JPS5820719A - ＴｍＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＴｍＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
- Publication number
- JPS5820719A JPS5820719A JP11833081A JP11833081A JPS5820719A JP S5820719 A JPS5820719 A JP S5820719A JP 11833081 A JP11833081 A JP 11833081A JP 11833081 A JP11833081 A JP 11833081A JP S5820719 A JPS5820719 A JP S5820719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- gallium
- thulium
- atmosphere
- zinc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 19
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 230000000537 coughlike effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 235000009419 Fagopyrum esculentum Nutrition 0.000 description 1
- 240000008620 Fagopyrum esculentum Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000036770 blood supply Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000968 medical method and process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は、社風化合物で６る１ｍ Ｇａ Ｚｎ０４で水
爆れる六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製
造法に関する。
爆れる六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製
造法に関する。
恢米、 ＹＦｅ２０４で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物は、本出厭人らによって合成され、その存
在が既に知られている。この化合ｖｉｌＪは、Ｙ ｊ
＋ ｉＩ’ ｅ ｊｌ ＋ Ｈ’ ｅ Ｊ ＋０４２−
で示１ｔＬる↓うに、妖の２価イ万ンと３ｔｉｂイオ／
は、５配位の成木イオンによって囲まれ、イツトリウム
（Ｙ）は、６配位のａｔ索イオンをその周わりに持って
いる化合物であり、磁性をもっている。
有する化合物は、本出厭人らによって合成され、その存
在が既に知られている。この化合ｖｉｌＪは、Ｙ ｊ
＋ ｉＩ’ ｅ ｊｌ ＋ Ｈ’ ｅ Ｊ ＋０４２−
で示１ｔＬる↓うに、妖の２価イ万ンと３ｔｉｂイオ／
は、５配位の成木イオンによって囲まれ、イツトリウム
（Ｙ）は、６配位のａｔ索イオンをその周わりに持って
いる化合物であり、磁性をもっている。
木兄１３１１は、前記、Ｙａ ＋ｐ ｅ２ ＋ ｐｅＸ
＋ ０２−化合物のＹ３＋の代わシに、’Ｉ’ｍ”、
ｋ’ｅ” の代わりにｚ１！＋を、（ｊ’ｅ３＋の代わ
シにＧａ”ｗ ） ＩＭきかえた糾規な化合物ｄよび−
１−０勇這出を提供するにめる・本＠ Ｈｖ ’ｌｉｎ
ｕａ Ｚｎ０４で示される化合ｍｒ工、こＱ化酋匈甲
、ツリウムはＴｍ” イオン、ガリウムは（ｊａ’＋兜
舶ムＺｎ”＋ として４征してよ・ハＴｍ”Ｕａ”、＋
ｌａｎ”弓−として衣Ｖすことができる・ この結晶ｕ
、ｓ祷１図に示すようにバ方晶層状襦遺を神っている。
＋ ０２−化合物のＹ３＋の代わシに、’Ｉ’ｍ”、
ｋ’ｅ” の代わりにｚ１！＋を、（ｊ’ｅ３＋の代わ
シにＧａ”ｗ ） ＩＭきかえた糾規な化合物ｄよび−
１−０勇這出を提供するにめる・本＠ Ｈｖ ’ｌｉｎ
ｕａ Ｚｎ０４で示される化合ｍｒ工、こＱ化酋匈甲
、ツリウムはＴｍ” イオン、ガリウムは（ｊａ’＋兜
舶ムＺｎ”＋ として４征してよ・ハＴｍ”Ｕａ”、＋
ｌａｎ”弓−として衣Ｖすことができる・ この結晶ｕ
、ｓ祷１図に示すようにバ方晶層状襦遺を神っている。
蝋大の丸は販系、甲丸ｉよツリワム蛾少の黒丸はガリウ
ムと亜鉛を示している。ガリやムと他１島ラノダムに分
和している。
ムと亜鉛を示している。ガリやムと他１島ラノダムに分
和している。
！！ＩＬ醗０２呻イ万／とカリウムの３価イオンは。
５配位のｍ−イオンによって凹ｌれている。結晶学的に
は同一の位置を占りている。ｔた、ツリクム電よ６配置
Ｏ歳嵩ｔでの胸４）９に神りている。−イオンでめる＃
を素紘緘密構造ｔとりている。８％ ｔおよびＵは単位
格子内に於ける位置を示す。
は同一の位置を占りている。ｔた、ツリクム電よ６配置
Ｏ歳嵩ｔでの胸４）９に神りている。−イオンでめる＃
を素紘緘密構造ｔとりている。８％ ｔおよびＵは単位
格子内に於ける位置を示す。
する相対ス射ｍｉｔ％ｌ（至）区画１表のとお如である
。
。
第 １ パ
Ｔ＋ｎ ｄａ ＆ｎｏ４
仝閥＃はｌ弓ｍでりり１その融涛は１１−でめシ。
格子にａは次のと＆）で勘る。
、１．ｌ ＝、ｉ、ａ３ｕｕｕ ±ｕｕｏｏ＋
（Ｘ）Ｃ，＋＝２３．０６６ ±α（
Ｊ（Ｊ６ （Ｘンこの化合＊は、午尋捧材料お
よび蕎媒として有用な％りでめる。
（Ｘ）Ｃ，＋＝２３．０６６ ±α（
Ｊ（Ｊ６ （Ｘンこの化合＊は、午尋捧材料お
よび蕎媒として有用な％りでめる。
この１Ｌ−＆備は、医の方法Ｖζよりて線速し侍られ４
、Ｊ ゛４１ｔ＾ツリクム（’ｒｍ）如るいはぼ１Ｌツリウム
（１石２０ｊＪちしくｌよ％／ＡＩＭされることによっ
て欲化ツリクム（’ｌ’ｌｌｌ ２（Ｊ ３ハこ分解ざ
Ｃる化合物と金ｌｌＩ４ガリワム、めるいは醸化カリウ
ム（Ｕａ２（Ｊ、ｌ／もしくは、加熱さオＬることｋＣ
より酸化７Ｊリウム（ｕａ２Ｕ；、）に分解される化合
物とＭＪＬ鉛りるいは献化亜蛤（Ｚｎ（Ｊ）もしくは加
熱されることＶこより分解さｎてば化亜鉛（乙ｎＬ））
τ生ノ′る化合物とｔ、ツリウム、カリウム、亜縮の剖
酋〃孟菖子比でｌ刈Ｉ ＸＪ ｌになるように混合して
ｈ １３ｔＪＯ℃以上の一度で、大気中、酸化雰」ヌ
４１ りるいｔよガク２ムＶよひ血給ｐ１谷々３価イオ
ン仏雇ｓ２ｍイオン仏−よシ瀘元ｄれない楓にの１：２ °１ｊ 本発明に用匹る出発物質は％ｒｉｉｍ０４のをそのｉま
使用してもよ−が、出発物質相互２間の化学反応を運や
かＫＡ行させ４た６に＃ｉ、 袢径がちい妾い根よく、
特にｌＯＦｍ以下でめゐＣとが好ましい。
、Ｊ ゛４１ｔ＾ツリクム（’ｒｍ）如るいはぼ１Ｌツリウム
（１石２０ｊＪちしくｌよ％／ＡＩＭされることによっ
て欲化ツリクム（’ｌ’ｌｌｌ ２（Ｊ ３ハこ分解ざ
Ｃる化合物と金ｌｌＩ４ガリワム、めるいは醸化カリウ
ム（Ｕａ２（Ｊ、ｌ／もしくは、加熱さオＬることｋＣ
より酸化７Ｊリウム（ｕａ２Ｕ；、）に分解される化合
物とＭＪＬ鉛りるいは献化亜蛤（Ｚｎ（Ｊ）もしくは加
熱されることＶこより分解さｎてば化亜鉛（乙ｎＬ））
τ生ノ′る化合物とｔ、ツリウム、カリウム、亜縮の剖
酋〃孟菖子比でｌ刈Ｉ ＸＪ ｌになるように混合して
ｈ １３ｔＪＯ℃以上の一度で、大気中、酸化雰」ヌ
４１ りるいｔよガク２ムＶよひ血給ｐ１谷々３価イオ
ン仏雇ｓ２ｍイオン仏−よシ瀘元ｄれない楓にの１：２ °１ｊ 本発明に用匹る出発物質は％ｒｉｉｍ０４のをそのｉま
使用してもよ−が、出発物質相互２間の化学反応を運や
かＫＡ行させ４た６に＃ｉ、 袢径がちい妾い根よく、
特にｌＯＦｍ以下でめゐＣとが好ましい。
を九、牛導体材料として用いる場合には不純物の混入を
きらうので、出発轡科＊買は開直が高ｉはど好まし−、
この原料を七〇籠ｆ１あるい・エアルスール鋺もしくは
アセトンと共に充分に−合すす。
きらうので、出発轡科＊買は開直が高ｉはど好まし−、
この原料を七〇籠ｆ１あるい・エアルスール鋺もしくは
アセトンと共に充分に−合すす。
これらの混合割合は、ツリウム、ガリウム、亜鉛の割合
が總子ルとして１対ｌ対ｌの割合でるる。
が總子ルとして１対ｌ対ｌの割合でるる。
この割合ｔはずすと目的とする化合物ｆ：侍ること鉱出
米ない。この混合物を大気中％あるいは絃化性ＸＳ気も
しくは、カリウムおよび、翌浦が３価イオン状層および
２ｍイオン状−から還元され憎なりｈ一度の鳳元雰囲気
のもとで、１３００℃以上の一度で加熱する。ｍ熱＃関
嬬、１日ｔしくにそれ以上でｈゐ、加熱０１ｌｉｉＩｌ
の昇１＆＆遍碇には制ｎはなＺｎ０４ 化合物は、＃＆
色を示し、横木Ｘ＠回折法によって結晶構造を有するこ
とがわかった。その結晶構造線、既に本出朧人が得九Ｙ
Ｆｅｚ０４ と同型であることがわかりた。出発１合試
料と反応生成物の＃Ｃ科Ｊｌｔｔｔ一槽密に秤量し、得
られ九試料の化学および試ａ脣ｍｏ＊化亜鉛（ＺｎＯ）
粉末ｉ、モル比−ｔ’ １ 対１ 対２ （０割合１１
Ｃｆｆｆ友し、乳ｗＦＰＩ３でエチルアルコールを加え
て充分に混合し、平均粒径数ｐｍの値１１本ｔ−得た。
米ない。この混合物を大気中％あるいは絃化性ＸＳ気も
しくは、カリウムおよび、翌浦が３価イオン状層および
２ｍイオン状−から還元され憎なりｈ一度の鳳元雰囲気
のもとで、１３００℃以上の一度で加熱する。ｍ熱＃関
嬬、１日ｔしくにそれ以上でｈゐ、加熱０１ｌｉｉＩｌ
の昇１＆＆遍碇には制ｎはなＺｎ０４ 化合物は、＃＆
色を示し、横木Ｘ＠回折法によって結晶構造を有するこ
とがわかった。その結晶構造線、既に本出朧人が得九Ｙ
Ｆｅｚ０４ と同型であることがわかりた。出発１合試
料と反応生成物の＃Ｃ科Ｊｌｔｔｔ一槽密に秤量し、得
られ九試料の化学および試ａ脣ｍｏ＊化亜鉛（ＺｎＯ）
粉末ｉ、モル比−ｔ’ １ 対１ 対２ （０割合１１
Ｃｆｆｆ友し、乳ｗＦＰＩ３でエチルアルコールを加え
て充分に混合し、平均粒径数ｐｍの値１１本ｔ−得た。
該混合物を白金ルルツボ内にみ九して％ ＩＪ！ｔｓＯ
℃に設定されえ祿臘の７リコニツトｒ円に入れ、２日間
加熱し、その後試料を炉外にと多出し、皇温まで１遍に
冷却した。得られ九試料は−Ｇａ Ｚｎ０４ で６ｐ１
既に報ＨされているＹｆ’＠、ｕ、と−結晶学的には、
同型であることが粉晶♀的注買を示し７Ｃ。
℃に設定されえ祿臘の７リコニツトｒ円に入れ、２日間
加熱し、その後試料を炉外にと多出し、皇温まで１遍に
冷却した。得られ九試料は−Ｇａ Ｚｎ０４ で６ｐ１
既に報ＨされているＹｆ’＠、ｕ、と−結晶学的には、
同型であることが粉晶♀的注買を示し７Ｃ。
１閣ｅよ、卒兄明の′■盲Ｇａ １ａｎ０４鮎晶の図で
ろる。 域大の丸は＃１！巣、中丸は、ツリウム、蹴小黒丸は亜
鉛とカリウムを示す。 ｉ 、 ；＋ｉ” 苓ヒ、書）１．−！で
ろる。 域大の丸は＃１！巣、中丸は、ツリウム、蹴小黒丸は亜
鉛とカリウムを示す。 ｉ 、 ；＋ｉ” 苓ヒ、書）１．−！で
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ′１１〜ｎ Ｕａ Ｚｎ０４で示される六方晶糸の層状
構逅を市する化合物。 ２ 金属ツリウム（Ｔｍ） ４Ｑるいはば化ツリウム（
Ｔ＋ｒ＋２（Ｊ３ｊもしくは、加熱されるどとによシ酸
１じツリウム（’ｒｍ、ｏ３）に分解される化合物と、
金属ガリワム（Ｇａ） ６るいは酸化ガリウム（’ｄ１
１．２０３）％ｈしくは、加熱されることによ）酸化ガ
リウム（Ｇａ Ｏ）に分解される化合物と、亜ｍ１（Ｚ
ｎ） おるいは酸化亜鉛（ＺｎＯ）もしくは’ ７
ＡＩＭされることにより分解されて戚化亜ｍ１（ＺｎＯ
）を生ずる化合物とをツリウム、ガリウム、亜鉛の割合
が原子比で１対１対１になるように混合して、１３００
℃以上の温度で大気中、咳１じ性雰囲気ろるいはガリウ
ムおよび亜鉛が吾々３ｉＩＩＩＩイオン状練、２価イオ
／状態よりｉＩＬ元されない＠度の慮元寥囲気のもとで
加熱することを物値とするＴｍ （ｊａ Ｚｎ０４で示
される六方晶系の層状栴這會有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833081A JPS606894B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＴｍＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833081A JPS606894B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＴｍＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820719A true JPS5820719A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS606894B2 JPS606894B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=14733989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11833081A Expired JPS606894B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＴｍＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606894B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10115482A1 (de) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Lotzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung desselben |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11833081A patent/JPS606894B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10115482A1 (de) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Lotzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung desselben |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS606894B2 (ja) | 1985-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0244256B2 (ja) | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| US4440713A (en) | Process for making fine magnetic ferrite powder and dense ferrite blocks | |
| JPS5820719A (ja) | ＴｍＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5943424B2 (ja) | ＴｍＦｅＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5943416B2 (ja) | ＹｂＦｅＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS6041622B2 (ja) | ＬｕＧａＣｏＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63256531A (ja) | ＩｎＦｅＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63201017A (ja) | ＴｍＦｅＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63185824A (ja) | ＩｎＦｅＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS6041621B2 (ja) | ＴｍＧａＣｏＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5943417B2 (ja) | ＬｕＦｅＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS606893B2 (ja) | ＬｕＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS6041619B2 (ja) | ＴｍＦｅＣｏＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63295438A (ja) | ＴｍＦｅＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63260824A (ja) | ＹｂＦｅＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63195118A (ja) | ＳｃＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63277522A (ja) | ＩｎＦｅＺｎ↓８Ｏ↓１↓１で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS6024053B2 (ja) | ＹｂＧａＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS606889B2 (ja) | ＬｕＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63295426A (ja) | ＹｂＧａＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS5820720A (ja) | ＹｂＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH0314779B2 (ja) | ||
| JPS5820731A (ja) | ＴｍＦｅＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63256524A (ja) | ＬｕＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS6041620B2 (ja) | ＹｂＧａＣｏＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |