JPS6019794A - 新規なアミド安息香酸誘導体 - Google Patents

新規なアミド安息香酸誘導体

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JPS6019794A
JPS6019794A JP12710883A JP12710883A JPS6019794A JP S6019794 A JPS6019794 A JP S6019794A JP 12710883 A JP12710883 A JP 12710883A JP 12710883 A JP12710883 A JP 12710883A JP S6019794 A JPS6019794 A JP S6019794A
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Yukihiko Kinoshita
木下 幸彦
Makio Kitazawa
牧雄 北澤
Ryoji Yamamoto
亮治 山本
Yasushi Nakano
泰志 中野
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Kissei Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Kissei Pharmaceutical Co Ltd
Kissei Yakuhin Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なアミド安息香酸誘導体に関するものであ
る。、更に詳しくいえば、本発明は一般式%式% (式中のR1及びR4はそれぞれ水素原子又は炭素数が
1〜3の低級アルキル基であり、Yは互いに同じでも異
なっていてもよく、炭素数が1〜4の直鎖状又は枝分れ
状の低級アルコキシル基、水酸基及び炭素数が2〜5の
ア/ルオキシ基の中から選ばれる基であり、ηは2又は
3である)で表わされる芳香族カルボン酸誘導体の製造
中間体として有用な、一般式 〔式中のR1は前記と同じ意味をもち R2は水素原子
又はZと隣接炭素原子との間で二重結合を形成するもの
であり、R3は炭素原子数が1〜3の低級アルキル基で
あり、2は式 (ただし、各式中のXIは炭素原子数が1〜1oの直鎖
状又は枝分れ状のアルキル基、フェニル基又は置換フェ
ニル基、X2は炭素原子数が1〜1oの直鎖状又は枝分
れ状のアルコギシル基、Hahn塩素原子、臭素原子又
はヨウ素原子)で示されるリン含有残基である〕 で表わされるアミド安息香酸誘導体に関するものである
一般式(])で表わされる芳香族カルボン酸アミド誘導
体、特に式 で表わされるN−(3,4−ジメトキシシンナモイル)
アントラニル酸は、人を含む哺乳動物において顕著な抗
アレルギー作用を示し、アレルギーに起因する種々の疾
患、例えば気管支ぜん息、アトピー性成フ炎、アレルギ
ー性鼻炎等の予防及び治療用医薬品としてきわめて有用
な化合物である。
 4− この一般式(1)で表わされる化合物は公知の化合物で
あり、その製造方法もいくつか知られている。
これまで、この化合物を製造する方法の中で最も一般的
な方法は、一般式 (式中のR1,Y及びnは前記と同じ意味をもつ)で表
わされる核置換ケイ皮酸類の反応性官能的誘導体と、一
般式 (式中のR4は前記と同じ意味をもつ)で表わされるア
ントラニル酸又はそのエステル類とを反応させる方法で
ある。しかしながら、この製造方法は反応操作が比較的
面倒であり、まだ加熱等による副反応生成物が不純物が
混入し、精製にも手間を要する上に、反応性官能的誘導
体として酸ハロゲン化物を用いる場合、その製造時にハ
ロゲン化水素ガスなどのイ]害なガスが発生する々どの
離点があった3、 本発明者らはこのような問題点を解消すべく研究した結
果、ウイテイヒ(w]ti;i、g)反応を応用するこ
とにより、きわめて簡1iに、効率よく一般式(])で
表わされる化合物を製造できることを見出l〜だ。本発
明はその製造方法において出発原料として用いられる新
規なアミド安息香酸誘導体に関するものである。
すなわち、本発明の一般式(2)の化合物でZが式(X
’)3P= (式中のXlは前記と同じ意味をもつ)で
ある化合物と、あるいは、一般式(2)の化合物でZが
式 (式中のXl 、 y2及びHatは前記と同じ意味を
もつ)である化合物を塩基性物質で処理して、一般式 (式中のR1及びR3は前記と同じ意味をもち z+は
式 %式%) 但し、各式中のXl及びX2は前記と同じ意味をもち、
Bは塩基性物質から誘導される陽イオンである)で表わ
されるリンイリド誘導体を製造した後、これらの化合物
と、一般式 (式中のY及びnは前記と同じ意味をもつ)で表わされ
る核置換ベンズアルデヒド類とを室温ないし冷却下に反
応させ、必要に応じ加水分解することにより容易に一般
式(1)の化合物を得ることができる。
この製造方法は従来の方法に比べ反応操作が非常に簡j
liであり、1だ、反応がきわめて緩イ1表条件で進行
するため副反応が起りにくく最終物の精製も容易である
という利点がある。更に又、全製造過程において従来法
における酸・・ロゲン化物の製造時に発生する・・ロゲ
ン化水素ガスのような有害なガスを発生ずることもない
。したがって、本発明の一般式(2)の化合物を11)
発原料として用いることにより、従来より容易に、効率
よく一般式(1)の化合物を製造することができる。
このように、本発明の一般式(2)で表わされる化合物
は、医薬品として有用々−一般式1)で表わされる芳香
族カルボン酸アミド誘導体の製造中間体としてきわめて
有用である1、 本発明の一般式(2)で表わされるアミド安息香酸誘導
体は以下の」:うにして製造することができる。
す々わち、一般式 %式%(8) (式中のxlは前記と同じ意味をもつ)又は一般式 %式%(9) (式中のX2は前記と同じ意味をもつ)で表わされるリ
ン化合物と、一般式 (式中のR1、R2、R3及びHatは前記と同じ意味
をもつ) で表わされる2−(α−ハロアシルアミノ)安息香酸エ
ステルとを不活性有機溶媒中、例えばベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの中、又は無溶媒で数時間〜十数時間
加熱すれば、一般式(2)の化合物でZが式 (式中のyl 、 X2及びHa7は前記と同じ意味を
もつ) に相当する化合物を製造することができる。このように
して得だ化合物の中でZが式 %式%) (式中のXl及びHa lは前記と同じ意味をもつ)に
相当する化合物は、これを不活性溶媒、例えば水、エチ
ルアルコール、ベンゼン、ジエチルエーテル、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、塩化メチレンなど及びこれら
の混合液中、塩基性物質、例えば水酸化すトリウム、水
酸化カリタス・、水素化すトリウノ1、ナトリウノ・メ
トキシド、ナトリウムエトキシド、ポタシウムーt−ブ
トキシド、ナトリウムアミド、リチウl、アミドなどで
処理することによってZが式 %式%) (式中のXlけ前記と同じ意味をもつ)で表わされる化
合物に変えることができる。
この製造方法において原イ?1として用いられる一般式
(8)及び(9)の化合物はいずれも公知の化合物であ
り、市販品として入手できるが、又は文献記載の方法に
よって容易に製造することができる。このような化合物
として、例えば、トリフェニルポスフィン、トリス(4
−メトキシフェニル)ボスフィン、トリス(4−メチル
フェニル)ボスフィン、トリーn−ブチルホスフィン、
トリーn−オクチルホスフィン、トリメチルホスファイ
ト、トリエチルホスファイト、トリイソプロピルホスフ
ァイト、トリーn−ブチルホスファイト、トリーn−デ
シルホスファイト、などをあげることができる3゜ もう一方の原料として用いられる一般式o1で表わされ
る2−(α−ハロアシルアミノ)安息香酸エステル類も
公知の化合物であり、文献記載の方法により容易に製造
することができる。このようカ化合物として、例えば、
2−(クロルアセチルアミン)安息香酸、2−(ブロム
アセチルアミノ)安息香酸、2−(ヨードアセチルアミ
ノ)安息香酸、2−(2−クロルプロピオニルアミノ)
安息香酸、2−(2−ブロムプロピオニルアミノ)安息
香酸、2−(2−ヨードプロピオニルアミノ)安息香酸
々どの安息片酸類の低級アルキルエステル、例エバメチ
ルエステル、エチルエステル、フロビルエステル々どを
あげることができる。
本発明の一般式(2)で表わされるアミド安息香酸誘導
体は新規な化合物であり、抗アレルギー剤として有用な
一般式(1)で表わされる芳香族カルボン酸アミド誘導
体の製造中間体としてきわめて有用々化合物である。本
発明の一般式(2)の化合物を製造原料として用いるこ
とにより、きわめて単純な操作で容易に効率よく一般式
(1)の芳香族カルボン酸アミド誘導体を得ることがで
きる。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。々
お各実施例中の化合物における融点はすべて未補正であ
る。
実施例1 トリフェニルホスフィン20.01i’ 、!: N−
クロルアセチルアントラニル酸メチル1.2.Ofとを
ベンゼン130m1!に溶解し、17時間加熱還流した
。冷接析出しだ結晶をろ取、乾燥して、〔(2−メトキ
シカルボニルフェニル)カルバモイルメチル〕トリノエ
ニルホスホニウムクロリド9.07を得た。
融点 163〜165℃(分解) 赤外線吸収スペクトル(KBr) ilc=o : 1705 、1670crn’核磁気
共鳴スペクトル(90MH2,cDct3)δ: 3.
70(3H,S)、 5.49 (2H,d、J=15
Hz)7.0〜8.0(1,9H,m)、11.62(
IH,S)元素分析値(C28H2、CtN03Pとし
て)0% H% N% 計算値 68,64 5.14 2.86実測値 68
.42 5.11 2.68実施例2 [(2−メトキシカルボニルフェニル)カルバモイルメ
チル〕トリノエニルホスホニウムクロリド5.16fに
水150 mlとベンゼア100m1を加え、水冷下か
きまぜながら0.48 S’の水酸化ナトリウムを水2
0tnI!に溶かした液を滴下した。滴下後、さらに1
5分間かきまぜた後ベンゼン層を分取し、水洗後無水硫
酸マグネジウドで乾燥した。溶媒を減圧下に留去し、残
留物をベンゼン−ジエチルエーテルで再結晶1−で、[
(2−%1.キンカルボニルフェニル)カルバモイルメ
チレン] l−1)フェニルホスホラン4.77をイ(
iた。
融点 160〜16:3℃ 赤外線吸収スペクトル(KIBr) −〇=O: 1670L−In’ 核磁気共鳴スペクトル(りOMT(Z 、 CDC13
)δ: :1.82 (3H,Ft) 、 6.(i−
8,8(20T−T、m) 。
10.43(IH,S) 元素分析値(C28■1□、、N01Pとして)0% 
I−T% N % 割算値 74. +6 5.33 3.09実測値 7
11.IQ !’i、14 2.86実施例3 トリエチルホスファイト16.OffとN−クロルアセ
チルアントラニル酸メチル9.O5i’とを140〜1
50℃で311S間反応さけ−だ。反応終了後過剰のト
リエチルポスファイトを減圧下に留去して、油状15− 物の[(2−メトキシカルボニルフェニル)カルバモイ
ルメチル〕ホスホン酸ジエチル]、3.0fi′ヲ得た
赤外線吸収スペクトル(液膜) 一〇〇:1685α−1 核磁気共鳴スペクトル(90MH2,O旧13)δ: 
1.33(6H,t、J=7Hz)、3.03(2H,
d。
J=20Hz)、3.89(3H,S)、4.13(2
H。
q、J=7Hz)、4.22(2H,q、、T=7Hz
)。
6.9−8.8 (4H,m) 、 ]、1.22(I
H、S)実施例4 トリイソプロピルホスファイト8.32 fとN −ク
ロルアセチルアントラニル酸メチル9.17とを130
〜140℃で1時間、さらに150℃で30分加熱して
、油状物の〔(2−メトキシカルボニルフェニル)カル
バモイルメチル〕ホスホン酸ジイソプロピル14.22
を得た。
赤外線吸収スペクトル(液膜) uCO: 1680Cn1’ 核磁気共鳴スペクトル(90MH2、CDCl3)=1
6= δ: +、3o(+2n、a、、:r=6nz)、2.
96(2n。
d 、J=22Hz)、 3.86(3H,s)、4.
5〜5−0 (2H+ m ) + 6−9〜8.8 
(4H+ m ) +1、1 、12 (I T(、s
 ) 実施例5 トリエチルホスファイl−7,OfとN−(2−クロル
プロピオニル)アントラニル酸メチル5.07とをアル
ゴン気流下200℃で7時間加熱した。反応終了後過剰
のトリエチルホスファイトを減圧下に留去して、油状物
の+1−〔(2−メトキシカルボニルフェニル)カルバ
モイルメチレンロホン酸ジエチル6.57を得だ。
赤外線吸収スペクトル(液膜) 4CO= 1685an’ 核磁気共鳴スペクトル(90MH2,CDCl3 )δ
: 1.31(6H,1;、J=7Hz)、1.54(
3H。
6−a、 、 J=23)TZ 、 J=7T(Z )
 、 3.05(LH。
(]、Q 、 J=23Hz 、 J=7Hz ) 、
 3.9(3H。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1一般式 〔式中のR1は水素原子又は炭素数が1〜3の低級アル
    キル基であり T(2は水素原子又はZと隣接炭素原子
    との間で二重結合を形成するものであり R3は炭素原
    子数が1〜3の低級アルキル基であり、Zは式 (ただし X+は炭素数が1〜10の直鎖状又は枝分れ
    状のアルギル基、フェニル基又は置換フ 1− エニル基、X2は炭素原子数が1〜10の直鎖状又は枝
    分れ状のアルコキシル基、HaLは塩素原子、臭素原子
    又はヨウ素原子)で示されるリン含有残基である〕 で表わさ・れるアミド安息香酸誘導体。 2式 %式% で表わされる特許請求の範囲第1項記載のアミド安息香
    酸誘導体。 3式 %式% で表わされる特許請求の範囲第1項記載のアミド安息香
    酸誘導体。 4式 で表わされる特M’l’ 請求の範囲第1項記載のアミ
    ド安腑香酸誘導体1. 5式 で表わされる特許請求の範囲第1項記載のアミド安息香
    酸誘導体。 で表わされる特許請求の範囲第1項記載のアミド安息香
    酸誘導体。
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