JPS5965409A - 多層厚膜抵抗器の製造方法 - Google Patents
多層厚膜抵抗器の製造方法Info
- Publication number
- JPS5965409A JPS5965409A JP57175712A JP17571282A JPS5965409A JP S5965409 A JPS5965409 A JP S5965409A JP 57175712 A JP57175712 A JP 57175712A JP 17571282 A JP17571282 A JP 17571282A JP S5965409 A JPS5965409 A JP S5965409A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- layer
- insulating layer
- thick film
- resistors
- Prior art date
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は抵抗ペーストを用いて抵抗体を多層に形成した
いわゆる多層厚膜抵抗器の製造方法に関する。
いわゆる多層厚膜抵抗器の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
一般に多層厚膜抵抗器を製造する場合には第１図−９第
２図に示すように先ずセラミック等の基板１に第１層目
の回路パターンを構成する導体層２を印刷、乾燥、焼成
して形成し、上記導体層２間に第、層＾抗体３を印刷、
乾燥、焼成して形成する・そしてその後上記抵抗体３に
レーザ光線等を当てて上記抵抗体３の一部に切欠４を形
成し、上記抵抗体３の抵抗値を規定の値に調整し、しか
る後上記抵抗体３を保護し、かつ上の層との区切りをす
るために上記抵抗体３．上記導体層２を含む全面に低誘
電率のガラス質の絶縁層５を印刷。
２図に示すように先ずセラミック等の基板１に第１層目
の回路パターンを構成する導体層２を印刷、乾燥、焼成
して形成し、上記導体層２間に第、層＾抗体３を印刷、
乾燥、焼成して形成する・そしてその後上記抵抗体３に
レーザ光線等を当てて上記抵抗体３の一部に切欠４を形
成し、上記抵抗体３の抵抗値を規定の値に調整し、しか
る後上記抵抗体３を保護し、かつ上の層との区切りをす
るために上記抵抗体３．上記導体層２を含む全面に低誘
電率のガラス質の絶縁層５を印刷。
乾燥、焼成して形成する。そして、その後、上記絶縁層
５の上面に第２層目の導体層６．抵抗体７をそれぞれ第
１層目と同じように印刷、乾燥、焼成して形成し、第２
層目の抵抗体７に第１層目の抵抗体３と同じように切欠
８を形成してその抵抗値を規定の値に調整する。
５の上面に第２層目の導体層６．抵抗体７をそれぞれ第
１層目と同じように印刷、乾燥、焼成して形成し、第２
層目の抵抗体７に第１層目の抵抗体３と同じように切欠
８を形成してその抵抗値を規定の値に調整する。
このようにして、順次第３層目、第４層目と言った具合
に多層に抵抗体を形成し、最後に最も上の層の抵抗体に
これを保護するためのオーバコート用のガラス質の絶縁
層を印刷、乾燥、焼成して形成する。そして最も上の層
の抵抗体に、上記オーバコート用の絶縁層を介してレー
ザ光線を当て、その抵抗値を調整するための切欠を形成
する。
に多層に抵抗体を形成し、最後に最も上の層の抵抗体に
これを保護するためのオーバコート用のガラス質の絶縁
層を印刷、乾燥、焼成して形成する。そして最も上の層
の抵抗体に、上記オーバコート用の絶縁層を介してレー
ザ光線を当て、その抵抗値を調整するための切欠を形成
する。
第１図、第２図に示す具体例では抵抗体が２層形成され
ているだけであるため、第２層目の抵抗体７が最も上の
層の抵抗体であり、したがってオーバコート用の絶縁層
９は上記抵抗体７を形成した後、直ちにその上に形成さ
れる。そして、切欠８はオーバコート用の絶縁層９を形
成した後、このオーバコート用の絶縁層９を介して上記
抵抗体７にレーザ光線を当てることにより形成されるの
が普通である。
ているだけであるため、第２層目の抵抗体７が最も上の
層の抵抗体であり、したがってオーバコート用の絶縁層
９は上記抵抗体７を形成した後、直ちにその上に形成さ
れる。そして、切欠８はオーバコート用の絶縁層９を形
成した後、このオーバコート用の絶縁層９を介して上記
抵抗体７にレーザ光線を当てることにより形成されるの
が普通である。
ところで従来より使用されているこの種の多層厚膜抵抗
器の製造方法では各層毎に抵抗体を形成し、直ちにその
抵抗値を調整するための切欠を形成しているため、引き
続いて多層に抵抗体を形成する際、一旦調整された抵抗
値が矢幅に狂ってし甘うことがあるという問題があった
。すなわち、第１図、第２図に示す２層の厚膜抵抗器で
も、第１層目の抵抗体３が層間に形成される絶縁層６゜
第２層目の導体層６．抵抗体７０度重なる焼成工程にお
いてその抵抗値が大きく変化することがあり、仮に切欠
４によってその抵抗値が正確に規定の値に調整されてい
たとしても最終的にその抵抗値が規定の値より大きくず
れてしまうという問題があった。
器の製造方法では各層毎に抵抗体を形成し、直ちにその
抵抗値を調整するための切欠を形成しているため、引き
続いて多層に抵抗体を形成する際、一旦調整された抵抗
値が矢幅に狂ってし甘うことがあるという問題があった
。すなわち、第１図、第２図に示す２層の厚膜抵抗器で
も、第１層目の抵抗体３が層間に形成される絶縁層６゜
第２層目の導体層６．抵抗体７０度重なる焼成工程にお
いてその抵抗値が大きく変化することがあり、仮に切欠
４によってその抵抗値が正確に規定の値に調整されてい
たとしても最終的にその抵抗値が規定の値より大きくず
れてしまうという問題があった。
発明の目的
本発明は以上のような従来の欠点を除去するものであり
、簡単な構成で抵抗値を正確に規正できる優れた多層厚
膜抵抗器およびその製造方法を提供するものである。
、簡単な構成で抵抗値を正確に規正できる優れた多層厚
膜抵抗器およびその製造方法を提供するものである。
発明の構成
本発明は各層の導体層、抵抗体を全て形成した後、各層
の抵抗体にレーザ光線を当て、各抵抗体にその抵抗値を
調整するための切欠を形成するように構成したものであ
る。したがって、本発明によれば簡単にかつ容易に正確
に抵抗値を調整することができ、実用上、きわめて有利
であるという利点を有する。
の抵抗体にレーザ光線を当て、各抵抗体にその抵抗値を
調整するための切欠を形成するように構成したものであ
る。したがって、本発明によれば簡単にかつ容易に正確
に抵抗値を調整することができ、実用上、きわめて有利
であるという利点を有する。
実施例の説明
第３図、第４図は本発明の多層厚膜抵抗器の一実施例を
示すものであり、第３図、第４図において第１図、第２
図と同一符号を伺したものは第１図、第２図と同一のも
のを示している１、そして、１０は層間に形成された絶
縁層６の抵抗体３に対向する部分に形成された透孔、１
１はこの透孔１゜を覆うように上記抵抗体３の上面に形
成されたオーバコート用の絶縁層である。
示すものであり、第３図、第４図において第１図、第２
図と同一符号を伺したものは第１図、第２図と同一のも
のを示している１、そして、１０は層間に形成された絶
縁層６の抵抗体３に対向する部分に形成された透孔、１
１はこの透孔１゜を覆うように上記抵抗体３の上面に形
成されたオーバコート用の絶縁層である。
尚、オーバコート用の絶縁層９，１１は共に抵抗体７，
３に切欠８，４を形成する際に通常使用される波長０．
５〜０．２μｍのレーザ光線に対してその吸収率が１０
％以上のもので形成されている。
３に切欠８，４を形成する際に通常使用される波長０．
５〜０．２μｍのレーザ光線に対してその吸収率が１０
％以上のもので形成されている。
第３図、第４図に示す多層厚膜抵抗器は次のような工程
で製造される。先ず、アルミナ等のセラミック基板１に
第１層目の回路パターンを構成する導体層２を印刷、乾
燥、焼成して形成する。そして、次にこの導体層２，２
間に第１層目の抵抗体３を印刷、乾燥、焼成して形成す
る。その後、上記抵抗体３の全部又は一部を除いて全面
に低誘電率のたとえばガラス等より成る絶縁層６を印刷
。
で製造される。先ず、アルミナ等のセラミック基板１に
第１層目の回路パターンを構成する導体層２を印刷、乾
燥、焼成して形成する。そして、次にこの導体層２，２
間に第１層目の抵抗体３を印刷、乾燥、焼成して形成す
る。その後、上記抵抗体３の全部又は一部を除いて全面
に低誘電率のたとえばガラス等より成る絶縁層６を印刷
。
乾燥、焼成して形成し、いわゆる上記抵抗体３に対向す
る部分に透孔１ｏを有する層間の絶縁層６を形成する。
る部分に透孔１ｏを有する層間の絶縁層６を形成する。
そして、その後、この絶縁層・５の上面に第２層目の導
体層６．抵抗体７をそれぞれ第１層目の導体層２．抵抗
体３と同じように別々に印刷、乾燥、焼成して形成する
。
体層６．抵抗体７をそれぞれ第１層目の導体層２．抵抗
体３と同じように別々に印刷、乾燥、焼成して形成する
。
第３図、第４図に示す実施例では第２層目が最も上の層
であるため、・この層の抵抗体７を形成した後、上記抵
抗体７の上面及び上記透孔１ｏを通して露出している第
１層目の抵抗体３の上面にそれぞれレーザ光線の吸収率
が１０％以上のオ−バコート用の絶縁層９，１１を形成
する。そして、その後、上記抵抗体７，３にそれぞれオ
ーバコート用の絶縁層９，１０を介してレーザ光線を当
て、ゲ 上記抵抗体７，３にそれぞれ切欠８．βを形成し上記抵
抗体７，３の抵抗値を規定の値に調整する。
であるため、・この層の抵抗体７を形成した後、上記抵
抗体７の上面及び上記透孔１ｏを通して露出している第
１層目の抵抗体３の上面にそれぞれレーザ光線の吸収率
が１０％以上のオ−バコート用の絶縁層９，１１を形成
する。そして、その後、上記抵抗体７，３にそれぞれオ
ーバコート用の絶縁層９，１０を介してレーザ光線を当
て、ゲ 上記抵抗体７，３にそれぞれ切欠８．βを形成し上記抵
抗体７，３の抵抗値を規定の値に調整する。
このようにすると、第１層目の抵抗体３も層間の絶縁層
らに影響されず正確にその抵抗値を調整することができ
る。すなわち、上記実施例によれば第１層目の抵抗体３
に対向して層間の絶縁層５に透孔１０を形成し、ここに
レーザ光線の吸収率が１０係以上のオーバコート用絶縁
層１１を形成し、しかる後、上記抵抗体３に上記オーバ
コート用絶縁層１１を介してレーザ光線を当てるように
しているため、上記層間の絶縁層６が如何なる材質のも
のであろうとも上記レーザ光線が上記層間の絶縁層６に
関係なく常に正確に抵抗体３に照射されることになシ、
抵抗体３に正確に切欠４が形成されることになる。そし
て、上記実施例によれば各層の抵抗体を全て形成した後
、切欠を形成するようにしているため先に形成した倫馳
本が後で形成される層間の絶縁層や導体層、抵抗体等の
焼成工程においてその抵抗値が大きく変化したとしても
最終的に上記切欠によって上記抵抗値の変化を吸収する
ことができ、常に正確な抵抗値の抵抗体を得ることがで
きるという利点を有する。
らに影響されず正確にその抵抗値を調整することができ
る。すなわち、上記実施例によれば第１層目の抵抗体３
に対向して層間の絶縁層５に透孔１０を形成し、ここに
レーザ光線の吸収率が１０係以上のオーバコート用絶縁
層１１を形成し、しかる後、上記抵抗体３に上記オーバ
コート用絶縁層１１を介してレーザ光線を当てるように
しているため、上記層間の絶縁層６が如何なる材質のも
のであろうとも上記レーザ光線が上記層間の絶縁層６に
関係なく常に正確に抵抗体３に照射されることになシ、
抵抗体３に正確に切欠４が形成されることになる。そし
て、上記実施例によれば各層の抵抗体を全て形成した後
、切欠を形成するようにしているため先に形成した倫馳
本が後で形成される層間の絶縁層や導体層、抵抗体等の
焼成工程においてその抵抗値が大きく変化したとしても
最終的に上記切欠によって上記抵抗値の変化を吸収する
ことができ、常に正確な抵抗値の抵抗体を得ることがで
きるという利点を有する。
尚、第３図、第４図に示す実施例では導体層。
抵抗体をそれぞれ２層形成しただけであるが、３層、４
層と多層に形成しても同様に構成することができる。ま
た、第３図、第４図に示す実施例では層間の絶縁層６に
透孔１０を形成し、ここにオーバコート用の絶縁層１１
を形成しているが層間の絶縁層６をオーバコート用絶縁
層９と同じようにレーザ光線の吸収率が１０係以上のも
のを用いた場合には上記透孔１ｏ及び上記オーバコート
用絶縁層１１を形成しなくても同様に構成することがで
きる。
層と多層に形成しても同様に構成することができる。ま
た、第３図、第４図に示す実施例では層間の絶縁層６に
透孔１０を形成し、ここにオーバコート用の絶縁層１１
を形成しているが層間の絶縁層６をオーバコート用絶縁
層９と同じようにレーザ光線の吸収率が１０係以上のも
のを用いた場合には上記透孔１ｏ及び上記オーバコート
用絶縁層１１を形成しなくても同様に構成することがで
きる。
発明の効果
本発明は上記実施例より明らかなように各層の導体層、
抵抗体をそれぞれ層間の絶縁層を介して多層に形成し、
しかる後、上記抵抗体にレーザ光線を当て、上記抵抗体
にその抵抗値を調整するだめの切欠を形成するようにし
たものであり、各層の導体層、抵抗体の焼成工程におい
て先に形成された抵抗体の抵抗値が変化したとしても最
終的に上記切欠によって上記抵抗値の変化を吸収し、正
確に抵抗値を規定の値に調整することができ、簡単にか
つ容易に正確な抵抗値の抵抗体を得ることができるとい
う利点を有する。そして、本発明によれば各層の抵抗体
を形成する毎に切欠を形成する必要がなく、最終的にま
とめて一工程で切欠を形成することができ、その製造も
著しく容易になるという利点を有する。
抵抗体をそれぞれ層間の絶縁層を介して多層に形成し、
しかる後、上記抵抗体にレーザ光線を当て、上記抵抗体
にその抵抗値を調整するだめの切欠を形成するようにし
たものであり、各層の導体層、抵抗体の焼成工程におい
て先に形成された抵抗体の抵抗値が変化したとしても最
終的に上記切欠によって上記抵抗値の変化を吸収し、正
確に抵抗値を規定の値に調整することができ、簡単にか
つ容易に正確な抵抗値の抵抗体を得ることができるとい
う利点を有する。そして、本発明によれば各層の抵抗体
を形成する毎に切欠を形成する必要がなく、最終的にま
とめて一工程で切欠を形成することができ、その製造も
著しく容易になるという利点を有する。
第１図は従来の多層厚膜抵抗器の概略正面図、第２図は
同抵抗器のムーＡ′断面図、第３図は本発明の製造方法
によって得られた多層厚膜抵抗器における一実施例の概
略正面図、第４図（は同実施例のＢ−Ｂ’断面図である
。 １・・・・・・基板、２，６・・・・・・導体層、３，
７・・・・・・抵抗層、４゛、８・・・・・・切欠、６
・・・・・・層間絶縁層、９゜１１・・・・・・オーバ
コート絶縁層、１０・・・・・・透孔。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
同抵抗器のムーＡ′断面図、第３図は本発明の製造方法
によって得られた多層厚膜抵抗器における一実施例の概
略正面図、第４図（は同実施例のＢ−Ｂ’断面図である
。 １・・・・・・基板、２，６・・・・・・導体層、３，
７・・・・・・抵抗層、４゛、８・・・・・・切欠、６
・・・・・・層間絶縁層、９゜１１・・・・・・オーバ
コート絶縁層、１０・・・・・・透孔。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）低誘電率の層間絶縁層を介して多層に各層の導体
層、抵抗体を順次印刷、乾燥、焼成し、すべての層の導
体層、抵抗体を形成した後、上記各層の抵抗体にレーザ
光線を照射し、上記各抵抗体にそれぞれその抵抗値を調
整する切欠を形成するようにした多層厚膜抵抗器の製造
方法。 ？） 低誘電率の層間絶縁層を形成するに際し、その下
に存在する抵抗体の一部又は全部に対向して透孔が形成
されるように上記械抗体の一部又は全部を除いて上記層
間絶縁層を印刷、乾燥。 焼成し、しかる後上記層間絶縁層に形成された透孔にレ
ーザ光線の吸収率が１０チ以上のオーバコートガラス層
を形成するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の多層厚膜抵抗器の製造方法。 （３）層間絶縁層をレーザ光線の吸収率が１０チ以上の
もので形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の多層厚膜抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175712A JPS5965409A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 多層厚膜抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175712A JPS5965409A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 多層厚膜抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965409A true JPS5965409A (ja) | 1984-04-13 |
Family
ID=16000914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57175712A Pending JPS5965409A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 多層厚膜抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965409A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140861A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-24 | Siemens Ag | Method of adjusting electric circuit network of synthetic resin foil |
| JPS5479457A (en) * | 1977-12-08 | 1979-06-25 | Nichicon Capacitor Ltd | Resistance body |
-
1982
- 1982-10-06 JP JP57175712A patent/JPS5965409A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140861A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-24 | Siemens Ag | Method of adjusting electric circuit network of synthetic resin foil |
| JPS5479457A (en) * | 1977-12-08 | 1979-06-25 | Nichicon Capacitor Ltd | Resistance body |
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