JPS6338236A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6338236A JPS6338236A JP61181425A JP18142586A JPS6338236A JP S6338236 A JPS6338236 A JP S6338236A JP 61181425 A JP61181425 A JP 61181425A JP 18142586 A JP18142586 A JP 18142586A JP S6338236 A JPS6338236 A JP S6338236A
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- pad
- bonding
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- bonding pad
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- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ＣＩＩ！Ｐ壜Ｖ〕
ボンディングパッド−とカバー用パッジ−＼−ジョン絶
縁膜を４）つ構造の半導体装置において、ボンディング
のための開口を形成した後この開口周辺にポリシリコン
（Ｓｉ）１２層を形成してワイヤホンディングを行うも
ので、耐湿性を向」二することが；１１Ｗろ。
縁膜を４）つ構造の半導体装置において、ボンディング
のための開口を形成した後この開口周辺にポリシリコン
（Ｓｉ）１２層を形成してワイヤホンディングを行うも
ので、耐湿性を向」二することが；１１Ｗろ。
（産業１−の利用づｉＩｌ！ｉ’ ）
本発明（１１ワイヤボンディング部の構造に係わり、詳
しくは樹脂モール１′型半導体装置で、ボンディングパ
ッド゛とカバー用絶縁膜をもつ１ハ造のボンディング部
の耐湿性の改善に関ずろ。
しくは樹脂モール１′型半導体装置で、ボンディングパ
ッド゛とカバー用絶縁膜をもつ１ハ造のボンディング部
の耐湿性の改善に関ずろ。
半う、ｑ体表面がＮａ゛イオン等によりンη染し≧１６
１６層置の＋１￥性が劣化するのを防止するため、これ
をゲノクリングし′ζ固定化する方法として絶縁膜を半
導体表面に＞ｊＪ Ｗ７する方法が広く利用されている
。この晩縁膜ＩＪＴ′７エーハプロセスで形成し、ワイ
ヤボンディングに支障のないようにボンディングパノ（
゛の中央部のみは開口されている。
１６層置の＋１￥性が劣化するのを防止するため、これ
をゲノクリングし′ζ固定化する方法として絶縁膜を半
導体表面に＞ｊＪ Ｗ７する方法が広く利用されている
。この晩縁膜ＩＪＴ′７エーハプロセスで形成し、ワイ
ヤボンディングに支障のないようにボンディングパノ（
゛の中央部のみは開口されている。
ボンディング工程で、例えばアルミニ・すＪ−（ＡＩ）
のボンディングバノ１“の表出部に例えば金（Ａｕ）ワ
・ｆヤが接続され、！ｈいてこれが夕１部り一１ｃこも
接続され、モールドニ［程で夕１囲器として樹脂モール
ドが形成される。
のボンディングバノ１“の表出部に例えば金（Ａｕ）ワ
・ｆヤが接続され、！ｈいてこれが夕１部り一１ｃこも
接続され、モールドニ［程で夕１囲器として樹脂モール
ドが形成される。
樹脂モール］゛は水分侵入に対して完全でなく、侵入水
分によりボンディングパン１゛部のＡｌ；／＋（＝ｚ：
＋−ジョンを起こし、Ａ１配線がオープンずろ現象があ
る。このＡＩエコージョンにけ、１列えばＸ角縁１１り
としてフォスホシリケーｌ、ガラス（ＰＳＧ）膜を使用
すれば、ＰＳＧ中のＰ（リン）が関係し、Ｉ） ＳＧ膜
に近いＡＩボンディングパソ１でより多くコロ−ジョン
がｙノられる。
分によりボンディングパン１゛部のＡｌ；／＋（＝ｚ：
＋−ジョンを起こし、Ａ１配線がオープンずろ現象があ
る。このＡＩエコージョンにけ、１列えばＸ角縁１１り
としてフォスホシリケーｌ、ガラス（ＰＳＧ）膜を使用
すれば、ＰＳＧ中のＰ（リン）が関係し、Ｉ） ＳＧ膜
に近いＡＩボンディングパソ１でより多くコロ−ジョン
がｙノられる。
このときの水分侵入し、ｒ、樹脂モール；のクラック等
によりその表面からと、樹脂と夕１部り一１′、）Ａ１
脂とワイヤの界面をそれに沿って行われるものが大部分
である。
によりその表面からと、樹脂と夕１部り一１′、）Ａ１
脂とワイヤの界面をそれに沿って行われるものが大部分
である。
また、Ａｎローションハ？ノコニーハブロ１！ス、マウ
ント工程においても、保管管理が悪いと発生する危険性
をもつものである。
ント工程においても、保管管理が悪いと発生する危険性
をもつものである。
従って、ボンディングバソト露出部の耐水性を向−１ニ
して、より安徐な構造とする方法が望まれている。
して、より安徐な構造とする方法が望まれている。
第２図（ａ）〜（ｃ） ＬＳＩ従来例におけるワイヤホ
ンディングを説明するだめの断面模式図である。
ンディングを説明するだめの断面模式図である。
第２図（８）において、ｌばＳ＋ｇ板で、その表面には
Ｓ ｉ （１２膜２を介して、例えば、八１のポンディ
ングパッド３を形成し、ついでバソシヘーション膜とし
て、例えば、ＰＳＧ膜４を約１ｔｔｍ被着形成する。
Ｓ ｉ （１２膜２を介して、例えば、八１のポンディ
ングパッド３を形成し、ついでバソシヘーション膜とし
て、例えば、ＰＳＧ膜４を約１ｔｔｍ被着形成する。
第２ Ｔｈ？１ （ｈ） ｔ：ｌ： Ｐ Ｓ Ｇ １１
９にボンディング用開口窓開けをした状態の図である。
９にボンディング用開口窓開けをした状態の図である。
この図に１几１て、通常のフォトプロレノ、により図示
し４ｆいフォトレジストをマスクにして、Ｐ ＳＧ １
１２４にボンディング用開口５を形成しＡ１のボンディ
ングパソ１′の一部を表出さ・ｌ！ろ。
し４ｆいフォトレジストをマスクにして、Ｐ ＳＧ １
１２４にボンディング用開口５を形成しＡ１のボンディ
ングパソ１′の一部を表出さ・ｌ！ろ。
第２図（ｃ）ｔｊ’、ＡｕワイＡ７をボンディングした
状態を示す。
状態を示す。
この図において、Ｓ ｉ 基４ルＩ Ｌ、ｌ：図示しな
いダイボンディングをした後、Ａｕのワイヤ７をポンデ
ィングパッド３のＡ１表出部に接着する。このとき、Ｐ
ＳＧＭ４の開口５目、Ａｕの接着領域に対して可なり広
くとられているので、ＡＩがそのまま露出する領域かの
こる。
いダイボンディングをした後、Ａｕのワイヤ７をポンデ
ィングパッド３のＡ１表出部に接着する。このとき、Ｐ
ＳＧＭ４の開口５目、Ａｕの接着領域に対して可なり広
くとられているので、ＡＩがそのまま露出する領域かの
こる。
ついで、この後の１−程で樹脂モー／ｌ用のり１囲が全
体に被せられる。
体に被せられる。
この構造であると、耐湿性のあまり良＜ ２（い樹脂モ
ールドから水分が侵入しＡＩＩｏ−ジョンを起こしやす
い。
ールドから水分が侵入しＡＩＩｏ−ジョンを起こしやす
い。
ボンディングパソ］′の表出部におりる面１水１ノ１を
向−ヒしコロ−ジョンを防止する。
向−ヒしコロ−ジョンを防止する。
ｃ問題点を解決するための手段〕
」二記問題点の解決口、半導体基板（１）、１：に形成
したポンディングパッド（３）と、このボンディングパ
ソＦ（３）と半導体基板（１）の−にに被着し、且つポ
ンディングパッド（３）の中央部」二に番！開＋１（５
）を設けた絶縁膜（４）と、前記ボンデ、イングバソＦ
（３）の開口（５）により表出する部分、およびこの開
口（５）の周辺の絶縁膜（４）を被覆するポリシリコン
膜（６）とを有し、この間１１（５）の部分でワイヤ（
７）をポンディングパッド（３）に接着してなる本発明
による半導体装置により達成される。
したポンディングパッド（３）と、このボンディングパ
ソＦ（３）と半導体基板（１）の−にに被着し、且つポ
ンディングパッド（３）の中央部」二に番！開＋１（５
）を設けた絶縁膜（４）と、前記ボンデ、イングバソＦ
（３）の開口（５）により表出する部分、およびこの開
口（５）の周辺の絶縁膜（４）を被覆するポリシリコン
膜（６）とを有し、この間１１（５）の部分でワイヤ（
７）をポンディングパッド（３）に接着してなる本発明
による半導体装置により達成される。
本発明ににれば、ポンディングパッドの表出面およびこ
の近傍の絶縁膜表面をポリシリコン（Ｓｉ）膜で被覆す
るので、侵入した水分にボンディングバソｌが直接触れ
な（なり、耐水性を向上し、コ「１−ジョンを防止する
ことが出来る。
の近傍の絶縁膜表面をポリシリコン（Ｓｉ）膜で被覆す
るので、侵入した水分にボンディングバソｌが直接触れ
な（なり、耐水性を向上し、コ「１−ジョンを防止する
ことが出来る。
〔実施例〕
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明におけるワイヤボンディ
ングを説明するための断面模式図である。
ングを説明するための断面模式図である。
これら図において、第２図と同じ名称のもの目間し符号
で示す。
で示す。
第１図（ａ）はＰＳＧ膜にＡ１ボンディングパソｌ上で
開口を設けた状態を示す。
開口を設けた状態を示す。
図において、表面に５ｉ０２膜２をもつＳ ｉ ｊ１！
Ｊ ４反Ｉの上に例えば、Ａ１のポンディングパッド３
を形成し、ついで絶！！賎４としてＰＳＧ膜を厚ざ約１
／Ｚｌ１１を被着形成する。
Ｊ ４反Ｉの上に例えば、Ａ１のポンディングパッド３
を形成し、ついで絶！！賎４としてＰＳＧ膜を厚ざ約１
／Ｚｌ１１を被着形成する。
ついで、ポンディングパッド３の１−のＰＳＧＳｉＯ２
口５を窓開けする。
口５を窓開けする。
第１図（ｂ）はポリＳｉ膜を破着形成した状態を示す。
この図において、−ｈ記間口５を形成したｓ＋２．ｉ板
ｌの表面にＣＶｒ）法により、温度約４２０℃でポリＳ
ｉ膜６を約５００人波着形成する。
ｌの表面にＣＶｒ）法により、温度約４２０℃でポリＳ
ｉ膜６を約５００人波着形成する。
第１図（ｃ）はポリＳｉ膜をパターニングした状態を示
す。
す。
ｉｉ！ｌｌ常のフォＩ・プロセス法でフォトレジストス
クを形成後、Ｃｌｌｈガスを用いてポリＳｉｌｊ４６を
ドライエツチングし、ポンディングパッド３のＡＩ（Ｉ
ｆ’）表出部および開口５の周辺のＰＳＧｎ９４のみを
被覆するようなポリＳ１膜６のパターンを形成する。
クを形成後、Ｃｌｌｈガスを用いてポリＳｉｌｊ４６を
ドライエツチングし、ポンディングパッド３のＡＩ（Ｉ
ｆ’）表出部および開口５の周辺のＰＳＧｎ９４のみを
被覆するようなポリＳ１膜６のパターンを形成する。
第１図（ｄ）＋ｊ’．Ａｕワイヤをボンディングした状
ｍ１を示す。
ｍ１を示す。
この図において、Ｓｉｗ板１は図示しないグイボンディ
ングをした後、Ａｎのワイヤ７をポリＳｉ膜６に対して
、ポンディングパッド３の上のＰＳＧＳｉＯ２口５の部
分で接着する。
ングをした後、Ａｎのワイヤ７をポリＳｉ膜６に対して
、ポンディングパッド３の上のＰＳＧＳｉＯ２口５の部
分で接着する。
ついで、この後の工程で樹脂モールドの外囲が全体に被
せられる。
せられる。
このような構造にすると、耐湿性のあまり良くない樹脂
モールドから水分が侵入しても、ポリＳｉ膜が水分とＡ
Ｉとの接触を妨げるのでへ１コロージョンを防止するこ
とが出来る。
モールドから水分が侵入しても、ポリＳｉ膜が水分とＡ
Ｉとの接触を妨げるのでへ１コロージョンを防止するこ
とが出来る。
また、樹脂モールドを被覆するまでの間、即ちボンディ
ングバンド上にポリＳｉ膜を形成してから組立工程を経
てモールドするまでの間においても、ポンディングパッ
ドのＡ１がコロ−ジョンに対して格段に安全となる。
ングバンド上にポリＳｉ膜を形成してから組立工程を経
てモールドするまでの間においても、ポンディングパッ
ドのＡ１がコロ−ジョンに対して格段に安全となる。
−に記実施例ではワイヤとしてＡｕ綿を使用するものに
ついて説明したが、ＡＩ綿を使用したもので１）ワイヤ
部を別にすればポンディングパッド部ＡＩに対しては変
わりは４「い。
ついて説明したが、ＡＩ綿を使用したもので１）ワイヤ
部を別にすればポンディングパッド部ＡＩに対しては変
わりは４「い。
上記例のように、ポンディングパッドがＡ１で、絶縁膜
はＰＳＧｎりのものについて、特にその効果顕著である
が、他の材料を使用した４）ので４）、このポンディン
グパッド露出部にボ′すＳｉ膜層を被覆する方法は、耐
水性を向」二することが出来る。
はＰＳＧｎりのものについて、特にその効果顕著である
が、他の材料を使用した４）ので４）、このポンディン
グパッド露出部にボ′すＳｉ膜層を被覆する方法は、耐
水性を向」二することが出来る。
また、外囲器として樹脂モール１パ以夕１のセラミック
パッケージ等を使用したノ）のに対し°ζ４） Ｊ川す
ることが出来る。
パッケージ等を使用したノ）のに対し°ζ４） Ｊ川す
ることが出来る。
以上詳細に説明したように、本発明によるボンディング
バンド上をポリＳｉ膜で被覆してボンディングすれば、
この部の耐湿性が向上し、外囲器が樹脂モールＦ型であ
っても、侵入水分によるコロ−ジョンを防くことが出来
る。また、工程中におけるコロ−ジョンも防ぐことが出
来る。
バンド上をポリＳｉ膜で被覆してボンディングすれば、
この部の耐湿性が向上し、外囲器が樹脂モールＦ型であ
っても、侵入水分によるコロ−ジョンを防くことが出来
る。また、工程中におけるコロ−ジョンも防ぐことが出
来る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明におけるワイヤボンディ
ングを説明するための断面模式図、第２図（ａ）〜（ｃ
）は従来例におＬｊるワイヤボンディングを説明するた
めの断面模式図である。 図において、 １ば半導体基板（Ｓｉ基板）、 ２ｔｊ：ＳｉＯ□膜、 ３目ボンデイングパソド（ＡＩ）、 ４は絶縁膜（ＰＳＧ膜）、 ５は開口、 ６はポリシリコン（Ｓｉ）膜、 ７はワイヤ（Ａｕ） ＄２ｇ
ングを説明するための断面模式図、第２図（ａ）〜（ｃ
）は従来例におＬｊるワイヤボンディングを説明するた
めの断面模式図である。 図において、 １ば半導体基板（Ｓｉ基板）、 ２ｔｊ：ＳｉＯ□膜、 ３目ボンデイングパソド（ＡＩ）、 ４は絶縁膜（ＰＳＧ膜）、 ５は開口、 ６はポリシリコン（Ｓｉ）膜、 ７はワイヤ（Ａｕ） ＄２ｇ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板（１）上に形成したボンディングパッド（３
）と、 このボンディングパッド（３）と半導体基板（１）の上
に被着し、且つボンディングパッド（３）の中央部上に
は開口（５）を設けた絶縁膜（４）と、 前記ボンディングパッド（３）の開口（５）により表出
する部分、およびこの開口（５）の周辺の絶縁膜（４）
を被覆するポリシリコン膜（６）とを有し、 この開口（５）の部分でワイヤ（７）をボンディングパ
ッド（３）に接着してなる ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181425A JPS6338236A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181425A JPS6338236A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6338236A true JPS6338236A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16100548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61181425A Pending JPS6338236A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6338236A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0310532U (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP61181425A patent/JPS6338236A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0310532U (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 |
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