JPS6046590B2 - テレビジョン受像機における同期分離回路 - Google Patents

テレビジョン受像機における同期分離回路

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JPS6046590B2
JPS6046590B2 JP13665277A JP13665277A JPS6046590B2 JP S6046590 B2 JPS6046590 B2 JP S6046590B2 JP 13665277 A JP13665277 A JP 13665277A JP 13665277 A JP13665277 A JP 13665277A JP S6046590 B2 JPS6046590 B2 JP S6046590B2
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JP
Japan
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transistor
base
current
synchronous separation
collector
Prior art date
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JP13665277A
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JPS5469914A (en
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孝雄 横山
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、テレビジョン受像機における同期分離回路
に関する。
従来、同期分離回路として、第3図a、bに示す回路が
公知である。
これらの回路をモノリシック集積回路に構成する場合、
次に示すような問題があつた。いずれの回路も同期分離
トランジスタQ、はpnpトランジスタで構成されるも
のである。モノリシック集積回路に形成されるpnpト
ランジスタは、例えば、縦型叩nトランジスタのベース
領域の形成と同時にP型エミッタ及びコレクタ領域が形
成される周知のラテラル構造とされ、電流増幅率hFE
のバラツキが上記npnトランジスタに対し比較的に大
きい。そのため、入出力伝達特性が変化する。このため
、上記回路においては、上記入出力伝達特性に対応した
バイアス設定が困難となり、正確な同期分離動作が期待
できなかつた。この発明は、同期分離トランジスタの電
流増幅率(hFE)のバラツキによる誤動作を防止した
同期分離回路を提供するためなされた。
この発明は、同期分離トランジスタのベース電流(バイ
アス電流)を同一条件の下で形成され、エミッタ電流を
一定としたトランジスタのベース電流で作り出すように
したものである。
以下、実施例により、この発明を具体的に説明する。第
1図は、この発明の一実施例を示す回路図でJある。こ
の回路は、結合コンデンサCを介した映像信号がそのベ
ースに印加される同期分離用pnpトランジスタQ、の
エミッタを一方の電圧端子である電源電圧端子Vccに
接続し、そのコレクタと他方の電圧端子てある接地端子
との間に負荷抵抗iを設け、このコレクタに映像信号に
含まれる同期パルスを得る上記同期分離用トランジスタ
Q、のベースバイアス電流回路として、次に説明する回
路を用いる。一般に、同期分離回路は、他の回路、例え
ば、雑音パルス抑圧、AGC検波回路等とが含まれるモ
ノリシック集積回路に形成され、以下に説明するバイア
ス回路も、このモノリシック集積回路に形成する。
上記同期分離用トランジスタQ1と同一の条件の下に形
成された、言い換えれば、上記モノリシック集積回路に
形成されたPnpトランジスタQ2のエミッタと電圧端
子Vccとの間に抵孔R1を設け、このトランジスタQ
2のコレクタを接地し、ベース・コレクタ間に順方向ダ
イオードD1を設ける。
このダイオードは、トランジスタOと同時に形成された
トランジスタのベース●コレクタ間を短絡した構造とさ
れる。そして、このダイオードD1とともに、電流ミラ
ー回路を構成するNpnトランジスタQ3、換言すれば
、上記ダイオードD1の順方向電圧で動作するNpnト
ランジスタQ3のコレクタ電流を、上記同期分離用トラ
ンジスタQ1のバイアス電流として用いる。この回路の
動作は、次のように説明できる。
電源電圧■Ccは、例えば12V程度と、トランジスタ
のベース●エミッタ間電圧V8llllに比べ大きいた
め、このベース●エミッタ間電圧■BICに多少のバラ
ツキがあつても、トランジスタQ2のエミッタと電源電
圧端子Vccとの間に設けられた抵抗Rl,の両端に印
加される電圧VCC−2VB0は略一定となるため、こ
のトランジスタQ2のエミッタから供給される電流1]
:ニは、一定電流となる。したがつて、ダイオードD1
を通して流れるこのトランジスタQ2のベース電流hは
、113≠I日/HFE,Q2)3となる(ここでHF
E(Q2)は、トランジスタQ2の電流増幅率である。
このベース電流1Eが流れるダイオードD1により駆動
されるトランジスタOのコレクタ電流は、上記ベース電
流と略同一の電流となり、同期3分離用トランジスタQ
1のバイアス電流を流すこととなる。
上記同期分離用トランジスタQ1と、トランジスタQ2
とは、同一条件の下で形成されるものであるから、その
電流増幅率HFEは、製造上の特性のばらつきにかかわ
らず、相対的に略同一となる。
この電流増幅率HFEと同期分離用トランジスタQ1に
おける入出力伝達特性との関係は、第2図に示すように
、大きな電流増幅率による特性曲線を実線e、小さな電
流増幅率による特性曲線を破線e″に示すようになる。
この図に示すように、電流増幅率の減少に伴ない、バイ
アス点aをa″にノ示すようにΔ■分だけ深く、言い換
えれば、バイアス電流を大きくしなければ、同期分離動
作がなされない。この実施例においては、この電流増幅
率のバラツキを、トランジスタQ2のベース電流として
検出し、しかも、その逆数に比例する信号としているた
め、このベース電流を入力とする電流ミラートランジス
タOを介した同期分離用トランジスタQ1のベースバイ
アス電流は、その電流増幅率の減少とともに増加し、あ
るいは増加とともに減少して、上記入出力伝達特性に応
じたバイアス電流を得ることができる。
したがつて、同期パルス抜けや、帰線消去パルスを同期
パルスとして抜き出すという誤動作が防止できる。
なお、同期分離用トランジスタQ1のバイアス電流は抵
抗R1、電圧■Cc及びトランジスタQl,Q2の電流
増幅率を考慮して、設定するものである。
この発明は、前記実施例に示すように、モノリシック集
積回路に構成された同期分離回路として、適するもので
あるが、これに限定されず、少なくとも、トランジスタ
Ql,Q2が同一の条件の下に形成されたものであれば
よい。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例を示す回路図、第2図は
、この発明を説明するための入出力伝達特性図、第3図
A,bは、それぞれ従来技術の一例を示す回路図である

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ベースに結合コンデンサを介して映像信号が印加さ
    れ、エミッタが一方の電圧端子に接続され、コレクタと
    他方の電圧端子との間に設けられた負荷抵抗を有し、こ
    のコレクタ信号を出力とするpnp型の第1のトランジ
    スタQ_1と;エミツタと上記一方の電圧端子との間に
    抵抗を有し、ベースと上記他方の電圧端子との間に順方
    向ダイオードを有し、上記第1のトランジスタQ_1と
    同一のモノリシック集積回路に形成されたpnp型の第
    2のトランジスタQ_2と;上記順方向ダイオードの順
    方向電圧がベース・エミッタ間に印加され、コレクタを
    上記第1のトランジスタQ_1のベースに接続したnp
    n型の第3のトランジスタQ_3を具備し、該第3のト
    ランジスタQ_3のコレクタ電流によつて上記第1のト
    ランジスタQ_1のベース・バイアス電流を設定するこ
    とにより上記第1のトランジスタQ_1の電流増幅率の
    バラツキによる同期分離の誤動作を防止したことを特徴
    とするテレビジョン受像機における同期分離回路。
JP13665277A 1977-11-16 1977-11-16 テレビジョン受像機における同期分離回路 Expired JPS6046590B2 (ja)

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Publication Number Publication Date
JPS5469914A JPS5469914A (en) 1979-06-05
JPS6046590B2 true JPS6046590B2 (ja) 1985-10-16

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