JPS60257578A - モノリシツクマイクロ波増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、マイクロ波を増幅するモノリシックマイク
ロ波増幅器に関するものである。

〔従来技術〕

モノリシックマイクロ波増幅器とは、ＦＥＴとその整合
回路・バイアス回路等を同一基板上に形成し、所望の特
性を得るものである。このモノリシック化での重要技術
の１つに、パイ７ホール技術がある。これは基板に貫通
孔を形成し、ＦＥＴのソース等を底面の接地面と導通さ
せ、インダクタンスの小さい接地を得るものである。こ
の基板に形成した穴の穴埋を完全、かつ平たんに行うこ
とが重要となって（・る。

従来、この塊の一般的な方法として第１図に示すものが
あった。第１図（ａ）、（ｂ）はチップの各工程におけ
る断面図である。これらの図において、１は基板、２は
この基板１に形成されたエツチング穴、３はこのエツチ
ング穴２にメッキ充填された金層である。この金層３の
形成工程は、まず、基板１の厚みを要求基板厚ａに設定
したウェハをエツチングしてエツチング穴２を形成する
。次Ｋ。

金メッキによりエツチング穴２の充填を行い、金層３を
形成する。

金メッキの際は、第２図に示すパターンを有するマスク
４を用い、このマスク４のチップ枠５によりダイシング
ラインに金メッキが施されないよ５に考慮しており、か
つ、金メツキパターン６により第１図（ｂ）の金層３が
形成される。

しかし、上記従来の方法では、エツチング穴２０表面に
一定の厚みで金層３が形成されるだけで、エツチング穴
２が完全に充填されていないので、放熱効果が悪く、か
つ、耐久性が低い等の欠点があった。

〔発明の概要〕

この発明は、上記従来のものの欠点を除去するためにな
されたもので、銅等の導体金属をエツチング穴に充填し
た後、ラッピングにより要求基板厚を得るようにし、か
つ、エツチング穴への完全充填を行うことを目的として
いる。以下この発明を図面について説明する。

〔発明の実施例〕

第３図（ａ）　＝　（Ｃ）はこの発明の一実施例を説明
するための工程を示す断面図である。まず、第３図（ａ
）のよ５に基板１を要求基板厚３以上のつ工、ｑ　′ｖ
−ｅ５１Ｌ−ｃｍキ、　ＭｔｉｏＭ＆（１）Ｐｆｒ’！
！１ａｆｋＫＷｒ”ｌ！深さのエツチング穴２を形成後
、銅・金・ニッケル等の導体金属１を用い全面メッキに
より第３図（ｂ）のようにエツチング穴２の充填を行う
。七の後、基板１を導体金属１とともにラッピングして
第３図（Ｃ）のように、要求基板厚ａに調整する。

〔発明の効果〕

以上説明したよ５に、この発明は、基板を要求基板厚よ
り厚く形成しておき、この基板の底面の所要部分に所定
深さのエツチング穴を形成し、このエツチング穴に導体
金属を充填した後、前記基板を導体金属とともにラッピ
ング忙よって所要の基板厚を得るようにしたので、エツ
チング穴は完全に充填される。したがって、耐久性およ
び放熱効果が高まり、その形状からキャリア付は作業も
簡略化される。特Ｋ、放熱効果の向上は高出力増幅器に
は大きく影響する。しかも、基板全面に導体金属を形成
するのでマスクが不要となる等の利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は従来の穴埋め方法における各工
程の断面図、第２図は金メッキの除用いるマスクパター
ンの平面図、第３図＜８）〜（Ｃ）はこの発明の一実施
例を説明するための工程を示す断面図である。 図中、１は基板、２はエツチング穴、Ｉは導体金属であ
る。 代理人　大岩垢離　（外２名） 第１図 （ａ）　（ｂ　） 第２図 第３図 （ａ）　（ｂ）　（ｃ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に形成されたＦＥＴのソース等を底面の接地面Ｅ
   導通させるモノリシックマイクロ波増幅器において、前
   記基板の底面の所要部分に所要深さのエツチング穴を形
   成し、このエツチング穴に導体金属を充填した後、前記
   基板を前記導体金属とともにラッピング罠より所定基板
   厚に形成したことを特徴とするモノリシンクマイクロ波
   増幅器。