JPS5870592A - レ−ザ−ダイオ−ド - Google Patents
レ−ザ−ダイオ−ドInfo
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- JPS5870592A JPS5870592A JP56168714A JP16871481A JPS5870592A JP S5870592 A JPS5870592 A JP S5870592A JP 56168714 A JP56168714 A JP 56168714A JP 16871481 A JP16871481 A JP 16871481A JP S5870592 A JPS5870592 A JP S5870592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- submount
- chip
- solder
- laser light
- laser diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02375—Positioning of the laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02375—Positioning of the laser chips
- H01S5/02385—Positioning of the laser chips using laser light as reference
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザーダイオード、特に、レーザー光を発振
する出射部がサブマウント側に近接する構造のレーザー
ダイオードに関する。
する出射部がサブマウント側に近接する構造のレーザー
ダイオードに関する。
レーザーダイオードは、第１図に示すように、鋼のステ
ムｌの上面にサブマウント２を半田３を利用して固定す
るとともに、このサブマウント２の上面にレーザーダイ
オードチップ（チップ）４をＡｕ−８ｎあるいはＰｂ−
ａｎ（半田）等のソルダー５で固定した構造となってい
る。１＋、チップ４におけるオプチカルキャビティ（活
性層）は動作時多量の熱を発生することから、放熱効率
を高めるために、活性層はサブマウントに近くなるよう
に固定される。また、活性層の端面はレーザー光６を出
射する出射部を形作っている。そこで、出射部から出射
されたレーザー光６がサブマウント２によって干渉され
ないように、出射面を有するチップ４の一端は図のよう
にサブマウント２の側面と一致するように固定される。
ムｌの上面にサブマウント２を半田３を利用して固定す
るとともに、このサブマウント２の上面にレーザーダイ
オードチップ（チップ）４をＡｕ−８ｎあるいはＰｂ−
ａｎ（半田）等のソルダー５で固定した構造となってい
る。１＋、チップ４におけるオプチカルキャビティ（活
性層）は動作時多量の熱を発生することから、放熱効率
を高めるために、活性層はサブマウントに近くなるよう
に固定される。また、活性層の端面はレーザー光６を出
射する出射部を形作っている。そこで、出射部から出射
されたレーザー光６がサブマウント２によって干渉され
ないように、出射面を有するチップ４の一端は図のよう
にサブマウント２の側面と一致するように固定される。
ところで、サブマウント２の側面とチップ４の一端面と
を同一面とするようにして固定する場合、第２図で示す
ような位置決め治具７を用いることが考えられる。この
位置決め治具７は一側面に平滑な基準面８を有している
。そこで、サブマウント２の一側面およびチップ４の一
面をそれぞれ前記基準面８に当接させた状態で支持台９
上に載せて固着を行なう。
を同一面とするようにして固定する場合、第２図で示す
ような位置決め治具７を用いることが考えられる。この
位置決め治具７は一側面に平滑な基準面８を有している
。そこで、サブマウント２の一側面およびチップ４の一
面をそれぞれ前記基準面８に当接させた状態で支持台９
上に載せて固着を行なう。
しかし、組立の不均一から、第３図（ａｌに示すように
、チップ４の出射面を有する一端面がサブマラント２の
側面よりもわずかに内１１（ａｔに入った状態で固着さ
れたり、あるいは、第３図（ｂｌのようにソルダー５が
チップ４の出射面側に押し出されて盛土部１０を形放し
てしまうことがある。前者は出射面から出射されたレー
ザー光６がサブマウント２の上面で反射するため、レー
ザー光６の横モード特性を低下させる原因となる。ｔた
、ソルダー５の外み出しによる盛土部１ｏは前記同様に
レーザー光６０反射による横モード特性の低下を来たす
ばかりでなく、外装不良、さらには活性層の上層の逆導
電型層との接触によるシ璽−ト不曳を引き起こすことに
もなり、歩留を低下させてしまう。
、チップ４の出射面を有する一端面がサブマラント２の
側面よりもわずかに内１１（ａｔに入った状態で固着さ
れたり、あるいは、第３図（ｂｌのようにソルダー５が
チップ４の出射面側に押し出されて盛土部１０を形放し
てしまうことがある。前者は出射面から出射されたレー
ザー光６がサブマウント２の上面で反射するため、レー
ザー光６の横モード特性を低下させる原因となる。ｔた
、ソルダー５の外み出しによる盛土部１ｏは前記同様に
レーザー光６０反射による横モード特性の低下を来たす
ばかりでなく、外装不良、さらには活性層の上層の逆導
電型層との接触によるシ璽−ト不曳を引き起こすことに
もなり、歩留を低下させてしまう。
さらに、レーザー光路にソルダーの盛土部］０が臨むと
、遠祉野偉（ＰＰＰ）が乱れてしまう。
、遠祉野偉（ＰＰＰ）が乱れてしまう。
したがって、本発明の目的は、横モード特性および遠視
野偉の良好な特性の優れたレーザーダイオードを提供す
ることにある。
野偉の良好な特性の優れたレーザーダイオードを提供す
ることにある。
また、本発明の他の目的は備頼性が高く製造歩留の高い
レーザーダイオードを提供することにある。
レーザーダイオードを提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、ステムと、
このステム上に固定されたサブマウントと、サブマウン
トの上面にソルダーを介して固定されたチップと、から
なり、かつチップのレーザー光出射部（オプチカルキャ
ビティ）はサブマウントに近接しているレーザーダイオ
ードにおいて、前記チップのレーザー光を出射する一端
面はサブマウント側面よ、りも数μｍ〜数十βｍ突出し
ているものであって、以下実施例により本発明を説明す
る。
このステム上に固定されたサブマウントと、サブマウン
トの上面にソルダーを介して固定されたチップと、から
なり、かつチップのレーザー光出射部（オプチカルキャ
ビティ）はサブマウントに近接しているレーザーダイオ
ードにおいて、前記チップのレーザー光を出射する一端
面はサブマウント側面よ、りも数μｍ〜数十βｍ突出し
ているものであって、以下実施例により本発明を説明す
る。
第４図は本発明の一実施例によるレーザーダイオードの
要部を示す正面図である。同図に示すように、レーザー
ダイオードチップ４はレーザー光６を出射する出射部を
サブマウント２に近接した状態、すなわち、サブマウン
ト２に対面するチップ４の下面から３〜５μｍ程度上部
にオプチカルキャビティ（活性Ｊｉｌｌ）１１が延在し
、その端面の出射部からレーザー光（図では一端側のみ
を示すω６を出射する状態でソルダー５を介してサブマ
ウント２に固定されている。ｔた、チップ４の一方の出
射面を有する端面はサブマウント２の一側面からｂ（た
とえば８μｍ）突出している。このチップ４の突出固定
は、第５図に示すように、支持台９上に載置した位置決
め治具７を用いて行なう。
要部を示す正面図である。同図に示すように、レーザー
ダイオードチップ４はレーザー光６を出射する出射部を
サブマウント２に近接した状態、すなわち、サブマウン
ト２に対面するチップ４の下面から３〜５μｍ程度上部
にオプチカルキャビティ（活性Ｊｉｌｌ）１１が延在し
、その端面の出射部からレーザー光（図では一端側のみ
を示すω６を出射する状態でソルダー５を介してサブマ
ウント２に固定されている。ｔた、チップ４の一方の出
射面を有する端面はサブマウント２の一側面からｂ（た
とえば８μｍ）突出している。このチップ４の突出固定
は、第５図に示すように、支持台９上に載置した位置決
め治具７を用いて行なう。
位置決め治具７の一側面は垂直に切り立った段付の基準
面を有している。下部は平滑なサブマウント用基準面１
２となっていることから、位置決め治具７上にサブマウ
ント２を載せた後、サブマウント２の所定の一側面をこ
のサブマウント用基準面１２に押し付けて密着させる。
面を有している。下部は平滑なサブマウント用基準面１
２となっていることから、位置決め治具７上にサブマウ
ント２を載せた後、サブマウント２の所定の一側面をこ
のサブマウント用基準面１２に押し付けて密着させる。
上部の基準面はサブマウント、用基準面１２からｂだけ
窪んで平滑なチップ用基準面１３となっている。また、
サブマウント用基準面１２の上端はサブマウント２の高
さく厚さ）よりも低くなり、チップ４と当接しないよう
になっている。
窪んで平滑なチップ用基準面１３となっている。また、
サブマウント用基準面１２の上端はサブマウント２の高
さく厚さ）よりも低くなり、チップ４と当接しないよう
になっている。
そこで、サブマウント２上にチップ４を載置した後、チ
ップ４の一方の出射面端を位置決め治具７のチップ用基
準面１３に押し当て、この状態で熱を加えてあらかじめ
両者の表面に設けておいたソルダー素材を溶融させて両
者の固着を行なう。
ップ４の一方の出射面端を位置決め治具７のチップ用基
準面１３に押し当て、この状態で熱を加えてあらかじめ
両者の表面に設けておいたソルダー素材を溶融させて両
者の固着を行なう。
なお、実際にはサブマウント２およびチップ４は共に基
準面に自動的に押し付けられるような一般公知のはね−
構等を用いた治具構造とする。
準面に自動的に押し付けられるような一般公知のはね−
構等を用いた治具構造とする。
チップ４を取り付けたサブマウント２は半田３によっ１
銅のステムｌＩＣ固定される。
銅のステムｌＩＣ固定される。
このような実施例によれば、チップ４の出射面がサブマ
ウント２の側面よりもｂだけ突出していることから、ソ
ルダー５が外み出ても、チップ４の下面に隠れ出射面側
に突出することは防止できる。このため、外観不良とな
ることはない。ｉた、チップ４の出射面にソルダーが接
触しないのでシ璽−トも生じない。また、レーザー光が
ソルダー盛上部やサブマウント上面で反射することはな
いので、レーザー光の横モード不良は生じない。さらに
、レーザー光はソルダー盛土部１２８［）Ｋ干渉されな
いことから、遠視野儂の乱れも生じない。
ウント２の側面よりもｂだけ突出していることから、ソ
ルダー５が外み出ても、チップ４の下面に隠れ出射面側
に突出することは防止できる。このため、外観不良とな
ることはない。ｉた、チップ４の出射面にソルダーが接
触しないのでシ璽−トも生じない。また、レーザー光が
ソルダー盛上部やサブマウント上面で反射することはな
いので、レーザー光の横モード不良は生じない。さらに
、レーザー光はソルダー盛土部１２８［）Ｋ干渉されな
いことから、遠視野儂の乱れも生じない。
一方、ソルダー中のＳｎがホイスカとなって徐々にチッ
プ面に沿って延在して来ても、チップ４の出射面部分が
ｂだけ突出していることから、ホイスカの出射端面側と
の接触によるシ冒−ト発生までに多くの時間を要し、寿
命が長（なる。
プ面に沿って延在して来ても、チップ４の出射面部分が
ｂだけ突出していることから、ホイスカの出射端面側と
の接触によるシ冒−ト発生までに多くの時間を要し、寿
命が長（なる。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。−たとえば
、チップの突出長さｂは５〜２０μｍｍＫでもよい。
、チップの突出長さｂは５〜２０μｍｍＫでもよい。
以上のように、本発明によれば、横モード特性。
遠視野儂特性が優れ、外観不良、シ璽−ト不良が少ない
歩留が高く製造コストの安価なレーザーダイオードを提
供することができる。
歩留が高く製造コストの安価なレーザーダイオードを提
供することができる。
第１図は従来のレーザーダイオードの要部を示す正面図
、第２図は想定できるサブマウントへのチップの位置決
め状態を示す説明図、第３図（ａｔ。 （ｂｌはチップの不良取付状態を示す説明図、第４図は
本発明の一実施例によるレーザーダイオードの要部を示
す正面図、第５図は同じくサブマウントへのチップの位
置決め状態を示す説明図である。 ｌ・・・ステム、２・・・サブマウント、４・・・チッ
プ、５・・・ソルダー、６・・・レーザー光、７・・・
位置決め治つント用基準面、１３・・・チップ用基準面
。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
、第２図は想定できるサブマウントへのチップの位置決
め状態を示す説明図、第３図（ａｔ。 （ｂｌはチップの不良取付状態を示す説明図、第４図は
本発明の一実施例によるレーザーダイオードの要部を示
す正面図、第５図は同じくサブマウントへのチップの位
置決め状態を示す説明図である。 ｌ・・・ステム、２・・・サブマウント、４・・・チッ
プ、５・・・ソルダー、６・・・レーザー光、７・・・
位置決め治つント用基準面、１３・・・チップ用基準面
。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
Claims (1)
- １、 ステふと、このステム上に固定されたサブマウン
トと、サブマウントの上面にソルダーを介して固定され
たチップと、からなり、かつチップのレーザー光出射部
はサブマウンｈＨ近接しているレーザーダイオードにお
いて、前記チップのレーザー光を出射する一端面はサブ
マウント側面よりも数μｍ〜数十μｍ突出していること
を特徴とするレーザーダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168714A JPS5870592A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168714A JPS5870592A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870592A true JPS5870592A (ja) | 1983-04-27 |
Family
ID=15873082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56168714A Pending JPS5870592A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870592A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4888760A (en) * | 1985-07-29 | 1989-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head apparatus |
| JP2005347590A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2008282962A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Mitsubishi Electric Corp | ダイボンディング装置及びそのダイボンディング方法 |
| EP2012151A3 (en) * | 2007-07-05 | 2009-10-21 | NEC Corporation | Mounting structure of semiconductor optical element |
| JP2013505486A (ja) * | 2009-09-21 | 2013-02-14 | コーニング インコーポレイテッド | 光電子コンポーネントアセンブリを基板上で受動的に位置合せするための方法 |
| JP2013225654A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-10-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2015228401A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP56168714A patent/JPS5870592A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4888760A (en) * | 1985-07-29 | 1989-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head apparatus |
| US4987566A (en) * | 1985-07-29 | 1991-01-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head apparatus |
| JP2005347590A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2008282962A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Mitsubishi Electric Corp | ダイボンディング装置及びそのダイボンディング方法 |
| EP2012151A3 (en) * | 2007-07-05 | 2009-10-21 | NEC Corporation | Mounting structure of semiconductor optical element |
| JP2013505486A (ja) * | 2009-09-21 | 2013-02-14 | コーニング インコーポレイテッド | 光電子コンポーネントアセンブリを基板上で受動的に位置合せするための方法 |
| JP2013225654A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-10-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2015228401A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
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