JPS5958845A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5958845A JPS5958845A JP57169258A JP16925882A JPS5958845A JP S5958845 A JPS5958845 A JP S5958845A JP 57169258 A JP57169258 A JP 57169258A JP 16925882 A JP16925882 A JP 16925882A JP S5958845 A JPS5958845 A JP S5958845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- cap
- circumferential surface
- glass
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は金属ステムと金属キャップを抵抗溶接してな
るカンケース内に半導体素子を封止した半導体装置の製
造方法に関し、特に前記ステムとキャップの溶接方法に
関する。
るカンケース内に半導体素子を封止した半導体装置の製
造方法に関し、特に前記ステムとキャップの溶接方法に
関する。
背景技術
パワートランジスタ等の半導体装置には、樹脂封止型の
ものと、カンケース型のものとがある。
ものと、カンケース型のものとがある。
後者のカンケース型のものはｈＵ者に比較して高信頼性
を有し、各種の構造のもの−がある。例えば電力が数ワ
ット以下の場合は、一般に第１図および第２図に示す構
造を有する。第１図はキャップを高さ方向の途中から切
断した平面図であり、第２図は第１図の■−■線に沿う
１１９１面図である。図において、ｌはステムで、キャ
ップ２と抵抗溶接されてカンケースを構成している。前
記ステムｌは、鉄またはコバールよりなる円形のステム
本体３の下端周縁にキャップ溶接用のフランジ４全有し
、周縁近傍に２個の透孔５，５を有する。前記各透孔５
，５内にはソーダガラス、ホウケイ酸ガラス等よりなる
カラス６．６を介して、鉄・ニッケル合金’Ａ 捷たは
フバール製のリード線７，７気密にしかもステ八本体３
と電気的に絶縁して封着されている。８はステム本体３
の上面に半田等によって固ｋ ｇれなトランジスタ等の
半導体素子、９゜９は半導体素子８の上面電極とリード
線７，７とを結ぶアルミニウム、金等よりなる金属細線
である。
を有し、各種の構造のもの−がある。例えば電力が数ワ
ット以下の場合は、一般に第１図および第２図に示す構
造を有する。第１図はキャップを高さ方向の途中から切
断した平面図であり、第２図は第１図の■−■線に沿う
１１９１面図である。図において、ｌはステムで、キャ
ップ２と抵抗溶接されてカンケースを構成している。前
記ステムｌは、鉄またはコバールよりなる円形のステム
本体３の下端周縁にキャップ溶接用のフランジ４全有し
、周縁近傍に２個の透孔５，５を有する。前記各透孔５
，５内にはソーダガラス、ホウケイ酸ガラス等よりなる
カラス６．６を介して、鉄・ニッケル合金’Ａ 捷たは
フバール製のリード線７，７気密にしかもステ八本体３
と電気的に絶縁して封着されている。８はステム本体３
の上面に半田等によって固ｋ ｇれなトランジスタ等の
半導体素子、９゜９は半導体素子８の上面電極とリード
線７，７とを結ぶアルミニウム、金等よりなる金属細線
である。
上記ステム１のステム本体３のフランジ部４を除く直径
寸法は、例えば７．６ ｍ−程度であり、ステム本体３
の周面とリード線７，７を封着している透孔５，５との
間隔寸法は、１ｍ以下の非常に小さいものとなっている
。このため、ステム１とキャップ２とを抵抗溶接する際
に、牛ヤツブ２の内壁とステム１で分流を起すと、ガラ
ス６．６にクランクが入り、気密劣化が生じる。このよ
うな問題を解決する一つの手段として、キャップ２の７
ランジ１０の下面にプロジェクションを設けて、溶接条
件を低くすることが考えられているが、完全にカラスク
ラックをなくすことができなかった。
寸法は、例えば７．６ ｍ−程度であり、ステム本体３
の周面とリード線７，７を封着している透孔５，５との
間隔寸法は、１ｍ以下の非常に小さいものとなっている
。このため、ステム１とキャップ２とを抵抗溶接する際
に、牛ヤツブ２の内壁とステム１で分流を起すと、ガラ
ス６．６にクランクが入り、気密劣化が生じる。このよ
うな問題を解決する一つの手段として、キャップ２の７
ランジ１０の下面にプロジェクションを設けて、溶接条
件を低くすることが考えられているが、完全にカラスク
ラックをなくすことができなかった。
また、溶接電極の精度にも限度があり、解決策が見い出
せなかった。
せなかった。
発明の開示
それゆえ、この発明は上記のステムとキャップの抵抗溶
接時にカラスクラックを生じない製造方法、特に溶接方
法を提供することを目的とする。
接時にカラスクラックを生じない製造方法、特に溶接方
法を提供することを目的とする。
この発明はステムのリード線を封着した側の周面とキャ
ップ内面との間に微小間隙を設けた状態で、ステムとキ
ャップとを抵抗溶接することを特徴とするものである。
ップ内面との間に微小間隙を設けた状態で、ステムとキ
ャップとを抵抗溶接することを特徴とするものである。
すなわち、抵抗溶接時にガラスクラックが発生する原因
は、キャップの内面がステムのガラス封着部の周面を押
圧することによって生ずるものであり、ステムのリード
線到着側の周面とキャップの内面との間に微小間隙を設
けた状態で両者を抵抗溶接することにより、キャップ内
面によるステム周面の押圧を防止し、もってガラスに応
力を学えないようにして、ガラスクランクを防止すると
いう作用効果を奏するものである。
は、キャップの内面がステムのガラス封着部の周面を押
圧することによって生ずるものであり、ステムのリード
線到着側の周面とキャップの内面との間に微小間隙を設
けた状態で両者を抵抗溶接することにより、キャップ内
面によるステム周面の押圧を防止し、もってガラスに応
力を学えないようにして、ガラスクランクを防止すると
いう作用効果を奏するものである。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。第
３図はこの発明により製造した半導体装置のキャップを
高ざ方向の中途から切断Ｌｅｔ平面図を示す。図におい
て、次の点を除いては第１図および第２図と同様であり
、同一部分または対応部分には同−姦１ｉ（４Ｑｄυを
（ｔ してその説明を省略する。第１図および第２図に
示す半導体装置との相違点は、ステム本体３の形状にあ
る。すなわち、第３図の半導体装置のステム本体３は、
ガラス封着部と反対側の周面の中心点がＯにあるのに対
し、ガラス封着部側の周面の中心点は、前記中心点Ｏよ
りもガラス封着部と反対側に寸法ａたけずれたＯ′にあ
ることであり、正円形状に形成されていないことである
。Ｌ７Ｔｈがって、ステム本体３にキャップ２を被せた
とき、ステム本体３のガラス封着部側の周面とキャップ
２の内面との間に微小間隙Ａ（＝：ａ）が形成される。
３図はこの発明により製造した半導体装置のキャップを
高ざ方向の中途から切断Ｌｅｔ平面図を示す。図におい
て、次の点を除いては第１図および第２図と同様であり
、同一部分または対応部分には同−姦１ｉ（４Ｑｄυを
（ｔ してその説明を省略する。第１図および第２図に
示す半導体装置との相違点は、ステム本体３の形状にあ
る。すなわち、第３図の半導体装置のステム本体３は、
ガラス封着部と反対側の周面の中心点がＯにあるのに対
し、ガラス封着部側の周面の中心点は、前記中心点Ｏよ
りもガラス封着部と反対側に寸法ａたけずれたＯ′にあ
ることであり、正円形状に形成されていないことである
。Ｌ７Ｔｈがって、ステム本体３にキャップ２を被せた
とき、ステム本体３のガラス封着部側の周面とキャップ
２の内面との間に微小間隙Ａ（＝：ａ）が形成される。
このように、ステム本体３の周面とキャップ２の内面と
の間に微小間隙を設けた状態でステム１とキャップ２と
を抵抗溶接すると、溶接時にキャップ２やステム本体３
に分流が生じても、キャップ２の内面がステム本体３の
周面を強く押圧することが防止され、ガラスに無理な力
が加わらなくなるため、ガラスクラックの発生が防止で
きる。
の間に微小間隙を設けた状態でステム１とキャップ２と
を抵抗溶接すると、溶接時にキャップ２やステム本体３
に分流が生じても、キャップ２の内面がステム本体３の
周面を強く押圧することが防止され、ガラスに無理な力
が加わらなくなるため、ガラスクラックの発生が防止で
きる。
第１図および第２図はこの発明の背景となる半導体装置
を示し、第１図はキャップを旨さ方向の中途より切断し
た平面図で、第２図は第１図の」−Ｕ線に沿う断面図で
ある。第３図はこの発明の製造方法によって製造された
半導体装置のキャップを高さ方向の中途より切断した平
面図である。 ｌ・・・・・ステム、 ２・・・・・・キャップ、 ３・・・・ ステム本体、 ６・・・・ ガラス、 ７・・・・リード系中。 、ｍ−７，、−。 特許出願人 新日本電気株式会社 、′１．パ。 ３・、。 −−ＫＬ′ 第１図 第２図 第３図 ］
を示し、第１図はキャップを旨さ方向の中途より切断し
た平面図で、第２図は第１図の」−Ｕ線に沿う断面図で
ある。第３図はこの発明の製造方法によって製造された
半導体装置のキャップを高さ方向の中途より切断した平
面図である。 ｌ・・・・・ステム、 ２・・・・・・キャップ、 ３・・・・ ステム本体、 ６・・・・ ガラス、 ７・・・・リード系中。 、ｍ−７，、−。 特許出願人 新日本電気株式会社 、′１．パ。 ３・、。 −−ＫＬ′ 第１図 第２図 第３図 ］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 周縁部近傍の透孔内にガラスを介してリード線を
気密絶縁的に封着した円形のステムに円形のキャップを
抵抗溶接して固着封止する半導体装置の製造方法におい
て、 前記ステムのリード線を封着した側の周面とキャップ内
面との間に微小間隙を設けた状態で、ステムとキャップ
を抵抗溶接することを特徴とする半導体装置の製造方法
。 ２ 前記ステムのリード線を封着した側の周面の中心点
か゛、それと反対側の周面の中心点よりも偏心している
、特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57169258A JPS5958845A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57169258A JPS5958845A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958845A true JPS5958845A (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=15883168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57169258A Pending JPS5958845A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958845A (ja) |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP57169258A patent/JPS5958845A/ja active Pending
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