JPS5824939B2 - センタクエツチングホウホウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はウェーバ（半導体基板）上の１部を選択的にエ
ツチングする方法に関する。

半導体装置の製造工程においてはウェーバ加工工程の終
了の直前において局部的にエツチングを施して素子を露
出させてそのウェーバ上に設けられている複数の半導体
素子の特性を推定している。

従来前記エツチングに採用されている方法としては、耐
薬品性のワックスをウェーバの全面に塗布し、その一部
を除いてその後除去部分のエツチング加工する方法、あ
るいは一部に孔をあけた粘着テープをウェーバに貼着し
てその孔の部分をエツチングする方法がある。

しかし、これらの方法はいずれも煩雑であり、迅速なエ
ツチング操作には間に合わず、場合によってはウェーバ
上の素子の多くの特性を劣化させてしまうという問題が
ある。

このような事情よりウェーバの周辺部の一部を三日月形
に切除し、この小片をエツチングして表面の保護膜を除
去して半導体素子の特性を測定する方法が採用されてい
る。

しかし、前記のようにウェーバの一部を加工工程の途中
で切断するとその切断した小片カミとなり半導体装置の
歩留りの低下の原因となる。

また、ウェーバが所定の形状をしていないと後続の工程
での位置決めの困難性等各種の問題を生ずる。

本発明は前記粗大エツチング加工法の有する欠点を解消
するために検討した結果得られた選択エツチング方法で
あって、その目的とするところは、所定の半導体素子の
みを露出し、その半導体素師の電気的特性を容易に測定
し、それによって他の半導体素子の渫護膜を破壊（エツ
チング）することなく他の半導体素子の電気的特性を推
定し、他の半導体素子は完成品までにもってゆくことが
できるようにするものであって、このための極めて簡単
な選択エツチング方法を提供することにある。

前記目的を達成するために本発明は、支持板上に、複数
の半導体素子とその素子表面上に形成された保護膜とを
有する半導体ウェーバを位置させ、更にこの半導体ウェ
ーバ上に、その半導体ウェーバの所定の半導体素子に対
応して孔のあいた圧着板を設け、前記半導体ウェーバと
前記圧着板との間であってかつ前記孔の周囲にバッキン
グ材を設けて他の部分に液が入り込むことを防止しなが
ら前記孔の内部へエツチング液を入れ、そのエツチング
液により前記保護膜をエッチすることにより上記所定の
半導体素子を露出せしめることを特徴とする選択エツチ
ング方法にある。

次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は選択エツチング装置の平面図、第２図は側断面
図である。

１は支持板で、これの上に被加工体２すなわち半導体ウ
ェーバを載せている。

３および４はバッキングの役目をする弾性環状体である
。

５は圧着板で、これを締具６を利用して支持板１に対し
て押圧することによって圧着板５に設けた開ロアの周囲
に弾性環状体３を押圧してこの弾性環状体の外周方向に
はエツチング液が入り込まないようにシールする。

前記のように準備した後間ロアより矢印Ａの如くエツチ
ング液を供給すると、弾性環状体３の内部にエツチング
液８が充満し、これに応じてエツチング加工が施される
。

なお、前記のように開ロアのみにエツチング液を供給す
るのが面倒な場合には、第１，２図に示した組本体全体
をエツチング液中に浸漬してもよい。

第３図は他のエツチング装置の要部拡大断面図で、９，
９ａからなる二重管の先端近傍に皿状の弾性体１０を設
け、この弾性蓋体１０で圧着板５の開口Ｔを閉止するよ
うに構成したものである。

エツチング液８は例えば管９より供給され管９と９ａと
の間より排出されるように構成しておけば弾性蓋体１０
で閉止された空間には新鮮なエツチング液が供給される
ことになる。

また、エツチング終了後は洗滌液を切り替えて供給すれ
ば一貫して処理を施すことができる。

本発明は支持板１上に被加工体２である半導体ウェーバ
を支持し、これの上にバッキング材料を置いて圧着板５
との間に空間部を形成し、その空間部にエツチング液８
を供給するようにしたので次の効果を奏する。

（イ）従来の半導体装置のウェーバプロセスにおいては
、その最終工程等でウェーバの一部を切断し、これをエ
ツチングして素子の特性〔例えばバイポーラ系ＩＣの電
流増巾率（ｈや）等〕を測定したのでウェーバの一部が
無駄になったり、以後のウェーバの取り扱いに困難を来
したが、本発明においてはウェーバを切除することがな
いので取り扱いは問題がなく、また無駄になる部分も最
小限度でよい。

すなわち、本発明によれば、電気的特性測定のために破
壊（エツチング）される保護膜は一部にとどまるもので
あるから、保護膜が取り除かれた半導体素子以外の他の
半導体素子は完成品までにもってゆくことができる。

したがって、無駄になる半導体素子は最小限となる。

（ロ）従来の小片切断法ではウェーバの周囲の素子の特
性しか測定できなかったが、本発明によれば中央部でも
周辺部でも素子の特性を測定できるので正確な特性を測
定することができ、精度のよい半導体装置を得ることが
できる。

なお、ウェーバの一部を切断することによりコンタクト
孔形成用のホトレジスト膜と半導体基板との密着不良を
生じたが、本発明によればかメる欠点はない。

前記実施例においては、圧着板５の中央部に開ロアを設
けた例を示したが、その場所は任意の個所に移動しても
よく、場合によっては複数個設けることもでき、更に丸
以外の形状にしてもよい。

バッキング材としては、弾性環状体（テフロン製のＯリ
ング）が適しているが、これは位置決めが困難となる場
合があるのでシート状のバッキング材を使用して開口部
以外の被加工体の表面を全面的あるいは部分的に覆って
もよい。

被加工体がシリコンの基板であり、これの表面に形成さ
れた保護膜はシリコン酸化膜であるから、このシリコン
酸化膜をエツチングで除去する場合には、フッ酸（ＨＦ
）溶液を使用するが、被加工材料によってそれに適した
エツチング液を使用すればよく、本発明においてはこれ
に関しては特に限定するものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施する装置の１例を示す正面図、第
２図はその断面図、第３図は他の実施例を示す局部断面
図である。 １・・・・・・支持板、２・・・・・・被加工体、３，
４・・・・・・弾性環状体（０リング）、５・・・・・
・圧着板、６・・・・・・締具、７・・・・・・開口、
８・・・・・・エツチング液。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 支持板上に、複数の半導体素子とその素子表面上に
   形成された保護膜とを有する半導体ウェーバを位置させ
   、更にこの半導体ウェーバ上に、その半導体ウェーバの
   所定の半導体素子に対応して孔のあいた圧着板を設け、
   前記半導体ウェーバと前記圧着板との間であってかつ前
   記孔の周囲にバッキング材を設けて他の部分に液が入り
   込むことを防止しながら前記孔の内部へエツチング液を
   入れ、そのエツチング液により前記保護膜をエッチする
   ことにより上記所定の半導体素子を露出せしめることを
   特徴とする選択エツチング方法。