JPS5962571A - イミダゾリジン−2−オン誘導体 - Google Patents

イミダゾリジン−2−オン誘導体

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JPS5962571A
JPS5962571A JP17131182A JP17131182A JPS5962571A JP S5962571 A JPS5962571 A JP S5962571A JP 17131182 A JP17131182 A JP 17131182A JP 17131182 A JP17131182 A JP 17131182A JP S5962571 A JPS5962571 A JP S5962571A
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JP
Japan
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lower alkyl
alkyl group
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imidazolidin
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Tetsuya Imai
哲弥 今井
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Otsuka Chemical Co Ltd
Otsuka Kagaku Yakuhin KK
Original Assignee
Otsuka Chemical Co Ltd
Otsuka Kagaku Yakuhin KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なイミダゾリジン−2−オン誘導体、そ
の製造法及び該誘導体を有効成分とする除草剤に関する
。 本発明のイミダゾリジン−2−オン誘導体は文Wi(未
載の新)、り化合1力であって、下記一般式[I](−
示される。 (〕R (式中1又は水素原子、低級アルキル曇、低級アルコキ
シ低級アルキル基又は低級アルコキシカルボニル低級ア
ルキル基を示す。Δrは)上ニル基を示し、フェニル基
にはハロゲン原子、二1・口塞、低級アルキル基、低級
アールコ゛1ニジ基又は低級ハロアルキル基が置換して
いCもよい。〕 本明創内に、+3いて、低級アルキル基としては例えば
メブール訂4.]ニヂルヰ、+1−プロピル基、イソプ
ロピル基、11〜ブヂル基、5ea−メチル基、イソメ
チル基、t e r t−メチル基等を挙げることかで
きる。低級アルコキシ低級アルキル基どしては例えばメ
1−二1ニシメヂル暴、メ1ヘキシエチル基、メ1〜キ
シプロピル基、ブ1−キシンチル具等を挙げることがで
きる。低級アルコキシカルボニル低級アルキルキとして
は例えばメトキシカルボニルメチル1j1工l〜キシカ
ルボニルメチル シ力ルポニルメヂル基、メ]〜キシカルボニル1チル基
、11〜キシ力ルポニルエヂル基、プロピルAキシカル
ボニルエチル基等を挙げることができる。 ハロゲン原子どしては例えば弗素、塩素、i素、沃素原
子等を挙げることができる。低級アルコキシ基どしては
例えばメ1ーキシ基、工1ーキシ基、11−プロピルオ
キシ基、イソプロピルオキシ基、0−ブlーキシ基等を
挙げることができる。低級ハロアルキル基としては例え
ばモノクロルメチル基、モノクロルメチル基、モノクロ
ルプロピル基、ジクロルメチル基、モノブロムメチル基
、モノブロムエチル基、モノブロムプロピル基、モノフ
ルオロメチル基、j−リフルオロメチル塁、トリフルA
ロエチル基等を挙げることができる。ハロゲン原子、ニ
トロ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又は低級ハ
ロアルキル基を置換基として有するノ1−ル基どしU 
fJ Itう1えl、r 2−り[1ルフエニルL(,
3(り11ルノ土ニル阜、3./i−ジクロルフにルj
+、2− ノルA(−1フ土ニル阜、2−二1−ロフ]
〜−ルJ11.3−−−’ 1 u 7−i ニル;z
(,2−メチルフェールJ:(,3−メfルフ土ニル基
、4−メチルフェールr、1、こ3,4−ジメLルア土
ニル基、2−イソゾ(1ビル−〕上ニル基、2−メト:
1−ジフェニル基、33−メト−1−ジフェニル基、2
−11−プロピルオキシノ土ニルt1.2−イソブDピ
ルオキシノエニル1え、3−1−リフルオロメチルフェ
ニル基等を挙げることができる。 」二記一般式[I]で表わされる木光明の化合物はfi
l々の方法によりI+J造されるが、その好ましい一例
を挙げれば下記反r16式に従い製造される。 (1!〕〔16,) (m)           (lb)11 低級アルキル基又は低級アルコキシカルボニル低級アル
キル基を示す。Xはハロゲン原子を示す。A rは前記
に同じ。] 上記反応式において、原料として用いられる一般式[I
I]又は[1]で示されるヒダンI−イン誘導体は公知
化合物であり、例えば1−メチルヒタントイン及び3−
メチル上ダン1ヘインと)7リルイソシアネーi−より
常法で得ることができる。 1−メチル上ダン1−インとアリルイソシアネートノン
σ:) メブルヒクン1−インどノ7リルイソシアネ−
1・の反1.コ、(ま同条1′1でよく、無溶媒下又(
J溶媒中(−17’、c 4]れる。使用される溶媒ど
し−Cは、反応1ごJI−彰’t”: k ’*える「
い溶媒で(1うれば可11ヒであるが、例え(、[トル
土ン、1−シレン、りL1ルベンげン等の兄吉IA系溶
媒が使用される。メヂルヒクント−rンどj7リルイソ
シアネー1−との使用割合としては、11に制限されず
広範囲内で適宜選択づることがCきるが、通1:i前者
に対して後者を等モル−10倍モルm程度、好ましくは
等モル〜3(8モル最程度とりるのがJ:い。該反応の
反応温度としては特に制限されないが、通常100〜2
00℃程度で反I必が9r適に進行し、一般に3〜5時
間程度で反応は完t+’iする。 一般式[I]で示される化合物を還元して一般式[1a
]で示される化合物を1!Vる反応及び一般式[■]C
示される化合物を3ψ元して一般式[、I: b ]で
示される化合物を得る反応は、溶媒中で(jなうことが
できる。使用される溶媒としては、例えば水、メチルア
ルコール、エチルアルコール、プロピルアル」−ル、ブ
チルアル」−ル等のアルコール類、又はジエチルエーテ
ル、ジブチルエーテル、テI−ラヒドロフラン、ジオキ
リン等のエーテル類と前乙己アルコール ことができる。一般式[11]又は[I[l]で示され
ル化合物ヲ3■元しU − nv式[Ia 1又
【よ[
Il]]で示される化合物を1りる反応での還元剤とし
て(ま、例えば水素化ホウ素す1〜リウムが使用される
。一般式[II]又は[lI[]で示される化合物と水
素化ホウ素す1−リウムとの使用割合として(よ、特に
限定がなく広い範囲内から適宜jハ択できるが、通1;
v前者に対して後者を0.1〜5倍モル程度、好j=し
くは0.25〜等モル程度使用するのがJ:0。 該反応の反応温度としては特に制限されな0/J(。 通営−50〜100℃程度、好ましく番まO〜50℃捏
度にて反応が好適tこ進行し、一般に1〜511寺間程
度で反応は終了する。 一般式[Ia ]又は[Ill]r示さIt 7.、3
 4B合1力と一般式[IV]で示されるハロゲン化ア
ルキルとの反応は、無溶媒下又は適当な溶媒中で行なう
こどが(′2キる。)8りVどしては、例えば水、メチ
ルアル−1−ル、上デルアルコール、ブ1」ビルアルコ
ール、ゾブルアルコール等のアルコール類、ジエチル十
〜−フル、ジブ1」ビルj−−デル、ジブデルニー7−
 /し、ア)−ラじ1・し1フラン、ジA二1ニリン等
のニーアル類、1酷化メヂレン、りl」口車ルム等のハ
ロゲン化炭(ヒ水素類、ヘンピン、1〜ルエン、キシレ
ン、りIIエルシンン、二1〜]」ヘンげン等の芳香D
X系溶媒、ピリジン、 At M =Lデル、アレ1−
二[〜リル、ジメチル小ルムアミド等を挙げることがで
きる。一般式[ia ]又は[Ib ]で示される化合
物と一般式E IV ]で示される化合物との使用割合
としては、特に限定がなく広い範囲内から適宜恵沢でき
るが、通1ル前者に対して後者を等モル−5倍モル程度
、好ましくは等モル−2倍モル稈度使用するのがよい。 一般式[Ia ]ヌは[Ib ]で示される化合物と一
般式[IV ]で示される化合物どの反応で(、(、t
itΣ随りるハロゲン化水素を補集り−るため塩基が用
いられる。使用される塩基どしては、例えば水酸化す1
−リウム、水酸化カリウム、炭酸す1〜リウム、炭酸カ
リウム、1−リエチルアミン、1ヘリブヂルアミン等の
負1三1及アミン、ピリジン、ビニ1リン、ルヂジン等
のピリジン〉:n、金属ブー1〜リウム、水素化す1〜
リウ1\、ナ1−リウムアルコラ−1・等を挙げること
ができる。一般式[Ia ]又は[Ib ]で示される
化合物どハロゲ〕/化水素捕集剤との使用割合としては
、特に限定がなく広い範囲内から適宜選択できるが、通
1i前者に対して後者を等モル−5倍モル程度、好まし
くは等モル−2倍モル程度使用するのがよい。該反応の
反応温度としては特に制限されないが、通常O〜100
℃程度にて反応が好適に進行し、一般に5〜10時間程
度で反応(ま完結づる。 (qられた化合物は富法の手段、例えば再結晶、溶媒抽
出、〕〕Jラムクロマ1−グラフィーで精製される。 上記の方法で1ワられる本発明の化合物を例示りると以
下の通りである。 3−メチル−4−ヒドロキシイミタゾリジン−2−オン
−1−カルボキシアニリド 夏3−メブル−5−ヒト[1二l−シイミタゾリジンー
2−Aンー1−カルボキシアニリド 33−メブーノし=11−ヒ1ざ目二〜シイミクゾリシ
ンー2−Aン−1−カルボキシ−(2′−クロルアニリ
ド33−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2−
フ1ン−1−カルボキシ−(2′−クロルアニリド) 3−メチル−4−ヒ1:ロキシイミグゾリジンー2−A
ンー1−カルボキシ−(3′−クロルアニリド) 3−メチル−5−ヒト【]]キシイミタゾリジンー2ー
Aンー1カルボキシ−(3′−クロルアニリド) 3−メチル−5−ヒlシロキシイミタゾリシンー2ー7
1ンー1−カルボキシ−(2’ 、/l’ −ジクロル
1ニリド) 3−、メチル−4−ヒドロキシイミタゾリジン−2−、
+シー′1ーカルボキシー(3′−メチルアニリド) 3−メチル−5−ヒi〜ロキシイミタゾリジンー2ーオ
ン−1−カルボキシ−(3′ −メチルアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2ーオン
−1−カルボキシ−(2′−メ1−キシアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミタゾリジン−2−オン
−1−カルボキシ−(3’−1−リフルオロメチルアニ
リド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミタゾリジン−2−Aシ
ー1−ノJルボ4ニジ−く3′−二1〜ロアニ1ノド) 3〜メヂルー4−メl〜キシイミダゾリジンー2ーオン
−1−カルボキシアニリド 3−メチル−5−工1〜ギシイミダゾリジン−2−オン
−1−カルボキシアニリド 3−メチル−5−メ1ーキシイミダゾリジンー2ーオン
−1−カルボキシ−(2′−クロルアニリド)3−メチ
ル−5−エトキシカルボニルメチルイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシアニ1月Z3−メチル−5−メ
1〜キシントキシイミダゾリジン−2−Aシー゛1−カ
ルボキシアニリ1z本弁明はまた前記一般式[I]で示
されるイミダゾリジン−2−Aン誘導体を有効成分とづ
−る除草剤に関づる。 本発明の化合物は、タカ]ノブ[コラ、アオビユ、クリ
ネム、スズメノデツボウ、タデ、ヨEギ、AAアレブー
ノギク、ギシギシ、アゼナ、キカシグ゛す、ノビ土、メ
ヒシバ、A上ラム、ツノ17ツリグリ等の711草に対
して強力な除草効果を示づので、それらの711華の生
育がイ1害どなるミカン、リンゴ、ダイス、1−ウモロ
コシ、桑、茶、水稲等の農作物の生産)5℃観」二右古
な雑草の防除に有用である。 本光明化合物を除草剤として施用J−るに当っては、ホ
冗明化合物をぞのまJ、用いてもよいが、一般には通1
ルI!¥桑の製剤上使用される補助剤と混合し−(いす
゛れの剤型どしCち使用することができる。 その中でも乳剤、水相剤、粒剤の形態が好適に用いられ
る。この際、効果の安定性及び効果の向上を期づるため
の補助剤としては、例えばケイソウ土、カオリン、クレ
ー、ベン]−ナイ]〜、ホワイ1〜カーホン、タルク等
の11!1石剤、ポリ謁キシ上チレンアルキルエーテル
、ポリオキシエヂレンアルキルフェニルエーテル、ポリ
Δキシエヂレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシ
エチレン脂肪酸エステル、アルキルベンゼンスルホン酸
す1〜リウム、リグニンスルホン酸すトリウム、アルキ
ル硫n9す1〜リウム、ポリAキシ1ヂレンアルギル硫
酸ヲ1〜リウム等の非イオン系あるいは陰イオン系界面
活性剤、キジロール、ア廿1−ン、メタノール、エタノ
ール、イソプロパツール、ジオキサン、ジメチルホルム
アミド、ジメチルスル小キザイド、四塩化炭素等の有機
溶媒等が使用される。 本発明の除草へ11組成物の配合としては、有効成分が
約1〜90車吊%、好ましくは約5〜70重量%になる
ように補助剤を添buすることによって製剤される。施
用適Mは薬剤のtit剤形態、施用方法、施用時期、対
象雑草の種類ならびに特に除草効果に影響を与えA5づ
−い気象条4′1、±10条件等によってそれぞれ異な
るものであり、広い範囲内から適宜】バ択Δれるが、一
般的には有効成分色としく約5〜/100す/a程度、
好ましくは約10〜100u/a程)<[lメjj′1
.イbされる。 1スl”に参考例、実施例、処方例及び試験例を挙げC
本光明を更にn’r IJ りN!l明りる。尚、試験
例にJ3りる111、賦化合物番号は実施例の番目に対
応する。 参考例 1 33−メチルイミダゾリジン−2,4−ジオン−1−力
ルポギシアニリドの製造 3−メチルヒタン1−イン5.7g (0,05七ル)
とイワシアン酸フェニル 5.9gを油浴中、150℃
で3時間溶融した。溶融物をジメチルホルムアミドで再
結晶し、無色結晶9.00 (収率78%)をI+′7
た。 R1i点 219〜220℃ 結晶のDMSO−de中でのN M Rは次のように示
した。 δ 3.OOppm (31−1) 、δ /1.33
1’lr)m (21−1>67.00〜7.GO1+
pm <  5H)元累分析(裔(C+ 1H+ 1N
303として)分析値% C5G、90 1−14.7
5  N+8.10理論(11T% C5G、89 1
−14.77  N18.09以上の結果より を 111  認 し )こ 。 参考例 2 3−メチルイミダゾリジン−2,5−ジA−シー1−カ
ルボキシアニリドの製造 1−メチル上ダン1−イン5.7g (0,05モル)
とイソシアンn)フェニル 5.9g(0,05モル)
を泪l中、180°Cで3■寺rt+溶融した。溶融物
をよく水洗し1こ後、エタノールで再結晶し、無色結晶
3.79 (IUy、率3296 )を1りだ。 融点 160〜160.5℃ 結晶のDMSO−de中でのNMIIま次のJ−うに示
した。 (’5  3 、 +131月+m  (3H)  、
  δ  LoopHm  (2N  )(’3 7.
00 〜7.70旧+m(51−1)元素分析fin 
(CI + 1−111 N303 +!:L/ ()
ブ、)″ イn1((96C5G、91   1−14
.76    N 18.07埋ii21111ソロ 
 05G、89  I−14,77N 18.09以−
トのUi果より をf「ルΣした。 実施例 ′1 3−メチル−4−ヒドロキシイミダゾリジン−2−′A
シン−−カルボキシアニリドの製3冑3−メヂルイミダ
ゾリジン−2,4−ジオン−1−カルボキシアニリド 
7.0(+(0,03モル)をメタノール5Qn+1に
懸濁した。10℃に冷却後、撹拌下で水素化ボウ阜す1
・1月りム1.2gを加えた。30分撹拌後、苗温に戻
し、更に10時間撹拌した。反応終了後、反応液を濃縮
し、残渣に水を加えて結晶を析出させた。結晶を8mm
後後エタノールり再結晶し、無色結晶5.4(+  (
+1176%)lrfだ。 バS(点 156〜157℃ 結晶の重クロロホルム中でのN fvI Rは次のよう
に示した。 62.70ppm (3H) 、δ 3,85ppm 
(2H)δ 5.OOppm (11−1) 、δ 7
.00〜7.70pp+++(5H) 元素分析値(C+ + 1−113N303どして)分
析値% C5G、13 1−15.59  N17.8
7理論値% C5G、16  H5,57N17.8+
3以上の結果より を確認した。 実施例 2 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2−Aシ
ー1−カルボキシアニリドの製造3−メチルイミダゾリ
ジン−2,5〜ジAン−1−カルボ:1ニジアニリド 
7.0す(0,03’Eル)をメタノール50m1に懸
濁した。10′Cに冷却後、撹拌下で水素化ホウ素す1
・1戸ンム1.2J  (0,03モル)を加えた。 30分iff J’l’ (身、空温に戻し、更に2時
間撹拌しIこ。反応11了後、反応液を濃縮し、残渣に
水を加えて結晶を析出させた。結晶を濾過後エタノール
J、り再結晶し、無色結晶6.40  (収率90 %
 )を10た。 助産 178〜178.5℃ 結晶の重クロロホルム中でのN M Rは次のように示
した。  − 62,90ppm (31−1)  、63.3011
11m (11−1)δ  3.(351111111
(71−1)  、   δ  4.47Dpm  (
1ト] )δ G 、 001+ p m (珪()、
67.10〜7.701)l)m(5LI) 元素分析11n (C+ + H+ 3 N303 ト
LT)分析1in96  (:、56.18  日5.
54  N17.89理論値% C56,16H5,5
7N17.86以上の結果J:す を確認した。 実施例 3 3−メチル−5−メトキシイミダゾリジン−2−オン−
1−カルボキシ−(3−メチルアニリ″ド)の製造 3−メチル−5〜ヒドロキシーfミダゾリジン=2−オ
ン−1−カルボキシ−(3−メチルアニリド)2.5(
1(0,01モル)をジメチルボルムアミド40m1に
溶解した。10℃に冷却後、撹拌下で水素化ナトリウム
0.5(1(0,01モル)を加えた。30分撹拌後、
沃化メチル1.5g (0,01モル)を滴下した。 至偏で2時間撹拌褒、反応液に水を加え、結晶を析出さ
せた。結晶をml後、エタノールより再結晶し、無色結
晶2.Ou(収率76 % )を4!7 l:。 融点 104〜105°C [7られた結晶の爪クロロボルム中でのNMRは次のよ
うに示した。 δ 2,32ppm (31−1) 、δ 2,90p
pm (31−1)δ 3,24ppm (11−1)
  、δ 3.52+111m (31−1>δ 3.
GOppm (ll−1)  、 65.651] 1
1 m (月」)5  G、97pton (11−1
)  、δ 7.20 〜7.50ppm(31−1) 元素分析fifl (CI 31117 N30sとし
て)分析tin 9(l  C59,2880,54N
 15.98理論値% C59,30@ G、51  
N15.9+3以上の結果より を確認した。 実施例 4〜18 実施例1〜3と同様の操作により実施例4〜18の化合
物を合成した。1カ性及びN M Rデーターを第1表
に示した。 第1表 処方例 1 (30%乳剤) (重用部) 実施例1の化合物        30ポリAキシ土ヂ
レンノニル    10ノ上ニル上−デル シンヂル小ルムアミド      20キシレン   
         40処方例 2 (50%水和剤) 実施例2の化合物        50リクニンスルホ
ン醸すトリウム   1ドデシルベンげンスルホンr+
’U     4す1−リウム クレー              45タル方+t!
I  3  (10%粒剤)実施例3の化合物    
    10リグニンスルホン酸す1〜リウム   0
.5ドデシルベンゼンスルホン酸    2すトリウム クイソウ上           27.5ベン1〜ナ
イ1−         60尚、乳剤の場合には、各
成分を均一に混合溶解し、水和剤の場合には、各成分を
均一に混合わ)砕してそれらを1qることかできる。ま
た粒剤の場合には、各成分を均一に混合し、水を加えて
充分混練したのち造粒し、次いで細かく切断して粒状の
ものどじ、乾燥して製造される。 試験例 1 (茎■処理テス]〜) ’l / 2000 aのワグナ−ボットに殺菌した沖
積土用を入れ、第2表に示す供試植物の種子を播種し、
各植物がほぼ一定の大きさくほば2〜3′葉期)に達し
たとき、実施例に示す方法で得た化合物を有効成分とづ
る乳剤を処方例1に準じて製剤し、それぞれ有効成分が
100g/aとなるように水で希釈したものを植物の茎
葉全面が充分一様に濡れるように散布した。散布後3週
間口に各植物に対づる除草活性を調べた。その結果を第
2表に示す。尚、除草活性は肉眼観察にJ:り次の基1
.%に従って無処理の場合と対比した指数で評価した。 (指数ン    (除草活1l−) 0      変化なし 1    1〜24 % flJl害 2    25〜49%阻害 3    50〜74%阻害 /1         75〜90%トH害5    
  完全枯死 第  2  表 インカルバミドrN− ※ (2−メチルブロピル) キシアミド」 上表において供試植物A〜)−1は次の植物である。 A・・・アオビユ  B・・・り]ノネムC・・・ノビ
エ   D・・・ダイコンIヨ・・・ソバ    F・
・・ア4ツガAG・・・コムギ   1−1・・・タカ
リ゛フロウ試験例 2 (土18処理テス1−) 1/2000aのワグナ−ボッ1へに殺菌した沖積土+
1を入れ、第3表に示す供試植物の種子を播種して、約
0.5〜1.0cm覆土した。次いで実施例に示づ方法
で得た化合物を有効成分とづろ水和剤を処方例2(ど1
1(じて製剤し、それぞれ有効成分が100g/aとな
るように水で希釈し、これを土If4表面が均一に濡れ
るように散布した。散布後3週間目に各植物に対づる除
草活性を調べた。 その結果を第3表に示づ。評価の基準は試験例1と同じ
である。 第  3  表 ス・1照化合物は第2表と同じである。また供試植物Δ
〜G 1.L ffi 2表と回しである。 試験例 3 (湛水処理テスト) 1 / 5000aのワグナ−ボッ1−に水l]土壌を
入れ、さらに(の表層にぞれぞれ、lビニ、タマガ17
ツリ、アじす及びギカシグ4ノーの種子が混入し−Cい
る土を入れたのち、水深を3cmに保った。次いC実施
例て示づ方法で1qた化合物を有効成分とする粒剤を処
方例3に準じて製剤し、それぞれ有効成分が50g/a
となるように均一に散布し、薬剤施用後3週間目に各植
物に対づる除草活性を調へた。結果を第71表に示す。 評価のり準は試験例1ど同じである。 第  4  表 対照化合物は第2表と同じである。また供試植物C,I
−には次の通りである。 C・・・ノビエ  I・・・タマガへ7ツリJ・・・ア
ゼナ  1く・・・キノコシグリ−(以  上  ) 代理人 弁理士 三 枝 英 二 ・′\。 !ノ゛

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中Rは水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
    低級アルキル基又は低級アルコ:1−ジカルボニル低級
    アルキル基を示す。Arは)工二ルヰを示し、フェニル
    基にはハロゲン原子、二]−ロ基、低級アルキル基、低
    級アルコキシ基又は低級ハロアルキル基が置換していで
    もよい。〕 で示されるイミダゾリジン−2−オン誘導体。 ■ 一般一 〔式中Arはフェニル基を示し、フェニル基にはハロゲ
    ン原子、二]〜ロ基、低級アルキル基、低級アルコキシ
    基又は低級ハロアルキル基が置換していてもよい。〕 で示されるヒタントイン誘導体を還元することにより一
    般式 〔式中Arは前記に同じ。〕 て示されるイミダゾリジン−2−オン誘導体を得ること
    を特徴とするイミダゾリジン−2−オン誘導体の製造法
    。 ■ 一般式 〔式中へrはフェニル基を示し、フェニル基にはハロゲ
    ン原子、二]へ口塞、低級アルキル基、低級アルコキシ
    基又は低級ハロアルキル基がFi挽していてもよい。〕 で示されるーrミグシリジンー2−オン誘導体と一般式 〔式中R′は低級アルキル基、低級アルコキシ低級アル
    キル基又は低級アルコキシカルボニル低級アルキル基を
    示す。Xはハロゲン原子を示づ。〕 で示されるハロゲン化アルキルとを反応させて一般式 〔式中R′及びA rは前記に同じ。〕で示されるイミ
    ダゾリジン−2−オン誘導体を冑ることを特徴とするイ
    ミダゾリジン−2−オン誘導体の製造法。 R 〔式中Rは水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
    低級アルキル基又は低級アルコキシカルボニル低級アル
    キル基を示す。八rは)上ニル基を示し、フェニル基に
    はハロゲン原子、ニトロ基、低級アルキル基、低級アル
    コキシ基又は低級ハロアルキル基が@換していてもよい
    。〕 で示されるイミダゾリジン−2−オン誘導体を有効成分
    として含有することを特徴とする除草剤。
JP17131182A 1982-09-27 1982-09-30 イミダゾリジン−2−オン誘導体 Granted JPS5962571A (ja)

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US06/619,149 US4578107A (en) 1982-09-27 1983-09-27 Herbicidal imidazolidine-2-one derivatives
PCT/JP1983/000318 WO1984001383A1 (fr) 1982-09-27 1983-09-27 Derives d'imidazolidine-2-one, leur procede de preparation et les herbicides qui les contiennent

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