JPS60208439A - 半導体のリ−ドフレ−ム用銅合金 - Google Patents
半導体のリ−ドフレ−ム用銅合金Info
- Publication number
- JPS60208439A JPS60208439A JP6234584A JP6234584A JPS60208439A JP S60208439 A JPS60208439 A JP S60208439A JP 6234584 A JP6234584 A JP 6234584A JP 6234584 A JP6234584 A JP 6234584A JP S60208439 A JPS60208439 A JP S60208439A
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- JP
- Japan
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- copper alloy
- lead frame
- plating adhesion
- heat resistance
- alloy
- Prior art date
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本）１１８明は半導体Ｉｃｅ、ＬＳＩ等電子機器に使わ
れるリードフレーム用鋼合金に関するものである。
れるリードフレーム用鋼合金に関するものである。
これらの機器は半導体ペレット、リード、ボンディング
ワイヤーによって構成されたものをバーメチ、クシール
、プラスチックシールにより封止したものであり、種々
の型式のものがある。
ワイヤーによって構成されたものをバーメチ、クシール
、プラスチックシールにより封止したものであり、種々
の型式のものがある。
従来これらの機器に使われるリードフレーム拐はコバー
ル、１１２合金等の鉄系材料及びりん青銅、アロイ１９
１１，１９５等の銅系拐料であった。
ル、１１２合金等の鉄系材料及びりん青銅、アロイ１９
１１，１９５等の銅系拐料であった。
しかしながら電子工業の進歩によりこれら機器は小型化
すると同時に半導体チップ上単位面積当１）の記憶素子
の増大が急務となり、従来材よりもすぐれｆＣＣ科料特
性求められている。
すると同時に半導体チップ上単位面積当１）の記憶素子
の増大が急務となり、従来材よりもすぐれｆＣＣ科料特
性求められている。
この必要な特性としては、次の４項目である。
（１）熱及び電気伝導性に非常にすぐれていること。
（２）耐熱性が良いこと。
（３）強度が高いこと。
（’ｌ） メッキ密着性（半田付性）が良いこと。
ところが、従来の鉄系及び銅系材料では強度が高いもの
は熱及び電気特性が劣りまた熱及び電気特性の良好なも
のは、強度が劣ると云うように、両者を兼ね備えた科料
はなかなか存在しなかった。
は熱及び電気特性が劣りまた熱及び電気特性の良好なも
のは、強度が劣ると云うように、両者を兼ね備えた科料
はなかなか存在しなかった。
本発明はかかる状況に鑑み、熱及び電気特性ｌてすぐれ
しかも強度が高く更にリードフレームとしての必要かく
べからざる特性である耐熱性、メッキ密着性（半田付性
）Ｋすぐれた半導体のリードフレーム用銅合金を開発し
たもので、ＣｒＯ，１１〜１１ｗｔ％（以下係と略記）
Ｐｏ、０１〜０１チ、Ｎｉ Ｏ，０５〜１５チを含み残
部がＣｕからなることを特徴とする。
しかも強度が高く更にリードフレームとしての必要かく
べからざる特性である耐熱性、メッキ密着性（半田付性
）Ｋすぐれた半導体のリードフレーム用銅合金を開発し
たもので、ＣｒＯ，１１〜１１ｗｔ％（以下係と略記）
Ｐｏ、０１〜０１チ、Ｎｉ Ｏ，０５〜１５チを含み残
部がＣｕからなることを特徴とする。
このように本発明はＣｕを基材として、Ｏｒ、Ｎｘ、Ｐ
を添加することにより前記特性を改良したものである。
を添加することにより前記特性を改良したものである。
次に各添加元素の作用効果及び成分範囲の限定理由をの
べる。
べる。
ＣＩを銅に添加することにより、強度の向上及び１］熱
性の向上をはかるとともに熱・電気導伝率を劣化させな
い。その添加量が０１１％未満では強邸、耐熱性向上の
作用効果が少く、また、１１チをこえるとこれら特性に
は更にすぐれた性質を示すものが得られるが後述するＮ
ｌ、Ｐの作用効果を減じるだめ１１％以下にとどめた。
性の向上をはかるとともに熱・電気導伝率を劣化させな
い。その添加量が０１１％未満では強邸、耐熱性向上の
作用効果が少く、また、１１チをこえるとこれら特性に
は更にすぐれた性質を示すものが得られるが後述するＮ
ｌ、Ｐの作用効果を減じるだめ１１％以下にとどめた。
またこの範囲ではメッキ密着性も良好である。
壕だＮ１、Ｐは強度向上をはかるとともに耐熱性の向−
１、熱及び電気伝導率の劣化を防ぐ元素である。更にも
う一つの作用は、Ｃｕ−Ｃｒ合金は熱間加１−中に割れ
を生じやすい旧材であるが、これにＮ１、Ｐを添加する
と０ｒ−Ｐ−Ｎｉの間で析出物を作りＣｕ基中に細かく
分散して熱間加工性を向上させる。
１、熱及び電気伝導率の劣化を防ぐ元素である。更にも
う一つの作用は、Ｃｕ−Ｃｒ合金は熱間加１−中に割れ
を生じやすい旧材であるが、これにＮ１、Ｐを添加する
と０ｒ−Ｐ−Ｎｉの間で析出物を作りＣｕ基中に細かく
分散して熱間加工性を向上させる。
Ｐを０．０１〜０１％、Ｎ１を０．０５〜１５％と限定
したのは、これ未満ではその効果が少なく、１だ、これ
を越えると効果が飽和するとともにリードフレームとし
て要求される特性である高強度・高導電性を害するため
である。また一般にＣｕ基中に析出物が存在するとメッ
キ密着性が劣化するがこの範囲内ではそれは生じずむし
ろ改良される傾向にある。
したのは、これ未満ではその効果が少なく、１だ、これ
を越えると効果が飽和するとともにリードフレームとし
て要求される特性である高強度・高導電性を害するため
である。また一般にＣｕ基中に析出物が存在するとメッ
キ密着性が劣化するがこの範囲内ではそれは生じずむし
ろ改良される傾向にある。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
黒鉛ルツボを使用して銅を溶解し、その湯面を木炭粉末
にて僚い、充分に溶解した後ＰＸＨ１、Ｃｒの順に元素
を添加、よく攪拌した後、第１表に示す組成で巾１５（
１ｍ、長さ２００ｍ＋、厚さ２５１１１１１の鋳塊を得
た。次に鋳塊表面を一面あたり、２５閣面削した後、熱
間圧延を行って厚さ８Ｔａ、巾１５０ｍ＋の板を作った
。しかる後焼鈍と圧延をくり返して最終厚さ０２５鴫の
板拐を得た。なお中間焼鈍後の仕上加工率はｌｌＯ係で
あった。
にて僚い、充分に溶解した後ＰＸＨ１、Ｃｒの順に元素
を添加、よく攪拌した後、第１表に示す組成で巾１５（
１ｍ、長さ２００ｍ＋、厚さ２５１１１１１の鋳塊を得
た。次に鋳塊表面を一面あたり、２５閣面削した後、熱
間圧延を行って厚さ８Ｔａ、巾１５０ｍ＋の板を作った
。しかる後焼鈍と圧延をくり返して最終厚さ０２５鴫の
板拐を得た。なお中間焼鈍後の仕上加工率はｌｌＯ係で
あった。
かくして得た供試板拐について、導電率、耐熱性、引張
り強さ、メッキ密着性を測定した。また比較のため従来
品であるアロイ１９４ ＸＣｕ−８ｎ器についても同様
の測定を行った。
り強さ、メッキ密着性を測定した。また比較のため従来
品であるアロイ１９４ ＸＣｕ−８ｎ器についても同様
の測定を行った。
導電率及び引張り強さはＪＩＳ−Ｈ０５０５、ＪＩＳ−
２２２１１１に基いて行った。
２２２１１１に基いて行った。
また耐熱性は前述の圧延供試材からＪＩＳ−２２２０１
に規定する引張り試験片を切出しこれをアルゴンガス雰
囲気中で１１００℃５分間加熱焼鈍した後、引張り試験
を行いその引張り強さを焼鈍前と比較強度へド率が３０
％以下のものを耐熱性良好として○印、５０％をこえる
ものをＸ印とした。
に規定する引張り試験片を切出しこれをアルゴンガス雰
囲気中で１１００℃５分間加熱焼鈍した後、引張り試験
を行いその引張り強さを焼鈍前と比較強度へド率が３０
％以下のものを耐熱性良好として○印、５０％をこえる
ものをＸ印とした。
メッキ密着性は供試料から３０ｘ３０■のサンプルを切
出し、表面を清浄処理した後、Ａｇメッキをつけ友気中
に゛Ｃ加熱してその後のメッキ表面の膨れを観察し、だ
。
出し、表面を清浄処理した後、Ａｇメッキをつけ友気中
に゛Ｃ加熱してその後のメッキ表面の膨れを観察し、だ
。
以上の結果を第１表に示した。
第１表
□
？
第１表から明らかな如く本発明リードフレーム用鉋［合
金は勇屯４′５０〜８う％Ｉ Ａ ＣＳ、引張り強さ１
１９〜６５Ｋｇ／−をｊＪりり、両特性は充分であり又
メッキ密！ｒｆ性、１ｌｌｌ］熱性共に優れていること
がわかる。
金は勇屯４′５０〜８う％Ｉ Ａ ＣＳ、引張り強さ１
１９〜６５Ｋｇ／−をｊＪりり、両特性は充分であり又
メッキ密！ｒｆ性、１ｌｌｌ］熱性共に優れていること
がわかる。
これに対し本発明合金よりもＣｒの少い比較合金１旬１
１は耐熱惰が劣り、Ｃｒの多い比較合金Ｎα１２は、メ
ッキ密着性が悪い。又Ｐの少い比較合金Ｎα１うはメ、
ギ密眉性が劣り、Ｐの多い比較合金１＠１４はメッギ密
イけ（が悪い。又Ｎ１の少い比較合金Ｎ［１１５はメッ
キ密着性が悪（Ｎｌの多い比較合金随１６は導′屯率が
劣る。
１は耐熱惰が劣り、Ｃｒの多い比較合金Ｎα１２は、メ
ッキ密着性が悪い。又Ｐの少い比較合金Ｎα１うはメ、
ギ密眉性が劣り、Ｐの多い比較合金１＠１４はメッギ密
イけ（が悪い。又Ｎ１の少い比較合金Ｎ［１１５はメッ
キ密着性が悪（Ｎｌの多い比較合金随１６は導′屯率が
劣る。
ｔ′、１．上述べた如く本発明半導体リードフレーム用
銅合金は導ＩＬ率、引張り強さ、メッキ密着性、耐Ｐ（
ト性のいずれにおいても優れており現在半導体リードフ
レーム月料に要求されている緒特性を満たすものであり
電子工業」−顕著な効果を奏するものである。
銅合金は導ＩＬ率、引張り強さ、メッキ密着性、耐Ｐ（
ト性のいずれにおいても優れており現在半導体リードフ
レーム月料に要求されている緒特性を満たすものであり
電子工業」−顕著な効果を奏するものである。
Claims (1)
- Ｃｒ ０．１１−１．１ ｗｔ％、ＰＯ，０１−０，１
ｗｔ％、Ｎｘ０．０５〜１．５ ｗｔ％を含み残部がＣ
ｕからなることを崗°徴とする半導体のリードフレーム
用銅合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6234584A JPS60208439A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 半導体のリ−ドフレ−ム用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6234584A JPS60208439A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 半導体のリ−ドフレ−ム用銅合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208439A true JPS60208439A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=13197439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6234584A Pending JPS60208439A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 半導体のリ−ドフレ−ム用銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208439A (ja) |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP6234584A patent/JPS60208439A/ja active Pending
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