JPS6045048A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6045048A JPS6045048A JP58152706A JP15270683A JPS6045048A JP S6045048 A JPS6045048 A JP S6045048A JP 58152706 A JP58152706 A JP 58152706A JP 15270683 A JP15270683 A JP 15270683A JP S6045048 A JPS6045048 A JP S6045048A
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- JP
- Japan
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- pad
- conductive layer
- nitride film
- diameter
- aluminum
- Prior art date
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- Pending
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
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- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明け、アルミニウムを主配線材料として用いた半導
体装置に関する。
体装置に関する。
半導体装置、特にアルミニウムをその主配線利料とする
半導体装置では、安価な樹脂容器を用いた場合、アルミ
が侵入水分によって溶けると言う、いわゆるアルミ腐蝕
が起り、その装置の耐湿性を損う大きな要因となってい
る。その為に、配線アルミ上を水をはねのける疎水性の
絶縁膜、例えはシリコン窒化膜等で被覆し、水分の侵入
を抑えて、アルミ腐蝕を防ぐ手段が講じられてい４）。
半導体装置では、安価な樹脂容器を用いた場合、アルミ
が侵入水分によって溶けると言う、いわゆるアルミ腐蝕
が起り、その装置の耐湿性を損う大きな要因となってい
る。その為に、配線アルミ上を水をはねのける疎水性の
絶縁膜、例えはシリコン窒化膜等で被覆し、水分の侵入
を抑えて、アルミ腐蝕を防ぐ手段が講じられてい４）。
しかしながら、一般に半専体チノグよりワイヤポンディ
ングで市：極を取り出す、いわゆるパッド部は、その性
格上この絶縁膜で卦おり事はできず、アルミ腐蝕に弱い
構造となっている。特に、パッド部には、水や汚れがワ
イヤと封止拐とのすき間から侵入し易く、前述した手段
が効果を上げるに至っていない。
ングで市：極を取り出す、いわゆるパッド部は、その性
格上この絶縁膜で卦おり事はできず、アルミ腐蝕に弱い
構造となっている。特に、パッド部には、水や汚れがワ
イヤと封止拐とのすき間から侵入し易く、前述した手段
が効果を上げるに至っていない。
本発明の目的は、この水分侵入によるアルミ暦蝕に対し
て強いパッド部を備えた半導体装置を提供するにある。
て強いパッド部を備えた半導体装置を提供するにある。
本発明の半導体装置では、下部の導電層と、この導電層
上面の絶縁膜上に設けられたポンディングパッドと勿接
続するだめの前記絶縁膜にあけられたコンタクト用孔の
径が、前記ボ・ンフ−イングパラドにボンディングされ
るワイヤの径より小さい構成を有する。
上面の絶縁膜上に設けられたポンディングパッドと勿接
続するだめの前記絶縁膜にあけられたコンタクト用孔の
径が、前記ボ・ンフ−イングパラドにボンディングされ
るワイヤの径より小さい構成を有する。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。第１図にお
いて、半導体基体１の一ヒに厚い酸化膜２が設けられて
おυ、酸化膜２の上に下部の４′ｔＦＬ層としての多結
晶シリコン層３が形成されている。
いて、半導体基体１の一ヒに厚い酸化膜２が設けられて
おυ、酸化膜２の上に下部の４′ｔＦＬ層としての多結
晶シリコン層３が形成されている。
仁れはアルミニウムなどの金属でもよい。そして、導電
層３を被うように全面にシリコン窒化膜４が被着され、
それから、窒化膜４には後記のボンディングワイヤの径
より小さい径のコンタクト用の孔８ａと８ｂがあけられ
た後、コンタクト用孔８ａと８ｂ′ｆ：埋めてそれぞれ
アルミニウムのパッド５ａおよび配線５ｂが形成され、
さらに疎水性のシリコン窒化膜６が全面に被着され、つ
ぎに、パッド５ａの上面のシリコン窒化膜６に開孔部７
が設けられ、開孔７の底面に１に出したパッド５ａにワ
イヤ９がボンディングされている。さらに、全面が封止
樹脂１１で被われ、外部雰囲気から保誇されている。
層３を被うように全面にシリコン窒化膜４が被着され、
それから、窒化膜４には後記のボンディングワイヤの径
より小さい径のコンタクト用の孔８ａと８ｂがあけられ
た後、コンタクト用孔８ａと８ｂ′ｆ：埋めてそれぞれ
アルミニウムのパッド５ａおよび配線５ｂが形成され、
さらに疎水性のシリコン窒化膜６が全面に被着され、つ
ぎに、パッド５ａの上面のシリコン窒化膜６に開孔部７
が設けられ、開孔７の底面に１に出したパッド５ａにワ
イヤ９がボンディングされている。さらに、全面が封止
樹脂１１で被われ、外部雰囲気から保誇されている。
このような本発明の半導体装置において、ボンディング
ワイヤ９と封止樹脂１１のずき間１２を伝わって侵入し
た水分は、パッド５．＋ｌ’Ｃ容易に到達し、パッド５
ａ（１）周辺１３をｇ曲させる。パッド５ａと下部の導
電層３との間に研イじるコンタクト用孔８ａの径はボン
ディングツイヤ９の径より小さく、かつ、水分針はねの
ける疎水性のシリコン窒化膜４とパッド５ａによりしっ
かりと塞がれているので、パッド５ａの腐蝕１３がこの
孔８ａにまで及ぶのは各易なξとではない。よって、従
来孔径の太きかったために発生したパッドと下部導電層
との間の断線は、本発明（１ｉ造により完全に近く防止
される。なお、本発明は、従来技術に対し大きな変更；
と伴なわずに実施可能という利点もある。
ワイヤ９と封止樹脂１１のずき間１２を伝わって侵入し
た水分は、パッド５．＋ｌ’Ｃ容易に到達し、パッド５
ａ（１）周辺１３をｇ曲させる。パッド５ａと下部の導
電層３との間に研イじるコンタクト用孔８ａの径はボン
ディングツイヤ９の径より小さく、かつ、水分針はねの
ける疎水性のシリコン窒化膜４とパッド５ａによりしっ
かりと塞がれているので、パッド５ａの腐蝕１３がこの
孔８ａにまで及ぶのは各易なξとではない。よって、従
来孔径の太きかったために発生したパッドと下部導電層
との間の断線は、本発明（１ｉ造により完全に近く防止
される。なお、本発明は、従来技術に対し大きな変更；
と伴なわずに実施可能という利点もある。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１・・・・・・半導体基体、２・・・・・・厚い酸化膜
、３・・・・・・多結晶シリコンＮ４（導電層）、４．
６・・・・・・シリコン窒化ＮＫ、５ ａ・・・・・・
ポンディングパツド、５ｂ・・・・・・アルミ配線、７
・・・・・・パッド部開孔、８ａ、３ｂ・・・・・・導
電層コンタクト用孔、９・・・・・・ボンデインクワイ
ヤ、１１・・・・−・封止樹脂、１２・・・・・・ワイ
ヤと樹脂のすき間、１３・・・・・・バッド周辺腐蝕部
。 笛１図
、３・・・・・・多結晶シリコンＮ４（導電層）、４．
６・・・・・・シリコン窒化ＮＫ、５ ａ・・・・・・
ポンディングパツド、５ｂ・・・・・・アルミ配線、７
・・・・・・パッド部開孔、８ａ、３ｂ・・・・・・導
電層コンタクト用孔、９・・・・・・ボンデインクワイ
ヤ、１１・・・・−・封止樹脂、１２・・・・・・ワイ
ヤと樹脂のすき間、１３・・・・・・バッド周辺腐蝕部
。 笛１図
Claims (1)
- 半導体基体上に設けられた導電層と、この導電層上面に
絶縁膜を介して設けられ、前記絶縁膜にあけられたコン
タクト用孔ｆＩ：遇して前記導電層と接続されているポ
ンディングパッドを備えた半導体装置において、前記コ
ンタクト用孔の径が前記ポンディングパッドに接続され
るボンディングワイヤの径より小であることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152706A JPS6045048A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152706A JPS6045048A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045048A true JPS6045048A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15546366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152706A Pending JPS6045048A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045048A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4984061A (en) * | 1987-05-15 | 1991-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device in which wiring layer is formed below bonding pad |
| EP0693782A1 (en) * | 1994-07-13 | 1996-01-24 | United Microelectronics Corporation | Method for reducing process antenna effect |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152706A patent/JPS6045048A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4984061A (en) * | 1987-05-15 | 1991-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device in which wiring layer is formed below bonding pad |
| EP0693782A1 (en) * | 1994-07-13 | 1996-01-24 | United Microelectronics Corporation | Method for reducing process antenna effect |
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