JPS5850539A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS5850539A JPS5850539A JP56150336A JP15033681A JPS5850539A JP S5850539 A JPS5850539 A JP S5850539A JP 56150336 A JP56150336 A JP 56150336A JP 15033681 A JP15033681 A JP 15033681A JP S5850539 A JPS5850539 A JP S5850539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- thin film
- etching
- pinholes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はクロム等の金属薄膜をしや光性材料とするフ
ォトマスクあるいはレチクル製ｆＭこおいてピンホール
などのパターン欠損部分のないものを得る方法に関する
ものである。
ォトマスクあるいはレチクル製ｆＭこおいてピンホール
などのパターン欠損部分のないものを得る方法に関する
ものである。
フォトマスクあるいはレチクル製作において、感光性樹
脂膜のピンホールや異物、あるいは膜上に付着したじん
あい等は、出来上がったマスクやレチクルにじゃ光性金
属薄膜の欠損や残漬を生じさせ、その結果マスクの品質
を低下させ、あるいはレチクルを使用不能にさせる。
脂膜のピンホールや異物、あるいは膜上に付着したじん
あい等は、出来上がったマスクやレチクルにじゃ光性金
属薄膜の欠損や残漬を生じさせ、その結果マスクの品質
を低下させ、あるいはレチクルを使用不能にさせる。
従来マスクあるいはレチクルのしゃ光材料の残漬欠陥は
、スポットノツカー又はレーザリベリアにより除去して
修正される。またじゃ光材料の欠損による欠陥に関して
は、欠損部に金属を局所的に被着させることにより修正
される。このような欠損修正においては感光性樹脂の塗
布、マスクパターン形成、金属膜被着力ど、通常のフォ
トマスクあるいはレチクル製作工程と同様の工程を再度
行う必要があり、時間的な損失が大きいばかりでなく、
更に捷た新たな欠陥発生というお・それも生じる。
、スポットノツカー又はレーザリベリアにより除去して
修正される。またじゃ光材料の欠損による欠陥に関して
は、欠損部に金属を局所的に被着させることにより修正
される。このような欠損修正においては感光性樹脂の塗
布、マスクパターン形成、金属膜被着力ど、通常のフォ
トマスクあるいはレチクル製作工程と同様の工程を再度
行う必要があり、時間的な損失が大きいばかりでなく、
更に捷た新たな欠陥発生というお・それも生じる。
本発明は、パターン欠損のないフォトマスクあるいはレ
チクルをレジスト欠損部のしゃ光性金属薄膜へイオン注
入してエツチング耐性を増すという簡単な工程を加える
ことにより、確実に製作することを目的とし友ものであ
る。
チクルをレジスト欠損部のしゃ光性金属薄膜へイオン注
入してエツチング耐性を増すという簡単な工程を加える
ことにより、確実に製作することを目的とし友ものであ
る。
以下、本発明の実施例を、図面を参照して説明する。マ
スクあるいはレチクル製造工程において、第１図、第２
図に示すように、ガラス基板１上の金属薄膜２（例えば
クロムあるいは酸化クロム膜）の上に塗布された感光性
樹脂３に電子ビーム又は光４により露光を行い、ついで
現像して、所望のレジストパターンを形成する。このレ
ジストパターンにおいて、もしこのレジスト膜にピンホ
ール状の欠損部５があれば、その部分は後の工程を通し
て出来上ったマスクあるいはレチクルにおいて、しゃ光
金属膜のピンホール欠陥生成の原因となる１、この様な
ピンホール欠陥発生をなくすため、レジストバター／形
成時に生じているレジスト欠損部６に、したがって、同
欠損部を通して下の金属薄膜２（例えばクロム膜又は酸
化クロム膜）ＶＣ、タングステンイオン流６を当て、同
イオンを注入する（第３図）。注入するイオン種および
イオン駐を適当に選ぶことにより次に行うガスプラズマ
による上記金属薄膜２のエツチング工程において、注入
部分のエツチング速度を注入されない金属膜ングステン
イオンの注入されていない酸化クロム膜の、四塩化炭素
ガスプラズマによるエツチング速度は２００人／ｍｉｎ
であり、注入されている部分はエツチング不可である。
スクあるいはレチクル製造工程において、第１図、第２
図に示すように、ガラス基板１上の金属薄膜２（例えば
クロムあるいは酸化クロム膜）の上に塗布された感光性
樹脂３に電子ビーム又は光４により露光を行い、ついで
現像して、所望のレジストパターンを形成する。このレ
ジストパターンにおいて、もしこのレジスト膜にピンホ
ール状の欠損部５があれば、その部分は後の工程を通し
て出来上ったマスクあるいはレチクルにおいて、しゃ光
金属膜のピンホール欠陥生成の原因となる１、この様な
ピンホール欠陥発生をなくすため、レジストバター／形
成時に生じているレジスト欠損部６に、したがって、同
欠損部を通して下の金属薄膜２（例えばクロム膜又は酸
化クロム膜）ＶＣ、タングステンイオン流６を当て、同
イオンを注入する（第３図）。注入するイオン種および
イオン駐を適当に選ぶことにより次に行うガスプラズマ
による上記金属薄膜２のエツチング工程において、注入
部分のエツチング速度を注入されない金属膜ングステン
イオンの注入されていない酸化クロム膜の、四塩化炭素
ガスプラズマによるエツチング速度は２００人／ｍｉｎ
であり、注入されている部分はエツチング不可である。
従ってエツチングニー程において上記レジスト欠損部６
の直下の金属薄膜は除去されずに残り、ピンホールが生
じない（第４図）。即ち従来法ではレジスト膜の欠損に
よって発生ず乞マスクあるいはレチクルのピンホールが
この方法では生じないことになり、かくして、レジスト
膜を除去して得られるフォトマスクあるいはレチクルは
無欠憤のパターンになる（第５図）。以上のように、本
発明の方法によれば、従来の様に再度同一のマスクある
いはレチクル製作プロセスを行う必要がなく時間的な損
失はない。
の直下の金属薄膜は除去されずに残り、ピンホールが生
じない（第４図）。即ち従来法ではレジスト膜の欠損に
よって発生ず乞マスクあるいはレチクルのピンホールが
この方法では生じないことになり、かくして、レジスト
膜を除去して得られるフォトマスクあるいはレチクルは
無欠憤のパターンになる（第５図）。以上のように、本
発明の方法によれば、従来の様に再度同一のマスクある
いはレチクル製作プロセスを行う必要がなく時間的な損
失はない。
また新たな欠陥発生も考慮する必要がない。
第１図ないし第６図は本発明の詳細な説明するための図
である。 １・・・・・・感光性樹脂、２・・・・・・金属薄膜、
３・・・・・・・ガラス基板、４・・・・・・電ｆ・ビ
ーム、ｙｔ、ｖｃｘる露光、５・・・・・・レジストパ
ターン欠損部、６・・・・・・イオン注入（イオン流）
。
である。 １・・・・・・感光性樹脂、２・・・・・・金属薄膜、
３・・・・・・・ガラス基板、４・・・・・・電ｆ・ビ
ーム、ｙｔ、ｖｃｘる露光、５・・・・・・レジストパ
ターン欠損部、６・・・・・・イオン注入（イオン流）
。
Claims (1)
- 透光性基板上Ｖζ被着されたじゃ光金属薄膜のＬにホト
レジスト膜を塗布し、同ホトレジスト膜に所望のレジス
トバター／形成を行った後、同レジストパターン上から
所定のイオン注入操作を行ない、同パターン内欠損部分
を通して同しジスト欠損部直下の上記金属薄膜に上記所
定のイオン注入を行ない、後にガスプラズマ等により上
記レジストパターン外の前記金属薄膜のドライエツチン
グを行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150336A JPS5850539A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | フオトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150336A JPS5850539A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850539A true JPS5850539A (ja) | 1983-03-25 |
Family
ID=15494773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56150336A Pending JPS5850539A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850539A (ja) |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP56150336A patent/JPS5850539A/ja active Pending
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