JPS5877026A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS5877026A JPS5877026A JP56175303A JP17530381A JPS5877026A JP S5877026 A JPS5877026 A JP S5877026A JP 56175303 A JP56175303 A JP 56175303A JP 17530381 A JP17530381 A JP 17530381A JP S5877026 A JPS5877026 A JP S5877026A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
夏 発tSO背景
ム 技術分野
本発@紘磁気記録媒体に関する0 更に詳しくは、JI
K、例えば、Co−P系またaDo −Ni −P系等
のスパッタ*換などの気相被着薄膜を磁性層とする連続
薄膜形O磁気記録媒体に関する。
K、例えば、Co−P系またaDo −Ni −P系等
のスパッタ*換などの気相被着薄膜を磁性層とする連続
薄膜形O磁気記録媒体に関する。
B 先行技術
近年、金属磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形O磁気記
録媒体が注目を集めている。
録媒体が注目を集めている。
このような連続薄膜形の磁気記録媒体O′磁性層として
は種々のものがふる〇 磁性層の1つとして(’o−Pないし、Co−N1−P
系薄膜を例にとって説明すると、従来、この薄膜は、鍍
金法によって作製されている。
は種々のものがふる〇 磁性層の1つとして(’o−Pないし、Co−N1−P
系薄膜を例にとって説明すると、従来、この薄膜は、鍍
金法によって作製されている。
しかし、これら鍍金法によるときには、先ず、薄膜の基
体に対する接着性と、膜の機械的強度とが低く、磁気ヘ
ッドとのmiによシ、薄膜の摩耗、剥離が生じ、磁気特
性の経時変化を生じるという欠点がある。 また、磁性
lI膜の表面性が悪く、特に高域での出力が低下すると
いう欠点もある。
体に対する接着性と、膜の機械的強度とが低く、磁気ヘ
ッドとのmiによシ、薄膜の摩耗、剥離が生じ、磁気特
性の経時変化を生じるという欠点がある。 また、磁性
lI膜の表面性が悪く、特に高域での出力が低下すると
いう欠点もある。
更には、鍍金浴に存在するアルカリ金属イオン、酸、塩
基勢が、薄膜中に混入し、この混入不純物によシ、薄膜
の磁気特性が経時劣化してしまった夛、場合によって社
、磁気ヘッドを腐食するなどの不都合もある。 加えて
、その原因は明白でないが、特に、オーディオ用テープ
に適用するとき、333Hzにおける第3次高調波に対
する歪が大きく、実用上問題となっている。
基勢が、薄膜中に混入し、この混入不純物によシ、薄膜
の磁気特性が経時劣化してしまった夛、場合によって社
、磁気ヘッドを腐食するなどの不都合もある。 加えて
、その原因は明白でないが、特に、オーディオ用テープ
に適用するとき、333Hzにおける第3次高調波に対
する歪が大きく、実用上問題となっている。
このような実状に鑑み、本発明者らは、先に、Co−P
系ないしCo −Ni−P系の薄膜磁性層をスパッタリ
ングによ多形成した磁気記録媒体についての提案を行っ
ている0 このように磁性層をスパッタリングによ多形
成すると、良好な磁気特性を示し、磁性層膜j[O機械
的強度と接着強度は鍍金法によるときよ)も格段と高く
、又その表面性も良好となるとともに、更にこれらに加
え、高温高湿下での長期保存の際の磁気特性の経時変化
もきわめて小さく、又333Hzにおける第3次高調波
に対する歪もきわめて小さい。
系ないしCo −Ni−P系の薄膜磁性層をスパッタリ
ングによ多形成した磁気記録媒体についての提案を行っ
ている0 このように磁性層をスパッタリングによ多形
成すると、良好な磁気特性を示し、磁性層膜j[O機械
的強度と接着強度は鍍金法によるときよ)も格段と高く
、又その表面性も良好となるとともに、更にこれらに加
え、高温高湿下での長期保存の際の磁気特性の経時変化
もきわめて小さく、又333Hzにおける第3次高調波
に対する歪もきわめて小さい。
しかし、このようなスパッタ薄膜磁性層をもつ磁気記録
媒体にも以下のような欠点がある。
媒体にも以下のような欠点がある。
まず、磁性廟スパッタ薄膜O膜厚がパラつく。
これはスパッタ条件を厳密に維持しても生じるものであ
シ、特に長尺の基体上に連続的にスパッタリングを行う
ようなとき、と、のバラつきは無視できなくな夛、テー
プ等の出力変動の原因となる。
シ、特に長尺の基体上に連続的にスパッタリングを行う
ようなとき、と、のバラつきは無視できなくな夛、テー
プ等の出力変動の原因となる。
また、前記のように、磁性層表面の表面性社改善される
ものであるが、表面性は未だ十分と紘い゛ さらに、!
に高分子成形物からなる可撓性基体を用いる磁気テープ
で社、機械的強度、特に負荷を加え先後の残留伸びの点
で満足できない。
ものであるが、表面性は未だ十分と紘い゛ さらに、!
に高分子成形物からなる可撓性基体を用いる磁気テープ
で社、機械的強度、特に負荷を加え先後の残留伸びの点
で満足できない。
、 まえ、可撓性基体と磁性層との接着性についても
、必ずしも十分でなく、多数回の走行によル、磁性層の
接着劣化にもとづくと思われる出力低下があられれる。
、必ずしも十分でなく、多数回の走行によル、磁性層の
接着劣化にもとづくと思われる出力低下があられれる。
加えて、スパッタ薄膜を磁性層とするときには、七〇B
Hループを測定すると、減磁#!I上等に、2つ以上の
変曲点があられれ、その微分曲!(dB/dH)に極大
値が2つ以上出現することがある。
Hループを測定すると、減磁#!I上等に、2つ以上の
変曲点があられれ、その微分曲!(dB/dH)に極大
値が2つ以上出現することがある。
そして、このような現象は連続スパッタに際しランダム
に生起し、テープ等の媒体に対する適正バイアスの決定
が複雑となってしまう。
に生起し、テープ等の媒体に対する適正バイアスの決定
が複雑となってしまう。
また、保磁力も、さらに高いものとすれに1よ)一層望
ましいものとなる。
ましいものとなる。
これに対し、このような磁性層と可撓性基体との間に、
金属等の下地層を形成すれに、以上のような各種不都合
等紘改善されるものと考えられる0本発明者らの実験に
よれd1実際1.アルミニウム等の下地層を可撓性基体
上に設層することにょシ、上記した改善すべき各特性が
向上する仁とが判明している◇ しかし、これら諸物件の向上は必ずしも十分ではなく、
特性1最も良好な部類に属するアルミニウム下地層を用
いるときにも、特に機械的強度、就中残留伸びの点、あ
るい紘、表面性やB11ルーズの変形等について、よル
一層の改良が望まれる。
金属等の下地層を形成すれに、以上のような各種不都合
等紘改善されるものと考えられる0本発明者らの実験に
よれd1実際1.アルミニウム等の下地層を可撓性基体
上に設層することにょシ、上記した改善すべき各特性が
向上する仁とが判明している◇ しかし、これら諸物件の向上は必ずしも十分ではなく、
特性1最も良好な部類に属するアルミニウム下地層を用
いるときにも、特に機械的強度、就中残留伸びの点、あ
るい紘、表面性やB11ルーズの変形等について、よル
一層の改良が望まれる。
なお、以上で鉱、Co−PないしCo −Ni −P系
のスパッタ薄膜を例にとって説明したが、他の組成のl
I展、あるいは蒸着等によって形成した薄膜についても
、上記諸物件がよ)一層内上する新規な下地層〇−発が
望まれている。 − 1発IAの目的 本発明はこのような実状に鑑みなされたものであって、
新規な下地層を用い−ることにょ9、磁性層膜厚が均一
であル、またへラードタッチが良好であシ、さらに機械
的強度が高く、シか吃接着性が −良好で、加えて磁気
特性が良好で、総合的にみて各特性ともきわめて良好な
磁気記録媒体を実現することを主たる目的とする。
のスパッタ薄膜を例にとって説明したが、他の組成のl
I展、あるいは蒸着等によって形成した薄膜についても
、上記諸物件がよ)一層内上する新規な下地層〇−発が
望まれている。 − 1発IAの目的 本発明はこのような実状に鑑みなされたものであって、
新規な下地層を用い−ることにょ9、磁性層膜厚が均一
であル、またへラードタッチが良好であシ、さらに機械
的強度が高く、シか吃接着性が −良好で、加えて磁気
特性が良好で、総合的にみて各特性ともきわめて良好な
磁気記録媒体を実現することを主たる目的とする。
本発明者ら祉、このような目的を達成する新規な下地層
組成を見出すべく鋭意研究を重ね、本発明をなすに至っ
九ものである。
組成を見出すべく鋭意研究を重ね、本発明をなすに至っ
九ものである。
すなわち本発#JFi、可撓性基体上に1下地層を有し
、当皺下地層上に、薄Mia性層を有する磁気記録媒体
において、上記下地層がアルミニウム合金から形成され
てなることを特徴とする磁気記録媒体である。
、当皺下地層上に、薄Mia性層を有する磁気記録媒体
において、上記下地層がアルミニウム合金から形成され
てなることを特徴とする磁気記録媒体である。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明において用いる基体は、非磁性のものであり、可
撓性の、特に、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド
等の高分子成形物からなるものであることが好ましい。
撓性の、特に、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド
等の高分子成形物からなるものであることが好ましい。
本発明においては、このような基体上に、アルミニウム
合金からなる下地層を設層する。
合金からなる下地層を設層する。
この場合、アルミニウム合金としてれ、アルミニウムを
主成分とする各種合金を用い、ることかできる。
主成分とする各種合金を用い、ることかできる。
これらのうちて、特に好適外ものとして杜、511Cu
、 Mn、 Zn、 CrおよびMgのうちの少なくと
も1mを、好ましくは25vtIs以下、よシ好ましく
は0.1〜25vtチ、さらに好ましくは1〜20Wt
s含むものを挙げることができる。
、 Mn、 Zn、 CrおよびMgのうちの少なくと
も1mを、好ましくは25vtIs以下、よシ好ましく
は0.1〜25vtチ、さらに好ましくは1〜20Wt
s含むものを挙げることができる。
なお、このような下地層社、通常、50〜soo。
As度の厚さとされる。
また、゛下地層の形成法として社、真空蒸着、スパッタ
リング、イオンブレーティング、メッキ勢種々の方法い
ずれによってもよいが、特に、スパッタリングを用いる
のが好適である。
リング、イオンブレーティング、メッキ勢種々の方法い
ずれによってもよいが、特に、スパッタリングを用いる
のが好適である。
このような下地層上に紘磁性層が設層される。
磁性層としてL1鴇々O組成をもち、蒸着、イオンブレ
ーティング、スノ(ツタリング等種々の気相被着法で形
成したものを用、いてもよいが、本発明の効果がきわめ
て顕著に発揮されるという点において、特にスパッタ薄
膜であるεとが好ましい。
ーティング、スノ(ツタリング等種々の気相被着法で形
成したものを用、いてもよいが、本発明の効果がきわめ
て顕著に発揮されるという点において、特にスパッタ薄
膜であるεとが好ましい。
この場合、スパッタ薄膜は、Co−Ni系やCo −R
e系等種々のものであってもよい0 ただ、上記した緒
特性がよシ一層向上する点で、Co −PまたはCo
−Ni−P系合金からなることが好ましいO そして、(COlq□−xN IX)10o−y Py
と表わしたとき、xlすなわちCo/(Co+Ni )
重量比は0,35重量−であることが好ましい。 Xが
35重量−を超えると、磁気特性、4IK保磁力Hcが
低下してしまうからである。 この場合、保磁力He0
点で、Xが0〜30重量−1特に0〜28重量−であれ
ば、よシ好ましい結果を得るO 一方、ylすな
わちP含量は、Oよル大で、6重量−以下であることが
好ましい06重量%°を超えると、十社シ磁気特性、特
に保磁力Heが低下してしまうOこの場合、保磁力He
の点で社、yが1〜6重量%、よ)好ましくはL5〜5
.5重重量−であれに1好ましい結果を得るOなお、以
上のような組成において、薄膜中に娘、更に第4成分と
して、例えIdCo、 Ni以外の他の遷移金属元素等
、例えばF・、 Cr、 Mn、 Moなどのl種以上
が、全体の10重量−以下の範囲で含有されていてもよ
い。
e系等種々のものであってもよい0 ただ、上記した緒
特性がよシ一層向上する点で、Co −PまたはCo
−Ni−P系合金からなることが好ましいO そして、(COlq□−xN IX)10o−y Py
と表わしたとき、xlすなわちCo/(Co+Ni )
重量比は0,35重量−であることが好ましい。 Xが
35重量−を超えると、磁気特性、4IK保磁力Hcが
低下してしまうからである。 この場合、保磁力He0
点で、Xが0〜30重量−1特に0〜28重量−であれ
ば、よシ好ましい結果を得るO 一方、ylすな
わちP含量は、Oよル大で、6重量−以下であることが
好ましい06重量%°を超えると、十社シ磁気特性、特
に保磁力Heが低下してしまうOこの場合、保磁力He
の点で社、yが1〜6重量%、よ)好ましくはL5〜5
.5重重量−であれに1好ましい結果を得るOなお、以
上のような組成において、薄膜中に娘、更に第4成分と
して、例えIdCo、 Ni以外の他の遷移金属元素等
、例えばF・、 Cr、 Mn、 Moなどのl種以上
が、全体の10重量−以下の範囲で含有されていてもよ
い。
このような磁性層薄膜の厚さについては、特に制限社な
く、磁気記録媒体がアナログ記録を行うものであるか、
ディジタル記録を行うものであるか、あるい拡どのよう
な用途に用いるか等に応じ、種々の厚さとすればよい。
く、磁気記録媒体がアナログ記録を行うものであるか、
ディジタル記録を行うものであるか、あるい拡どのよう
な用途に用いるか等に応じ、種々の厚さとすればよい。
丸だ、通常は、5OOX〜数μm@度の厚さの連続薄
層として、可撓性基体上に形成されるものである。
層として、可撓性基体上に形成されるものである。
このような本発明における磁性層薄膜は、最も好ましい
態様においてれ、上記の基体上に、スパッタリングに本
って被着形成される。
態様においてれ、上記の基体上に、スパッタリングに本
って被着形成される。
用いるスパッタリングとしては、いわゆるRFスパッタ
であっても、又いわゆるDCスパツ、りであってもよく
、その装置構成も2極、4極等いずれであってもよいo
j!!に社、いわゆるマグネトはンスパツタを用いても
よく、又場合によっては、P等を流しながら行う、いわ
ゆる反応性スパッタによること4できる。
であっても、又いわゆるDCスパツ、りであってもよく
、その装置構成も2極、4極等いずれであってもよいo
j!!に社、いわゆるマグネトはンスパツタを用いても
よく、又場合によっては、P等を流しながら行う、いわ
ゆる反応性スパッタによること4できる。
用いるターゲットとして社、通常の場合社、上記組成の
Co −Ni−P焼結体を用いればよい。
Co −Ni−P焼結体を用いればよい。
一方、衝撃イオンのイオン源としては、通常、Ar、
Kr、 Xe等の不活性ガスを用いれによい。
Kr、 Xe等の不活性ガスを用いれによい。
そして、これらの不活性ガス社、動作時において、2X
10””Torr以上の圧力に維持することが好ましい
。 このような圧力未満では、得られる薄膜O磁気特性
、特に保磁力Heが低下してしまうからである。 一方
、動作時の圧力を上ければ、スパッタレート鉱低下して
しまう。・ この大め、動作時の圧力は、一般に5 X
1 G=〜2 X 10−’ Torr程度とするこ
とが好ましい。
10””Torr以上の圧力に維持することが好ましい
。 このような圧力未満では、得られる薄膜O磁気特性
、特に保磁力Heが低下してしまうからである。 一方
、動作時の圧力を上ければ、スパッタレート鉱低下して
しまう。・ この大め、動作時の圧力は、一般に5 X
1 G=〜2 X 10−’ Torr程度とするこ
とが好ましい。
なお、プレーF電圧、プレート電流、極間間隙等には特
別O制@紘なく、これらは、条件に応じ、任意の値に設
定することができる。
別O制@紘なく、これらは、条件に応じ、任意の値に設
定することができる。
なお、仁のようKして形成される磁性薄膜上には、必要
に応じ、保護層が設層される。
に応じ、保護層が設層される。
このような本発明の磁気記録媒体は、アナログないしデ
ィジタルの磁気記録を行う、各Sa気テープ、磁気ディ
スク、磁気ドラム、磁気シート、磁気カード、磁気スケ
ール等として、有用であるが、特に磁気テープとして好
適である。
ィジタルの磁気記録を行う、各Sa気テープ、磁気ディ
スク、磁気ドラム、磁気シート、磁気カード、磁気スケ
ール等として、有用であるが、特に磁気テープとして好
適である。
■ 発明の具体的効果 、
本発明によれば、磁性層の膜厚のバラツキがきわめて少
なく、テープ等の出力変動がきわめて小さい。
なく、テープ等の出力変動がきわめて小さい。
また、磁性層表面の表面性が良好であシ、ヘッドタッチ
が向上し、高域O出力が高い。
が向上し、高域O出力が高い。
さらに、負荷後の残留伸び紘小さく、テープの機械的強
度が高い0 また、磁性層の接着強度もきわめて高い。
度が高い0 また、磁性層の接着強度もきわめて高い。
加えて、BHルーズの減磁曲線上に2つ以上の変曲点が
生じることも少なく、また保磁力も高い。
生じることも少なく、また保磁力も高い。
この場合、他の金属ないし合金からなる下地層を用いる
ときと比較したとき、残留伸びはきわめて小さいものと
なる0 そして磁性層をスパッタ薄膜とするときには、他の金属
ないし合金からな4下地層を用いるときと比較して、残
留伸びの減少錦、BEループの変形も、その発生がきわ
めて少なく表る。
ときと比較したとき、残留伸びはきわめて小さいものと
なる0 そして磁性層をスパッタ薄膜とするときには、他の金属
ないし合金からな4下地層を用いるときと比較して、残
留伸びの減少錦、BEループの変形も、その発生がきわ
めて少なく表る。
さらに、スパッタ薄膜をCo−PまたはCo −Ni−
p系のものとじ九ときには、残留伸びと、BHルーズの
変形の発生との減少に加え、他の金属ないし合金からな
る下地層を用いるときと比較して、磁性層の表面性が格
段と良好となシ、高域出力が高゛くなる。
p系のものとじ九ときには、残留伸びと、BHルーズの
変形の発生との減少に加え、他の金属ないし合金からな
る下地層を用いるときと比較して、磁性層の表面性が格
段と良好となシ、高域出力が高゛くなる。
■ 実験例
本発明者らは、本発明の効果を確認するため種々実験を
行った。 以下にその1例を系す〇実験例1 回部性基体として、連続長尺の9μm犀のポリエチレン
テレフタレートフィルムを16@@l用意し九〇 ζ016fi類の基体のうち、一つは、何ら下地層を形
成せず、まえ、4種に社、表1に示されるように、それ
ぞれ本発明に従い、Al−1,2wtg!Mu、ム1−
4wt lGMg−0,8wt%Mm−0,35wt1
G81、Al−4wtチCm−0.6vHGMgおよび
ムl−8,5vtLsZn−1,5vtl!Mg−1−
2vtlICu−0,25vtlG・−1 Cr−O,6wtチMnからなる下地層を形成し大。
行った。 以下にその1例を系す〇実験例1 回部性基体として、連続長尺の9μm犀のポリエチレン
テレフタレートフィルムを16@@l用意し九〇 ζ016fi類の基体のうち、一つは、何ら下地層を形
成せず、まえ、4種に社、表1に示されるように、それ
ぞれ本発明に従い、Al−1,2wtg!Mu、ム1−
4wt lGMg−0,8wt%Mm−0,35wt1
G81、Al−4wtチCm−0.6vHGMgおよび
ムl−8,5vtLsZn−1,5vtl!Mg−1−
2vtlICu−0,25vtlG・−1 Cr−O,6wtチMnからなる下地層を形成し大。
さらに、残シ11種には、比較めため、l[!IK示さ
れるように、それぞれ、ムl、ムg、 Cut Sn。
れるように、それぞれ、ムl、ムg、 Cut Sn。
Me、 Znt Ni、 Ti、 Cr、 0s1−B
e合金および8U8304からなる下地層を形、成した
。
e合金および8U8304からなる下地層を形、成した
。
各下地層の形成は、DCスパッタリングによシ”ニー〇
、/−?9)&t、?。、9,6゜、7いし合金を用い
、プレート電EE、2KV、投入電力L8W/−とし、
衡撃イオンとしてはアルゴンを用い、動作アルゴン圧は
、7 X 10−” Torr K #持した。 基体
を連続的に走行させ、各下地層厚がそれぞれuoooX
となるようにし丸。
、/−?9)&t、?。、9,6゜、7いし合金を用い
、プレート電EE、2KV、投入電力L8W/−とし、
衡撃イオンとしてはアルゴンを用い、動作アルゴン圧は
、7 X 10−” Torr K #持した。 基体
を連続的に走行させ、各下地層厚がそれぞれuoooX
となるようにし丸。
次いで、これら16II0基体フィルムに、Co−Ni
−P a性層を形成した。 磁性層の形成は、やはJ
)、DCスパッタリングによ〕行った。
−P a性層を形成した。 磁性層の形成は、やはJ
)、DCスパッタリングによ〕行った。
この場合、ターゲットとして社、CC0QIIA Ni
oユ^6P4組成となるように作製した焼結体を用い
た。
oユ^6P4組成となるように作製した焼結体を用い
た。
また、下地層におけると同様、プレート電圧線2KV、
投入電圧til−8W/cII、動作アルゴン圧鉱7
X 101Torrとした◇ 上記のように下地層を慨
膚した108の基体を連続的に走行させ、各基体上に、
3500ム厚の上記組成のCo−N1−P薄m磁性層を
形成した。
投入電圧til−8W/cII、動作アルゴン圧鉱7
X 101Torrとした◇ 上記のように下地層を慨
膚した108の基体を連続的に走行させ、各基体上に、
3500ム厚の上記組成のCo−N1−P薄m磁性層を
形成した。
次に1これらそれぞれを、3.81111幅にスリット
し、常法に従い、C−120カセツトテープと゛し斧。
し、常法に従い、C−120カセツトテープと゛し斧。
このように形成した16IIの媒体につき、各1特性を
評価し丸。 測定された各媒体の保磁力Heを、下記表
1に示す。
評価し丸。 測定された各媒体の保磁力Heを、下記表
1に示す。
次に、これら各媒体テープに、8 KH3% OdBの
シグナルを記録した後、再化しくテープ速度4、76
ass/ see )、C−120テープでの出方変動
中(VU)を測定し、主として磁性層膜厚のバラツキに
起因する出力変動の大小を評価した。 結果を表1に示
す。
シグナルを記録した後、再化しくテープ速度4、76
ass/ see )、C−120テープでの出方変動
中(VU)を測定し、主として磁性層膜厚のバラツキに
起因する出力変動の大小を評価した。 結果を表1に示
す。
また1主として、表面性の何頭によって生じるヘッドタ
ッチを評価するため、14KHzMOLを測定し九〇
結果を表IK示す。
ッチを評価するため、14KHzMOLを測定し九〇
結果を表IK示す。
次いで、テープ強度を評価するため、各媒体を1m表に
裁断し、その一端を固定してつるし、他端に、200F
の荷重を1分間かけ、その後の伸びを測定した0 この
ようにして測定した残留伸び<S>を、表1に示す。
裁断し、その一端を固定してつるし、他端に、200F
の荷重を1分間かけ、その後の伸びを測定した0 この
ようにして測定した残留伸び<S>を、表1に示す。
これとは別に、磁性層の接着性を評価する九め、各媒体
カセットテープに記録を行った後、25℃、相対湿[6
0−にて、476as/secの走行を50ON行い、
その後再生して、5dB以下のレベル低下が何回あるか
を測定した。 接着性の劣化結果を表1に示す。
カセットテープに記録を行った後、25℃、相対湿[6
0−にて、476as/secの走行を50ON行い、
その後再生して、5dB以下のレベル低下が何回あるか
を測定した。 接着性の劣化結果を表1に示す。
さらに、これらとは別に、C−120テ一プ1巻(17
8m)につき、2講おきに90箇所サンプリングして、
そのBHループを測定し、BHルーズの減磁曲線に2つ
以上の変曲点があられれる変形箇所O数を測定した。
結果を表1に示す。
8m)につき、2講おきに90箇所サンプリングして、
そのBHループを測定し、BHルーズの減磁曲線に2つ
以上の変曲点があられれる変形箇所O数を測定した。
結果を表1に示す。
表IKmされる結果から、本発明の媒体は、他の下地層
を設けるときと比較して、保磁力、膜厚のパラつきにも
とづく出力変動中、表面性にもとづくヘッドタッチ、残
留のび、接着性、およびBHルーズの変形6発生におい
て、すべての特性とも最もすぐれ是値を示す、ことがわ
かる。
を設けるときと比較して、保磁力、膜厚のパラつきにも
とづく出力変動中、表面性にもとづくヘッドタッチ、残
留のび、接着性、およびBHルーズの変形6発生におい
て、すべての特性とも最もすぐれ是値を示す、ことがわ
かる。
なお、上記各媒体につき、磁性層上に、ポリ塩化ビニリ
デンとアクリル酸エステルに、グリセリンモノステアレ
ートを含有させ九保饅層を0.3μm厚にて設層したと
辷る、表1とにはPIIIIの結果を得た。
デンとアクリル酸エステルに、グリセリンモノステアレ
ートを含有させ九保饅層を0.3μm厚にて設層したと
辷る、表1とにはPIIIIの結果を得た。
実験例2
磁性層組成と、下地層とを、下記表2に示されるように
かえた他社、実験例1と全く同様に各媒体を作製し、実
験例IKおける各゛特性の評価を行った。
かえた他社、実験例1と全く同様に各媒体を作製し、実
験例IKおける各゛特性の評価を行った。
かである。
代理人 弁理士” 石 井 陽 −。
Claims (1)
- 可撓性基体上に、下地層を有し、尚該下地層上に、薄膜
磁性層を有する磁気記録媒体において、上記下地層がア
ルオニウム合金から形成されてなることを**とする磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175303A JPS5877026A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175303A JPS5877026A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877026A true JPS5877026A (ja) | 1983-05-10 |
Family
ID=15993735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56175303A Pending JPS5877026A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877026A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177721A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Nec Corp | 磁気記録体 |
| JPS62190923U (ja) * | 1986-04-15 | 1987-12-04 | ||
| EP0197785A3 (en) * | 1985-04-09 | 1988-07-06 | Dynamic Disk, Inc. | Substrate material for magnetic recording media |
| US6020060A (en) * | 1997-09-25 | 2000-02-01 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, process for producing the same and magnetic disk device |
-
1981
- 1981-10-31 JP JP56175303A patent/JPS5877026A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0197785A3 (en) * | 1985-04-09 | 1988-07-06 | Dynamic Disk, Inc. | Substrate material for magnetic recording media |
| JPS62177721A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Nec Corp | 磁気記録体 |
| JPS62190923U (ja) * | 1986-04-15 | 1987-12-04 | ||
| US6020060A (en) * | 1997-09-25 | 2000-02-01 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, process for producing the same and magnetic disk device |
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