JPS60113965A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS60113965A
JPS60113965A JP58221612A JP22161283A JPS60113965A JP S60113965 A JPS60113965 A JP S60113965A JP 58221612 A JP58221612 A JP 58221612A JP 22161283 A JP22161283 A JP 22161283A JP S60113965 A JPS60113965 A JP S60113965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
contact
polycrystalline
diffusion
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58221612A
Other languages
English (en)
Inventor
Takemi Kimura
木村　岳見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58221612A priority Critical patent/JPS60113965A/ja
Publication of JPS60113965A publication Critical patent/JPS60113965A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置に関するものである。
従来、半導体装置において拡散層と金属配線とのコンタ
クトをとる場合、コンタクト孔が拡散層から外抜きとな
った場合や、金属配線とシリコンが、金属配線パターニ
ング後のアロイで反応して接合をつき抜けるアロイスパ
イクが発生するのを防ぐだめの対重として金属配線と拡
散層とを直接コンタクトをとらず、間に不純物がドープ
された多結晶シリコン化を配置していだが、この際、拡
散層と、多結晶シリコンとのコンタクトと、多結晶シリ
コンと金属配線とのコンタクトを同じ大きさで開孔しよ
うとした場合拡散層と多結晶シリコンとのコンタクト孔
の底の部分では多結晶シリコンの段部が狭くなっており
、この部分にフォトレジスト材やまた、金属配線とのコ
ンタクトをドライエツチングにより開孔した時には層間
絶縁膜が残り易く、さらに、コンタクト段部でのアルミ
のステップカバレッジが悪くなり、金属配線が起こった
り、信頼性上好ましくない等の問題があった。
本発明は、拡散層と金属配線とのコンタクトをとる際、
その間に多結晶シリコン層を配置した構造におい℃拡散
層と多結晶シリコン層とのコンタクト孔を多結晶シリコ
ン層と金属配線とのコンタクト孔に比して大きく開孔す
ることにより信頼性の高いコンタクトを得ることを特数
とするものである。
以下本発明の詳細な説明する。
まず第１図、第２図を参照すると単結晶シリコン基板１
上にフィールドシリコン酸化膜３、ＭＯＳトランジスタ
のゲート４、拡散層２、層間絶縁膜５を形成後、多結晶
シリコン層６と拡散層２との間のコンタクトをフォトエ
ツチングで開孔する。
この際従来は第１図に示す様に金属層つと多結晶シリコ
ン層６どの間のコンタクトと同じ寸法、Ｑ４ｇｙｆノと
していた。本発明では第２図に示すように後に金属配線
層９と多結晶シリコンＮ６との間に開孔されるコンタク
トよりも、前記コンタクトをマスク上で大きくしておく
かまたは、等方性のエツチング・ウェット式エツチング
等によりサイドエツチングさせて、充分大きく開孔する
。その後、多結晶シリコン６を成長し、拡散層と同伝導
型を与える不純物をドープして、バターニングする。
さらに金属配線層９と下部導電鷹との間の層間絶縁膜８
を成長し前述の拡散層２と多結晶シリコン層６との間の
充分に太き（開孔し７ζコンタクト上の多結晶シリコン
層６の平坦な部分にコンタクトが開くようにコンタクト
を開孔する。その後上部の金椅配祿層９を形成する。
このような構造にずれば、金ｔＡ自己線鳩とのコンタク
トは、多結晶シリコン層の平坦部に開孔するのでフォト
リソグランイエ程の７オトレジスタ残りや、エツチング
時の層間絶縁膜残りが発生しなくなり、またアルミのス
テップカバレッジも良好となり、断線の心配もなく、信
頼性も向上する。
以上述べたように、本発明によれば、拡散層と金属配線
との間の外抜ぎや、アロイスパイクに対して、対策の施
された信頼性の高いコンタクトを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のコンタクト部を示す断面図、第２図は
、本発→脅施例を示す断面図である。 １・・・・・・単結晶シリコン基板、２・・・・・・拡
散層、３・・・・・・フィールドシリコン酸化膜、４・
・・・・・ケート電極、訃・・・・・層間絶縁膜、６・
・・・・・多結晶シリコン、７・・・・・・多結晶シリ
コンを通して尋人された不純物による接合、８・・・・
・・層間絶縁膜、９・・・・・・金属配線層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に形成された拡散層と省妨配線とを接続す
    る際拡散層上にコンタクト孔を介して多結晶シリコン層
    を形成し、さらに、コンタクト孔を介し℃上記金属配線
    層を接続する構造において、拡散層と多結晶シリコン層
    とのコンタクト面積が多結晶シリコン層と金属配線層と
    のコンタクト面積に比して犬となることを％敵とする半
    導体装置。
JP58221612A 1983-11-25 1983-11-25 半導体装置 Pending JPS60113965A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58221612A JPS60113965A (ja) 1983-11-25 1983-11-25 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58221612A JPS60113965A (ja) 1983-11-25 1983-11-25 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60113965A true JPS60113965A (ja) 1985-06-20

Family

ID=16769476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58221612A Pending JPS60113965A (ja) 1983-11-25 1983-11-25 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60113965A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6379352A (ja) * 1986-09-22 1988-04-09 Nec Corp 基板の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6379352A (ja) * 1986-09-22 1988-04-09 Nec Corp 基板の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5243220A (en) Semiconductor device having miniaturized contact electrode and wiring structure
JPH04174541A (ja) 半導体集積回路及びその製造方法
US5128745A (en) Semiconductor device with thin film resistor
JPH0645329A (ja) 高集積半導体装置およびその製造方法
JPS61198780A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04229618A (ja) 集積回路デバイスの接点及びその形成方法
JPS60113965A (ja) 半導体装置
JPH06177265A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH05121727A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2695812B2 (ja) 半導体装置
JPH02301142A (ja) 半導体装置における微細スルーホールの形成方法
JPH02133924A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS5966150A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2950620B2 (ja) 半導体装置
JP2719143B2 (ja) 半導体装置
JPH02134847A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH03161941A (ja) 電荷転送装置の製造方法
JPH0917868A (ja) 半導体集積回路装置の配線接続構造及びその製造方法
JPH0750739B2 (ja) 半導体集積回路の多層配線構造
JPH03131032A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH1117165A (ja) 半導体装置の積層ゲート構造
JPH03142826A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH028451B2 (ja)
JPS6149439A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02126684A (ja) 半導体装置の製造方法