JPS5873109A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS5873109A JPS5873109A JP17188681A JP17188681A JPS5873109A JP S5873109 A JPS5873109 A JP S5873109A JP 17188681 A JP17188681 A JP 17188681A JP 17188681 A JP17188681 A JP 17188681A JP S5873109 A JPS5873109 A JP S5873109A
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- Japan
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- capacitor element
- water
- lead
- capacitor
- repellent
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に弁
作用を有する金属粉末の成形体よりなるコンデンサエレ
メントより導出された@極り一ドへの半導体層形成部材
の這い上り現象を軽減させることを目的とするものであ
る。
作用を有する金属粉末の成形体よりなるコンデンサエレ
メントより導出された@極り一ドへの半導体層形成部材
の這い上り現象を軽減させることを目的とするものであ
る。
一般に、この種固体電解コンデンサは例えば第1図に示
すように、タンタル、ニオブ、アルミニウムなどのよう
に弁作用を有する全厚粉末を円柱状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントAに予め弁作用を有する金
属線を@極り−ドおとして植立し、この陽極り一ドBの
コンデンサニレメン)Aからの専用部分に第1の外部リ
ード部材Oを溶接すると共に、第2の外部リード部材り
をコンデンサニレメン)Aの周面に酸化S 、 半導体
層を介して形成された電極引出り層に半田付はシ、然る
後、コンデンサエレメントAの全周面を樹脂材Eにて被
覆して構成されている。
すように、タンタル、ニオブ、アルミニウムなどのよう
に弁作用を有する全厚粉末を円柱状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントAに予め弁作用を有する金
属線を@極り−ドおとして植立し、この陽極り一ドBの
コンデンサニレメン)Aからの専用部分に第1の外部リ
ード部材Oを溶接すると共に、第2の外部リード部材り
をコンデンサニレメン)Aの周面に酸化S 、 半導体
層を介して形成された電極引出り層に半田付はシ、然る
後、コンデンサエレメントAの全周面を樹脂材Eにて被
覆して構成されている。
トコ口で、CのコンデンサエレメントAはそれより導出
された陽極り−ドBに第1の外部リード部材0を14d
Mするに先立って、陽極り一ドBと共に化成処理により
その表面に酸化層が形成され、サラにコンデンサエレメ
ントAのみを半導体装置に一定時間浸漬し充分に含浸さ
せた後、高温雰囲気中において熱分解反応を起草せ酸化
層上に半導体層が形成されている。
された陽極り−ドBに第1の外部リード部材0を14d
Mするに先立って、陽極り一ドBと共に化成処理により
その表面に酸化層が形成され、サラにコンデンサエレメ
ントAのみを半導体装置に一定時間浸漬し充分に含浸さ
せた後、高温雰囲気中において熱分解反応を起草せ酸化
層上に半導体層が形成されている。
しかし乍ら、@極り一ドBの表面には例えば軸方向に多
くのダイス傷が存在している関係で、コンデンサニレメ
ン)Aに含浸された半導体母液がこのダイス傷を通って
@極す−ドBのコンデンサニレメン)Aからの導出部分
に付着し、熱分解されてψわゆる半導体層の這い上りを
生ずる。通常、半導体母液の含浸−熱分解操作はコンデ
ンサエレメントAが多孔質であることに麺み数回以上繰
り返される関係で、半導体側形成部材の這い上りもさら
に進行する傾向にある。
くのダイス傷が存在している関係で、コンデンサニレメ
ン)Aに含浸された半導体母液がこのダイス傷を通って
@極す−ドBのコンデンサニレメン)Aからの導出部分
に付着し、熱分解されてψわゆる半導体層の這い上りを
生ずる。通常、半導体母液の含浸−熱分解操作はコンデ
ンサエレメントAが多孔質であることに麺み数回以上繰
り返される関係で、半導体側形成部材の這い上りもさら
に進行する傾向にある。
従って、陽極リードBの導出部分に第1の外部リード部
材Oを溶接する際に、第1の外部リード部材Cと這い上
った半導体層とが接触して漏洩電流が増加したり、時に
は陰極と@極とが短絡されてしはいコンデンサとしての
機能を奏し得なくなるという問題がある0 それ故に、本出願人は先にコンデンサエレメントに半導
体層を形成するに先立って、コンデンサエレメント面よ
り導出された@極す−ド部分にのみ芳0水性被膜を形成
することにより、半導体層の這い上り形成を防止する製
造方法を提案した。
材Oを溶接する際に、第1の外部リード部材Cと這い上
った半導体層とが接触して漏洩電流が増加したり、時に
は陰極と@極とが短絡されてしはいコンデンサとしての
機能を奏し得なくなるという問題がある0 それ故に、本出願人は先にコンデンサエレメントに半導
体層を形成するに先立って、コンデンサエレメント面よ
り導出された@極す−ド部分にのみ芳0水性被膜を形成
することにより、半導体層の這い上り形成を防止する製
造方法を提案した。
この方法によれば、仮に陽極リードにダイス傷が形成さ
れていても、半導体母液の這い上りを燈水性被膜の撥水
効果によって確実に防止することができるために、第1
の外部リード部材が溶接される陰極リード部分への半導
体層の形成を防止することができ、漏洩電流特性の劣化
を防止できるものである。
れていても、半導体母液の這い上りを燈水性被膜の撥水
効果によって確実に防止することができるために、第1
の外部リード部材が溶接される陰極リード部分への半導
体層の形成を防止することができ、漏洩電流特性の劣化
を防止できるものである。
□ しかし乍ら、@極り−ドBへの撥水性被膜の形成は
例えば液状の撥水性部材にコンデンサニレメン)A及び
陽極リードB’Q浸漬した後、コンデンサニレメン)A
にのみ付層した撥水性部材を洗浄。
例えば液状の撥水性部材にコンデンサニレメン)A及び
陽極リードB’Q浸漬した後、コンデンサニレメン)A
にのみ付層した撥水性部材を洗浄。
除去することにより行われているのであるが、コンデン
サニレメン)Aの深層部にまで含浸された撥水性部材t
/′i簡単な洗浄によって除去することはできない。従
って、長時間洗浄液に浸漬しなければならないために、
作業性が著しく損なわれ、量産工程への適用が内蝋であ
るという間部がある〕本発明はこのような点に麺み、撥
水性部材によってコンデンサエレメント面から導出され
た@午す−ド部分への半導体層の這い上り形成を抑制で
き、かつ撥水性部材のコンデンサエレメントの深層部へ
の浸み込みを確実に防止できる固体電解コンデンサの製
造方法を提供するもので、以下その一製造方法について
第2図〜第7図を参照して説明する。
サニレメン)Aの深層部にまで含浸された撥水性部材t
/′i簡単な洗浄によって除去することはできない。従
って、長時間洗浄液に浸漬しなければならないために、
作業性が著しく損なわれ、量産工程への適用が内蝋であ
るという間部がある〕本発明はこのような点に麺み、撥
水性部材によってコンデンサエレメント面から導出され
た@午す−ド部分への半導体層の這い上り形成を抑制で
き、かつ撥水性部材のコンデンサエレメントの深層部へ
の浸み込みを確実に防止できる固体電解コンデンサの製
造方法を提供するもので、以下その一製造方法について
第2図〜第7図を参照して説明する。
まず、第2図に示すように、弁作用を有する金属粉末を
円柱状に加圧成形し焼結してなるコンデンサエレメント
1に予め千作用を有する金跨線を@極り−)2止して植
立する。そして、この@極り一ド2のコンデンサエレメ
ント面1’aからの導出端を帯状の金属板3に一定のピ
ッチ間隔にて接続して帯状部品を形成する。次に、第3
図に示すように、帯状部品を浸漬槽4に、コンデンサエ
レメント1のみが浸漬槽4の水5に浸漬されるように載
置する。尚、浸漬槽4の内壁6には水5の液面を一定に
するための窓孔7が形成されている。そして、水5’t
コンデンサエレメントlの深層部にまで充分に含浸させ
た後、引上げると第4図に示すヨウニ、コンデンサエレ
メント1には撥水性部材の浸み込み防止層51が形成さ
れる。次に、第5図に示すように、帯状部品を浸漬槽8
に、コンデンサニレメン)l及び陽極リード2のコンデ
ンサエレメント面からの導出部分が浸漬槽8の液状の撥
水性部材9に浸漬されるように載置する0尚、浸漬槽8
の内壁10にけ撥水性部材9の液面を一定にするための
窓孔11が形成され、ている0そして、コンデンサエレ
メントlを撥水性部材9より引上ケルト、コンデンサニ
レメン)lの防止層5+及ヒ陽械リード2の導出部分に
は第6図に示すように、撥水性部材の被膜9】が形成さ
れる。そして、コンデンサエレメント1のみを洗浄液に
浸漬し、防止層51上の撥水性部材の被膜91を除去し
た後、加熱処理する。次に、第7図に示すように、コン
デンサエレメント10周面に酸化層、半導体層を介して
電極引出し麺を形成する。そして、@極り一ド2のコン
デンサエレメント面1aからの導出部分に第1の外部リ
ード部材12を、撥水性部@91の上から溶接すると共
に、第2の外部リード部材13を電極引出し層に半田付
けする。然る後、コンデンサエレメントlの全周面を樹
脂材14にてに&することによって固体電解コンデンサ
が得られる。
円柱状に加圧成形し焼結してなるコンデンサエレメント
1に予め千作用を有する金跨線を@極り−)2止して植
立する。そして、この@極り一ド2のコンデンサエレメ
ント面1’aからの導出端を帯状の金属板3に一定のピ
ッチ間隔にて接続して帯状部品を形成する。次に、第3
図に示すように、帯状部品を浸漬槽4に、コンデンサエ
レメント1のみが浸漬槽4の水5に浸漬されるように載
置する。尚、浸漬槽4の内壁6には水5の液面を一定に
するための窓孔7が形成されている。そして、水5’t
コンデンサエレメントlの深層部にまで充分に含浸させ
た後、引上げると第4図に示すヨウニ、コンデンサエレ
メント1には撥水性部材の浸み込み防止層51が形成さ
れる。次に、第5図に示すように、帯状部品を浸漬槽8
に、コンデンサニレメン)l及び陽極リード2のコンデ
ンサエレメント面からの導出部分が浸漬槽8の液状の撥
水性部材9に浸漬されるように載置する0尚、浸漬槽8
の内壁10にけ撥水性部材9の液面を一定にするための
窓孔11が形成され、ている0そして、コンデンサエレ
メントlを撥水性部材9より引上ケルト、コンデンサニ
レメン)lの防止層5+及ヒ陽械リード2の導出部分に
は第6図に示すように、撥水性部材の被膜9】が形成さ
れる。そして、コンデンサエレメント1のみを洗浄液に
浸漬し、防止層51上の撥水性部材の被膜91を除去し
た後、加熱処理する。次に、第7図に示すように、コン
デンサエレメント10周面に酸化層、半導体層を介して
電極引出し麺を形成する。そして、@極り一ド2のコン
デンサエレメント面1aからの導出部分に第1の外部リ
ード部材12を、撥水性部@91の上から溶接すると共
に、第2の外部リード部材13を電極引出し層に半田付
けする。然る後、コンデンサエレメントlの全周面を樹
脂材14にてに&することによって固体電解コンデンサ
が得られる。
このようにコンデンサエレメント面1aより導出された
陽極リード部分には半導体層形成工稈前に、撥水性被膜
91が形成されているので、半導体母液のコンデンサエ
レメント1への含浸工程において、半導体母液がダイス
傷を通って@極り一ド2のコンデンサエレメント面1a
からの導出ff1lに這い上ろうとしても、撥水性被膜
91の撥水作用によって這い上りを確実に防止できる。
陽極リード部分には半導体層形成工稈前に、撥水性被膜
91が形成されているので、半導体母液のコンデンサエ
レメント1への含浸工程において、半導体母液がダイス
傷を通って@極り一ド2のコンデンサエレメント面1a
からの導出ff1lに這い上ろうとしても、撥水性被膜
91の撥水作用によって這い上りを確実に防止できる。
従って、@極り一ド2に第1の外部リード部材12を溶
接しても、漏洩電流の増加、陰極と陽極との短絡を防止
でき、コンデンサとしての品位を高めることができる。
接しても、漏洩電流の増加、陰極と陽極との短絡を防止
でき、コンデンサとしての品位を高めることができる。
又、@極す−ド2に撥水性被膜91を形成するに先立ッ
て、コンデンサエレメント1にハ撥水性部材9の浸み込
み防止層5!が形成されているので、コンデンサエレメ
ント1及び陽極リード2を撥水性部材9に浸漬しても、
それのコンデンサエレメント1の深層部への浸み込みを
確実に防止できる。
て、コンデンサエレメント1にハ撥水性部材9の浸み込
み防止層5!が形成されているので、コンデンサエレメ
ント1及び陽極リード2を撥水性部材9に浸漬しても、
それのコンデンサエレメント1の深層部への浸み込みを
確実に防止できる。
従って、コンデンサエレメント1における防止層51を
加熱などによって除去すれば、深層部への半導体〜の形
成を確実に行うことができ、コンデンサ特性を改善でき
る。
加熱などによって除去すれば、深層部への半導体〜の形
成を確実に行うことができ、コンデンサ特性を改善でき
る。
さらKは撥水性部材9の浸み込み防止Ni15+として
は例えば水、有機溶剤が用いられている関係で、加熱に
よって簡単かつ確実に除去することができる。特に、水
を用いる場合には加熱によって除去しなくても、化成液
に浸漬し化成処理することによって深層部の水を化成液
と置換して結果的に除去することもでき、作業能率を著
しく改善できる。
は例えば水、有機溶剤が用いられている関係で、加熱に
よって簡単かつ確実に除去することができる。特に、水
を用いる場合には加熱によって除去しなくても、化成液
に浸漬し化成処理することによって深層部の水を化成液
と置換して結果的に除去することもでき、作業能率を著
しく改善できる。
次に具体的実mi例について説明する。
実施例]。
コンデンサエレメントのみを水に浸漬し、充分に含浸さ
せる。引上げ後、コンデンサエレメントを@榛す−ドと
共に、ダイキン株式会社より発売されている商品名グイ
フリーFS−126なる油1王の弗素系樹脂に5秒間浸
漬する。引上げ後、ダイキン株式会社より発売されてい
る商品名グイフロンソルベントにコンデンサエレメント
のみ30秒間浸漬し、不要のグイフリーを除去する。そ
の後、通常の方法にて固体電解コンデンサを製作し、漏
洩電流、短絡不良の不良発生率を調査した処、従来3%
程度であったものが0.01%に減少できた。
せる。引上げ後、コンデンサエレメントを@榛す−ドと
共に、ダイキン株式会社より発売されている商品名グイ
フリーFS−126なる油1王の弗素系樹脂に5秒間浸
漬する。引上げ後、ダイキン株式会社より発売されてい
る商品名グイフロンソルベントにコンデンサエレメント
のみ30秒間浸漬し、不要のグイフリーを除去する。そ
の後、通常の方法にて固体電解コンデンサを製作し、漏
洩電流、短絡不良の不良発生率を調査した処、従来3%
程度であったものが0.01%に減少できた。
又、陽極リードと第1の外部リード部材との溶接性も何
ら損なわれることはなかった。σらにはグイフリーの浸
み込みに起因する静電容量の減少は全く認められなかっ
た。
ら損なわれることはなかった。σらにはグイフリーの浸
み込みに起因する静電容量の減少は全く認められなかっ
た。
実施例2
1BMi例1において、コンデンサエレメント面水を含
浸させた後、表層部を氷結させた処、防止胎上のグイフ
リーの除去をさらに能率的に行うことができた。
浸させた後、表層部を氷結させた処、防止胎上のグイフ
リーの除去をさらに能率的に行うことができた。
実施例3゜
実施例1において、水の代りにアルコールを使用した処
、実施例1と同様の効果が得られた。
、実施例1と同様の効果が得られた。
実施例4゜
コンデンサエレメントにのみ11度が帆5%のリン酸水
溶液を含浸させた後、このコンデンサエレメント及びk
mリードをダイキン株式会社より発売はれている商品名
グイフリーME−104なる水溶性の弗素系樹脂に2秒
間浸漬する。引上げ後、コンデンサエレメントのみをl
i例1のダイア1ffンソルヘントに30秒間浸漬し、
不要のダイフリーを除去する。以下通常の方法にて固体
電解コンデンサを製作した処、実施例1と同様の効果が
得られた。
溶液を含浸させた後、このコンデンサエレメント及びk
mリードをダイキン株式会社より発売はれている商品名
グイフリーME−104なる水溶性の弗素系樹脂に2秒
間浸漬する。引上げ後、コンデンサエレメントのみをl
i例1のダイア1ffンソルヘントに30秒間浸漬し、
不要のダイフリーを除去する。以下通常の方法にて固体
電解コンデンサを製作した処、実施例1と同様の効果が
得られた。
尚、本発明において、撥水性被膜は弗素浩樹脂(テフロ
ン樹脂)の仙、シリコン、ステアリン酸などにて構成、
することもできる。又、防止層は水。
ン樹脂)の仙、シリコン、ステアリン酸などにて構成、
することもできる。又、防止層は水。
アルコール、化成液にのみ限定きれない。
以上のように本発明によれば、撥水性部材によってコン
デンサエレメントから導出はれた@極り一ド部分への半
導体層の這い上り形成を抑制できル上、撥水性部材のコ
ンデンサエレメントへの浸み込みに起因する特性トのト
ラブルをも効果的に防止できる。
デンサエレメントから導出はれた@極り一ド部分への半
導体層の這い上り形成を抑制できル上、撥水性部材のコ
ンデンサエレメントへの浸み込みに起因する特性トのト
ラブルをも効果的に防止できる。
第1図は従来の固体電解コンデンサの側断面V、第2図
〜第7図は本発明の説明図であって、第2図は帯状部品
の側々)面図、第3図はコンデンサエレメントの水への
浸漬状態を示す側断面し1.第4図は防止層の形成状態
を示す側断面V1第5図はコンデンサエレメントの撥水
性部材への&I状Mを示す側断面図、第6園I/′i撥
水性被膜の形成状態を示す側断面図、第7図は完成状態
を示す側断面図である〇 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図
〜第7図は本発明の説明図であって、第2図は帯状部品
の側々)面図、第3図はコンデンサエレメントの水への
浸漬状態を示す側断面し1.第4図は防止層の形成状態
を示す側断面V1第5図はコンデンサエレメントの撥水
性部材への&I状Mを示す側断面図、第6園I/′i撥
水性被膜の形成状態を示す側断面図、第7図は完成状態
を示す側断面図である〇 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図
Claims (1)
- 弁作用を有する金属粉末を所望形状に加圧成形すると共
に焼結し、かつそれより弁作用を有する金属線を陽極リ
ードとして導出したコンデンサエレメントに半導体層を
形成するに先立って、コンデンサエレメント及び@極り
一ドを液状の撥水性部材に、コンデンサエレメントに撥
水性部材の浸み込み防止層を形成した状態で浸漬するこ
とにより、陽極リードの所望部分に撥水性被膜を形成す
ることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法0
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17188681A JPS5873109A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17188681A JPS5873109A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873109A true JPS5873109A (ja) | 1983-05-02 |
| JPS6127891B2 JPS6127891B2 (ja) | 1986-06-27 |
Family
ID=15931613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17188681A Granted JPS5873109A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873109A (ja) |
-
1981
- 1981-10-26 JP JP17188681A patent/JPS5873109A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6127891B2 (ja) | 1986-06-27 |
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