JPS5888355A - Ｅ型プロスタグランジンの製造方法 - Google Patents
Ｅ型プロスタグランジンの製造方法Info
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- JPS5888355A JPS5888355A JP57193291A JP19329182A JPS5888355A JP S5888355 A JPS5888355 A JP S5888355A JP 57193291 A JP57193291 A JP 57193291A JP 19329182 A JP19329182 A JP 19329182A JP S5888355 A JPS5888355 A JP S5888355A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C405/00—Compounds containing a five-membered ring having two side-chains in ortho position to each other, and having oxygen atoms directly attached to the ring in ortho position to one of the side-chains, one side-chain containing, not directly attached to the ring, a carbon atom having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, and the other side-chain having oxygen atoms attached in gamma-position to the ring, e.g. prostaglandins ; Analogues or derivatives thereof
- C07C405/0008—Analogues having the carboxyl group in the side-chains replaced by other functional groups
- C07C405/0033—Analogues having the carboxyl group in the side-chains replaced by other functional groups containing sulfur
-
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/22—Tin compounds
- C07F7/2208—Compounds having tin linked only to carbon, hydrogen and/or halogen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ｌ型４２．３グｐスタグランジンおよび１烟
ノ３，４グロスタグランジンの製造方法に関する。更に
詳しくは、本発明は図式ムに示す一般式１１■および■
のｌｌ１ｍ１１ｍプロスタグランジンＧＩ１１、ＰＧＭ
、およびＰＧＭ５）の２，３位または５．４位に二重結
合を導入する新規な方法に関する。
ノ３，４グロスタグランジンの製造方法に関する。更に
詳しくは、本発明は図式ムに示す一般式１１■および■
のｌｌ１ｍ１１ｍプロスタグランジンＧＩ１１、ＰＧＭ
、およびＰＧＭ５）の２，３位または５．４位に二重結
合を導入する新規な方法に関する。
図 式 ム
０ＨＰＧ！ｌ
υｈ
ＰＧ罵舅
特別の化合物については、例えばジエイ・ニス・ペンド
ラ（Ｊ、Ｂ、Ｂｅｎ１ｒａ ） およびアール−ペン
ドラ（Ｒ，Ｂｅｎ１ｒａ ） による「ゾロスタブラ
ンジン・シンセシス（Ｐｒｏｓｔａ５１ａｎｌｉｎ ５
ｙｎｔｈ＠ｓｉｓ ） Ｊアカヂセック・ゾレス（１９
７７）を参照されたい。
ラ（Ｊ、Ｂ、Ｂｅｎ１ｒａ ） およびアール−ペン
ドラ（Ｒ，Ｂｅｎ１ｒａ ） による「ゾロスタブラ
ンジン・シンセシス（Ｐｒｏｓｔａ５１ａｎｌｉｎ ５
ｙｎｔｈ＠ｓｉｓ ） Ｊアカヂセック・ゾレス（１９
７７）を参照されたい。
特に、この新規な方法は本明細書にそのすべてが参照さ
れている米国特許出願第０６／２４７．４５５号明細書
に記載された型の有用な化合物の製造に使用することが
できる。この方法は、工程数を減少し、しかも有用なｌ
型ｄ２，５およびノ５，４ノロスタグランジンの以前の
製造方法よ゛℃収率を増大させる点で有効である。Ｅ系
列のｆｒスタグランジン化合物は、種々の治療用途をプ
することが知られている。例えばイー・ダブリュー・ホ
ートン（ｍ、Ｗ、 Ｈｏｒｔｏｎ ）による「ケミスト
リー・バイオケミストリー・アンド・７アーマコロジカ
ル・アクティビティ−・オデ・プロスタノイで（Ｏｈ＠
ｍｉ＠ｔｒｙ、 Ｂｉｏａｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎａ
Ｐｈａｒｍａｅｏｌｏｇｌ−−１ムｏｔｉマｉｔｙ ｏ
ｆ Ｐｒｏｓｔａｎｏｉａｓ ） Ｊ 、ペルガモン°
ダレス（１９７９）を参照されたい。
れている米国特許出願第０６／２４７．４５５号明細書
に記載された型の有用な化合物の製造に使用することが
できる。この方法は、工程数を減少し、しかも有用なｌ
型ｄ２，５およびノ５，４ノロスタグランジンの以前の
製造方法よ゛℃収率を増大させる点で有効である。Ｅ系
列のｆｒスタグランジン化合物は、種々の治療用途をプ
することが知られている。例えばイー・ダブリュー・ホ
ートン（ｍ、Ｗ、 Ｈｏｒｔｏｎ ）による「ケミスト
リー・バイオケミストリー・アンド・７アーマコロジカ
ル・アクティビティ−・オデ・プロスタノイで（Ｏｈ＠
ｍｉ＠ｔｒｙ、 Ｂｉｏａｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎａ
Ｐｈａｒｍａｅｏｌｏｇｌ−−１ムｏｔｉマｉｔｙ ｏ
ｆ Ｐｒｏｓｔａｎｏｉａｓ ） Ｊ 、ペルガモン°
ダレス（１９７９）を参照されたい。
本発明は、特に１型１２．３プロスタグランジンの製造
方法において、 ａ）Ｏ−９ケトンの高級トリアルキルシリルエノールエ
ーテルを製造し、 ｂ） この高級トリアルキルシリルエノールエーテル
を、リチウムジアルキルアミドをもって処理し、次いで
セレン試ｓｒたは硫、黄試薬をもって処理し、 ａ） ｂ）の生成物を酸化し、次いで＋１） ｏ）
の生成物を弱酸をもって加水分解してｉすれるΔ２，３
ｆロスタグランジンな製造することを特徴とする、 ＩＩｌ型Δ２．５ｆ＊スタグランジンの製造方法を提供
する。
方法において、 ａ）Ｏ−９ケトンの高級トリアルキルシリルエノールエ
ーテルを製造し、 ｂ） この高級トリアルキルシリルエノールエーテル
を、リチウムジアルキルアミドをもって処理し、次いで
セレン試ｓｒたは硫、黄試薬をもって処理し、 ａ） ｂ）の生成物を酸化し、次いで＋１） ｏ）
の生成物を弱酸をもって加水分解してｉすれるΔ２，３
ｆロスタグランジンな製造することを特徴とする、 ＩＩｌ型Δ２．５ｆ＊スタグランジンの製造方法を提供
する。
本発明は、また特に圓型Δ３．４ｆロスタグテンジンの
製造方法において、 ｔ）Ｇ−９ケ）ンの高級シリアルキルシリルエノールエ
ーテルを製造し、 ｂ） この高級トリアルキルシリルエノールエーテル
をリチウムジアルキルアミドをもって処理し、次いでセ
レン試薬または硫黄試薬をもって処理し、 ｃ） ｂ）の生成物を陵化し、 ｄ） ａ）の生成物をリチウムジアルキルアｔｒをも
って処理し、次いで ・） （１）の生成物を陽子源をもって処理し、次し
＼で ｆ）・）の生成物を弱酸をもって加水分解して望まれる
Δ５，４ｆｔ２スタグランジンを製造することを特徴と
する、ＩＣ型Δ５．４ｆロスタグランジンの製造方法を
も提供する。
製造方法において、 ｔ）Ｇ−９ケ）ンの高級シリアルキルシリルエノールエ
ーテルを製造し、 ｂ） この高級トリアルキルシリルエノールエーテル
をリチウムジアルキルアミドをもって処理し、次いでセ
レン試薬または硫黄試薬をもって処理し、 ｃ） ｂ）の生成物を陵化し、 ｄ） ａ）の生成物をリチウムジアルキルアｔｒをも
って処理し、次いで ・） （１）の生成物を陽子源をもって処理し、次し
＼で ｆ）・）の生成物を弱酸をもって加水分解して望まれる
Δ５，４ｆｔ２スタグランジンを製造することを特徴と
する、ＩＣ型Δ５．４ｆロスタグランジンの製造方法を
も提供する。
高級トリアルキルシリエノールエーテルは製造される化
合物によって変わる。一般に、本方法は多数の部位から
陽子が引き抜かれる可能性との競争反応であり、従って
その結果広範囲の可能な最終生成物が存在する。使用す
るトリアルキルシリルエノールエーテルは、他のＨ位ｔ
ｅ：脱ｆ ａ ） ンカら保霞するようなものでなけれ
ばならない。一般に、任意の一定の要因に基づいた相対
的な大きさを決定する式はないが、しかしながら例えば
（±）メチル１１ Ｇ 、 １６ＣＲＢ”）−ジヒドロ
オキシ−１６−メチル−９−オキソｆａスター５１１１
Ｚ 、 ５ Ｚ。
合物によって変わる。一般に、本方法は多数の部位から
陽子が引き抜かれる可能性との競争反応であり、従って
その結果広範囲の可能な最終生成物が存在する。使用す
るトリアルキルシリルエノールエーテルは、他のＨ位ｔ
ｅ：脱ｆ ａ ） ンカら保霞するようなものでなけれ
ばならない。一般に、任意の一定の要因に基づいた相対
的な大きさを決定する式はないが、しかしながら例えば
（±）メチル１１ Ｇ 、 １６ＣＲＢ”）−ジヒドロ
オキシ−１６−メチル−９−オキソｆａスター５１１１
Ｚ 、 ５ Ｚ。
１５ｍ−）リエノエーＦの製造において、ジメチルｔ＠
ｒｔ−ブチルシリルエノールエーテルはこの化金物の製
造にうまく作用する。しかしながら、相対的に一層小さ
いかまたは枝分れの少ないトリアルキルシリルエノール
エーテルは作用しない。この例に対する無効な化合物の
例は、トリメチルシ、！ｔ＠ｒｔ−ブチル と同じ分子
量を有する）または直鎖異性体であるジメチルブチルで
ある。従って、望まれる結果を達成するには若干の程度
の枝分れ側鎖が必要であり、この正確な程度は化合物に
基づいて化合物について決定できる。
ｒｔ−ブチルシリルエノールエーテルはこの化金物の製
造にうまく作用する。しかしながら、相対的に一層小さ
いかまたは枝分れの少ないトリアルキルシリルエノール
エーテルは作用しない。この例に対する無効な化合物の
例は、トリメチルシ、！ｔ＠ｒｔ−ブチル と同じ分子
量を有する）または直鎖異性体であるジメチルブチルで
ある。従って、望まれる結果を達成するには若干の程度
の枝分れ側鎖が必要であり、この正確な程度は化合物に
基づいて化合物について決定できる。
米国特許出願第０６７２４７．４５５号明細書の化合物
に適用された本発明の一般的機構は図式１および図式０
に略述されている。
に適用された本発明の一般的機構は図式１および図式０
に略述されている。
図 弐 Ｂ
８１（アルキル）。
入
ｆ：、。
Ｓｌ（゛ひキル）３
エーテル化合物（式ＸＩ ）
（式中、Ｒ４は一〇−テトラヒドロｔラニルまたは一〇
−シリルトリアルキル、ＲｓｂよびＲ３は水素またはア
ルキル） は適当なＩＩ （ＩＩ） ｉ！！塩と反応され、次いで
ＨＭＰＴ の存在下に高級トリーアルキルクルルシラ
ンと反応される。得られた化合物（式ＸｉＩ ’）は、
次いでリチウムジイソゾロぎルアミドまたはリチウムイ
ソｆ ａ ｔルシクロへキシルアミドのようなリチウム
ジアルキルアミドをもって処理され、次にジフェニルジ
セレニド′、フェニルセレエウムクロリトマたはジフェ
ニルジスルフィド、好ましくはジフェニルジセレニドの
ようなセレン試薬または硫黄試薬をもって急冷されて、
式ＸＩＩＩ の・化合物を得る。
−シリルトリアルキル、ＲｓｂよびＲ３は水素またはア
ルキル） は適当なＩＩ （ＩＩ） ｉ！！塩と反応され、次いで
ＨＭＰＴ の存在下に高級トリーアルキルクルルシラ
ンと反応される。得られた化合物（式ＸｉＩ ’）は、
次いでリチウムジイソゾロぎルアミドまたはリチウムイ
ソｆ ａ ｔルシクロへキシルアミドのようなリチウム
ジアルキルアミドをもって処理され、次にジフェニルジ
セレニド′、フェニルセレエウムクロリトマたはジフェ
ニルジスルフィド、好ましくはジフェニルジセレニドの
ようなセレン試薬または硫黄試薬をもって急冷されて、
式ＸＩＩＩ の・化合物を得る。
式ＸＩＩＩ の化合物は、次いで例えば過酸化水素ま
たは過ヨウ素酸ナトリウムをもって酸化されて式ＸＩＶ
または式ＸＸＩの化合物を与える。式ＸＸＩの化合物は
酢酸のような弱酬をもって加水分解されて本発明の式Ｘ
ＸＩＩ の化合物を与えることができる。
たは過ヨウ素酸ナトリウムをもって酸化されて式ＸＩＶ
または式ＸＸＩの化合物を与える。式ＸＸＩの化合物は
酢酸のような弱酬をもって加水分解されて本発明の式Ｘ
ＸＩＩ の化合物を与えることができる。
あるいは、式ＸＸＩＩ の化合物をリチウムジアルキ
ルアｔｙをもって処理し、次いで弱酸またはアルコール
、好ましくは酢酸のような陽子源をもって急冷して本発
明の弐や皿の化合物を与えることができる。弐で皿の化
合物は酢酸のような弱酸をもって加水分解されて弐℃■
の化合物を与えることができる。本発明は下記の例から
一層十分に分かる。これらの例は単なる例示のために示
されたものであって、材料および方法の両者における多
くの修正がこの開示から業者に明らかであるように、精
神または範囲において本発明を制限するとは解釈される
べきではない。
ルアｔｙをもって処理し、次いで弱酸またはアルコール
、好ましくは酢酸のような陽子源をもって急冷して本発
明の弐や皿の化合物を与えることができる。弐で皿の化
合物は酢酸のような弱酸をもって加水分解されて弐℃■
の化合物を与えることができる。本発明は下記の例から
一層十分に分かる。これらの例は単なる例示のために示
されたものであって、材料および方法の両者における多
くの修正がこの開示から業者に明らかであるように、精
神または範囲において本発明を制限するとは解釈される
べきではない。
例１ メ＋ルアー（３（、Ｘ１ｇ）−？）う１：ＰＷ−
ラン−２−イルオキシ−５−オキソ−シクロベント−１
−エン）ヘプト−５ｚ−エノエートｉ＋に７− （３（
Ｒｓ） −ヒトａオキシ−５−オキソシクロベント−１
−エン）ヘプト−５２−エノエー） ２．８８ ＆およ
びエーテル５５ｍの溶液にｐ−）ルエンスルホン酸５０
ＷｇおよびジヒＰＷビラン１．１ｇを加える。この反応
混合物を室温において約２４時間放置し、次いでエーテ
ルをもって希釈し、順次５％％２削カリウム水溶液およ
び水をもって洗浄し、無水硫酸す） リウム上で乾燥し
、次いで減圧下に溶媒をス） ＩＪツぎングするＯ残留
物を、希釈剤としてのヘキサン中２５％酢学エチルを用
いてシリカゾル上でクロマトグラフを行って標記の化合
物を製造する。
ラン−２−イルオキシ−５−オキソ−シクロベント−１
−エン）ヘプト−５ｚ−エノエートｉ＋に７− （３（
Ｒｓ） −ヒトａオキシ−５−オキソシクロベント−１
−エン）ヘプト−５２−エノエー） ２．８８ ＆およ
びエーテル５５ｍの溶液にｐ−）ルエンスルホン酸５０
ＷｇおよびジヒＰＷビラン１．１ｇを加える。この反応
混合物を室温において約２４時間放置し、次いでエーテ
ルをもって希釈し、順次５％％２削カリウム水溶液およ
び水をもって洗浄し、無水硫酸す） リウム上で乾燥し
、次いで減圧下に溶媒をス） ＩＪツぎングするＯ残留
物を、希釈剤としてのヘキサン中２５％酢学エチルを用
いてシリカゾル上でクロマトグラフを行って標記の化合
物を製造する。
例２ １ｌ−１−（）ソーｎ−ブチルスタンニル）−４
−メチル−４−トリメチルシリルオキシ−１−オクチン ４（Ｒ８） −）リフチルシロキシ−４−メチル−１−
オクチン２．１２１！および水素化トリーｎ−ブチルス
ズ６．０Ｉを混合し、次いで０℃において２時間次いで
５５℃において２時間太陽燈をもってアルイン下に照射
する。得られた標記化合物を直ちに例３において用いる
。
−メチル−４−トリメチルシリルオキシ−１−オクチン ４（Ｒ８） −）リフチルシロキシ−４−メチル−１−
オクチン２．１２１！および水素化トリーｎ−ブチルス
ズ６．０Ｉを混合し、次いで０℃において２時間次いで
５５℃において２時間太陽燈をもってアルイン下に照射
する。得られた標記化合物を直ちに例３において用いる
。
例６ ラセミ体のメチル７−Ｃ３（Ｘ−テトラヒｒ讐ピ
ラニルオキシ−２β（４（Ｒ８） −４−）ジメチルシ
リルオキシ−４−メチル−１Ｅ−オクテニル） −５−
ｔａｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−シクロベント
−１（５）−エン〕−１ｔｘ−へブト−５ｚ−エノエー
ト 式■の標記化合物１１．５Ｎを乾燥テＨア（！ｌ０−）
に溶解し、次いでアルイン下に一６０℃に冷却スるｏｎ
−ブチルリチウム（１，５５ｍ＄液１４．−を加える。
ラニルオキシ−２β（４（Ｒ８） −４−）ジメチルシ
リルオキシ−４−メチル−１Ｅ−オクテニル） −５−
ｔａｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−シクロベント
−１（５）−エン〕−１ｔｘ−へブト−５ｚ−エノエー
ト 式■の標記化合物１１．５Ｎを乾燥テＨア（！ｌ０−）
に溶解し、次いでアルイン下に一６０℃に冷却スるｏｎ
−ブチルリチウム（１，５５ｍ＄液１４．−を加える。
この溶液を約４５分攪拌する・別のフラスコにおいて、
＠１−ペンチニリｙ ｓ、ｏ ｔｔおよびヘキサメチル
リン酸トリアミｙ ７．４ ｙを攪拌下にエーテル３０
−に溶解する。この溶液を、次いで反応混合物に加える
。得られた混合物を一６０℃において１０分攪拌し、次
いでエーテル５０１１ｊ中の例１からの生成物（５，７
１’）の溶液を加える。
＠１−ペンチニリｙ ｓ、ｏ ｔｔおよびヘキサメチル
リン酸トリアミｙ ７．４ ｙを攪拌下にエーテル３０
−に溶解する。この溶液を、次いで反応混合物に加える
。得られた混合物を一６０℃において１０分攪拌し、次
いでエーテル５０１１ｊ中の例１からの生成物（５，７
１’）の溶液を加える。
この反応混合物を一６０℃において約１時間攪拌し、次
いでヘキサメチルリン酸トリアミド４０８ｊおよびエー
テル１０ｄに溶解されたｔ＠ｒｔ−ブチルジメチルクロ
ルシラン５ＩＩをもって順次処ｍする。反応混合物の温
度を一２０℃に上昇させ、次いで約１時間この温度に保
つ。この反応混合物を１ＭＨＯＩＩ とエーテルの混
合物上に注ぐ。このエーテル層を分離し、次いで２回水
洗し、ろ過して硫酸ナトリウム上で乾燥−し次いでスト
リッピングする。この残留物を２％酢酸エチルおよびヘ
キサン溶媒系中でクロマトグラフを行って、純粋な標記
生成物を得る。
いでヘキサメチルリン酸トリアミド４０８ｊおよびエー
テル１０ｄに溶解されたｔ＠ｒｔ−ブチルジメチルクロ
ルシラン５ＩＩをもって順次処ｍする。反応混合物の温
度を一２０℃に上昇させ、次いで約１時間この温度に保
つ。この反応混合物を１ＭＨＯＩＩ とエーテルの混
合物上に注ぐ。このエーテル層を分離し、次いで２回水
洗し、ろ過して硫酸ナトリウム上で乾燥−し次いでスト
リッピングする。この残留物を２％酢酸エチルおよびヘ
キサン溶媒系中でクロマトグラフを行って、純粋な標記
生成物を得る。
例４ ラセミ体°のメチル７−〔３α−テトラヒｒロビ
ラニルオキシ−２β−（４（Ｒ８） −４−）ジメチル
シリルオキシ−４−メチル−１ｍ−オクテニル） −５
−ｔ＠ｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロベント
−１（５）−エン〕−１α−へ７’）−２−フェニルセ
レニル−５ｚ−エノエーＦ 乾燥ＴＨＦ １５ ｍ中のシクロヘキシルイソゾロｆル
アミン５５０１１１Ｆの溶液をアルイン下に約−３０℃
に冷却して１．５５ Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液２．
３１ ｄをもって処理する。−６０℃ないし一２０℃に
おいて約１．５時間攪拌後、この溶液を一６０℃に冷却
し、次いで？ｉ！？ ２ Ｑ−中の例３からのエノール
エーテル生成物２．１ｇの溶液をもって滴加処理する。
ラニルオキシ−２β−（４（Ｒ８） −４−）ジメチル
シリルオキシ−４−メチル−１ｍ−オクテニル） −５
−ｔ＠ｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロベント
−１（５）−エン〕−１α−へ７’）−２−フェニルセ
レニル−５ｚ−エノエーＦ 乾燥ＴＨＦ １５ ｍ中のシクロヘキシルイソゾロｆル
アミン５５０１１１Ｆの溶液をアルイン下に約−３０℃
に冷却して１．５５ Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液２．
３１ ｄをもって処理する。−６０℃ないし一２０℃に
おいて約１．５時間攪拌後、この溶液を一６０℃に冷却
し、次いで？ｉ！？ ２ Ｑ−中の例３からのエノール
エーテル生成物２．１ｇの溶液をもって滴加処理する。
添加が完了シタ後、７ＨｙｌＱｍ中のジフェニルジセレ
ニｒ１１Ｉの溶液を滴加する。この反応混合物をエーテ
ルをもって希釈し、次いで２回水洗、乾燥し次いでスト
リツぎングする０残留物を２％の酢酸エチルおよびヘキ
サン溶媒系中においてクロマトグラフな行い、望まれる
生成物を得る。
ニｒ１１Ｉの溶液を滴加する。この反応混合物をエーテ
ルをもって希釈し、次いで２回水洗、乾燥し次いでスト
リツぎングする０残留物を２％の酢酸エチルおよびヘキ
サン溶媒系中においてクロマトグラフな行い、望まれる
生成物を得る。
例５ ラセミ体のメチル７−Ｃ３ｅＡ−テトラヒドロぎ
ラニルオキシ−２β−（４（ｕｓ） −４−）ジメチル
シリルオキシ−４−メチル−１ｍ−オクテニル） −５
−ｔ＠ｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−シクロベン
ト−１（５）−エン〕−ｊｇ−ヘゾトー２１１１ ｔ
５ｚ−ジェノエートぎりジン５ｏｏＷ９を含む塩化メ゛
チレン５０１１ｊ中の例４からの生成物１１ｉの溶液を
水５ｄ中の５０％過醗化水素５Ｉの溶液をもって処理し
、次いでこの２相系を室温において約４時間激しく攪拌
する。この溶液をエーテル中に注ぎ、次いで１Ｍ塩醗を
もって１回洗浄し次に２回水洗し、硫酸ナトリウム上で
乾燥し、次いで溶媒をストリツｆンダする。残留物を２
％酢酸エチルおよびヘキサン溶媒系をもってクリマドグ
ラフィーを行い、標記生成物を得る。
ラニルオキシ−２β−（４（ｕｓ） −４−）ジメチル
シリルオキシ−４−メチル−１ｍ−オクテニル） −５
−ｔ＠ｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−シクロベン
ト−１（５）−エン〕−ｊｇ−ヘゾトー２１１１ ｔ
５ｚ−ジェノエートぎりジン５ｏｏＷ９を含む塩化メ゛
チレン５０１１ｊ中の例４からの生成物１１ｉの溶液を
水５ｄ中の５０％過醗化水素５Ｉの溶液をもって処理し
、次いでこの２相系を室温において約４時間激しく攪拌
する。この溶液をエーテル中に注ぎ、次いで１Ｍ塩醗を
もって１回洗浄し次に２回水洗し、硫酸ナトリウム上で
乾燥し、次いで溶媒をストリツｆンダする。残留物を２
％酢酸エチルおよびヘキサン溶媒系をもってクリマドグ
ラフィーを行い、標記生成物を得る。
例６ ラセミ体のメチル７− （５”−−テトラヒト胃
ぎラニルオキシ−２β−（４（Ｒｓ） −４−トリメチ
ルシリルオキシ−４−メチル−１ｍ−オクテニ／Ｉ／）
−５−ｔ＠ｒｔ−ジチルジメチルシリルオキシ−シク
ロベント−１（５）−エンツー１α−ヘグトー３ＫＺ
、 ５ Ｚ−ジェノエートシクロヘキシルイソｆｏビル
アミン１６５〜および乾燥ＴＨ？ ４ ｔｘｔの溶液を
アルイン下に一５０℃に冷却し、次いで１．５５ Ｍの
ｎ−ブチルリチウム溶液Ｑ、７５ｍをもって処理する。
ぎラニルオキシ−２β−（４（Ｒｓ） −４−トリメチ
ルシリルオキシ−４−メチル−１ｍ−オクテニ／Ｉ／）
−５−ｔ＠ｒｔ−ジチルジメチルシリルオキシ−シク
ロベント−１（５）−エンツー１α−ヘグトー３ＫＺ
、 ５ Ｚ−ジェノエートシクロヘキシルイソｆｏビル
アミン１６５〜および乾燥ＴＨ？ ４ ｔｘｔの溶液を
アルイン下に一５０℃に冷却し、次いで１．５５ Ｍの
ｎ−ブチルリチウム溶液Ｑ、７５ｍをもって処理する。
この溶液を約−３０℃ないし一２０℃において１時間攪
拌し、次いで一６０℃に冷却する。ＴＨＩＰ ｊ ｌ１
ｌＪ中のへキサメチルリン酸トリア之ド２５０■の溶液
を加える。
拌し、次いで一６０℃に冷却する。ＴＨＩＰ ｊ ｌ１
ｌＪ中のへキサメチルリン酸トリア之ド２５０■の溶液
を加える。
乾燥丁Ｈ］Ｆ６１１１７中の例５からの生成物６３０１
１ｇの溶液を１時間にわたって滴加する。添加が完了し
た後、酢酸９０１ａｇの′！′ＨＦ溶液（１１７）を加
える。この反応混合物をエーテルおよび水中に注ぐ。有
機層を水洗し、硫酸ナトリウム上で乾燥し次いでストリ
ツぜングする。この残留物を直ちに例７において使用す
る。
１ｇの溶液を１時間にわたって滴加する。添加が完了し
た後、酢酸９０１ａｇの′！′ＨＦ溶液（１１７）を加
える。この反応混合物をエーテルおよび水中に注ぐ。有
機層を水洗し、硫酸ナトリウム上で乾燥し次いでストリ
ツぜングする。この残留物を直ちに例７において使用す
る。
例７ （±）メチル１１α、 １６ＣＲＢ）−・−ジヒ
ドロオキシ−１６−メチＡ／−９−オキソ７’ｗスター
３ＫＺ 、 ５ Ｚ 、 １３ ］！Ｘ−）リエノエー
ト例６からの生成物（６３０■）を酢酸、水およびＴＨ
Ｆの３：１：１Ｕ合物１〇−中に攪拌することによって
溶解する。混合物が均質となるまで攪拌を続ける。次い
でこの溶液を室温において２４時間ないし４８時間放置
する。この溶液をエーテルをもって希釈し、４回水洗し
、硫酸ナトリウム上で乾燥し、次いで溶媒をス）リツリ
ングする。
ドロオキシ−１６−メチＡ／−９−オキソ７’ｗスター
３ＫＺ 、 ５ Ｚ 、 １３ ］！Ｘ−）リエノエー
ト例６からの生成物（６３０■）を酢酸、水およびＴＨ
Ｆの３：１：１Ｕ合物１〇−中に攪拌することによって
溶解する。混合物が均質となるまで攪拌を続ける。次い
でこの溶液を室温において２４時間ないし４８時間放置
する。この溶液をエーテルをもって希釈し、４回水洗し
、硫酸ナトリウム上で乾燥し、次いで溶媒をス）リツリ
ングする。
この残留物を７０％酢喉エチルおよび５０％へキサン中
でり党！トゲラフを行い、標記化合物を得る。
でり党！トゲラフを行い、標記化合物を得る。
例８
例６において、一層高分子量のＦリアルキルシリルクロ
リドを代用することができ、その生成物は例４ないし例
７を経て例７の標記生成物を与える。
リドを代用することができ、その生成物は例４ないし例
７を経て例７の標記生成物を与える。
例９
０−１１位のトリエチルシリル基をテトラヒドロぎラエ
ル基の代わりに用いる以外は、例２ない１例７の方法を
用いて例７の標記化合物を与える。
ル基の代わりに用いる以外は、例２ない１例７の方法を
用いて例７の標記化合物を与える。
オキシ−１６−メチル−９−オキソグロスター ２’
ｍ −５Ｚ ｔ １５ ” −トリエノ′エート例
５の標記生成物を例７の方法に代用して、標記化合物を
与える。
ｍ −５Ｚ ｔ １５ ” −トリエノ′エート例
５の標記生成物を例７の方法に代用して、標記化合物を
与える。
代理人 浅 村 皓
外４名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ｌｌａ）Ｏ−９ケトンの高級トリアルキルシリルエノ
ールエーテルを製造し、 ｂ） この高級トリアルキルシリルエノールエーテル
をリチウムジアルキルアミドをもって処理し、次いでセ
レン試薬または硫黄試薬をもって処理し、 ｃ） ｂ）の生成物を拳化し、次いでａ） ａ）の
生成物を弱酸をもって加水分解して、望まれるΔ２，５
ｆ＊スタグランジンを製造することを特徴とする、Ｉｌ
ｌΔ２．５ｆ曹スタダランジンの製造方法。 （２１ａ） Ｏ−９’ｒ ）ンノ高級トリアルキルシ
リルエノールエーテルを製造し、 ｂ） この高Ｍ）リアルキルシリルエノールエーテル
をリチウムジアルキルアミドをもって処理し、次いでセ
レン試ｍ會た＋ｙ硫黄試薬をもって処理し、 ａ） ｂ）の生成物を醗化し、 ａ） Ｏ）の生成物をリチウムジアルキルアミドをも
って処理し、 ｅ） ａ）の生成物を陽子源をもって処理し、次いで ｆ）・）の生成物を弱酸をもって加水分解して、所望の
Δ５．４ｆ田スタグランジンを生成させることを特徴と
する、Ｉ型Δ３，４ｆロスタグランジンの製造方法。 （３）（±）メチル１１ ａ 、 １６（Ｒｅ）−ジヒ
ドロオキシ−１６−メチル−９−オキソゾロスター５Ｎ
Ｚ 。 ５ｚ、１３ｍ−トリエノニー）を特徴する特許請求の笥
囲第２項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US31765481A | 1981-11-02 | 1981-11-02 | |
| US317654 | 1981-11-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888355A true JPS5888355A (ja) | 1983-05-26 |
Family
ID=23234673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57193291A Pending JPS5888355A (ja) | 1981-11-02 | 1982-11-02 | Ｅ型プロスタグランジンの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5888355A (ja) |
| CA (1) | CA1215975A (ja) |
| DE (1) | DE3240488A1 (ja) |
| FR (1) | FR2515643B1 (ja) |
| GB (1) | GB2108501B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272673A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-03-12 | American Teleph & Telegr Co <Att> | メモリー装置、メモリー回路、光検知装置 |
| JP2007211011A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | R Tec Ueno:Kk | １５−ケトプロスタグランジンｅ誘導体の製造法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6036422B2 (ja) * | 1979-01-29 | 1985-08-20 | 小野薬品工業株式会社 | プロスタグランジン類似化合物及びその製造方法 |
| US4312994A (en) * | 1981-03-25 | 1982-01-26 | G. D. Searle & Co. | α Chain dienic prostanoic acid derivatives |
-
1982
- 1982-11-01 CA CA000414633A patent/CA1215975A/en not_active Expired
- 1982-11-01 GB GB08231152A patent/GB2108501B/en not_active Expired
- 1982-11-02 JP JP57193291A patent/JPS5888355A/ja active Pending
- 1982-11-02 FR FR8218350A patent/FR2515643B1/fr not_active Expired
- 1982-11-02 DE DE19823240488 patent/DE3240488A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272673A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-03-12 | American Teleph & Telegr Co <Att> | メモリー装置、メモリー回路、光検知装置 |
| JP2007211011A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | R Tec Ueno:Kk | １５−ケトプロスタグランジンｅ誘導体の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2515643B1 (fr) | 1986-02-21 |
| CA1215975A (en) | 1986-12-30 |
| FR2515643A1 (fr) | 1983-05-06 |
| GB2108501B (en) | 1985-07-17 |
| GB2108501A (en) | 1983-05-18 |
| DE3240488A1 (de) | 1983-05-11 |
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