JPS5817824B2 - 無電解メツキ浴 - Google Patents
無電解メツキ浴Info
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- JPS5817824B2 JPS5817824B2 JP117179A JP117179A JPS5817824B2 JP S5817824 B2 JPS5817824 B2 JP S5817824B2 JP 117179 A JP117179 A JP 117179A JP 117179 A JP117179 A JP 117179A JP S5817824 B2 JPS5817824 B2 JP S5817824B2
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ディスク、磁気ドラム等の磁気記録体に用
いられる磁気記憶媒体（磁性膜）を作製する無電解メッ
キ浴に関するものである。
いられる磁気記憶媒体（磁性膜）を作製する無電解メッ
キ浴に関するものである。
近年、高密度磁気記録体として、記憶媒体がメッキ法に
より作製されたメッキ磁気ディスク、メッキ磁気ドラム
等が用いられ始めた。
より作製されたメッキ磁気ディスク、メッキ磁気ドラム
等が用いられ始めた。
磁気記録装置は記録再生ヘッドおよび記憶媒体の主構成
部から構成され、要求される記録密度、記録再生速度等
により使用されるヘッドの性能および記憶媒体の磁気特
性が決定される。
部から構成され、要求される記録密度、記録再生速度等
により使用されるヘッドの性能および記憶媒体の磁気特
性が決定される。
記録密度および出力は同一ヘッドを用いる場合、記憶媒
体の磁気特性−保磁力（Ｈｅ）、残留磁束密度（Ｂｒ
）−と膜厚（δ）により決まり、次の様な関係がある。
体の磁気特性−保磁力（Ｈｅ）、残留磁束密度（Ｂｒ
）−と膜厚（δ）により決まり、次の様な関係がある。
（記録密度）ｘ（Ｈｃ／Ｂｒ・δ）％ （１）（出
力）Ｃｘ、（Ｂｒ・δ・Ｈｃ ） ３Ａ（２）従って
要求される記録密度及び出力に適する磁性膜を安定に得
るためには磁性膜のＨｃ 、 Ｂｒ及びδを一定の許容
されうる範囲内に保つ必要がある。
力）Ｃｘ、（Ｂｒ・δ・Ｈｃ ） ３Ａ（２）従って
要求される記録密度及び出力に適する磁性膜を安定に得
るためには磁性膜のＨｃ 、 Ｂｒ及びδを一定の許容
されうる範囲内に保つ必要がある。
ところが従来の無電解メッキ浴を用いて磁性膜を作成す
る場合、Ｈｃの値が膜厚に依存して変化するという性質
があり、且つメッキ速度はメッキ日数の経過（すなわち
メッキ浴の昇温、降温の繰り返し回数）とともに著しく
減少する現象がみられる。
る場合、Ｈｃの値が膜厚に依存して変化するという性質
があり、且つメッキ速度はメッキ日数の経過（すなわち
メッキ浴の昇温、降温の繰り返し回数）とともに著しく
減少する現象がみられる。
このため個々のメッキごとに磁性膜のＨｃ。δの値にバ
ラツキが生じやすく再現性に問題があり、Ｈｃ 、δの
値が許容される範囲（実用上の許容範囲としては±５％
、δまたはメッキ速度に関しては±６％）の磁性膜は一
定のメッキ液から極く限られた少ない数量しか得ること
ができないという欠点があった。
ラツキが生じやすく再現性に問題があり、Ｈｃ 、δの
値が許容される範囲（実用上の許容範囲としては±５％
、δまたはメッキ速度に関しては±６％）の磁性膜は一
定のメッキ液から極く限られた少ない数量しか得ること
ができないという欠点があった。
本発明の目的は、これらの欠点を改善して所要の特性を
有する磁性膜を多量に得られる無電解メッキ浴を提供す
ることにある。
有する磁性膜を多量に得られる無電解メッキ浴を提供す
ることにある。
本発明による無電解メッキ浴は、コバルトイオン、ニッ
ケルイオン、これら金属イオンの還元剤ｐＨ緩衝剤、ｐ
Ｈ調節剤及び金属錯化剤を含む水溶液であり、従来の無
電解メッキ浴に使用されている金属錯化剤の酒石酸塩、
クエン酸塩等のかわりに、コバルトイオンおよびニッケ
ルイオンに対して効果的な錯化能力を有するリンゴ酸塩
、マロン酸塩およびコハク酸塩が同時に加えられている
ことを特徴としている。
ケルイオン、これら金属イオンの還元剤ｐＨ緩衝剤、ｐ
Ｈ調節剤及び金属錯化剤を含む水溶液であり、従来の無
電解メッキ浴に使用されている金属錯化剤の酒石酸塩、
クエン酸塩等のかわりに、コバルトイオンおよびニッケ
ルイオンに対して効果的な錯化能力を有するリンゴ酸塩
、マロン酸塩およびコハク酸塩が同時に加えられている
ことを特徴としている。
これによりメッキ浴の遊離金属イオンが適切に調節され
、メッキ皮膜の組成が一定に保たれかつメッキ日数によ
るメッキ速度の低下が減少される。
、メッキ皮膜の組成が一定に保たれかつメッキ日数によ
るメッキ速度の低下が減少される。
以下、本発明による無電解メッキ浴の特長を比較例およ
び実施例により説明する。
び実施例により説明する。
比較例
非磁性基板上に非磁性Ｎ１−Ｐ層をメッキし、その上に
下記のメッキ浴組成およびメッキ条件にてコバルト−ニ
ッケルーリン合金磁性膜を形成した。
下記のメッキ浴組成およびメッキ条件にてコバルト−ニ
ッケルーリン合金磁性膜を形成した。
メッキ浴組成
硫酸コバルト（ＣｏＳＯ４−７Ｈ２０）０．０６ｍＯ４
／硫酸ニッケル（Ｎ＋５Ｏ４４Ｈ２０） ０．０４
ｍｏシ次亜リン酸すしリウム（ＮａＩ（２Ｐ０２ ・Ｈ
２Ｏ）、０．２ｒｎｏ４／硫酸アンモニウム（（ＮＩ（
、）２８０４） ０．５ｍｏ４／酒石酸ナトリウ
ム（Ｎａ２Ｃ４Ｈ４０６・２Ｈ２０）０．６ｍｏ４〈ｉ
メッキ条件 メッキ浴のＰＨさ９．０（２５℃の時）ＮＩ（４０Ｉ−
（でＩ）Ｈ調節、メッキ浴の温度ユ８０°Ｇ Ｖ／Ａ ＝ ５０ｃｒｆＬ（Ｖ ：メッキ液の量、Ａ：
基板の面積〕メッキ時間を１１秒から３８．５秒まで変
化させてＨｃの値の膜厚依存性を調べた結果を第１図に
示す。
／硫酸ニッケル（Ｎ＋５Ｏ４４Ｈ２０） ０．０４
ｍｏシ次亜リン酸すしリウム（ＮａＩ（２Ｐ０２ ・Ｈ
２Ｏ）、０．２ｒｎｏ４／硫酸アンモニウム（（ＮＩ（
、）２８０４） ０．５ｍｏ４／酒石酸ナトリウ
ム（Ｎａ２Ｃ４Ｈ４０６・２Ｈ２０）０．６ｍｏ４〈ｉ
メッキ条件 メッキ浴のＰＨさ９．０（２５℃の時）ＮＩ（４０Ｉ−
（でＩ）Ｈ調節、メッキ浴の温度ユ８０°Ｇ Ｖ／Ａ ＝ ５０ｃｒｆＬ（Ｖ ：メッキ液の量、Ａ：
基板の面積〕メッキ時間を１１秒から３８．５秒まで変
化させてＨｃの値の膜厚依存性を調べた結果を第１図に
示す。
第１図は横軸にメッキ膜厚をとり、縦軸にメッキされた
磁性膜のＨｃをとったものである。
磁性膜のＨｃをとったものである。
膜厚が約２６０人から約９００人まで増加する間にＨｃ
は７２００ｅから５３００ｅまで減少し、ＨＣの膜厚依
存性が大きいことを示している。
は７２００ｅから５３００ｅまで減少し、ＨＣの膜厚依
存性が大きいことを示している。
この様に。従来の無電解メッキではＨｃの膜厚依存性が
太きいため個々のメッキごとにＨｃの値にバダツキが生
じやすく再現性に問題があった。
太きいため個々のメッキごとにＨｃの値にバダツキが生
じやすく再現性に問題があった。
メッキ浴の寿命に関しては次の様にして検討を行った。
非磁性基板（２０ｍｍＸ １０ｍｍＸ ３．３ｍｍ）に
非磁性Ｎ１−Ｐ層をメッキした後、浴の温度を８０℃に
昇温したメッキ浴（３００ＣＣ）に２２秒間浸漬して次
々にメッキを繰り返した。
非磁性Ｎ１−Ｐ層をメッキした後、浴の温度を８０℃に
昇温したメッキ浴（３００ＣＣ）に２２秒間浸漬して次
々にメッキを繰り返した。
１日目のメッキ枚数が２５枚に達すると浴の温度を室温
まで降温し、２日目に再び浴の温度を８０°Ｃに昇温し
２６枚目から５０枚目まで２５枚メッキを行い、以下同
様にしてメッキ枚数の合計が１２５枚に達するまで１日
２５枚の割りで繰り返した場合のメッキ枚数２５枚ごと
のＨｃおよびメッキ速度の変化を第２図に示す。
まで降温し、２日目に再び浴の温度を８０°Ｃに昇温し
２６枚目から５０枚目まで２５枚メッキを行い、以下同
様にしてメッキ枚数の合計が１２５枚に達するまで１日
２５枚の割りで繰り返した場合のメッキ枚数２５枚ごと
のＨｃおよびメッキ速度の変化を第２図に示す。
これによるとメッキ開始時のＨｅＯ値は６１００ｅであ
り、メッキ枚数が増加するにしたがってＨｃＯ値は増加
して７５枚メッキが終了した時点でのＨｃの値は６７０
０ｅとなり、更にメッキ枚数が増加するとＨｃの値も更
に増加を続ける。
り、メッキ枚数が増加するにしたがってＨｃＯ値は増加
して７５枚メッキが終了した時点でのＨｃの値は６７０
０ｅとなり、更にメッキ枚数が増加するとＨｃの値も更
に増加を続ける。
またメッキ速度は、メッキ開始時は約１４００λ／Ｍで
あるが、メッキ枚数が増加するにしたがって減少し７５
枚メッキが終了した時点では約１２４０λ／Ｍ程度とな
り、更にメッキ枚数が増加するとメッキ速度も更に減少
する。
あるが、メッキ枚数が増加するにしたがって減少し７５
枚メッキが終了した時点では約１２４０λ／Ｍ程度とな
り、更にメッキ枚数が増加するとメッキ速度も更に減少
する。
以上の結果と磁気記憶媒体として実用上許容されうるＨ
ｃの変化量（±３００ｅ）およびδの変化量（±３０人
）を考慮すれば、前記のメッキ浴から実用上使用されう
る磁性膜が作成できる数量はメッキ枚数７５枚程度でし
かないことがわかる。
ｃの変化量（±３００ｅ）およびδの変化量（±３０人
）を考慮すれば、前記のメッキ浴から実用上使用されう
る磁性膜が作成できる数量はメッキ枚数７５枚程度でし
かないことがわかる。
実施例 １
下記の組成のメッキ浴を用いて比較例と同様な方法で、
コバルト−ニッケルーリン合金磁性膜を形成した。
コバルト−ニッケルーリン合金磁性膜を形成した。
メッキ浴組成
硫酸コバルト（ＣｏＳ０４・７Ｈ２０） ０．０
６ｍｏ、ｆｆ／ｚ硫酸ニッケル（ＮＩ ＳＯ４・７Ｈ２
０） ０．０４ｍｏ４／次亜リン酸ナトリウム（
ＮａＩ−Ｉ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ） ０．２ｍｏＡ／硫
酸７７−Ｅ−ウム（（ＮＩ（４）２Ｓ ０４ ）
０．１ｒｎｏ４ｔリンコ゛酸ナトリウム（Ｃ２Ｈ３
０Ｈ’（ＣＤＯＮａ）２） ０．４ｍｏル／マロン酸
ナトリウム（ＣＨ２（ＣＯＯＮａ、）２） ０．３
ｍｏＡ／コハク酸ナトリウム（Ｎａ２Ｃ４Ｈ４０４”、
６Ｈ２０） ０．５ｍｏル／比較例と同様にＨｃの値
の膜厚依存性を調べた結果を第３図に示す。
６ｍｏ、ｆｆ／ｚ硫酸ニッケル（ＮＩ ＳＯ４・７Ｈ２
０） ０．０４ｍｏ４／次亜リン酸ナトリウム（
ＮａＩ−Ｉ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ） ０．２ｍｏＡ／硫
酸７７−Ｅ−ウム（（ＮＩ（４）２Ｓ ０４ ）
０．１ｒｎｏ４ｔリンコ゛酸ナトリウム（Ｃ２Ｈ３
０Ｈ’（ＣＤＯＮａ）２） ０．４ｍｏル／マロン酸
ナトリウム（ＣＨ２（ＣＯＯＮａ、）２） ０．３
ｍｏＡ／コハク酸ナトリウム（Ｎａ２Ｃ４Ｈ４０４”、
６Ｈ２０） ０．５ｍｏル／比較例と同様にＨｃの値
の膜厚依存性を調べた結果を第３図に示す。
膜厚が約２６０人から約７７０人までの間ではＨｃの値
は約５９０ Ｑｅであり変化が少ない。
は約５９０ Ｑｅであり変化が少ない。
比較例と同様の手順でメッキ浴の寿命の検討を行った。
その結果を第４図に示す。メッキ開始時のＨｃは５９０
０ｅであり、メッキ枚数が増加するにつれてＨｃの値も
増加するが、１７５枚メッキが終了した時点でもＨｃの
値は６４００ｅで、これは尚、許容範囲内の値を保って
いる。
０ｅであり、メッキ枚数が増加するにつれてＨｃの値も
増加するが、１７５枚メッキが終了した時点でもＨｃの
値は６４００ｅで、これは尚、許容範囲内の値を保って
いる。
またメッキ速度は、メッキ開始時は１４００λ／ｍｉｎ
で、メッキ枚数が増加するに従って減少するが１７５枚
メッキが終了した時点で１２５０λ／ｆｆ１ｉｎ程度と
なり、これも尚許容範囲内の値を保っている。
で、メッキ枚数が増加するに従って減少するが１７５枚
メッキが終了した時点で１２５０λ／ｆｆ１ｉｎ程度と
なり、これも尚許容範囲内の値を保っている。
以上の結果から、実施例１のメッキ浴を用いて実用上使
用されうる磁性膜が作成できる数量はメッキ枚数１７５
枚程度であることがわかる。
用されうる磁性膜が作成できる数量はメッキ枚数１７５
枚程度であることがわかる。
即ち比較例のメッキ溶に、くらべて浴寿命は２倍以上に
増加している。
増加している。
なお本実施例で用いたメッキ浴組成において硫酸アンモ
ニウム濃度を０．３ ｍｏｂ／、／、以上にするとメッ
キ枚数によりメッキ速度が著しく低下し、硫酸アンモニ
ウム濃度を０．０２５ ｍｏ４／を以下にするとメッキ
容器内壁にメッキが付着しメッキ浴が分解しやすくなる
。
ニウム濃度を０．３ ｍｏｂ／、／、以上にするとメッ
キ枚数によりメッキ速度が著しく低下し、硫酸アンモニ
ウム濃度を０．０２５ ｍｏ４／を以下にするとメッキ
容器内壁にメッキが付着しメッキ浴が分解しやすくなる
。
本発明によるメッキ浴ではこの様な傾向があるため以下
の実施例でも硫酸アンモニウム濃度を０．１ｍｏｌ／ｌ
とした組成について述べる。
の実施例でも硫酸アンモニウム濃度を０．１ｍｏｌ／ｌ
とした組成について述べる。
実施例 ２
下記の組成のメッキ浴を用いて、比較例と同様な方法で
、コバルト−ニッケルーリン合金磁性膜を形成した。
、コバルト−ニッケルーリン合金磁性膜を形成した。
メッキ浴組成
硫酸コ／＜／Ｌ／ ト（ＣｏＳＯ４・７Ｈ２０）
０．０５ｍｏ４／ｚ硫酸ニツケノ収Ｎｉ ＳＯ，・
７Ｈ２Ｑ）０．０５ｍｏ、ｆｆ／ｚ次亜リン酸ナトリウ
ム（ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ） ０．２’ｍＯＡ／、
２硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ Ｓ ０４ ） −
”””０．１ ｍｏ４／ｚリンコ儀ナトリウム（Ｃ２Ｈ
３０Ｈ（ＣＯＯＮａ）、、）０．５ｍｏ、／、、／ｚマ
ロン酸ナトリウム（ＣＨ２（ＣＯＯＮａ）２）０．２ｍ
ｏ７／、６コかり酸ナトリウム（Ｎａ２ｃｌＨ４０４−
６ＨＪ） ０．４ｍｏノ〉≦巳実施例１の場合よりも
Ｈｃを減少させるためにメッキ浴のコバルトの比率を減
少し、それに伴って錯化剤の組成をかえている。
０．０５ｍｏ４／ｚ硫酸ニツケノ収Ｎｉ ＳＯ，・
７Ｈ２Ｑ）０．０５ｍｏ、ｆｆ／ｚ次亜リン酸ナトリウ
ム（ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ） ０．２’ｍＯＡ／、
２硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ Ｓ ０４ ） −
”””０．１ ｍｏ４／ｚリンコ儀ナトリウム（Ｃ２Ｈ
３０Ｈ（ＣＯＯＮａ）、、）０．５ｍｏ、／、、／ｚマ
ロン酸ナトリウム（ＣＨ２（ＣＯＯＮａ）２）０．２ｍ
ｏ７／、６コかり酸ナトリウム（Ｎａ２ｃｌＨ４０４−
６ＨＪ） ０．４ｍｏノ〉≦巳実施例１の場合よりも
Ｈｃを減少させるためにメッキ浴のコバルトの比率を減
少し、それに伴って錯化剤の組成をかえている。
比較例と同様の手順でＨｃの膜厚依存性およびメッキ浴
の寿命の検討を行った結果を第５図および第６図に示す
。
の寿命の検討を行った結果を第５図および第６図に示す
。
本実施例でも実施例１と同様に比較例゛にくらべてＨｃ
の膜厚依存性ははるかに小さく、メッキ浴の寿命は２倍
以上に増加することがわかった。
の膜厚依存性ははるかに小さく、メッキ浴の寿命は２倍
以上に増加することがわかった。
以上、実施例１および２で示された様に本発明によれば
、コバルトイオン、ニッケルイオン、これら金属イオン
の還元剤、ｐＨ緩衝剤’＝ ｐＨ調節剤を含む水溶液に
前記金属イオンの錯化剤さしてリンゴ酸塩、マロン酸塩
およびコハク酸塩を同時に含む無電解メッキ浴を用いる
ことにより一定の特性を有する磁気記憶媒体を多量に得
ることができる。
、コバルトイオン、ニッケルイオン、これら金属イオン
の還元剤、ｐＨ緩衝剤’＝ ｐＨ調節剤を含む水溶液に
前記金属イオンの錯化剤さしてリンゴ酸塩、マロン酸塩
およびコハク酸塩を同時に含む無電解メッキ浴を用いる
ことにより一定の特性を有する磁気記憶媒体を多量に得
ることができる。
尚、実施例においては、硫酸コバルト濃度が０．０６ｍ
ｏｔ／１、硫酸ニッケル濃度が０．０４ｍｏ４ｔのメッ
キ浴及び硫酸コバルト濃度が０．０５ｍｏ、ｆｆ／、ｌ
、、硫酸ニッケル濃度が０．０５ ｍｏ４／ｌのメッキ
浴の２種類の浴の場合についてだけ述べたが、コバルト
濃度／ニッケル濃度の値が１９から０．３の範囲で且つ
全金属濃度が０．０２’ｍｏ７／ｚから３ｍｏｌ／ｆの
範囲のメッキ浴については各濃度に応じて錯化剤濃度及
び還元剤濃度を変えることにより本発明の目的は達せら
れる。
ｏｔ／１、硫酸ニッケル濃度が０．０４ｍｏ４ｔのメッ
キ浴及び硫酸コバルト濃度が０．０５ｍｏ、ｆｆ／、ｌ
、、硫酸ニッケル濃度が０．０５ ｍｏ４／ｌのメッキ
浴の２種類の浴の場合についてだけ述べたが、コバルト
濃度／ニッケル濃度の値が１９から０．３の範囲で且つ
全金属濃度が０．０２’ｍｏ７／ｚから３ｍｏｌ／ｆの
範囲のメッキ浴については各濃度に応じて錯化剤濃度及
び還元剤濃度を変えることにより本発明の目的は達せら
れる。
またメウキ浴にコバルトイオン、ニッケルイオンを供給
する金属塩として硫酸塩以外の塩、例えば塩化ニッケル
、塩化コバルトなどを用いることも可能であり、そして
そのような塩化物を用いた場合にはｐＨ緩衝剤として塩
化アンモニウムを用いるという様に金属塩に応じたＩ）
Ｈ緩衝剤を用いることにより本発明の目的は達せられる
。
する金属塩として硫酸塩以外の塩、例えば塩化ニッケル
、塩化コバルトなどを用いることも可能であり、そして
そのような塩化物を用いた場合にはｐＨ緩衝剤として塩
化アンモニウムを用いるという様に金属塩に応じたＩ）
Ｈ緩衝剤を用いることにより本発明の目的は達せられる
。
第１図は、比較例で用いたメッキ浴における膜厚とＨｃ
の関係を示す図、第２図はメッキ枚数によるＨｃおよび
メッキ速度の変化を示す図、第３図および第４図は実施
例１のメッキ浴を用いた時のメッキ膜厚とＨｃの関係お
よびメッキ枚数によるＨｃ、メッキ速度を各々示す図、
第５図葛よび第６図は実施例２のメッキ浴を用いた時の
メッキ膜厚とＨｃの関係及びメッキ枚数によるＨＣ、メ
ッキ速度の変化を各々示す図である。
の関係を示す図、第２図はメッキ枚数によるＨｃおよび
メッキ速度の変化を示す図、第３図および第４図は実施
例１のメッキ浴を用いた時のメッキ膜厚とＨｃの関係お
よびメッキ枚数によるＨｃ、メッキ速度を各々示す図、
第５図葛よび第６図は実施例２のメッキ浴を用いた時の
メッキ膜厚とＨｃの関係及びメッキ枚数によるＨＣ、メ
ッキ速度の変化を各々示す図である。
Claims (1)
- １ コバルトイオン、ニッケルイオン、これら金属イオ
ンの還元剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調節剤を含む水溶液に前
記金属イオンの錯化剤としてリンゴ酸塩、マロン酸塩及
びコハク酸塩を同時に含むことを特徴とする磁気記録体
に用いられる磁気記録媒体（磁性膜）を作製するための
無電解メッキ浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP117179A JPS5817824B2 (ja) | 1979-01-08 | 1979-01-08 | 無電解メツキ浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP117179A JPS5817824B2 (ja) | 1979-01-08 | 1979-01-08 | 無電解メツキ浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55107768A JPS55107768A (en) | 1980-08-19 |
| JPS5817824B2 true JPS5817824B2 (ja) | 1983-04-09 |
Family
ID=11493978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP117179A Expired JPS5817824B2 (ja) | 1979-01-08 | 1979-01-08 | 無電解メツキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817824B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136574A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 無電解めつき浴 |
-
1979
- 1979-01-08 JP JP117179A patent/JPS5817824B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55107768A (en) | 1980-08-19 |
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