた０又、仁とに
相１ＩＩＩＡ溢Ｍ（Ｊｌ構造で入出力コモンタ１１の回
路執ＩＩにおいては、相補ｆｉＭＵ８＠造特Ｍのラッチ
了Ｖプ現象の発生防止に努めなけれはならない為にＮ型
Ｍ（ＪＩ９＠造又は１’ｆｉＭ０８構造による入出力保
線装置に比べｊ！に。
し１アウトパターンの占有面積は大きくなっていたＯ しかるに、高集積密度化が進んでいる現在において、上
記し友人出力保ｇｉｉ装置を採用し続けることは、非常
に不合場的でかつ有効性に欠けている。
つまり、従来の入出力保線ｉｉｔｍが必費最小限のもの
であり九かどうかはかな９疑門のある所が多い為に１人
力保線及び出力保護に必ｌ！な最小限の機能を満足する
し１了クトバメーン倉見出し採用することによって、従
来の入出力保護パターンを採用してい次時よりも１更に
、高集積密度１ヒを図らなけれｔ’ｆならない。
本！ａ明は、従来の人出力保饅耐圧と同等、又はそれ以
上の耐圧管有し、＊（従来以上の高集積密度化を実現す
ることＹｔ目的としている。
本％ＩＩＫよれは、入出力用ポンディングパッドからは
、出力保Ｉｉ装筺のみに接続され、入力ゲートは該出力
保ｗ！に装置の出力増と拡散抵抗會介して接続された構
造の入出力保５ｉｉｉ置が得られる。
本発＃４を相補ｔＩｉＭＵＳ構造における入出力保護装
置を例にとマて、従来の装置と比較しながら図Ｉｌ］を
用いてａ明してい〈０ １１１図は従来から！ｌ！施されてきた入出力保護装置
のレイアウトパターンを示し、！２図ＫＩＩＩＬ１図の
等価回路を示す。ｍｌｌｌ図、３１２図において、入出
力用ボンティングパッドｌｌ［、ｉ’ｃｈ出力トランジ
スタで所定の拡散層容量會もり友ドレイン領域１２と所
定のＮＪＩＩ拡散層抵抗１３ｔ−介したＮｃｈ出力トラ
ンジスタで所定の拡散増容ＪＩＩＶｒ４りたドレイン領
域１４へとオー建ｙ／ｉＩ！続される０次に人力ゲート
への接続は所定のＮｆＪ拡散層抵抗１５とＮ！１！第１
！【含む所定のポリシリコン抵抗１６とｔ介してボンデ
（ングバッド１１へと接続されている０尚ｍ１図、１Ｉ
ＬｌｔＩＡＫ＆ｖｈ−ｒ−矢ｆｌｌＯ（１人力ゲートへ
いたることｔ示している。このような従来の構造によれ
ばＰｃｈ、ｈｃｈ両出カドランジス７Ｉに対する出力保
Ｉ１１装置と、入力ブートに対する入力保躾ｆ！櫨とが
それぞれ孤別に形成し、配置をとる牛導体集積回路では
必然的にそのレイアウトパターンの占有伽横が大きくな
ってい危。
本発明では、入力保ｓｉ装置を出力保１ＩＩｆｔ置の一
部に共存させることによりて、従来の入出力保１耐圧を
推持した上でレイアウトパターンの占有面積を小さくし
たことｔ特徴としている。
８３図は本楯＃４による入出力保護装置のレイアウトパ
ターンで、属４ｗＪはＩＮ３図の等価回路を示す。
尚、ｍ３図、５１４図で矢印１００は入力ゲートへいた
ることを示している。５１１３図、属４図において、入
出力用ボンティングパッド２１Ｆｉ、Ｐｃｈ出力トラン
ジスタで所定の拡散層容量を持りたドレイン領域２２と
所定のＮｊｌｌ拡散抵抗２３ｔ−介したＮｃｈ出力トラ
ンジスタで所定の拡散増容ｔｔ待ったドレイン領域２４
へとオーζｖｌ＠絖される。
次に人力ゲートへの接続は前記Ｎｃｈ出力トランジスタ
のドレイン領域２４からｊＩ！＃Ｃｈ製拡散抵抗２５を
介して接続されている。このように出力保論用に設けら
れている所定の拡散ｍｓｔを持９たドレイン領域の−Ｓ
ｔ入力入力保検目も同時に担わせることによｐ、出力保
鏝装置と入力保麺装置とｔかなりの範囲で共有させたこ
とによりレイアウトパターンは従来のそれに比べて約３
０９６小さくすることが可能となりた０尚０本発＃！Ａ
に相補星ｈＬ）８構造以外の構造においても効果は得ら
れるものである◎
【図面の簡単な説明】
謳１図は、従来の入出力保護装置を用いたし１アウトパ
タ一ン図で、謳２図は、１１１図の等価−略図である。 １８３図は、本発明の夾施例による入出力保ｓｉ！電を
用いたレイアウトパターン図で、５１１４図は％＠３図
の等価回略図である。 纂１＠１．畠２図、纂３図、畠４図において、１１゜・
２１・・・入出力用ボンティングパッド、１２．２２・
・・Ｐｃｈ出力トランジスタのドレイン領域、１３゜２
３・・ＮＪＩＩ拡歓抵抗、１４．２４・・・Ｎｃｈ出力
トランジスタのドレイン領域、１５．２５・・・Ｎ急拡
散抵抗、１６・・・Ｎａ１ｌ不純＠を含むボＩノシリコ
ン抵抗、１００・・１人力ゲートへ」に接続されること
ｔ示す矢印である。 拵１図 第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 出力保Ｓ装置ｉｔｔ徊成する抵抗素子と容量素子の少な
    くとも一部が入力保＠ａｔを兼ね備えたことを特徴とす
    る牛導体集Ｓｔ回路の入出力保鰻懐筺０
JP57042177A 1982-03-17 1982-03-17 半導体集積回路の入出力保護装置 Granted JPS58159363A (ja)

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JPH0312472B2 JPH0312472B2 (ja) 1991-02-20

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