JPS58168032A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法Info
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- JPS58168032A JPS58168032A JP57050376A JP5037682A JPS58168032A JP S58168032 A JPS58168032 A JP S58168032A JP 57050376 A JP57050376 A JP 57050376A JP 5037682 A JP5037682 A JP 5037682A JP S58168032 A JPS58168032 A JP S58168032A
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- JP
- Japan
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- insulator
- metal
- transparent
- transparent insulator
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非線型特性を有する素子を用いた電気光学装
置の製造方法に関する。
置の製造方法に関する。
非線型特性を有する素子には、ノくリスタウダイオード
、金属−絶縁物−金属（以下Ｍ工Ｍという）素子、薄膜
トランジスタ（以下ＴＰＴという）などがある。本発明
は例示の非線型特性を有する素子ならばすべて応用する
ことが可能であり、以−）’ＭＩＭ素子を用いた電気光
学装置について説明する。
、金属−絶縁物−金属（以下Ｍ工Ｍという）素子、薄膜
トランジスタ（以下ＴＰＴという）などがある。本発明
は例示の非線型特性を有する素子ならばすべて応用する
ことが可能であり、以−）’ＭＩＭ素子を用いた電気光
学装置について説明する。
従来のＭＩＭ素子を用いた電気光学装置の製造方法を９
１図および第２図により説明する。第２図は第１図のｉ
ｌａにおける断面図である。
１図および第２図により説明する。第２図は第１図のｉ
ｌａにおける断面図である。
１は基板、２は第１の金属、３は第２の金属、４は透明
電極、５は絶縁物、６は透明絶縁物である。
電極、５は絶縁物、６は透明絶縁物である。
基板１に第１の金属２を形成する。第１の金属２は、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｔａなど表面が酸素ガスを含む高温雰囲気中
あるいは陽極酸化により容易に絶縁物５を形成できる金
属であれば問題ない。次に第１の金Ｉｓ２を所定の形状
にパターニングする。
ｌ、Ｔｉ、Ｔａなど表面が酸素ガスを含む高温雰囲気中
あるいは陽極酸化により容易に絶縁物５を形成できる金
属であれば問題ない。次に第１の金Ｉｓ２を所定の形状
にパターニングする。
次に第１の金属２を熱醗化あるいは陽極酸化により箒１
の金＠２の表面に所定の膜厚に絶縁物５を形成する。次
に第２の金Ｍ３を形成する。＃！２の金属３はｋｌ、’
ＩＪ１．ＮｌＣｒ’、Ｃｒ、Ｔａなどの使用が可能であ
り、目的の非線型特性が得られれば上記金属に限られる
ものではない。
の金＠２の表面に所定の膜厚に絶縁物５を形成する。次
に第２の金Ｍ３を形成する。＃！２の金属３はｋｌ、’
ＩＪ１．ＮｌＣｒ’、Ｃｒ、Ｔａなどの使用が可能であ
り、目的の非線型特性が得られれば上記金属に限られる
ものではない。
次に第２の金属３を所定の形状にバターニングする。次
に透明電極４を形成する。透明電極４は酸化インジュウ
ム、酸化スズなど透明で電導性のも ゛のであれば問題
ない。次に透明絶縁物６を形成する。透明絶縁物６とし
て最も広く用いられているものは、５ｉ０２でありスパ
ッタリングにより形成されている。Ｍ工Ｍ素子の一般的
な非線型特性を第６図に示す。
に透明電極４を形成する。透明電極４は酸化インジュウ
ム、酸化スズなど透明で電導性のも ゛のであれば問題
ない。次に透明絶縁物６を形成する。透明絶縁物６とし
て最も広く用いられているものは、５ｉ０２でありスパ
ッタリングにより形成されている。Ｍ工Ｍ素子の一般的
な非線型特性を第６図に示す。
第５図の横軸はＭ工Ｍ素子に印加する電圧であり、縦軸
はＭ工Ｍ素子に流れる電流である。ＭＩＭ素子に！、を
印加した時流れる電流はｉＩであり、−ヤ、を印加した
時流れる電流は−１１である。
はＭ工Ｍ素子に流れる電流である。ＭＩＭ素子に！、を
印加した時流れる電流はｉＩであり、−ヤ、を印加した
時流れる電流は−１１である。
ここで、 １νＨＩ”ｌ Ｉｌｌ ｌＩ ＜、
ｌ＞Ｉ −ｓ、 １ の関係にあるのでＭ工Ｍ素子に印加する電圧の極性によ
り流れる電流値が異なる。すなわち、ＭＩＭ素子を設置
した電気光学装置では液晶層に直流電圧が印加されてし
まうことになる。液晶層に直流電圧を印加すれば、液晶
物質が劣化するのは公知である。以上の理由により、液
晶層とＭＩＭ素子との間に電気容量を設置し、直流電圧
をカットする必要が生じる。第４図に液晶層とＭ工Ｍ素
子との間に電気容量を設置した等価回路を示す。
ｌ＞Ｉ −ｓ、 １ の関係にあるのでＭ工Ｍ素子に印加する電圧の極性によ
り流れる電流値が異なる。すなわち、ＭＩＭ素子を設置
した電気光学装置では液晶層に直流電圧が印加されてし
まうことになる。液晶層に直流電圧を印加すれば、液晶
物質が劣化するのは公知である。以上の理由により、液
晶層とＭＩＭ素子との間に電気容量を設置し、直流電圧
をカットする必要が生じる。第４図に液晶層とＭ工Ｍ素
子との間に電気容量を設置した等価回路を示す。
Ｑ ＬＱは液晶層の容量、ＲＬｃは液晶層の抵抗、ＣＤ
ＣＣＶｒは透明絶縁物の容量、ＲＤｏ ＯＵＴは透明絶
縁物の抵抗、Ｑ ＭＩＸはＭＩＭ素子の容量、ｌ’ｌ
ＩＩＭはＭＩＭや抵抗である。Ｃシ’ ＜＜ Ｃ！ Ｄ
ｏ ＯＵＴのときＣＬＣ＠ ０ＴＸＪＯＵ丁 Ｃビ Ｑ ＬＯ ＣＬＯ−）−ＯＤｏ ＯＵＴ となり、透明絶縁物の容量Ｑ Ｋｎ ＯＭＩＴは無視で
きる。
ＣＣＶｒは透明絶縁物の容量、ＲＤｏ ＯＵＴは透明絶
縁物の抵抗、Ｑ ＭＩＸはＭＩＭ素子の容量、ｌ’ｌ
ＩＩＭはＭＩＭや抵抗である。Ｃシ’ ＜＜ Ｃ！ Ｄ
ｏ ＯＵＴのときＣＬＣ＠ ０ＴＸＪＯＵ丁 Ｃビ Ｑ ＬＯ ＣＬＯ−）−ＯＤｏ ＯＵＴ となり、透明絶縁物の容量Ｑ Ｋｎ ＯＭＩＴは無視で
きる。
また、透明絶縁物の抵抗ＲＤｏ ＯＵＴは大きいほど直
流電圧が液晶層に印加されなくなることは明らかである
。したがって透明絶縁物は電気容量が大きく、電気抵抗
が大きいことが要求される。
流電圧が液晶層に印加されなくなることは明らかである
。したがって透明絶縁物は電気容量が大きく、電気抵抗
が大きいことが要求される。
従来の透明絶縁物６の製造方法は５ｉ０２のスパッタリ
ングにより形成されている。５１０２の誘電率ｔ８は約
３７であり、膜厚１０００（Ｘ）の透明絶縁物６を形成
すれば約５０ｐＦの電気容量が得られる。液晶層の容量
を１ｐＦとすれば約３０倍の容量をもつことになる。し
かし、スパッタリングにより得られる膜はピンホールが
多いことは公知である。このため、透明絶縁物の抵抗）
１ｗＯＵＴが小さくなり、直流電圧が十分カットできな
いという欠点があった。また更に、透明絶縁物の抵抗Ｒ
Ｄｏ ＯＵＴを大きくするために５ｉ０２の膜厚を厚く
すると、透明絶縁物の容量ｃＤａｃαが小さくなってし
まうという欠点があった。
ングにより形成されている。５１０２の誘電率ｔ８は約
３７であり、膜厚１０００（Ｘ）の透明絶縁物６を形成
すれば約５０ｐＦの電気容量が得られる。液晶層の容量
を１ｐＦとすれば約３０倍の容量をもつことになる。し
かし、スパッタリングにより得られる膜はピンホールが
多いことは公知である。このため、透明絶縁物の抵抗）
１ｗＯＵＴが小さくなり、直流電圧が十分カットできな
いという欠点があった。また更に、透明絶縁物の抵抗Ｒ
Ｄｏ ＯＵＴを大きくするために５ｉ０２の膜厚を厚く
すると、透明絶縁物の容量ｃＤａｃαが小さくなってし
まうという欠点があった。
本発明はかかる欠点を除去したもので、その目的は透明
絶縁物の抵抗ＲＤ（１００７が大きく、しがも透明絶縁
物の容量ＱＤＯＯＵＴの大きな透明絶縁物の製造方法を
提供するものである。
絶縁物の抵抗ＲＤ（１００７が大きく、しがも透明絶縁
物の容量ＱＤＯＯＵＴの大きな透明絶縁物の製造方法を
提供するものである。
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第５図に示す如く基板に第１の金属８を形成し所定の形
状にバターニングし、次に第１の金ｊｉ１８の表面を酸
化して絶縁物１１を形成し、次に第２の金３］１１１２
を形成し所定の形状にバターニングする工程は従来と全
く同一である。第６図は本発明による電気光学装置のパ
ターン形状であり、これは従来のパターン形状と傘＜同
一である。
状にバターニングし、次に第１の金ｊｉ１８の表面を酸
化して絶縁物１１を形成し、次に第２の金３］１１１２
を形成し所定の形状にバターニングする工程は従来と全
く同一である。第６図は本発明による電気光学装置のパ
ターン形状であり、これは従来のパターン形状と傘＜同
一である。
第７図は第６図の４１６での断面図を示す。絶縁物１１
の不用な部分１２を除去する。次に第８図に示すように
Ｔａ１６を形成する。次にＴａ１３を陽極鹸化をする。
の不用な部分１２を除去する。次に第８図に示すように
Ｔａ１６を形成する。次にＴａ１３を陽極鹸化をする。
Ｔｉｔは透明ではないが酸化されてＴａ２Ｃ５になると
透明な絶縁物になる。従ってＴａ１３がすべて酸化され
るまで陽極酸化を行なう。酸素ガスを含む高温雰囲気中
でＴＱを熱酸化するとＭ工Ｍ素子を高温にしてしまうた
めにＭ工Ｍ素子の非線型特性を著しく変化させてしまう
ので熱酸化による酸化はできない。陽極酸化により得ら
れたＴａ２Ｏ５換は、ピンホールその他がなく緻密な膜
を形成することができ電気絶縁度が高いという利点があ
る。すなわち液晶層への直流電圧の印加が避けられる。
透明な絶縁物になる。従ってＴａ１３がすべて酸化され
るまで陽極酸化を行なう。酸素ガスを含む高温雰囲気中
でＴＱを熱酸化するとＭ工Ｍ素子を高温にしてしまうた
めにＭ工Ｍ素子の非線型特性を著しく変化させてしまう
ので熱酸化による酸化はできない。陽極酸化により得ら
れたＴａ２Ｏ５換は、ピンホールその他がなく緻密な膜
を形成することができ電気絶縁度が高いという利点があ
る。すなわち液晶層への直流電圧の印加が避けられる。
また更に結晶化も少なく、たとえ微視的に見て結晶化し
ていても、それによってクラックその躯の損傷を作らな
いという利点がある。また更に８１０２の誘電率εＢは
約６７であるのに対し、Ｔａ２０５の誘側１ａは約２５
である。すなわちＴａ２０５の誘電率が５ｉ０２に比べ
６倍であるので、同じ膜厚で６倍の容量を持った透明絶
縁物を形成できるという利点がある。
ていても、それによってクラックその躯の損傷を作らな
いという利点がある。また更に８１０２の誘電率εＢは
約６７であるのに対し、Ｔａ２０５の誘側１ａは約２５
である。すなわちＴａ２０５の誘電率が５ｉ０２に比べ
６倍であるので、同じ膜厚で６倍の容量を持った透明絶
縁物を形成できるという利点がある。
本発明は以上説明したように、緻密で電気絶縁度が高く
、電気容量を大きくできる効果がある。
、電気容量を大きくできる効果がある。
第１図はＭ工Ｍ素子を用いた電気光学装置の画素の形状
であり、第２図は第１図の＠ａにおける断面図であり、
１は基板、２は第１の金属、３は第２の金属、４は透明
電極、５は絶縁物、６は透明絶縁物である。 第３図はＭ工Ｍ素子の一般的な非線型特性であり、横軸
は電圧、縦軸は電流である。 第４図は、液晶層とＭ工Ｍ素子との間に電気容置を設置
した等価回路であり、Ｑ ＬＯは液晶層の容量、Ｐ Ｌ
Ｏは液晶層の抵抗、Ｑ ＤＯ０１１丁は透明絶縁膜の容
量、ＲＤＯＯｌｌＴは透明絶縁膜の抵抗、５″ （ｊ ＭＩＭはＭ工Ｍ素子の容量、ｌ’ｌ ＭＩＭはＭ
工Ｍ素子の抵抗である。 第６図はＭＩＭ素子を用いた電気工学装置の画素の形状
であり、第５図は第６図の＠ａにおける断面図であり、
第７図、第８図は線すにおける断ｔｈｉ図である。 ７は基板、８は第１の金属、９は第２の金属、１０は透
明電極、１１は絶縁物、１２は不用な部分の絶縁物、１
３はＴａあるいは’［’ａ２Ｑ５である。 以 上 出願人 信州精器株式会社 第３図 ４ｍ 第５図 第７し！
であり、第２図は第１図の＠ａにおける断面図であり、
１は基板、２は第１の金属、３は第２の金属、４は透明
電極、５は絶縁物、６は透明絶縁物である。 第３図はＭ工Ｍ素子の一般的な非線型特性であり、横軸
は電圧、縦軸は電流である。 第４図は、液晶層とＭ工Ｍ素子との間に電気容置を設置
した等価回路であり、Ｑ ＬＯは液晶層の容量、Ｐ Ｌ
Ｏは液晶層の抵抗、Ｑ ＤＯ０１１丁は透明絶縁膜の容
量、ＲＤＯＯｌｌＴは透明絶縁膜の抵抗、５″ （ｊ ＭＩＭはＭ工Ｍ素子の容量、ｌ’ｌ ＭＩＭはＭ
工Ｍ素子の抵抗である。 第６図はＭＩＭ素子を用いた電気工学装置の画素の形状
であり、第５図は第６図の＠ａにおける断面図であり、
第７図、第８図は線すにおける断ｔｈｉ図である。 ７は基板、８は第１の金属、９は第２の金属、１０は透
明電極、１１は絶縁物、１２は不用な部分の絶縁物、１
３はＴａあるいは’［’ａ２Ｑ５である。 以 上 出願人 信州精器株式会社 第３図 ４ｍ 第５図 第７し！
Claims (1)
- ２枚の基板の少なくとも一方の基板に、非線型特性を有
する素子を設置し、前記２枚の基板により液晶物質を挾
持してなる電気光学装置の製造方法で、前記２枚の基板
の少なくとも一方の基板に透明絶縁物を形成し、電気容
量を設置する工程において、前記２枚の基板の少なくと
も一方の基板にタンタル薄膜を形成し、前記タンタル薄
膜を陽極酸化して透明絶縁物を形成し、電気容量を設置
したことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57050376A JPS58168032A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57050376A JPS58168032A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168032A true JPS58168032A (ja) | 1983-10-04 |
Family
ID=12857156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57050376A Pending JPS58168032A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168032A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63198021A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-16 | Seiko Epson Corp | 液晶表示素子 |
| JPH08240818A (ja) * | 1996-01-29 | 1996-09-17 | Seiko Epson Corp | 液晶表示素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53122442A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Gen Corp | Method of tantalum pentoxide membrane |
| JPS55161273A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-15 | Northern Telecom Ltd | Liquid crystal display unit and producing same |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57050376A patent/JPS58168032A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53122442A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Gen Corp | Method of tantalum pentoxide membrane |
| JPS55161273A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-15 | Northern Telecom Ltd | Liquid crystal display unit and producing same |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63198021A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-16 | Seiko Epson Corp | 液晶表示素子 |
| JPH08240818A (ja) * | 1996-01-29 | 1996-09-17 | Seiko Epson Corp | 液晶表示素子 |
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