JPS5998517A - 半導体素子 - Google Patents

半導体素子

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Publication number
JPS5998517A
JPS5998517A JP57206998A JP20699882A JPS5998517A JP S5998517 A JPS5998517 A JP S5998517A JP 57206998 A JP57206998 A JP 57206998A JP 20699882 A JP20699882 A JP 20699882A JP S5998517 A JPS5998517 A JP S5998517A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
characteristic
pellet
laser beam
aluminum
indicating part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57206998A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahide Nakajima
中島 正英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS5998517A publication Critical patent/JPS5998517A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、レーザービームを用いたマーカーを使用して
、特性分類を半導体ペレット表面に表示するのに適した
半導体素子に関する。
半導体デバイスを使用する場合に、特性のそろった複数
個のペレットを同時に使用する必要があることが多い。
このため半導体ウェハー状態で自動測定機を用いて個々
のペレットの特性を測定する際に、自動測定機と連動し
たレーザーマーカーを用い、個々のペレットの特性に応
じた分類記号をペレット表面に表示することが行なわれ
ている。
しかし、レーザービームで表示する際、その時生じる飛
粉がペレットに飛び散ル悪影響を及ぼしていた。
本発明の目的は、このレーザーマーカーを用いて特性分
類記号をペレット表面に表示するのに適した表示部を有
する半導体素子を提供することにある。
以下図面を参照しながら本発明をよシ詳細に説明する。
本発明の詳細な説明のための半導体ウェノ・−の概略平
面図を第1図に、半導体ペレットの概略平面図を第2図
に、半導体ペレット特性表示部の概略断面図を第3図に
示す。半導体ウェハー1の状態で、自動測定機を用いて
個々の半導体ペレット4の特性を測定し、その特性に応
じた特性分類記号を自動測定機と連動したレーザーマー
カーを用いてペレット表面の特性表示部6に表示する。
通常この特性表示部6は半導体基板もしくは各種金属が
用いられるが、レーザーマーカーによシ記号を表示しよ
うとする特性表示部6を構成する素材がレーザービーム
の熱によシ溶融し、その飛粉が飛び散って周囲に悪影響
(例えば電気的ショート等)を与えることになる。特に
ペレットサイズが小さく、特性表示部6が電極部5よシ
充分な距離を取ることが出来ない場合には半導体ペレッ
トの特性にまで影響を与えることになる。
本発明では、この特性表示部6にレーザービームによっ
て溶融しやすい金属(例えばアルミニウムもしくはアル
ミニウムと他の金属の多層構造より成る薄膜)を用いる
ことを特徴とする。
アルミニウムもしくはアルミニウムと他の金属との多層
薄膜に出力パワーを適当に調整したレーザービームを当
てると、薄膜が溶融するにとどまシ、周囲への飛まつの
飛散を防止することが出来る。
このため、周囲への影響を最小限にとどめられる。
したがって電極部5と特性表示部6との距離を小さくす
ることが出来、さらにはペレットサイズも小さくするこ
とが出来る。
また、アルミニウムを使用した場合には、レーザービー
ムを尚てて記号を記入した部分とのコントラストが強く
、他の素材を使用した特性表示部に比べて記号の識別が
容易になるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は特性測定および特性分類記号表示時点での半導
体ウェハーの概略平面図、第2図は本発明の詳細な説明
のための半導体ペレットの概略平面図、第3図は本発明
の詳細な説明のための特性表示部の概略断面図。 1・・・・・・半導体ウェハー、2.3・・・・・・ス
クライプ線、4・・・・・・半導体ペレット、5・・・
・・・電極、6・・・・・・特性表示部(アルミニウム
もしくはアルミニウムと他の金属の多層薄膜)、7・・
・・・・半導体基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ペレット表面にレーザービームを用いて該ペレッ
    トの一部に設けられた表示部に特性分類情報を印した半
    導体素子において、前記表示部はレーザービームによっ
    て溶融しやすい金属膜を含むことを特徴とする半導体素
    子。
JP57206998A 1982-11-26 1982-11-26 半導体素子 Pending JPS5998517A (ja)

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JP57206998A JPS5998517A (ja) 1982-11-26 1982-11-26 半導体素子

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JPS5998517A true JPS5998517A (ja) 1984-06-06

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ID=16532492

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JP57206998A Pending JPS5998517A (ja) 1982-11-26 1982-11-26 半導体素子

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JP (1) JPS5998517A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63239838A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Toshiba Corp 半導体装置
JPH0167752U (ja) * 1987-10-23 1989-05-01

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63239838A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Toshiba Corp 半導体装置
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