JPS6035330A - 磁気記録媒体及びその製造法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録媒体及びその製造方法に係り、特に
磁性層上にオーバコート層を有する薄膜形磁気記録媒体
において、オーバコート層をプラズマ重合層とその上に
形成された有機物処理層により構成し、スペーシングロ
スを少なくしかつ走行性、耐摩耗性及び耐蝕性を改良し
た磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
磁性層上にオーバコート層を有する薄膜形磁気記録媒体
において、オーバコート層をプラズマ重合層とその上に
形成された有機物処理層により構成し、スペーシングロ
スを少なくしかつ走行性、耐摩耗性及び耐蝕性を改良し
た磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
従来技術
従来の磁気記録媒体の多くは、いわゆる塗布形磁気記録
媒体に属している。これは強磁性粉末を塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等
の樹脂からなる結合剤に混純分散させた磁性塗料を支持
体上に塗布乾燥させて磁気記録媒体を形成したものであ
る。しかしながら、この塗布形磁気記録媒体は、酸化鉄
のような金属酸化物を磁性材料に使用しているため強磁
性金属よりは飽和磁化が小さいことと、磁性材料の充填
密度が結合剤の分だけ小さいことのため高密度記録がで
きにくいのみならず、塗布膜の膜厚が大きくなるため例
えばビディオ機器に使用された場合磁気ヘッドに走査さ
れる部分は塗布膜の表層部に限られるので塗布膜の走査
されないでロスになる部分すなわちスペーシングロスが
大きくなり、その結果再生出力も小さくならざるを得な
いという欠点がある。
媒体に属している。これは強磁性粉末を塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等
の樹脂からなる結合剤に混純分散させた磁性塗料を支持
体上に塗布乾燥させて磁気記録媒体を形成したものであ
る。しかしながら、この塗布形磁気記録媒体は、酸化鉄
のような金属酸化物を磁性材料に使用しているため強磁
性金属よりは飽和磁化が小さいことと、磁性材料の充填
密度が結合剤の分だけ小さいことのため高密度記録がで
きにくいのみならず、塗布膜の膜厚が大きくなるため例
えばビディオ機器に使用された場合磁気ヘッドに走査さ
れる部分は塗布膜の表層部に限られるので塗布膜の走査
されないでロスになる部分すなわちスペーシングロスが
大きくなり、その結果再生出力も小さくならざるを得な
いという欠点がある。
近年、記録すべき情報量の増大に伴い高密度記録が可能
な磁気記録媒体の出現がのぞまれるようになってきた。
な磁気記録媒体の出現がのぞまれるようになってきた。
このようなものとしては磁性材料の充填密度を高めるこ
とが出来るとともに飽和磁化を大きくできるものが好ま
しいが、このようなものとして強磁性金属層を支持体」
二に直接設けたいわゆる薄膜形磁気記録媒体が真空蒸着
法、スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ等
の方法により作成可能になってきた。
とが出来るとともに飽和磁化を大きくできるものが好ま
しいが、このようなものとして強磁性金属層を支持体」
二に直接設けたいわゆる薄膜形磁気記録媒体が真空蒸着
法、スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ等
の方法により作成可能になってきた。
しかし、このような薄膜形磁気記録媒体の強磁性層は空
気中にさらされるとその金属が酸素や水分により酸化さ
れるので耐蝕性に乏しく、また、機械的強度が弱(摩擦
係数も大きいため磁気ヘッド、ガイIζローラ、ライナ
等との摩擦により傷がつき易い。このように酸化腐食さ
れることにより生成される例えは酸化鉄は飽和磁化が小
さくなりそれだけ記#I媒体としての記録密度を減少さ
せるのめならず、この腐食された部分や傷が生じた部分
がノイズの原因になることもある。このように強磁性層
の摩擦係数が大きいことはまた、上記磁気ヘッド等に接
触するときの走行性が良くないことにもなり、これは一
定速度で記録又は再生することを妨げ、記録又は再生の
質を低下させる原因になっている。
気中にさらされるとその金属が酸素や水分により酸化さ
れるので耐蝕性に乏しく、また、機械的強度が弱(摩擦
係数も大きいため磁気ヘッド、ガイIζローラ、ライナ
等との摩擦により傷がつき易い。このように酸化腐食さ
れることにより生成される例えは酸化鉄は飽和磁化が小
さくなりそれだけ記#I媒体としての記録密度を減少さ
せるのめならず、この腐食された部分や傷が生じた部分
がノイズの原因になることもある。このように強磁性層
の摩擦係数が大きいことはまた、上記磁気ヘッド等に接
触するときの走行性が良くないことにもなり、これは一
定速度で記録又は再生することを妨げ、記録又は再生の
質を低下させる原因になっている。
このような薄膜形磁気記録媒体の欠点を改善するために
、これまで強磁性層上にオーバコート層を塗布、寞空蒸
着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法に
より設ける試みがなされてきた。このようなものとして
は次のようなものが挙げられる。
、これまで強磁性層上にオーバコート層を塗布、寞空蒸
着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法に
より設ける試みがなされてきた。このようなものとして
は次のようなものが挙げられる。
■真空蒸着法により、ロジウム、クロムのような金属や
IQC,TiO2、CaF 2 、MgF 2のような
高硬度無機物、金属石鹸のような潤滑性有機物によるオ
ーバコート層を設ける。
IQC,TiO2、CaF 2 、MgF 2のような
高硬度無機物、金属石鹸のような潤滑性有機物によるオ
ーバコート層を設ける。
■潤滑性有機物を塗布する塗布法により潤滑性有機物含
有層のオーバコ−1へ層を設ける。
有層のオーバコ−1へ層を設ける。
■プレポリマー液を塗布した後、塗布膜に紫外線を照射
して重合反応を起こさせて重合体のオーバコート層を設
ける。
して重合反応を起こさせて重合体のオーバコート層を設
ける。
■特開昭57−167132号公報、同57−1671
33号公報、同57−167134号公報に記載されて
いるように、強磁性層」二に窒素ガス又は酸素ガスのイ
オン又はこれらのガスをプラズマ処理することにより窒
化膜、酸化膜を形成する。
33号公報、同57−167134号公報に記載されて
いるように、強磁性層」二に窒素ガス又は酸素ガスのイ
オン又はこれらのガスをプラズマ処理することにより窒
化膜、酸化膜を形成する。
■特開昭57−135442号公報に記載されているよ
うに強磁性層上に、非弗素含有モノマーガスと含弗素有
機物上ツマーガスをプラズマ重合させてこの重合体のオ
ーバコートWJを設ける。
うに強磁性層上に、非弗素含有モノマーガスと含弗素有
機物上ツマーガスをプラズマ重合させてこの重合体のオ
ーバコートWJを設ける。
■昭和58年電子通信学会総会全国大会No、175(
1983>に報告されているように、有機珪素系プラズ
マ重合膜のオーバーコート層を設ける。
1983>に報告されているように、有機珪素系プラズ
マ重合膜のオーバーコート層を設ける。
■特開昭57−164434号公報に記載されているよ
うに磁性金属蒸着薄膜の表面をグロー処理した後、高分
子と潤滑剤を蒸着したオーバ−コートを設ける。
うに磁性金属蒸着薄膜の表面をグロー処理した後、高分
子と潤滑剤を蒸着したオーバ−コートを設ける。
しかしながら、上記■、■で得られた蒸着膜及び塗布膜
は、膜強度が小さく、特に高分子塗布膜の場合は薄膜に
するのが困難で膜厚力5I¥<なり、そのためスペーシ
ングロスを生じ出力低下を招く。
は、膜強度が小さく、特に高分子塗布膜の場合は薄膜に
するのが困難で膜厚力5I¥<なり、そのためスペーシ
ングロスを生じ出力低下を招く。
また、■の方法で得られた塗布硬化層は、すべり性があ
まりないので長期にわたり潤滑特性を維持することが困
難である。また、■の方法で得られた窒化、酸化膜は走
行性の点で安定性を欠く。また、■の方法で得られた弗
素含有有機物からなるプラズマ重合体のオーバコート層
は、走行性、耐摩擦性の点で満足な特性が得られない。
まりないので長期にわたり潤滑特性を維持することが困
難である。また、■の方法で得られた窒化、酸化膜は走
行性の点で安定性を欠く。また、■の方法で得られた弗
素含有有機物からなるプラズマ重合体のオーバコート層
は、走行性、耐摩擦性の点で満足な特性が得られない。
また、■の有機珪素系プラズマ重合体のオーバコーNe
tは耐蝕性としては良好な特性を示すが、十分な耐摩耗
性、走行性を得るには比較的厚い膜を必要とし、これは
スペーシングロスを大きくする欠点がある。
tは耐蝕性としては良好な特性を示すが、十分な耐摩耗
性、走行性を得るには比較的厚い膜を必要とし、これは
スペーシングロスを大きくする欠点がある。
さらに■の高分子と潤滑剤によるオーバコート層は耐摩
耗性において満足な特性が得られない。
耗性において満足な特性が得られない。
以上のように、薄膜形磁気記録媒体用のオーバコーt−
1i9としては従来、スペーシングロスを少なくしてか
つ走行性、耐摩耗性及び磁性層の耐蝕性を向上する保i
ff 83!、能を有するものがな(、その改善が望ま
れていた。
1i9としては従来、スペーシングロスを少なくしてか
つ走行性、耐摩耗性及び磁性層の耐蝕性を向上する保i
ff 83!、能を有するものがな(、その改善が望ま
れていた。
発明の目的
本発明の目的は、特に薄膜形磁気記録媒体の走行性、耐
摩耗性及び耐蝕性の改良にあり、特に支持体上に設けた
強磁性層上のオーハコ−l一層の走行性、耐摩耗性及び
磁性層の耐蝕性を向上するその保護機能の改良を直接の
目的とするものである。
摩耗性及び耐蝕性の改良にあり、特に支持体上に設けた
強磁性層上のオーハコ−l一層の走行性、耐摩耗性及び
磁性層の耐蝕性を向上するその保護機能の改良を直接の
目的とするものである。
発明の構成
本発明は、上記目的を達成するために磁性層に、プラズ
マ重合層に有機物処理層を有するオーハコ−1一層を設
け、プラズマ重合層の持つ特長、すなわち薄膜の形成が
可能でかつこの薄膜状態で均一性、高耐久性を持つとと
もに緻密性に基づく磁性層に対する耐蝕性を有する特性
と、有機物処理層が持つ潤滑性の特性を利用しこれらが
単独では得られないような両者を組み合わせたことによ
り両者の特性を相乗的に発揮出来るようにした磁気記録
媒体及びその製造方法を提供するものである。
マ重合層に有機物処理層を有するオーハコ−1一層を設
け、プラズマ重合層の持つ特長、すなわち薄膜の形成が
可能でかつこの薄膜状態で均一性、高耐久性を持つとと
もに緻密性に基づく磁性層に対する耐蝕性を有する特性
と、有機物処理層が持つ潤滑性の特性を利用しこれらが
単独では得られないような両者を組み合わせたことによ
り両者の特性を相乗的に発揮出来るようにした磁気記録
媒体及びその製造方法を提供するものである。
そのために、本発明の磁気記録媒体は、支持体上に形成
した磁性層と、この磁性層上の珪素を含有したプラズマ
重合層と、このプラズマ重合層表面に有機物をグラフト
及び/又は物理吸着さ・口゛C形成した有機物処理層を
有することを特徴とするものである。
した磁性層と、この磁性層上の珪素を含有したプラズマ
重合層と、このプラズマ重合層表面に有機物をグラフト
及び/又は物理吸着さ・口゛C形成した有機物処理層を
有することを特徴とするものである。
また、本発明の磁気記録媒体の製造法は、支持体上に磁
性層を形成した後、この磁性層上に珪素を含有した化合
物をグロー放電下で重合させてプラズマ重合層を形成し
、この形成されたプラズマ重合層に主に有機物からなる
蒸気を接触させて気相処理することにより有機物処理層
を形成することを特徴とJ゛るものである。
性層を形成した後、この磁性層上に珪素を含有した化合
物をグロー放電下で重合させてプラズマ重合層を形成し
、この形成されたプラズマ重合層に主に有機物からなる
蒸気を接触させて気相処理することにより有機物処理層
を形成することを特徴とJ゛るものである。
上記においてプラズマ重合層とは、気体化合物をいわゆ
るプラズマ重合によって成膜した層であって、その重合
体は気体化合物をプラズマ処理して生した例えばラジカ
ルを重合したものである。
るプラズマ重合によって成膜した層であって、その重合
体は気体化合物をプラズマ処理して生した例えばラジカ
ルを重合したものである。
このようなプラズマ重合体は、一般の不飽和化合物のラ
ジカル重合体のようにモノマーの繰り返しf1η造では
なく、一般の重合体による眉と比べて高密度、高架橋の
層が形成されるとともに、繰り返し構造が欠如した均一
構造の層が形成される。このプラズマ重合層の重合体の
構造は一般の重合体のようにその使用する化合物の繰り
返し構造により捉えることができないので、その元素構
成により表わされる。この元素構成からすれば、本発明
のプラズマ重合層の重合体は、珪素を主要成分として含
有することが好ましい。この珪素を含有した重合体は、
有機珪素化合物から重合されるが、珪素が含有されるこ
とによりその皮膜強度は増大する。プラズマ重合層の重
合体の珪素以外の元素としては、炭素、酸素、窒素、水
素、リン、イオウ、塩素あるいは硼素等が挙げられる。
ジカル重合体のようにモノマーの繰り返しf1η造では
なく、一般の重合体による眉と比べて高密度、高架橋の
層が形成されるとともに、繰り返し構造が欠如した均一
構造の層が形成される。このプラズマ重合層の重合体の
構造は一般の重合体のようにその使用する化合物の繰り
返し構造により捉えることができないので、その元素構
成により表わされる。この元素構成からすれば、本発明
のプラズマ重合層の重合体は、珪素を主要成分として含
有することが好ましい。この珪素を含有した重合体は、
有機珪素化合物から重合されるが、珪素が含有されるこ
とによりその皮膜強度は増大する。プラズマ重合層の重
合体の珪素以外の元素としては、炭素、酸素、窒素、水
素、リン、イオウ、塩素あるいは硼素等が挙げられる。
特に好ましいのは、珪素を主要成分にしてこれとその他
に、炭素、酸素、水素からなるプラズマ重合体、炭素、
酸素、窒N1、水素からなるプラズマ重合体あるいは炭
素、窒素、水素からなるプラズマ重合体である。
に、炭素、酸素、水素からなるプラズマ重合体、炭素、
酸素、窒N1、水素からなるプラズマ重合体あるいは炭
素、窒素、水素からなるプラズマ重合体である。
このようなプラズマ重合層を形成するには、一般にプラ
ズマ重合法として知られているどのような方法も適用で
きる。例えば誘電式電極により外部からグロー放電させ
る方式の装置、容量式電極により主に電極間にグロー放
電させる方式の装置その他三極式等特殊な方式の装置が
使用出来る。
ズマ重合法として知られているどのような方法も適用で
きる。例えば誘電式電極により外部からグロー放電させ
る方式の装置、容量式電極により主に電極間にグロー放
電させる方式の装置その他三極式等特殊な方式の装置が
使用出来る。
また、使用される原料も特に限定されないが、珪素を含
有する化合物のガスと必要に応して他の化合物あるいは
アルゴン、ネオン等の不活性ガスを混合して重合容器に
導入し、ここでグロー放電させることによって支持体上
に膜を析出させる方法が好ましい。珪素を含有する化合
物のガスとしては、モノシラン、ジシラン、テトラメチ
ルシラン、ビニルトリメチルシラン、アリルトリメチル
シラン、フェニルシラン、ジフェニルシラン、トリフェ
ニルシラン、ジメチルシラン、トリへキシルシラン、テ
トラエトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチル1
−リットキシシラン、ビニルトリメl−キシシラン、ビ
ニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、
ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン、ヘ
キサメチルシクロトリシラザン、ヘキサメチルシクロト
リシラザン、ヘキサメチルジシラン、ヘキサメチルジシ
ラザン、テトラフルオロシラン、テトラクロルシラン、
メチルトリクロルシラン、ビニルトリクロルシラン、ア
リルトリクロルシラン、フエニルトリクロルシラン、ジ
メチルジクロルシラン、ジメチルジフルオロシラン、ブ
ロモメチルトリメチルシラン等の揮発性を有する珪素化
合物でガスになるものであればどのような化合物も使用
できる。また、上記の他の化合物としては、水素、酸素
、窒素、−酸化炭素、二酸化炭素、塩素、弗素、硫化水
素、エチレン、アセチレン、ジボラン、ホスゲン等の常
温で気体の化合物であっても良いし、また、メチルメタ
クリレ−1〜、スチレン、アクリロニトリル、塩化ビニ
ル、四弗化エチレン等のいわゆるモノマーであっても良
いし、ベンゼン、トルエン、ヘキサノ、アセトニトリル
、パーフルオロヘンゼン、ピリジン、フラン、チオフェ
ン、l−リンチルフォスファイト、トリメチルボレート
等一般的には非重合性の化合物であっても良い。これら
のプラズマ重合に用いる化合物としては、ガスとして扱
う操作上の点から常温で沸点が200°C以下の化合物
が好ましく 、150℃以下であるとより好ましい。
有する化合物のガスと必要に応して他の化合物あるいは
アルゴン、ネオン等の不活性ガスを混合して重合容器に
導入し、ここでグロー放電させることによって支持体上
に膜を析出させる方法が好ましい。珪素を含有する化合
物のガスとしては、モノシラン、ジシラン、テトラメチ
ルシラン、ビニルトリメチルシラン、アリルトリメチル
シラン、フェニルシラン、ジフェニルシラン、トリフェ
ニルシラン、ジメチルシラン、トリへキシルシラン、テ
トラエトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチル1
−リットキシシラン、ビニルトリメl−キシシラン、ビ
ニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、
ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン、ヘ
キサメチルシクロトリシラザン、ヘキサメチルシクロト
リシラザン、ヘキサメチルジシラン、ヘキサメチルジシ
ラザン、テトラフルオロシラン、テトラクロルシラン、
メチルトリクロルシラン、ビニルトリクロルシラン、ア
リルトリクロルシラン、フエニルトリクロルシラン、ジ
メチルジクロルシラン、ジメチルジフルオロシラン、ブ
ロモメチルトリメチルシラン等の揮発性を有する珪素化
合物でガスになるものであればどのような化合物も使用
できる。また、上記の他の化合物としては、水素、酸素
、窒素、−酸化炭素、二酸化炭素、塩素、弗素、硫化水
素、エチレン、アセチレン、ジボラン、ホスゲン等の常
温で気体の化合物であっても良いし、また、メチルメタ
クリレ−1〜、スチレン、アクリロニトリル、塩化ビニ
ル、四弗化エチレン等のいわゆるモノマーであっても良
いし、ベンゼン、トルエン、ヘキサノ、アセトニトリル
、パーフルオロヘンゼン、ピリジン、フラン、チオフェ
ン、l−リンチルフォスファイト、トリメチルボレート
等一般的には非重合性の化合物であっても良い。これら
のプラズマ重合に用いる化合物としては、ガスとして扱
う操作上の点から常温で沸点が200°C以下の化合物
が好ましく 、150℃以下であるとより好ましい。
このようなプラズマ重合用原料が上記プラズマ発生装置
で処理されると例えばラジカルが発生し、これが予め用
意された後述する支持体に析出し重合体の層が形成され
る。
で処理されると例えばラジカルが発生し、これが予め用
意された後述する支持体に析出し重合体の層が形成され
る。
本発明における有機物処理層は、有機物蒸気をプラズマ
重合層に接触させるいわゆる気相処理を行うことにより
形成される層である。この有機物処理層は、プラズマ重
合層に対してグラフトあるいは物理吸着されることによ
り形成されることが好ましく、プラズマ重合層の形成直
後に形成されることが特に好ましい。このようにプラズ
マ重合層の直後に有機物処理層を形成すると、この有機
物層はプラズマ重合層に対する密着性が良く、良好な成
膜性を示す。これは、プラズマ重合層の形成直後はプラ
ズマ重合層にラジカルが残存しておりごれに原料の有機
物ガスが付加してグラフ1−するからである。この残存
ラジカルが消失しないうちは同様の有機物のグラフト化
が可能であるが、プラズマ重合層に有機物ガスを単に物
理吸着することによっても有機物処理層を形成できる。
重合層に接触させるいわゆる気相処理を行うことにより
形成される層である。この有機物処理層は、プラズマ重
合層に対してグラフトあるいは物理吸着されることによ
り形成されることが好ましく、プラズマ重合層の形成直
後に形成されることが特に好ましい。このようにプラズ
マ重合層の直後に有機物処理層を形成すると、この有機
物層はプラズマ重合層に対する密着性が良く、良好な成
膜性を示す。これは、プラズマ重合層の形成直後はプラ
ズマ重合層にラジカルが残存しておりごれに原料の有機
物ガスが付加してグラフ1−するからである。この残存
ラジカルが消失しないうちは同様の有機物のグラフト化
が可能であるが、プラズマ重合層に有機物ガスを単に物
理吸着することによっても有機物処理層を形成できる。
このように有機物をグラフ1〜又は吸着されたプラズマ
重合層には表面に緒特性、特に潤滑性が付与されること
になる。
重合層には表面に緒特性、特に潤滑性が付与されること
になる。
このような有機物処理層を形成させる気相処理を行うに
は、原料の有機物蒸気を作成し、これを単にプラズマ重
合層に接触させてグラフト化あるいは物理吸着させるこ
とが好ましいが、この際外部エネルギーを供給しても良
く、このような外部エネルギーを供給する手段としては
グロー放電、加熱、紫外線照射等の手段がある。これら
の外部エネルギー供給手段は補助的に使用するのが好ま
しい。なお、上記有機物蒸気を作成するには、単なる減
圧の他、通當のヒータによる加熱、電子ビーム加熱等が
利用される。
は、原料の有機物蒸気を作成し、これを単にプラズマ重
合層に接触させてグラフト化あるいは物理吸着させるこ
とが好ましいが、この際外部エネルギーを供給しても良
く、このような外部エネルギーを供給する手段としては
グロー放電、加熱、紫外線照射等の手段がある。これら
の外部エネルギー供給手段は補助的に使用するのが好ま
しい。なお、上記有機物蒸気を作成するには、単なる減
圧の他、通當のヒータによる加熱、電子ビーム加熱等が
利用される。
有機物処理層を形成する原料の有機化合物としては上記
のような潤滑性を付与できるどのような有機物も使用で
きるが、プラズマ重合層にグラフ1〜又は吸着され易さ
と云う点からは主要成分として珪素を含んでいないこと
が好ましい。このような有機物としては、(メタ)アク
リル酸エステル、アルキルカルボン酸エステル、アルキ
ルカルボン酸、アルキルスルホン酸、核置換スチレン、
アルカン、アルケン、リン酸エステル、アルキルアミン
、アルキルアミド、アルキルチオール、フルオロアルケ
ン等が好ましい。
のような潤滑性を付与できるどのような有機物も使用で
きるが、プラズマ重合層にグラフ1〜又は吸着され易さ
と云う点からは主要成分として珪素を含んでいないこと
が好ましい。このような有機物としては、(メタ)アク
リル酸エステル、アルキルカルボン酸エステル、アルキ
ルカルボン酸、アルキルスルホン酸、核置換スチレン、
アルカン、アルケン、リン酸エステル、アルキルアミン
、アルキルアミド、アルキルチオール、フルオロアルケ
ン等が好ましい。
上記のようなプラズマ重合層及び有機物処理層からなる
オーバコート層の厚さは、全体で20人〜1000人が
好ましく、特に100人〜500人の範囲が好ましい。
オーバコート層の厚さは、全体で20人〜1000人が
好ましく、特に100人〜500人の範囲が好ましい。
20人未満では薄過ぎて上記潤滑性を付与するには不十
分であり、一方1000人を越えると磁性層と磁気ヘッ
ドとのスペーシングロスが太き(なる。オーパコ−1−
Litの上記厚さの範囲であれば、プラズマ重合層と有
機物処理層の層の厚さの比は特に限定されるものでばな
いが、プラズマ重合R(A)に対し有機物処理m (B
)の厚さは、(A): (B)=1 : 1ないしくΔ
): (B)=1 F 0.1の範囲が好ましい。
分であり、一方1000人を越えると磁性層と磁気ヘッ
ドとのスペーシングロスが太き(なる。オーパコ−1−
Litの上記厚さの範囲であれば、プラズマ重合層と有
機物処理層の層の厚さの比は特に限定されるものでばな
いが、プラズマ重合R(A)に対し有機物処理m (B
)の厚さは、(A): (B)=1 : 1ないしくΔ
): (B)=1 F 0.1の範囲が好ましい。
このようにしてプラズマ重合層に有機物処理層を有する
オーバコート層が形成されるが、有機物処理層はプラズ
マ重合層との界面ではプラズマ重合体に有機物が混在し
表面に近づくにつれて純粋の有機物層になるような場合
も含み、有機物により処理されたことにより生じた層を
総括したものである。この場合プラズマ重合層の珪素含
有率が有機物処理層に近づくにつれて少なくなるように
しても良い。このようにするとプラズマ重合層と有機物
処理層の接着性を向上できる。
オーバコート層が形成されるが、有機物処理層はプラズ
マ重合層との界面ではプラズマ重合体に有機物が混在し
表面に近づくにつれて純粋の有機物層になるような場合
も含み、有機物により処理されたことにより生じた層を
総括したものである。この場合プラズマ重合層の珪素含
有率が有機物処理層に近づくにつれて少なくなるように
しても良い。このようにするとプラズマ重合層と有機物
処理層の接着性を向上できる。
以上のようなオーハコ−1一層は支持体に形成された強
磁性層に設けられるが、この強磁性層が塗布型の場合に
は、強磁性層に使用できる強磁性粉は、従来より使用さ
れている公知のもので良く、このような強磁性粉として
は、γ−Fe20B、G。
磁性層に設けられるが、この強磁性層が塗布型の場合に
は、強磁性層に使用できる強磁性粉は、従来より使用さ
れている公知のもので良く、このような強磁性粉として
は、γ−Fe20B、G。
含イTr−Fe2O3,Co被着 r−Fe20a 、
Fe20B、co含有Fe2O3、CrO2等の酸化
物磁性粉、FeXNi、 CoXFe−Nj−Co合金
、Fe−Mn−Zn合金、Fe−Ni−Zn合金、Fe
−Co−Ni−Cr合金、Fe−Co−N1−P合金、
Go−Ni合金等Fe、Nj、、 Goを主成分とする
メタル磁性わ)等各種の強磁性粉が挙げられる。
Fe20B、co含有Fe2O3、CrO2等の酸化
物磁性粉、FeXNi、 CoXFe−Nj−Co合金
、Fe−Mn−Zn合金、Fe−Ni−Zn合金、Fe
−Co−Ni−Cr合金、Fe−Co−N1−P合金、
Go−Ni合金等Fe、Nj、、 Goを主成分とする
メタル磁性わ)等各種の強磁性粉が挙げられる。
強磁性層を直接支持体上に形成する場合にはその方法と
して、公知の真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レーテング法、メッキ法等が挙げられる。酸化物磁性粉
やメタル磁性粉の中でも合金の強磁性粉を使用する場合
は、その組成が変化しないように組成を制御して蒸着又
はメ・ツキ等をしなければならない。 支持体としては
例えばプラスチックフィルムが挙げられ、その累月とし
′ζはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−2
,6−ナフタレ−1・等のポリエステル類、ポリプロピ
レン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテ−1
−、セルし1−スダイアセテート等のセルロース誘導体
、ポリカーボネートなどが例示さる。
して、公知の真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レーテング法、メッキ法等が挙げられる。酸化物磁性粉
やメタル磁性粉の中でも合金の強磁性粉を使用する場合
は、その組成が変化しないように組成を制御して蒸着又
はメ・ツキ等をしなければならない。 支持体としては
例えばプラスチックフィルムが挙げられ、その累月とし
′ζはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−2
,6−ナフタレ−1・等のポリエステル類、ポリプロピ
レン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテ−1
−、セルし1−スダイアセテート等のセルロース誘導体
、ポリカーボネートなどが例示さる。
また、Cu、Aff、Znなどの非磁性金属、ガラス、
研器、陶器等のセラミック等の支持体も使用される。
研器、陶器等のセラミック等の支持体も使用される。
支持体の形態はテープ、シート、カード、ディスク、ト
ラム等のいずれでも良(、形態に応じて種々の材料が必
要に応じて選択される。これらの厚さはフィルム、シー
ト状の場合は、約3〜lOOμmであり、ディスク、カ
ード状の場合は30μm〜IO都程度である。
ラム等のいずれでも良(、形態に応じて種々の材料が必
要に応じて選択される。これらの厚さはフィルム、シー
ト状の場合は、約3〜lOOμmであり、ディスク、カ
ード状の場合は30μm〜IO都程度である。
以上のようにして支持体に設けらた磁性層にプラズマ重
合層と有機物処理層とからなるオーバーコー)JWを有
する磁気記録媒体が作成されるが、プラズマ重合層は架
橋度が高く、その構造も均一であるので機械的強度が大
きく、これにより薄膜状態でも耐摩耗性等の耐久性を有
するとともに、その緻密性からビンボール等の欠陥を生
じることが少なく空気中の酸素、水分等による磁気層へ
の侵入を阻止してその酸化を防止し磁気特性を損なわな
いようにできる。また有機物処理層は耐摩耗111や酸
素、水分の阻止9ノ果も有する他に特に潤滑性に優れて
いるのでこの磁気記録媒体の例えば磁気ヘットに対する
走行性も良くなる。特に有機物がグラフト化され化学結
合されているとこの有機物層の耐摩耗性も向上しプラズ
マ重合層の耐摩耗性との相乗効果により磁気記録媒体の
耐摩耗性も11、リ一層向上する。このようにして磁気
記録媒体乙こ必要な諸+1を性を備えた薄膜のオーバコ
ート層の形成が可能になる。
合層と有機物処理層とからなるオーバーコー)JWを有
する磁気記録媒体が作成されるが、プラズマ重合層は架
橋度が高く、その構造も均一であるので機械的強度が大
きく、これにより薄膜状態でも耐摩耗性等の耐久性を有
するとともに、その緻密性からビンボール等の欠陥を生
じることが少なく空気中の酸素、水分等による磁気層へ
の侵入を阻止してその酸化を防止し磁気特性を損なわな
いようにできる。また有機物処理層は耐摩耗111や酸
素、水分の阻止9ノ果も有する他に特に潤滑性に優れて
いるのでこの磁気記録媒体の例えば磁気ヘットに対する
走行性も良くなる。特に有機物がグラフト化され化学結
合されているとこの有機物層の耐摩耗性も向上しプラズ
マ重合層の耐摩耗性との相乗効果により磁気記録媒体の
耐摩耗性も11、リ一層向上する。このようにして磁気
記録媒体乙こ必要な諸+1を性を備えた薄膜のオーバコ
ート層の形成が可能になる。
なお、本発明の磁気記録媒体の製造法により上記のよ・
うにプラズマ重合層を形成するとき、重合条件を適当に
調整することによりプラズマ重合層に内部応力を発生さ
せ、これにより強磁性Mr、こ支持体(…11に向かう
反りを与えることができるため支持体上に強磁性層を作
成する際に生しる強磁性層表面側に向かって生じる反り
(力・ノピング)を相殺することができる。この力・ノ
ピングを相殺するプラズマ重合層の重合条件としては、
例えばアノレイン等の混入ガス成分を少なくすることが
好ましい。
うにプラズマ重合層を形成するとき、重合条件を適当に
調整することによりプラズマ重合層に内部応力を発生さ
せ、これにより強磁性Mr、こ支持体(…11に向かう
反りを与えることができるため支持体上に強磁性層を作
成する際に生しる強磁性層表面側に向かって生じる反り
(力・ノピング)を相殺することができる。この力・ノ
ピングを相殺するプラズマ重合層の重合条件としては、
例えばアノレイン等の混入ガス成分を少なくすることが
好ましい。
発明の9JJ果
Iu上説明したように、本発明によれば、プラズマ重合
層に有り見物処理層を有するオーツ\゛コート層を強磁
性層に設はノこので、次のようなすJ果力(生じる。
層に有り見物処理層を有するオーツ\゛コート層を強磁
性層に設はノこので、次のようなすJ果力(生じる。
(1)オーハコ−1−1iは耐摩耗性に優れ、長時間例
えば磁気ヘソISにごずられてもその摩耗が少なく、し
たがって強磁性層に対する摩耗をなく1−こと力(でき
るので再生出力の変動を少なく出来る。
えば磁気ヘソISにごずられてもその摩耗が少なく、し
たがって強磁性層に対する摩耗をなく1−こと力(でき
るので再生出力の変動を少なく出来る。
(2)有機物処理層は特に優れた潤滑性を有するので例
えば磁気ヘッドにこすられて走行するときも走行性が良
く、走行不良に基づく記録媒体に対する画像あるいは録
音の乱れを少なくできる。
えば磁気ヘッドにこすられて走行するときも走行性が良
く、走行不良に基づく記録媒体に対する画像あるいは録
音の乱れを少なくできる。
(3)オーハコ−1・層特にプラズマ重合層は緻密に構
成されているので、空気中の酸素あるいは水分の強磁性
層に対する侵入を防止できるので強磁性層に対する耐蝕
性を向上でき、長時間高温、多湿の条件のもとに本発明
の磁気記録媒体が放置されても再生出力の劣化がなく、
高い保存性が得られる。
成されているので、空気中の酸素あるいは水分の強磁性
層に対する侵入を防止できるので強磁性層に対する耐蝕
性を向上でき、長時間高温、多湿の条件のもとに本発明
の磁気記録媒体が放置されても再生出力の劣化がなく、
高い保存性が得られる。
(4)オーハコ−1・層はプラズマ重合層と有機物処理
層の組合せにより上記(1)〜(3)の特性を有するよ
うにしたので屑の厚さを薄くでき、これにより磁気ヘッ
ドと強磁性層との間のスペーシングロスを少なくできる
。
層の組合せにより上記(1)〜(3)の特性を有するよ
うにしたので屑の厚さを薄くでき、これにより磁気ヘッ
ドと強磁性層との間のスペーシングロスを少なくできる
。
実施例
次に本発明の実施例を第1図及び第2図に基づいて具体
的に説明する。
的に説明する。
第1図は、本発明の磁気記録媒体の製造装置の説明図で
あゲて、ベース送出室1、プラズマ重合室2、気相処理
室3及びベース巻取室4が順次連通連設され、さらにベ
ース送出室1、ベース送出室lとプラズマ重合室2の間
の連通路、気相処理室3、及びベース巻取室4にはガス
導入路6.7゜8.9がそれぞれ設けられ、プラズマ重
合室2と気相処理室3の間の連通路にはガス排出部10
が設けられている。また、プラズマ重合室2には放電電
極11.11’ 及びプラズマ閉じ込め用の磁石12゜
12゛がそれぞれ対設されている。
あゲて、ベース送出室1、プラズマ重合室2、気相処理
室3及びベース巻取室4が順次連通連設され、さらにベ
ース送出室1、ベース送出室lとプラズマ重合室2の間
の連通路、気相処理室3、及びベース巻取室4にはガス
導入路6.7゜8.9がそれぞれ設けられ、プラズマ重
合室2と気相処理室3の間の連通路にはガス排出部10
が設けられている。また、プラズマ重合室2には放電電
極11.11’ 及びプラズマ閉じ込め用の磁石12゜
12゛がそれぞれ対設されている。
この装置において、強磁性層形成済みのベース(支持体
)を、ベース送出室1に収容したベースロール13から
上記プラズマ重合室2、気相処理室3を経由してベース
巻取室4に順次巻き取られ巻取りロール14となるよう
に七ソI・する。この後上記ベースロール2からベース
が送出されて巻き取られるまでの系内の脱気を行い、つ
いでベース送出室1のガス導入路6及び巻取室4のガス
導入路9から不活性ガス(アルゴン)を系内に少量流す
。
)を、ベース送出室1に収容したベースロール13から
上記プラズマ重合室2、気相処理室3を経由してベース
巻取室4に順次巻き取られ巻取りロール14となるよう
に七ソI・する。この後上記ベースロール2からベース
が送出されて巻き取られるまでの系内の脱気を行い、つ
いでベース送出室1のガス導入路6及び巻取室4のガス
導入路9から不活性ガス(アルゴン)を系内に少量流す
。
この状態でベースの搬送を開始し、ガス導入路7からプ
ラズマ重合用ガス、また、気相処理室3のガス導入路8
から気相処理用ガスをそれぞれ供給する。この状態でプ
ラズマ重合室3に設けられた放電電極11.11’ に
13.56MHzの高周波電力を供給する。これにより
プラズマ重合用ガスはプラズマ処理され、これがベース
に析出して重合膜が形成される。この際、磁石12.1
2’ はプラズマ処理されたガスを電極LL 11゛間
に閉じ込めプラズマ重合室2以外で装置壁面にプラズマ
重合膜が生成するのを防止する。なお、図示装置を予め
組向きに配置し、ベースを地面に対して垂直に搬送し、
プラズマ重合室2内の気相中で生成される樹脂粉体をベ
ース上に堆積させないで下方に落下さゼ“る。
ラズマ重合用ガス、また、気相処理室3のガス導入路8
から気相処理用ガスをそれぞれ供給する。この状態でプ
ラズマ重合室3に設けられた放電電極11.11’ に
13.56MHzの高周波電力を供給する。これにより
プラズマ重合用ガスはプラズマ処理され、これがベース
に析出して重合膜が形成される。この際、磁石12.1
2’ はプラズマ処理されたガスを電極LL 11゛間
に閉じ込めプラズマ重合室2以外で装置壁面にプラズマ
重合膜が生成するのを防止する。なお、図示装置を予め
組向きに配置し、ベースを地面に対して垂直に搬送し、
プラズマ重合室2内の気相中で生成される樹脂粉体をベ
ース上に堆積させないで下方に落下さゼ“る。
これによりベースに形成されるプラズマ重合層の均一性
が保たれる。
が保たれる。
第2図は、本発明の磁気記録媒体を製造する製造装置の
他の例を示すものであって、第1図とは気相処理時間を
長くした点、ベースを不活性ガスプラズマ処理すること
により清浄化する点で異なり、さらにプラズマ重合室、
気相処理室におジノるガスの流れをベースの幅方向に対
して均−Gこなるようにしたものである。
他の例を示すものであって、第1図とは気相処理時間を
長くした点、ベースを不活性ガスプラズマ処理すること
により清浄化する点で異なり、さらにプラズマ重合室、
気相処理室におジノるガスの流れをベースの幅方向に対
して均−Gこなるようにしたものである。
図において、それぞれ円筒状のベース送出室21゜プラ
ズマ重合室22.気相処理室23及び巻取室24が順次
環状に連通して設けられ、ベース送出室21に収容され
たベースロール13のベースがプラズマ重合室22に設
けられた放電電極兼搬送ロール25、気相処理室23に
設けられた後述する10送用つる巻形ロール26に順次
ガイドされて巻取室24で巻き取られ巻取りロール27
となる。この状態でベースの搬送を開始するとともに、
不活性ガス導入部28から不活性ガスを導入しこれを放
電コイル29によりプラズマにし、ベースをこれにさら
す。これによりベースに形成された強磁性層表面が1%
浄化される。
ズマ重合室22.気相処理室23及び巻取室24が順次
環状に連通して設けられ、ベース送出室21に収容され
たベースロール13のベースがプラズマ重合室22に設
けられた放電電極兼搬送ロール25、気相処理室23に
設けられた後述する10送用つる巻形ロール26に順次
ガイドされて巻取室24で巻き取られ巻取りロール27
となる。この状態でベースの搬送を開始するとともに、
不活性ガス導入部28から不活性ガスを導入しこれを放
電コイル29によりプラズマにし、ベースをこれにさら
す。これによりベースに形成された強磁性層表面が1%
浄化される。
このベースはついでプラズマ重合室22で、ガス導入部
30から導入されガス導入口兼放電電極31と上記放電
電極兼搬送ロール25との間でプラズマ処理されたプラ
ズマ重合用ガスに曝されてプラズマ重合層を形成され、
つぎの気相処理室23に送出される。この気相処理室2
3は第3図に示すように縦長に形成され、これに上記搬
送用つる巻ロール26が収容されこれにベースが上方導
入部23aから搬入され゛ζ垂直方向につる巻状に巻回
されて下方導出部23bから導出される。この間気相処
理室23の上記り〃入部上反対側に設けたガス導入部3
2から気相処理用ガスを導入しガス導入口33によりベ
ースの幅方向に均一に拡散させてこのベースのプラズマ
重合層に接触させる。これによりプラズマ重合層は気相
処理用ガスと長く接触できるので、層の厚い処理層を形
成できる。このようにして有機物処理層を形成されたベ
ースは巻取室24で巻き取られる。なお、上記ガス導入
口兼放電電極31も上記気相処理室のガス導入口と同様
にガスをベースの幅方向に均一に拡散出来るものである
。なお、34,35.3G、37はガス排出路である。
30から導入されガス導入口兼放電電極31と上記放電
電極兼搬送ロール25との間でプラズマ処理されたプラ
ズマ重合用ガスに曝されてプラズマ重合層を形成され、
つぎの気相処理室23に送出される。この気相処理室2
3は第3図に示すように縦長に形成され、これに上記搬
送用つる巻ロール26が収容されこれにベースが上方導
入部23aから搬入され゛ζ垂直方向につる巻状に巻回
されて下方導出部23bから導出される。この間気相処
理室23の上記り〃入部上反対側に設けたガス導入部3
2から気相処理用ガスを導入しガス導入口33によりベ
ースの幅方向に均一に拡散させてこのベースのプラズマ
重合層に接触させる。これによりプラズマ重合層は気相
処理用ガスと長く接触できるので、層の厚い処理層を形
成できる。このようにして有機物処理層を形成されたベ
ースは巻取室24で巻き取られる。なお、上記ガス導入
口兼放電電極31も上記気相処理室のガス導入口と同様
にガスをベースの幅方向に均一に拡散出来るものである
。なお、34,35.3G、37はガス排出路である。
実施例1
公知の方法で作成したGo−Ni 9着テープを第2図
の装置にセットし、系内を真空排気した後、ベースの搬
送を開始してアルゴンガスを不活性ガス導入a++28
から適当量導入し、このアルゴンガスを13 、56M
IIz、50Wの高周波電力を供給された放電コイル2
9により処理してアルゴンプラズマを発生させ、そのス
パッタ効果によりテープ表面を清浄にした。再び系内を
真空排気した後にビニルトリメトキシシランとmsの約
1 :1の混合ガスをプラズマ重合室22内の圧がQ、
Q7torrになるように導入し、13.56M1lz
、2501りの高周波電力を放電電極兼搬送ロール25
及び導入口兼放電電極31に供給することにより、ベー
ス、OKl性層上層上ラズマ重合層を形成した。
の装置にセットし、系内を真空排気した後、ベースの搬
送を開始してアルゴンガスを不活性ガス導入a++28
から適当量導入し、このアルゴンガスを13 、56M
IIz、50Wの高周波電力を供給された放電コイル2
9により処理してアルゴンプラズマを発生させ、そのス
パッタ効果によりテープ表面を清浄にした。再び系内を
真空排気した後にビニルトリメトキシシランとmsの約
1 :1の混合ガスをプラズマ重合室22内の圧がQ、
Q7torrになるように導入し、13.56M1lz
、2501りの高周波電力を放電電極兼搬送ロール25
及び導入口兼放電電極31に供給することにより、ベー
ス、OKl性層上層上ラズマ重合層を形成した。
ついで、このようなプラズマ処理を施したテープをアク
リル酸メチルで満たした気相処理室23に送り、プラズ
マ重合層の表面処理を行い有機物処理層を形成し、これ
を巻取室24に送出しここで巻き 取 っ ノこ。
リル酸メチルで満たした気相処理室23に送り、プラズ
マ重合層の表面処理を行い有機物処理層を形成し、これ
を巻取室24に送出しここで巻き 取 っ ノこ。
このようにして作成した記録媒体のオーハコ−1一層の
厚さ、走行性、耐蝕性及びスチル耐久性を測定しその結
果を第1表に示す。ここで、オーバコート層の厚さは1
ンank Ta1or tlobson Lim1te
dのクリステツブを用い通常の方法に従って測定した。
厚さ、走行性、耐蝕性及びスチル耐久性を測定しその結
果を第1表に示す。ここで、オーバコート層の厚さは1
ンank Ta1or tlobson Lim1te
dのクリステツブを用い通常の方法に従って測定した。
また、走行性は動マサッ係数を測定してしらべ、この動
マサツ係数は新東化学株式会社の回転ドラ人形表面性測
定機を用い荷重30g、回転数66.9rpmで測定し
た。また、耐蝕性は磁性層の最大磁場HTTIEIX
(20000e )における磁化σ順Xの劣化を測定し
一ζしらべた。この測定には振動試料型磁気測定装置を
使用した。この磁化の劣化は60℃、湿度80%に保た
れた容器内に試験片を1週間放置した後の磁化σmuを
測定し試験片の当初の磁化σn’+々χに対する減少%
で示す。また、スチル耐久性は動作状態のνItsビデ
ィオデソキにおいてテープの走行を止め、ビディオ出力
が3dBに減少するまでの時間で表した。
マサツ係数は新東化学株式会社の回転ドラ人形表面性測
定機を用い荷重30g、回転数66.9rpmで測定し
た。また、耐蝕性は磁性層の最大磁場HTTIEIX
(20000e )における磁化σ順Xの劣化を測定し
一ζしらべた。この測定には振動試料型磁気測定装置を
使用した。この磁化の劣化は60℃、湿度80%に保た
れた容器内に試験片を1週間放置した後の磁化σmuを
測定し試験片の当初の磁化σn’+々χに対する減少%
で示す。また、スチル耐久性は動作状態のνItsビデ
ィオデソキにおいてテープの走行を止め、ビディオ出力
が3dBに減少するまでの時間で表した。
比較例1
実施例1と同様に表面を清浄にした磁性層の露出した実
施例1と同様のテープを実施例1と同様に試験した結果
を第1表に示す。
施例1と同様のテープを実施例1と同様に試験した結果
を第1表に示す。
比較例2
実施例1のテープで露出した磁性層に実施例1と同様に
プラズマ重合層を形成したものを実施例1と同様に試験
した結果を第1表に示す。
プラズマ重合層を形成したものを実施例1と同様に試験
した結果を第1表に示す。
比較例3
比較例2でプラズマ重合層を形成したのちラウリル酸の
0.1%トルエン溶液をこのプラズマ重合層に塗布した
ものを実施例1と同様に試験しその結果を第1表に示す
。
0.1%トルエン溶液をこのプラズマ重合層に塗布した
ものを実施例1と同様に試験しその結果を第1表に示す
。
比較例4
実施例1と同様にして磁性層表面を清浄にしたテープを
直接アクリル酸メチルの蒸気で満たした気相処理室23
に送り、実施例1と同様にして気相処理をしたものにつ
いて実施例1と同様の試験を行いその結果を第1表に示
す。
直接アクリル酸メチルの蒸気で満たした気相処理室23
に送り、実施例1と同様にして気相処理をしたものにつ
いて実施例1と同様の試験を行いその結果を第1表に示
す。
これらの結果から、実施例1のものは、比較例1〜3の
ものと比較し、走行性、スチル耐久性、比較例4のもの
に比べ耐蝕性、スチル耐久性について大幅の向上が見ら
れた。これによりプラズマ重合層と有機物層の組合せの
相乗りJ果が認められる。
ものと比較し、走行性、スチル耐久性、比較例4のもの
に比べ耐蝕性、スチル耐久性について大幅の向上が見ら
れた。これによりプラズマ重合層と有機物層の組合せの
相乗りJ果が認められる。
(以下この頁余白)
第1表
実施例2
実施例1と同様にしてビニル1−リントキシシランをモ
ノマーとするプラズマ重合IHを磁性層」二に形成した
テープをアクリル酸ブチルの蒸気で満たした気相処理室
23に送り、有機物処理層を形成した。この試験片につ
いて実施例1と同様に試験した結果を第2表に示す。な
お、プラズマ重合層の厚さを実施例Jと同様に測定した
ところ250人であった。
ノマーとするプラズマ重合IHを磁性層」二に形成した
テープをアクリル酸ブチルの蒸気で満たした気相処理室
23に送り、有機物処理層を形成した。この試験片につ
いて実施例1と同様に試験した結果を第2表に示す。な
お、プラズマ重合層の厚さを実施例Jと同様に測定した
ところ250人であった。
実施例3〜8
実施例2においてアクリル酸ブチルの代わりにエチレン
、スチレン、四ツ・ツカエチレン、Viscoa−t4
FM(大阪有機化学工業)、トリメチルホスペード、n
−オクチルアミンを使用してそれぞれ有機物層を形成し
た試験片について実施例1と同(娘に試験した結果を実
施例3〜8に順次対応させて第2表に示す。
、スチレン、四ツ・ツカエチレン、Viscoa−t4
FM(大阪有機化学工業)、トリメチルホスペード、n
−オクチルアミンを使用してそれぞれ有機物層を形成し
た試験片について実施例1と同(娘に試験した結果を実
施例3〜8に順次対応させて第2表に示す。
第2表
ここで、実施例6の試験片をESCAで分析したところ
、表面には組成比で15%前後のフッ素が検出されたが
、5KV 、25mAのアルゴンスパックを5分間行い
、表面の有機物処理層を除いた後ではフッ素は全(検出
されなかった。このことから、有機物処理層の存在が確
認される。
、表面には組成比で15%前後のフッ素が検出されたが
、5KV 、25mAのアルゴンスパックを5分間行い
、表面の有機物処理層を除いた後ではフッ素は全(検出
されなかった。このことから、有機物処理層の存在が確
認される。
実施例9〜16
実施例1と同様に第2図の装置を用いてテープ表面をア
ルゴンプラズマ処理を行ったのち、ヘキザメチルジシロ
キザンと窒素との1 :2の混合ガスをプラズマ重合室
22に圧が0.05torrになるように導入し、13
.56 Mllz 、250Hの高周波電力を導入口兼
放電電極31及び放電電極兼搬送用ロール25に供給す
ることにより、磁性層上にプラズマ重合層を形成した。
ルゴンプラズマ処理を行ったのち、ヘキザメチルジシロ
キザンと窒素との1 :2の混合ガスをプラズマ重合室
22に圧が0.05torrになるように導入し、13
.56 Mllz 、250Hの高周波電力を導入口兼
放電電極31及び放電電極兼搬送用ロール25に供給す
ることにより、磁性層上にプラズマ重合層を形成した。
ついで、このプラズマ重合層を形成したテープを実施例
1及び実施例2で挙げた有機物蒸気で満たした気相処理
室23に送り、プラズマ重合層の上にそれぞれの有機物
処理層を形成した。これらのそれぞれの有機物に対応し
て実施例9〜16とした。
1及び実施例2で挙げた有機物蒸気で満たした気相処理
室23に送り、プラズマ重合層の上にそれぞれの有機物
処理層を形成した。これらのそれぞれの有機物に対応し
て実施例9〜16とした。
これらの試験片を実施例1と同様に試験した結果を第3
表に示す。
表に示す。
比較例5
実施例9においてプラズマ重合層のみを形成したものに
ついて実施例1と同様の試験を行なった結果を第3表に
示す。
ついて実施例1と同様の試験を行なった結果を第3表に
示す。
(以下この頁余白)
第3表
実施例17〜25
実施例Iと同様に第2図の装置によりテープ表面をアル
ゴンプラズマ処理を行なった後、テトラメチルシシンと
酸素との2 :1の混合ガスをプラズマ重合室22に圧
が0.07torrになるように導入し、13.56
Mllz 、20叶の高周波電力を導入口兼放電電極3
1及び放電電極兼搬送用ロール25に供給し、磁性層上
にプラズマ重合層を形成する。
ゴンプラズマ処理を行なった後、テトラメチルシシンと
酸素との2 :1の混合ガスをプラズマ重合室22に圧
が0.07torrになるように導入し、13.56
Mllz 、20叶の高周波電力を導入口兼放電電極3
1及び放電電極兼搬送用ロール25に供給し、磁性層上
にプラズマ重合層を形成する。
ついで実施例9〜16と同様に有機物処理層を形成しそ
れぞれの有機物に対応して実施例17〜25とし、これ
らの試験片について実施例1と同様の試験を行ないその
結果を第4表に示す。
れぞれの有機物に対応して実施例17〜25とし、これ
らの試験片について実施例1と同様の試験を行ないその
結果を第4表に示す。
比較(り116
実施例I7においてプラズマ重合層のみを形成し)こも
のについて実施例1と同様の試験を行ないその結果を第
4表に示す。
のについて実施例1と同様の試験を行ないその結果を第
4表に示す。
(以下この頁余白)
第4表
実施例26
実施例1と同様にしてピルトリメトキシシランをモノマ
ーとするプラズマ重合層を磁性層上に形成したテープを
蒸着用のチャンバーに導き、5×4 10 torrの真空度でステアリルアルコールを抵抗
加熱法により蒸着し40人の蒸着膜を形成した。膜厚の
制御は水晶式膜厚モニタにより行なった。また、ESC
Aにより蒸着膜の存在を確認した。このようにして作成
した試験片について実施例1と同様の試験を行なった結
果を第5表に示す。
ーとするプラズマ重合層を磁性層上に形成したテープを
蒸着用のチャンバーに導き、5×4 10 torrの真空度でステアリルアルコールを抵抗
加熱法により蒸着し40人の蒸着膜を形成した。膜厚の
制御は水晶式膜厚モニタにより行なった。また、ESC
Aにより蒸着膜の存在を確認した。このようにして作成
した試験片について実施例1と同様の試験を行なった結
果を第5表に示す。
比較例7
実施例26においてプラズマ重合層のみを形成したもの
について実施例1と同様の試験を行なった結果を第5表
に示す。
について実施例1と同様の試験を行なった結果を第5表
に示す。
第5表
第5表より走行性、耐蝕性については実施例1と同程度
の改善が見られた。また、スチル耐久性についても実施
例1には劣るが蒸着膜にょろりJ果が見られた。
の改善が見られた。また、スチル耐久性についても実施
例1には劣るが蒸着膜にょろりJ果が見られた。
なお、上記実施例では第2図の装置を用いた場であった
が、第1図の装置う用い“ζもほぼ同様の結果が得られ
た。
が、第1図の装置う用い“ζもほぼ同様の結果が得られ
た。
第1図は本発明の磁気記録媒体の製造法を実施するとき
使用する装置の一例のぶd断面説明図、第2図はその装
置の他の例の平面説明図、第3図はその気相処理室の縦
W1面説明図である。 図中、2.22はプラズマ重合室、3,23は気相処理
室である。 昭和58年08月04日 第1・図 4 /4 手続補正書(自船 昭和58年9月09日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和58年特許願第141929号 2、発明の名称 磁気記録媒体及びその製造法 3、7ili正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号 (127)小西六写真工業株式会社 代表壱川本信彦 4、代理人 5、補正命令の日付 自発 6、補正により増加する発明の数 なし7、補正の対象 「明細書の発明の詳細な説明の欄」 8、補正の内容 1、 明細書第15頁第12行及び第13行に、rFe
2O3、Co含有Fe2O3Jとあるを、rFe2O3
、Co含有Fe3O4jと訂正する。 2、 明細書第25頁第10行に、 「ビディオ出力が3dBに減少」とあるを、「ビゲイオ
出力が3dB減少」と訂正する。 3、明細書第34頁第1行及び第2行に、[5xlQt
orrJとあるを、 =4 r5X10 torrJと訂正する。 4、明細書第35頁第4行に、 「第1図の装置う用いて」とあるを、 「第1図の装置を用いて」と訂正する。
使用する装置の一例のぶd断面説明図、第2図はその装
置の他の例の平面説明図、第3図はその気相処理室の縦
W1面説明図である。 図中、2.22はプラズマ重合室、3,23は気相処理
室である。 昭和58年08月04日 第1・図 4 /4 手続補正書(自船 昭和58年9月09日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和58年特許願第141929号 2、発明の名称 磁気記録媒体及びその製造法 3、7ili正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号 (127)小西六写真工業株式会社 代表壱川本信彦 4、代理人 5、補正命令の日付 自発 6、補正により増加する発明の数 なし7、補正の対象 「明細書の発明の詳細な説明の欄」 8、補正の内容 1、 明細書第15頁第12行及び第13行に、rFe
2O3、Co含有Fe2O3Jとあるを、rFe2O3
、Co含有Fe3O4jと訂正する。 2、 明細書第25頁第10行に、 「ビディオ出力が3dBに減少」とあるを、「ビゲイオ
出力が3dB減少」と訂正する。 3、明細書第34頁第1行及び第2行に、[5xlQt
orrJとあるを、 =4 r5X10 torrJと訂正する。 4、明細書第35頁第4行に、 「第1図の装置う用いて」とあるを、 「第1図の装置を用いて」と訂正する。
Claims (2)
- (1)支持体上に形成した磁性層と、この磁性層上の珪
素を含有したプラズマ重合層と、このプラズマ重合層表
面に有機物をグラフト及び/又は物理吸着させて形成し
た有機物処理層を有することを特徴とする磁気記録媒体
。 - (2)支持体上に磁性層を形成した後、この磁性層上に
珪素を含有した化合物をグロー放電下で重合させてプラ
ズマ重合層を形成し、この形成されたプラズマ重合層に
主に有機物からなる蒸気を接触させて気相処理すること
により有機物処理層を形成することを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141929A JPS6035330A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141929A JPS6035330A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035330A true JPS6035330A (ja) | 1985-02-23 |
| JPH0364930B2 JPH0364930B2 (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=15303430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141929A Granted JPS6035330A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035330A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6374120A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 磁気記録媒体の製造方法 |
| EP0523607A3 (ja) * | 1991-07-15 | 1994-02-16 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164433A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
| JPS5829119A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 帯電防止性磁気テ−プ |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP58141929A patent/JPS6035330A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164433A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
| JPS5829119A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 帯電防止性磁気テ−プ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6374120A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 磁気記録媒体の製造方法 |
| EP0523607A3 (ja) * | 1991-07-15 | 1994-02-16 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | |
| US5591481A (en) * | 1991-07-15 | 1997-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a magnetic recording medium including forming a graft polymer lubricant layer by irradiating monomers with radicals or atomic gas |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0364930B2 (ja) | 1991-10-09 |
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