JPS6060969A - 硫化カドミウム焼結体の製造方法 - Google Patents
硫化カドミウム焼結体の製造方法Info
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- JPS6060969A JPS6060969A JP58167504A JP16750483A JPS6060969A JP S6060969 A JPS6060969 A JP S6060969A JP 58167504 A JP58167504 A JP 58167504A JP 16750483 A JP16750483 A JP 16750483A JP S6060969 A JPS6060969 A JP S6060969A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は最も安価な基板（窓ガラス）上に光起電力緊子
に適した硫化カドミウム膜（以下Ｃｄｓ膜と呼ぶ）を焼
結するＣｄｓ焼結体の製造方法に関する。
に適した硫化カドミウム膜（以下Ｃｄｓ膜と呼ぶ）を焼
結するＣｄｓ焼結体の製造方法に関する。
従来、この１ｌｃｄｓ焼結体の製法においては、Ｃｄｓ
の焼結温度が６５０°〜７００℃と高温であったため、
基板材料としてはソーダガラスに比べて、はるかに高価
な高耐熱性のホウケイ酸ガラスを用いていており、この
ため索子コストが高いものとなっていた。
の焼結温度が６５０°〜７００℃と高温であったため、
基板材料としてはソーダガラスに比べて、はるかに高価
な高耐熱性のホウケイ酸ガラスを用いていており、この
ため索子コストが高いものとなっていた。
本発明はこの様な従来例の欠点に代みてなされたもので
あり、光起電力の発生に大きな役割を演するＣｄｓ貌結
膜を極めて安価なソーダ、ガラス（窓ガラス）上に、不
活性雰囲気（Ｎ２雰囲気）ベルト炉を用いて、低温で良
質に焼結する方法を提供することを目的とするものであ
る。
あり、光起電力の発生に大きな役割を演するＣｄｓ貌結
膜を極めて安価なソーダ、ガラス（窓ガラス）上に、不
活性雰囲気（Ｎ２雰囲気）ベルト炉を用いて、低温で良
質に焼結する方法を提供することを目的とするものであ
る。
そのための本発明の特徴はソーダガラス基板上ＫＣｄｓ
ペーストを印刷（スクリーン印刷）し、それを予備乾燥
後、Ｎ２雰囲気ベルト式焼成炉に流し、Ｃｄｓに加えた
融剤ＣｄｃＪ２（塩化カドミウム）の融点５６８℃の直
下の５４０°〜５６５℃の温度範囲でＣｄｓを焼結する
ことにあり、融剤Ｃｄｃ１２が液化しないで固体であっ
ても融剤Ｃｄ ｃ ｌ ｔの融点直下においては、融剤
Ｃｄｃｊ２の蒸発が十分におこり光起電力士子に適した
Ｃｄｓ焼結真の得られることを見い出した。
ペーストを印刷（スクリーン印刷）し、それを予備乾燥
後、Ｎ２雰囲気ベルト式焼成炉に流し、Ｃｄｓに加えた
融剤ＣｄｃＪ２（塩化カドミウム）の融点５６８℃の直
下の５４０°〜５６５℃の温度範囲でＣｄｓを焼結する
ことにあり、融剤Ｃｄｃ１２が液化しないで固体であっ
ても融剤Ｃｄ ｃ ｌ ｔの融点直下においては、融剤
Ｃｄｃｊ２の蒸発が十分におこり光起電力士子に適した
Ｃｄｓ焼結真の得られることを見い出した。
本発明のＣｄｓ焼結は融剤Ｃｄｃｊ、の融点以下、固体
状を保持しながら行なわれるので、融点以上としだ液体
状に比べて基本的に融剤の蒸発スピードは大変緩やかと
なる。このため、Ｃｄｓ膜質はＣｄｓ結晶粒の成長と融
剤ＣｄＣｌ２の蒸発、発散するのとバランスがとれて、
膜は結晶粒子と粒子のυ着断面枡が大きくなる。これは
膜の電気抵抗（シート抵抗値）の測定とインキを塗布し
た時のにじみをｉ Ｅ？してみるとよく判かる。にじみ
が発生するということは多孔質になっている証拠であり
、多孔質になっているということは断面積が減少し、抵
抗値が大きくなることであるから、にじみが少なければ
電気抵抗は小さいと言える。
状を保持しながら行なわれるので、融点以上としだ液体
状に比べて基本的に融剤の蒸発スピードは大変緩やかと
なる。このため、Ｃｄｓ膜質はＣｄｓ結晶粒の成長と融
剤ＣｄＣｌ２の蒸発、発散するのとバランスがとれて、
膜は結晶粒子と粒子のυ着断面枡が大きくなる。これは
膜の電気抵抗（シート抵抗値）の測定とインキを塗布し
た時のにじみをｉ Ｅ？してみるとよく判かる。にじみ
が発生するということは多孔質になっている証拠であり
、多孔質になっているということは断面積が減少し、抵
抗値が大きくなることであるから、にじみが少なければ
電気抵抗は小さいと言える。
これに対して融剤の融点５６８℃以上の５７０℃を越え
て焼結したものは結晶粒の成長と融剤Ｃｄｃ１２ の蒸
発、発散のバランスが（ずれＣｄｓ厄は結晶粒子と粒子
の融着断面積が小さくなる。
て焼結したものは結晶粒の成長と融剤Ｃｄｃ１２ の蒸
発、発散のバランスが（ずれＣｄｓ厄は結晶粒子と粒子
の融着断面積が小さくなる。
このことはＣｄ ｓ ＩＥ（のシート抵抗の急増とイン
キのにじみの大きいポーラスなことで判かる。この様子
を第２図に示す。この図はＣｄｓ厄の焼成温度とシート
抵抗との関係を示すグラフであり、このグラフから明ら
かな様に５６０℃を越え、５７０℃以上になるとシート
抵抗が急増するのが判る。
キのにじみの大きいポーラスなことで判かる。この様子
を第２図に示す。この図はＣｄｓ厄の焼成温度とシート
抵抗との関係を示すグラフであり、このグラフから明ら
かな様に５６０℃を越え、５７０℃以上になるとシート
抵抗が急増するのが判る。
このように融剤の融点の前後でＣｄｓ焼結膜質が急変す
ることを見いだしたもので、融剤の融点直下で焼結した
ものは緻密性にすぐれた膜質で、光を吸収散乱させる気
孔率が顕著に減少したものとなり、シート抵抗も５０
Ｑ／句が得られるので、光起電力素子に適したＣｄｓ焼
結膜といえる。第１図は融剤温度特性とＣｄｓ最適焼成
温度範囲を示すブラシであり、前述した通り、Ｃｄｃ１
２の団体領域である５４０℃〜５６５ ’Ｃが最適灼成
温度範囲となる。
ることを見いだしたもので、融剤の融点直下で焼結した
ものは緻密性にすぐれた膜質で、光を吸収散乱させる気
孔率が顕著に減少したものとなり、シート抵抗も５０
Ｑ／句が得られるので、光起電力素子に適したＣｄｓ焼
結膜といえる。第１図は融剤温度特性とＣｄｓ最適焼成
温度範囲を示すブラシであり、前述した通り、Ｃｄｃ１
２の団体領域である５４０℃〜５６５ ’Ｃが最適灼成
温度範囲となる。
本発明は以上述べた様に融剤ＣｄＣｌ２の融点以下、固
体状態を保持しなからＣｄ ｓ Ｑ’ｌ、結を行１ｊう
ようにしたものであるから、緻密性に優れた膜質とする
ことが出来、また焼結温度が５４０°〜５６５゜Ｃと低
温度であるため、ソーダガラス基板の耐熱性とマツチン
グがとれ、基板をより安価なものとすることができる大
きな利点が生じたものである。
体状態を保持しなからＣｄ ｓ Ｑ’ｌ、結を行１ｊう
ようにしたものであるから、緻密性に優れた膜質とする
ことが出来、また焼結温度が５４０°〜５６５゜Ｃと低
温度であるため、ソーダガラス基板の耐熱性とマツチン
グがとれ、基板をより安価なものとすることができる大
きな利点が生じたものである。
尚、焼結温度が５４０℃以下になると、融剤の蒸発速度
の低下による焼結時間が多大となることによる経済的損
失の増大とＣｄｓ結晶粒子径の成長不足による光起電力
能の低下から不適であった。
の低下による焼結時間が多大となることによる経済的損
失の増大とＣｄｓ結晶粒子径の成長不足による光起電力
能の低下から不適であった。
第１図は融剤Ｃｄｃ１２の温度特性及びＣｄｓ最適焼成
温度範囲を示す図、第２図はＣｄｓ膜の焼成温度とシー
ト抵抗の関係を示す図である。 第１目 （−Ｊｓ煙信１４唱 ０ 傭或擺度（’ｃ）
温度範囲を示す図、第２図はＣｄｓ膜の焼成温度とシー
ト抵抗の関係を示す図である。 第１目 （−Ｊｓ煙信１４唱 ０ 傭或擺度（’ｃ）
Claims (1)
- 硫化カドミウム粉末に融剤塩化カドミウム及び有機バイ
ンダーを加えて硫化カドミウムペーストを作り、印刷法
によって絶縁基板上に、このペーストを印刷し、これを
予備乾燥後、不活性雰囲気炉で、約５４０℃〜５６５℃
の範囲で硫化カドミウムを焼結することを特徴とする硫
化カドミウム儲結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58167504A JPS6060969A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 硫化カドミウム焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58167504A JPS6060969A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 硫化カドミウム焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060969A true JPS6060969A (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=15850907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58167504A Pending JPS6060969A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 硫化カドミウム焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060969A (ja) |
-
1983
- 1983-09-13 JP JP58167504A patent/JPS6060969A/ja active Pending
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