JPS60208887A

JPS60208887A - 厚膜多層回路基板

Info

Publication number: JPS60208887A
Application number: JP59065252A
Authority: JP
Inventors: 一夫大石
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1984-04-03
Filing date: 1984-04-03
Publication date: 1985-10-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、絶縁基板上に形成した導体層と抵抗体層の上
部に絶縁ガラス層を形成し、更にこの絶縁ガラス層上に
上部導体層を形成して成る厚膜多層回路基板に関するも
のである。

（従来例の構成とその問題点）近年、電子機器の「軽薄短小化」の有効な手段として、
各種電子回路のハイブリッドＩＣ化が非常に活発化して
おシ、とりわけ回路パターンの交錯部分を絶縁ガラス層
を介してクロスオー・ぐ−構造にした厚膜回路基板の応
用には目ざましいものがある。

以下図面を参照しながら、上述したような従来のクロス
オーバー構造の厚膜回路基板について説明する。第１図
は、従来のクロスオーバー構造の厚膜回路基板の一例を
示すものである。第１図において、１は絶縁基板、２は
絶縁基板上に形成された下部導体層である。３は絶縁が
ラス層で下部導体層と上部導体層のクロス部を絶縁する
。４は絶縁ガラス層上に形成された上部導体層、５は下
部導体層と上部導体層を電気的に接続するコンタクト部
である。６は下部導体層間に形成された抵抗体層である
。また第２図は、これらの断面を示したものである。

以上のように構成された厚膜回路基板は、一般的に下記
の順序によ多形成される。

第１に絶縁基板上に下部導体層を印刷・焼成し、第２に
絶縁ガラス層を印刷・焼成する。第３に、絶縁ガラス層
上に上部導体層を印刷・焼成して、クロスオーバー構造
を形成する。第４として抵抗体層を下部導体層間に印刷
・焼成する。

しかしながら上記のように構成された厚膜回路基板は、
第２図に示したような絶縁ガラス層の膜厚差により、抵
抗体印刷が非常に難しくなシ、抵抗体の印刷ニジミが発
生したり、抵抗値のバラツキが大きくなるという欠点を
有していた。また、これらの欠点を避けるためには、絶
縁ガラス層パターンと抵抗体パターンを充分に離して印
刷する必要があシ、実装密度を向上させる面でも大きな
障害となっていた。

一方、これらの問題を克服した従来例として第３図及び
第４図に示すように、絶縁基板上に導体層と抵抗体層を
それぞれ先に印刷・焼成して形成した後、その上部に絶
縁ガラス層を形成し、更にこの上部に導体層やガラスコ
ートを形成する厚膜多層回路基板の形成が行われている
が、この従来例の利点としては、前記絶縁ガラス層の膜
厚差を伴って後から抵抗印刷する工程と異なシ、先に抵
抗印刷を行なうことで抵抗ニジミによる抵抗値・ぐラツ
キを抑え、しかる後にその上部に絶縁ガラス印刷を施こ
している。第３図において、７は絶縁基板、８はこの絶
縁基板上に形成された下部導体層であシ、９は下部導体
層間に形成された抵抗体層である。１０は絶縁ガラス層
、１１は絶縁ガラス層上に形成された上部導体層、１２
は下部導体層と上部導体層を電気的に接続するコンタク
ト部である。また第４図はこれらの断面図である。しか
し欠点として、絶縁ガラス層は膜厚が厚く、絶縁性能の
向上のため硬質化しておシ、レーザ・ビームが絶縁ガラ
ス層を貫通できないために、下部の抵抗体層をレーザ・
トリミングすることが不可能である点が挙げられる。こ
のため、一定の抵抗値を得ることが難しくなシ、高精度
な抵抗値を必要とする電子機器に使用することが困難で
あシ、応用の分野は極めて限られたものとなる。

（発明の目的）本発明は、以上のような従来の欠点を除去するものであ
り、絶縁基板上に形成された厚膜多層回路において、絶
縁ガラス層の下部に位置する抵抗体のトリミングを可能
ならしめ、その結果、高精度な抵抗値が得られるように
した厚膜多層回路基板を提供するものである。

（発明の構成）この目的を達成するために、本発明の厚膜多層回路基板
は、絶縁基板上に形成された下部導体層と、この下部導
体層間に形成された抵抗体層と、これらを覆い、かつ抵
抗体層上の一部に開口部が設けられた絶縁ガラス層と、
この絶縁ガラス層上面に形成された上部導体層とから構
成されている。

この構成によって絶縁ガラス層下部の抵抗体は、全ての
印刷・焼成工程が終了した後に、開口部を通してトリミ
ングすることが可能となる。

（実施例の説明）以下実施例について図面を参照しながら説明する。第５
図は、本発明の一実施例の厚膜多層回路基板を示したも
のである。第５図において１３は絶縁基板、１４はこの
絶縁基板上に形成された下部導体層であシ、１５は下部
導体層間に形成された抵抗体層である。１６は絶縁ガラ
ス層、１７は絶縁ガラス層上に形成された上部導体層、
１８は下部導体層と上部導体層を電気的に接続するコン
タクト部である。１９は絶縁ガラス層に設けた抵抗体修
正用の開口部である。また第６図はこれらの断面を示し
ている。

本実施例の厚膜多層回路基板は、抵抗体修正用の開口部
の部分を除けば、すべての絶縁ガラス表面上に上部導体
を形成することが可能であシ、従来の厚膜多層回路基板
に比べて、実装密度の低下はほとんど無視できる。しか
も、抵抗体修正用の開口部を通してレーザ・ビームを照
射することによって高精度な抵抗値修正を行なうことが
できる。

第５図は、本発明の他の実施例を示す厚膜多層回路基板
の断面図である。同図において、２０は絶縁基板、２１
は第１導体層、２２は第１抵抗体層、２３は第１絶縁ガ
ラス層、２４は第２導体層であり、ここまでは第６図の
実施例と同様な構成である。本実施例では、更に、第２
導体層間に多層２７を設けている。尚、２８ａは第１抵
抗体層修正用の開口部、２８ｂは第２抵抗体層修正用の
開口部であり、２９ａと２９ｂは前記各導体層間のコン
タクト部である。

本実施例は、第１の実施例の絶縁ガラス層上を絶縁基板
の表面とみなし、本発明の構成を２段に実施したもので
あシ、多層回路を構成する各層の抵抗体を絶縁ガラス層
に設けた開口部を通してレーザ・ビームを照射すること
によシ高精度な抵抗値を得るものである。

（発明の効果）以上説明したように本発明によれは、絶縁基板上に形成
された下部導体層と抵抗体層上を覆い−１かつ抵抗体層
上の一部に開口部を設けた絶縁ガラス層を形成すること
によシ、全ての印刷・焼成工程終了後にこの開口部を通
して抵抗体にレーザ・ビームを照射し、高精度な抵抗値
修正が可能となり、そのため、従来の厚膜多層回路基板
に比べて実装密度をほとんど下げることなく、広範囲な
電子機器へ使用し得る厚膜多層回路基板を提供すること
ができ、その実用的効果は大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のクロスオー・ぐ−構造の厚膜回路基板
の平面図、第２図は、同断面図、第３図は、従来の他の
厚膜多層回路基板の平面図、第４図は、同断面図、第５
図は、本発明の一実施例の平面図、第６図は、同断面図
、第７図は、本発明の他の実施例の断面図である。１３　、２０・・・絶縁基板、１４・・・下部導体層、
１５・・・抵抗体層、１６・・・絶縁ガラス層、１７・
・・上部導体層、１８・・・コンタクト部、１９・・・
開口部、２１・・・第１導体層、２２・・・第１抵抗体
層、２３・・・第１絶縁ガラス層、２４・・・第２導体
層、２５・・・第２抵抗体層、２６・・・第２絶縁ガラ
ス層、２７・・・第３導体層、２８ａ、２８ｂ・・・開
口部。第１図第２図第３因第４図第５図第６図第７図

Claims

【特許請求の範囲】

絶縁基板上に形成された下部導体層と、該下部導体層間
に形成された抵抗体層と、前記下部導体層及び抵抗体層
を覆い、かつ前記抵抗体層上の一部に開口部が設けられ
た絶縁ガラス層と、該絶縁ガラス層上に形成された上部
導体層とからなシ、前記開口部を通して前記抵抗体層の
抵抗値修正を行なうようにしたことを特徴とする厚膜多
層回路基板。