JPS6073314A

JPS6073314A - 測距装置

Info

Publication number: JPS6073314A
Application number: JP18253083A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Takagi; 正明高木; Yukio Yoshikawa; 幸雄吉川; Tomio Kurosu; 富男黒須; Toyonori Sasaki; 佐々木　豊徳; Kunio Matsumoto; 松本　国夫; Akita Namioka; 波岡　顕太
Original assignee: Nidec Copal Corp
Current assignee: Nidec Precision Corp
Priority date: 1983-09-30
Filing date: 1983-09-30
Publication date: 1985-04-25
Also published as: JPH0342609B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、カメラ等に用いられる測距装置てあって、発
光素子から発せられた光を測距えｊ象に向けて投則し、
その反射光を共通電極及び一対の検出用電極を有する半
導体装置検出素子で受光する三角測距方式の測距装置の
改良に関する。

従来、」二連のような方式の測「１１装置としては、特
開昭５７−１７７１０７号公報等により提案されている
。

一般に、発光素子より投射した光の測距対象からの反射
光を受光素子で受光して測距する場合、その反射光強１
度は、測距対象の反則率、距ｊｉｊｆｊ等によって、千
倍以上の差を生じる。従って、受光素子の出力を増幅す
る増幅回路は、６０ｄＢ以−にのタイナミックレンジが
必要となる。

そのクイナミソクレンジを広くする方法としては、受光
素゛ｒ出力の対数圧縮や増幅回路の１−目すＪ利得調整
が考えられるが、前者では、受光々量が太き（受光累子
間の出力差が小さい１１γに、Ｓ／Ｎが悪くなる欠点が
あり、また後者では、フィードバック系が必要で、発振
等の不安定要素が増大する欠点があった。

零或は微少値から徐々に増大させて、比較回路の判別し
易いある設定値に達した時に測距状態を判別させ、撮影
レンズを所定位置に設定する測距装置を提供するもので
ある。

以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。

先ず、第１図において、■はクロックパルス発生回路（
発振周波数ｆ　Ｏ＝１６ＫＨｚであり、以下Ｏ８Ｃと記
述する）、２は時間形成回路（時間ｔ　＝２５ｍｓ）　
、３はアンドゲート、４はトランジスタ、５は測距対象
へスポット光を投射する発光素子としての赤外線発光ダ
イオード（以下、ＩＲＤと記述する）である。

６は半導体装置検出素子で、比較的大きな面をイコする
半導体基板７をもち、その半導体基板７の一方の而に該
基板７と異なる導電型の半導体層８が形成されている。

そして、半導体層８の上には抵抗層９が形成されている
と共に、該抵抗層９の両端に一対の電極（検出用）９ａ
、’９ｂが設けられ、また半導体基板７には共通電極１
０が設けられている。

１１及び１２は夫々交流増幅回路、１３及び１４は夫々
利得（増幅率）調整入力端子１３ａ及び１４ａを備えた
交流増幅回路、１５及び１６は夫々帯域フィルター回路
（中心周波数ｆ’ｏ＝］、６ＫＨｚであり、以下ＢＰＦ
と記述する）、１７及び１８は夫々検波回路、１９及び
２０は夫々検波回路、２１及び２２は夫々直流増幅回路
、２３はインバータ、２４はトランジスタ、２５は定電
流回路、２６はコンデンサ、２７は電流増幅回路、２８
．２９及び３０は夫々コンパレータ回路（以−ＦＣＭＰ
と記述する）、３１は定電流回路、３２゜３３及び３４
は夫々ＣＭＰ２８の反転入力端ｒ−（−）及びＣＭＰ２
９，３０の非反転入力端子（＋）に基亭電圧Ｖｒ＋及び
Ｖｒ２．　Ｖｒ３を与える分圧抵抗、３５はアントゲー
ト、３６及び３７は夫々Ｄタイプのフリップフロップ回
路、３８はＲ，Ｓタイプのフリップフロップ回路（なお
、フリップフロップ回路は、以下共通してＦＦと記述す
る。）であり、夫々図示の如く接続されている。

次に、第１図の動作を第２図と共に説明する。

操作の開始によって、図示していない電源スィッチが閉
成されると、回路の各部に給電が行われると共に、ＦＦ
３６，３７及び３８はリセットが解除される。

そして、クロックパルス発生回路１が動作して、６２５
μｓの周期のクロックパルスが発生すると共に、時間形
成回路２の出力がｔ＝２５ｍｓの時間だけ「ｌ−■」レ
ベルへ反転する。

従って、その時間だけクロックパルスがアントゲート３
を通過し、それに対応してＩ・ランンスタ４が鶏１、通
、遮断を繰返ず結果、ＩＲＤ５はパルス点灯する。

このＩＲＤ５の点灯による投射光は、測距対象力）ら反
射して半導体装置検出素子６で受光される。

こ５で、電極（検出用）９ａと９ｂの間に反射光スポッ
トＸが当ると、抵抗層９を介して入射点に次の関係が成
立する。

ｌ３＝ＩＩ＋Ｉ２そして、抵抗層９の抵抗を一様にしておけば、反射光ス
ポラ）Ｘの入射点と電極９ａの間の距離をｌｒ、入射点
と電極９ｂの間の距離を１２とすると、１１　・Ｉ　＋
　＝＋　２　・Ｉ２なる関係が成立する。

この条件に基づき、ａ及びａ″点の受光出力は、■に示
す如（、自然光による直流成分に重畳されて発生する。

また、交流増幅回路１１及び１２後のｂ及びｂ′点の出
力は、＠に示す如（、増幅されて現われる。

−方、時間形成回路２の出力が２５ｍ５の１１１間「Ｈ
」レベルへ反転している間、インバータ２３の出力が「
Ｌ」レベルへ反転し、トランジスタ２４が遮断するので
、コンデンサ２６は定電流回路２５により定電流充電さ
れ、その定電流を１、コンデンサ２６の容量をＣとする
と、電流増幅回路２７の出力端子Ｃ点の電圧Ｖは、Ｖ−、（］／Ｃ）Ｉ　、ｔの関係式により、Ｏで示す如
く北昇する。

即ち、交流増幅回路１３及び１４は、夫々利得調整入力
端子］、３ａ及びｉ４ａの電位が、低位から徐々に」−
Ｈし、増幅率が零或は低増幅率から高増幅率へ掃引され
、ｄ及びｄ′点の出力は、＠に示す波形の如くになる。

また、Ｂ））Ｆ］５及び１６後のｅ及びｅ゛点の出力は
、その中心周波数ｆｏとＯ３，ＣＩの発振周波数ｆＯと
を同し値に設定しであるので、■に示す如く、■の波形
を増幅したように現われる。更に、検波回路１７及びＩ
８後のｆ及びｆ′点の出力波形は、θに示す如くになり
、平ｌ（ｉ回路Ｊ９及び２０を経た直流増幅回路２１及
び２２後のｇ及びｇ′点の出力電圧Ｖｇ及びＶｇ′は、
■に示す如（、所定値から徐々に上昇する。

そして、第２図に示す如く、測距対象が近距離性（（９
，に存在している場合には、（ａ　１．）　、（ａ　２
）に示す如く、反射光スポットＸが、半導体装置検出素
子６に対し大きく左側に片寄りＩＩ＜１２の状態になる
ので、ｇ点の出力電圧Ｖｇがｇ′点の出力電圧Ｖｇ゛よ
りも充分高いと共に、その出力電圧Ｖｇが基準電圧Ｖｒ
＋に達した時、ＣＭＰ２８の出力がｌ’−ＨＪレベルへ
反転して、先の時間［の間［（Ｊレベルの信号が与えら
れていたアンドゲート３５が開いてその出力がｌ’−Ｉ
−ＩＪ　レベルへ反転する。一方、その時点ては、ｇ゛
点の出力電圧■ｇ′が基準電圧■ｒ３にも達していない
ので、ＣＭＰ２９及び３０の出力は共に「Ｈ」レベルの
ま５である。

従って、アンドゲート３５の出力の［Ｈ，、Ｊ　レベル
への立」−り信号をクロックとするＦＦ３６及び３７は
、共に「Ｈ」レベルの信号を読み込み、夫夫の出力端子
Ｑ１及びＯ２に「■（」レベルの信号を記憶し、またそ
の立上り信号をセットパルスとするＦＦ３８は、出力端
子Ｑ３が［（Ｊレベルへ反転する。

また、測距対象が中距離位置に存在している場合には、
第２図（ｂｌ）、　（ｂ２）に示す如く、反射光スポッ
トＸが、半導体装置検出素子６に対し左側に片寄ってＩ
Ｉ＜１２の状態にあり、同様の動作で出力電圧Ｖｇ”が
Ｖｒ２（Ｖ＋°３の間に在るので、ＦＦ３５の出力端子
Ｑ１は「Ｈ」レベルの信号を、他方ＦＦ３７の出力端子
Ｑ２はｒＬＪレヘレベ信号を夫々記憶し、またＦＦ３８
の出力端子Ｑ３は［（Ｊレベルへ反転する。

更に、測距対象が遠距離への境界位置に存在していた場
合には、第２図（ＣＩ）　、（Ｃ２）において実線で示
す如く、反射光スポットｘが半導体装置検出素−Ｆ６に
対しはゾ中央に当ってｌ＋六１２の状態にあるので、そ
の出力電圧Ｖｇ及び■ｇ′ははド等しく、その判別時点
ては、出力電圧Ｖｇ”が基準電圧Ｖｒ２よりも高くなっ
ているのて、ＦＦ３５及び３７の夫々の出力端子Ｑ１及
びＯ２はｒＬＪ　レベルの信号を記憶し、また、ＦＦ３
８の出力端子Ｑ３は「ＩＩ」レベル−・反転する。

更にまた、測ム゛１」対象が極遠距離位置に存在してい
た場合には、（ｃ　１）　、（ｃ　２）において鎖線て
示す如く、反射光スポットＸ′が、半導体装置検出素子
６に対し右側に片寄ってＩＩ＞１２の状態にあるが、極
遠距離のため、出力電圧Ｖｇは先の時間を内には基準電
圧Ｖｒ＋に達せず（測距対象が反射率の小さいもの＼場
合も同様になることがある）、ＣＭＰ２８の出力がｒＬ
Ｊレベルのま＼てあり、その時間ｔが終了するとアンド
ゲート３５かゲートを閉じるので、ＦＦ３８はセットさ
れず、出力端子Ｑ３がｒＬＪレベルのま５の状態に保持
される。

なお、この時は、アンドゲート３５の出力が［ＨＪレベ
ルへ反転することはないのて、ＦＦ３６及び３７は読み
込み動作を行わない。

即ち、第３図の真理値の図表に示す如く、ＦＦ３６及び
３７の出力端子Ｑ＋及びＯ２の信号レベル状態により近
、中及びｊＭｉ’ｉ（ｉ’ｉｉｆを判別するように設定
されているものであり、更に、ＦＦ’３８の出力端子Ｑ
３がｒＬＪレベルの時は、ＦＦ３６及び３７による判別
に優先して遠ａｌｔ’、　Ｗｉｔ、を判別するように設
定されるものである。

また、第１図のＣＭＰ２９及び３０への甚準電圧は、固
定バイアスであり、出力電圧ＶｇＰと出力電圧Ｖｇとは
絶対値比較が行われている。

第４図の実施例は、ＣＭＰ２９及び３０への基準電圧が
、変動する出力電圧Ｖｇを分割する形で与えられ、従っ
て、出力電圧Ｖｇ’は、出力電圧Ｖｇに対する割合の量
として比較が行われる。なお、分圧回路のｖｂは、例え
ば、ＩＲＤ５を動作させていない時の半導体装置検出素
子６の受光出力回路の通常の電圧レベルがバイアスされ
ている。

また、第１図の回路動作では、ＣＭＰ２８の出力が１ト
■］レベルへ反転した１１′ｉ、出力電圧Ｖｇ″の状態
を判別する訳けであるが、アントゲート３５以下の累積
される動作遅れ時間により、その判別に精度を欠く場合
が起り得る。

これに対し、第４図の実施例の特徴は、を述の如く、割
合の基、即ち、出力電圧■ｇ′は出力電圧Ｖｇに対する
比で判別されるので、前実施例よりも精度の向上が計れ
るものである。

なお、上述の測距出力の段数は増減可能であり、また、
ＦＦ３８により遠距離を判別した場合、併せて警報を発
するようにすることもできる。

上述の実施例は、測距出力を、基準電圧（Ｖｒ２゜Ｖｒ
３）のレベル及び段数に応してデジタル的に得るもので
あるが、以下測距出力を更に細分割化して得られる実施
例について説明する。

先ず、第５図及び第６図によりその一番１」のものを説
明する。なお、前実施例と同一の素子には同じ符号をイ
；］シている。

第５図において、４１はコンパレータ回路、４２及び４
３はコンパレータ回路４１の反転入力端子（−）に基準
電圧Ｖｒを与える定電流回路及び抵抗、４４はアントゲ
ート、４５はアナログスイッチ、４６はインバータ、４
７はコンデンサ、４８は電流増幅回路、４９はコンパレ
ータ回路（なお、コンパレータ回路は、以下共通してＣ
ＭＰと記述する。）、５０及び５１はＣＭＰ４９の非反
転入力端子（刊に撮影レンズの可動範囲における一方の
極限位置から他方の極限位置への移動に対応した変位電
圧を与える定電流回路及びポテンショメータ、５２はＲ
，Ｓタイプの７リツプフロツプ回路（以下ＦＦと記述す
る）、５３はアンドゲート、５４はトランジスタ、５５
は撮影レンズの操作部祠（レンズセットリング）の運動
を停止させる電磁石である。

次に、第６図において、５６はレンズセットリングて、
光軸を中心にして回動自在に配置され、１１つバネ５７
により右旋性が与えられ、その右旋により撮影レンズを
無限遠位置がら至近距離位置方向へと変位移動さぜるも
のであり、また、段部５６ａとラチェット歯５６ｂとを
形成している。

−【旦はレンス駆動のレリーズ用の電磁石で、鉄芯５８
ａとコイル５８１〕と永久磁石５８ｃとにより構成され
ている。５９は軸６ｏに枢着されていると共にハネ６１
により左旋性が与えられているレリーズ用の鉄片レバー
であり、レンズセントリンク５６の段部５６ａに係合し
得るフック５９ａと電磁石立旦の鉄芯５８ａに対向する
鉄片５９ｂとを形成している。６２はピンで、鉄片レバ
ー５９の左旋量を制限している。６３は軸６４に枢着さ
れバネ６５により右旋性が与えられている０　７り用の
鉄片レバーで、レンズセラｉ・リング５６のラチェツト
歯５６ｂに係合し得るフック６３ａと、第５図における
ものと同じものである電磁石５５に対向する鉄片６３ｂ
とを形成している。

なお、第５図におけるポテンショメータ５１は、第６図
に示す如く、レンズセットリング５６に支持すれたブラ
シ５１ａと、基板５１ｂ」−に形成すれた抵抗体５１ｃ
と導体５１ｄとにより構成されている。

そこで、第５図及び第６図の動作を第２図（〔」内の電
圧参照）と共に説明する。

］二連と同様に、第２図（ａ　１）　、（ａ　２）の状
態では、ｇ点の出力電圧Ｖｇがｇ″点の出力電圧Ｖｇ”
よりも充分高いと共に、ｇ及びｇ”点の電位はその関係
を保ちながらｔ昇する。

また、この段階では、アンドゲート４４がゲートを閉じ
ていてインバータ４６の出方が「ｆ−Ｉ　Ｊレベルであ
るので、アナログスイッチ４５が開いており、コンデン
サ４７はｇ′点の出力電圧Ｖｇ″にょり充電されて行く
。

そして、ｇ点の出力電圧Ｖｇが基準電圧Ｖｒに達すると
、ＣＭＰ４１は出力がｒＨＪレベルへ反転し、この結果
、先の時間ｔの間［ＨＪ　レベルの信号が与えられてい
るアントゲ−１・４４は開いてその出力が［ｆ（Ｊ　レ
ベルへ反転し、ＦＦ５２をセリトンてその出力Ｑを「Ｈ
Ｊレベルに反転保持させると共に、インバータ４６の出
力をｒＬＪレベルへ反転させてアナログスイッチ４５を
閉じさせる。従って、コンデンサ４７には、ｇ点の出力
電圧Ｖｇか基準電圧Ｖｒに達した時のｇ゛点の出力型Ｌ
ＩＥＶｇ″（Ｖｌ）か記憶される。またその電圧Ｖ１は
、電流増幅回路４８で増幅され、ＣＭＰ４９の反転入力
端子十−）に与えられる。

なお、ＣＭＰ４９は、非反転入力端子（＋）に入力端子
を与えるポテンショメータ５１が初期状態では高電位側
に位置しているので、初期の出力状態は「Ｆ（」レベル
に置かれている。

従って、アント′ゲート５３は、ゲートを開いてトラン
ジスタ５４を導通させているので、電磁石５５は励磁し
ていて鉄片レバー６３を吸着保持している。

そして、先の時間ｔの終了後に、図示していない回路動
作により電磁石５８のコイルＳｚｂが、永久磁石５８’
Ｃの磁力を打ち消す方向にパルス駆動されると、鉄片レ
バー５９はバネ６１の張力により左旋し、フック５９ａ
がレンズセットリング５６の殴部５６ａから外れる。そ
の結果、該リング５６はバネ５７の張力により右旋を開
始して、撮影レンズを無限遠位置から至近距離位置方向
へ変位移動させると共に、ブラシ５１ａを、抵抗体５　
］、　ｃ　Ｊ：１と導体５１ｄ」二とで摺動させて、ポ
テンショメータ５１を高電位側から低電位側へ変位移動
させる。

そして、ＣＭＰ４９の非反転入力端子（」−）の電位が
反転入力端子（−）の電位まで低下すると、ＣＭＰ４９
はその出力がｒＬＪレベルへ反転してアンドゲート５３
を閉じさせる。その結果、トランジスタ５４が遮断して
電磁石５５が消磁するので、り（片レバー６３がバネ６
５の張力により右旋し、フック６３ａがラチェット１ｉ
５６ｂの一つに噛合して、レンズセットリング５６の右
旋を停止させて撮影レンズが所定位置に固定されるもの
である。

また、測距対象がもう少し遠い位置に存在している場合
には、例えば第２図（ｂ　１）　、（ｂ　２）に示す如
くなり、」二連の記憶電圧■１に相当するものが電圧■
２に変化する。

更に、測１１′−嗅１象が更に遠い位置に存在している
場合には、例えば第２図１（ＣＩ）、（Ｃ２）において
実線で示す如くなり（反射光スポラ１．Ｘが半導体装置
検出素子６のはＳ中火に当った場合）、−上述の記憶電
圧Ｖ１に相当するものか電圧■３に変化する。

更にまた、測距対象が極遠距削位置に存在していた場合
には、第２図（ＣＩ）、（Ｃ２）において鎖線で示す如
く、反則光スポラ＋−Ｘ“が半導体装置検出素了６に対
し右側に片寄るか、極遠距肖１１のため、出力電圧Ｖｇ
は先の時間を内てはシ（亭主ＪＪ−Ｖ　ｒに達せず（測
距対象が反則率の小さいものの場合も同様になることが
ある）、ＣＭＰ４］の出ノＪがｒＬＪレベルのま〜てあ
り、その時間ｔが終了して時間形成回路２の出力がｒＬ
Ｊ　レベルへ復帰してしまうと、アントゲ−１・４４の
出力はｒＨＪレベルへ反転できなくなる。従って、ＦＦ
５２は、セットされず出力Ｑが「Ｉ２」　レベルの状態
に保持されて、アンドゲート５３を閉じさせたまトにす
る。

この結果、電磁石５５は初期状態から４カ磁されておら
ず、鉄片レバー６３を吸着していないので」二連の動作
と同様に、レンズセットリング５６か右旋して、ラチェ
ツト歯５６ｂの最初の歯がフック６３ａに対向した時、
鉄片レバー６３は直ちに右旋し、フック６３ａがラチェ
ット歯５６ｂに噛合し、レンズセットリング５６の右旋
を停止させ、撮影レンスを無限遠位置に固定させるもの
である。

次に、第７図及び第８図により他の実施例について説明
する。なお、前実施例と同一の素子には同じ杓号をイ；
ｊしている。

６６．６７はＣＭＰ、６８．６９及び７０は定電流回路
、抵抗及びポテンショメータ、７１゜７２及−び７３は
ナントゲート、（なお、以北の素ｒ−と、電流増幅回路
４８の出力電圧を入力とし、ナントゲ−１−７２，７３
の状態を出力とする関係でウィンドコンパレータ回路を
構成している。）７４はアノトゲ−１・、７５はオアゲ
ート、７６はイ／ハータ、７７〜８０はトう／ジスタ、
８１はモータである。

８２はレンズセットリングて、光軸を中心にして回動自
在に配置され、部分ギヤ８２ａを形成し°Ｃいる。８３
はピニオンて、第７図のものと同しものであるモータ８
１の回転軸に固着されている。

８４は中間ギヤで、ピニオン８３とレンズセットリング
８２の部分ギヤ８２ａとに噛合している。

なお、第７図におけるポテンショメータ７０は、第８図
に示す如く、レンズセットリング８２に支持されたブラ
シ７０ａと、基板７０１）　−１−に形成された抵抗体
７０ｃと導体７０ｄとにより構成されている。

一１二連の如く、電流増幅回路４８の出力電圧は、極遠
距離等は別にして、測距対象が近、中、遠と遠（になる
に従って高くなるように設定されている。

そして、ウィンドコンパレータ回路である関係から、電
流増幅回路４８の出力電圧（Ｖｘ）が、ＣＭＰ６６の非
反転入力端子（刊の電圧（Ｖｌよりも高ければ、ＣＭＰ
６６の出力は「Ｉ、」　レベルで、ＣＭＰ６７の出力は
「■−■ｊレベルであるから、ナントゲート７１の出力
が「Ｈ」レベルとなって、ナントゲート７２の出力が「
Ｈ」レベルで、ナンドゲ−１・７３の出力が１−ＬＪ　
レベルとなる。

一方、出力電圧Ｖｘが、ＣＭＰ６７の反転入力端子（−
）の電圧（Ｖｚ）よりも低くければ、ＣＭＰ６６の出ノ
Ｊは「■］」レベルて、ＣＭＰ６７の出力は「Ｌｊレベ
ルであるから、その後の出力状態は前述とは逆の関係に
なる。

」二連のいずれの場合も、モータ駆動回路の両人力に差
が生しているので、夫々の方向に対応してモータ８１が
回転し、レンズセットリンク８２を駆動する。

また、出力電圧Ｖｘが、Ｖｙ）Ｖｘ）Ｖｚの関係に置か
れた場合には、ＣＭＰ６６及び６７の出力は共に［１１
］　レベルとなってナンドゲ−１・７１の出力がｌ”Ｌ
Ｊレベルとなるので、ナントゲート７２及び７３の出力
は共に「Ｈ」レベルとなり、この時はモータ駆動回路の
両人力が同電位であるから、モータ８１は回転しない。

即ち、モータ８１の回転により駆動されるレンズセット
リング８２の運動に連動してポテンショメータ７０が操
作されることにより、その時の出力電圧Ｖｘに対して電
圧ｖｙとＶｚを変化させ、Ｖｙ）Ｖｘ）Ｖｚの関係位置
を検出させて、撮影レンズを所定位置に固定させるもの
である。

更に、Ｊ−述の如く、Ｆ　Ｆ　５２がセットされず、出
力Ｑか［−Ｌ」レベルのまトの時は、アントゲ−１・７
４の出力がｒＬＪ　レベルで、オアゲート７５の出力か
「ＩＩ１　レベルに保持され、出力電圧Ｖｘが高い時と
同じであるから、撮影レンズは極遠距離位置側へ駆動さ
れる。

なお、このＩＩ：ｌＪは、Ｖｙ：）Ｖｘ）Ｖｚの状態を
検出する動作は１１１（関係となって、モータ８１には
撮影レンズを極遠距離側へ駆動する電流が流れ続けるこ
とになるので、リミッタ−を設けておくことが好ましい
。

次に、第９図により他の実施例について説明する。なお
、前実施例と同一の素子には同じ符号を付している。

８６は例えば４ビツトのＡ／Ｄコンバータ回路、８７〜
９０はアントゲ−１・、９１は例えば４ビットのマグニ
チュードコンパレータ回！Ｌ　９２　ハモータ駆動回路
、９３はその回転によりレンズセットリングを駆動する
モータ、９４はモータ９３の回転量をデジタル化する例
えば４ヒツトのエンコータである。

電流増幅回路４８の出力電圧のつ′ナログ量は、Ａ、／
Ｄコンバータ回路８６で四つの出力端子により、　ｒＬ
Ｊ　、「ＬＪ　、ｒＬ」、ｒＬｊから［Ｉ−ｊＪ。

［ＨＪ　、［ＨＪ　、ｒＨＪまでの１６段階のデジタル
量の一つに符号化され、その１６段階は、例えば、極遠
距離位置から至近距離位置までを１６分割している。

従って、Ａ／Ｄコンバータ回路８６の出力は、アントゲ
−１・８７〜９０を通してマグニチュードコンパレータ
回路９１に入力される。そして、モータ駆動回路９２に
よりモータ９３が回転させられることによってレンズセ
ットリングが駆動される。その結果、撮影レンズは無限
遠位置から至近距離位置方向へ変位移動させられる。そ
して、モータ９３の回転量をデジタル量に変換するエン
コータ９４の出力が該コンパレータ回路９１の人力と一
致した時にモータ９３が停止して、撮影レンスが所定位
置に固定されるものである。

また、Ｌ述の如く、ＦＦ５２がセットされず、出力Ｑか
「Ｌ」レベルのまトの時は、アントゲ−１・８７〜９０
の出力が共に「Ｉ、」レベルに保持されて、十−述の極
遠距離状態と同しであるので、撮影レンズはｊＨＨ５眼
遠位置で固定される。

なお、夫々の実施例において、ＦＦ５２かセットされず
、遠距離状態を設定する場合は、併せて警報を発するよ
うにすることもできる。

以」−の如く、本発明は、受光素子出力の対数圧縮や増
幅回路の自動利得調整を行うことなく、増幅回路の増幅
率を低増幅率から高増幅率へ掃引する簡単な構成により
安定した動作て測距状態を判別することができるもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示した回路図、第２図は受
光素子に対する反射光スポットの状態と出力電圧の関係
を示した説明図、第３図は測距出力の一例を示した真理
値の図表、第４図、第５図。第７図及び第９図は夫々本発明の他の実施例を示した部
分回路図、第６図及び第８図は夫々第５図及び第７図に
対応した撮影レンスの駆動機構の−・例を示した説明図
である。１・・　・・・・・・　・・・タロツクパルス発生回路
２・・・・　・・・・・・・・・時間形成回路５・・・
・・・・・・・・・・・・・赤外線発光ダイオード６・
・・・・・・・・　・・・・・半導体装置検出素子９ａ
、９ｂ・・・・・・・・電極（検出用）１０・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・共通電極１１．１２
．１３及び１４・・・交流増幅回路１３ａ及び１４ａ・・・・・・利得調整入力端子１５及
び１６・・・・・・・・帯域フィルター回路１７及び１
８・・・・・・・・・・・検波回路１９及び２０・・・
・・・・・・・平泪回路２１及び２２・・・・・・・・
直流増幅回路２７及び４８・・・・・・・・・・電流増
幅回路５１及び７０・・・・・・・・ポテンショメータ
５５・・・・・・・・・・　・・・・・電磁石５６及び
８２・・・・・・・・・・レンズセットリング８１及び
９３・・　・・・・モータ８６・・・・　・・・・・・・・Ａ／Ｄコンバータ回路
９１・　・・　・　・　・　マグニチュードコンパレー
タ回路９２　・・−・・　・・・・モータ駆動回路９４・　・
・・・・　・・・・・・エンコーダＸ及びＸ′・・・・
・・−・・・・・・反射光スポット特許出願人株式会社　コ　パ　ル第２１シ１６　＜、二２５ｍ５）第４１り１手続補正書（方式）昭和５８年２０月８１日Ｉ　事件の表示昭和５８年特許願第１８２５３０号２　発明の名称測距装置３　補正をする者特杵出頓人〒１７４　東京都板橋区志村２の１６の２０電話　（９
６５）＋１１１（＋２２）　株式会社コ　ｌ（ル図面全図ｂ　補正の内容

Claims

【特許請求の範囲】

（１）発光素子から発せられた光を測距対象に向けて投
則し、その反射光を共通電極及び一対の検出用電極を有
する半導体装置検出素子で受光する三角測距方式の測距
装置において、前記半導体装置検出素子における共通電
極と夫々の検出用電極間の出力を増幅する増幅回路の増
幅率を一定＋＋ｒｉ間内において低増幅率から高増幅率
へＪ’＋ｊｆ引し、共通電極と一力の検出用電極間の増
幅された出力がある設定値に達した時点て、共通電極と
他方の検出用電極間のＪＩＩＬＩＩｌ＋＊ｉされた出力
の状態を判別するようにしたことを特徴とするＵｊ：ｉ
　Ｍ−１ｉ装（？；、。
（２）発光素子から発せられた光を測距対象に向けて投
射し、その反射光を共通電極及び−χ・ｊの検出用電極
を有する半導体装置検出素子で受光する三角ｌｌ！ＩＩ
距方式の測方式置において、前記半導体装置検出素子に
おける共通電極と夫々の検出用電極間の出力を増幅する
増幅回路の増幅率を一定時間内において低増幅率から高
増幅率へ掃引し、共通電極と一方の検出用電極間の増幅
された出力がある設定値に達した時の、共通電極と他方
の検出用して判別するようにしたことを特徴とする測距
装置。
（３）共通電極と他方の検出用電極間の増幅された出力
を複数のレベルと比較することを特徴とする９、１′許
請求の範囲第一項または第二項記載の測Ｗｌｉ装置。
（４）一定貼間内に共通電極と一方の検出用電極間の増
幅された出力がある設定値に達しない時は、測距出力を
遠距離として判別するようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第一項または第二項記載の測距装置。
（５）発光素子から発せられた光を１ｌｉｉｉ　１７１
ｊ　Ｒ・Ｊ象に向けて投射し、その反射光を共通電極及
び＝一対の検出用電極を有する半導体装置検出素子で受
光する三角測距方式の訓「１．Ｉ装置において、前記半
導体装置検出累了−における共通電極と夫々の検出用電
極間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定時間内に
おいて低増幅率から高増幅率へ掃引し、共通電極と一方
の検出用電極間の増幅された出力がある設定値に達した
時点で、共通電極と他方の検出用電極間の増幅された出
力の状態を電圧値として記憶してコンパレータ回路の一
方の入力端子に与え、その後、撮影レンズを可動範囲の
一方の極限位置から他方の極限位置へ向けて駆動すると
共に、該ｊ５１４動々作に連動して前記コンパレーク回
路の他）ｊの入力端子の電位を一方の極限値から他方の
極限値へ向けて掃引し、前記両入力端子の電位か一致し
た時、ｆｉｉｆ記撮影レンズの駆動を停止させるように
したことを特徴とする訓ｌｊ１．！装置。
（６）発光素ｒ−から発せられた光を測「１１対象に向
けて投射し、その反η・１光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体装置検出素子で受光する三角測ｈ
゛１！方式の１ｌｌｉｌ距装置において、ｉ１１記半導
体装置検出素ｒ・における共通電極と夫々の検出用電極
間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定時間内にお
いて低増幅率から高増幅率へ掃引し、共通電極と一方の
検出用電極間の増幅された出力がある設定値に達した時
点で、共通電極と他方の検出用電極間の増幅された出力
の状態を電圧値として記憶してウィンドコンパレーク回
路の一方の入力端子に与え、また、撮影レンズの可動範
囲中の位置に対応した電位を前記ウィンドコンパレータ
回路の他方の入力端子に与え、該コンパレータ回路の出
力端子間に接続されその入力電圧の不平衡の方向に対応
して回転するサーボモータにより前記撮影レンズを駆動
し、ｊｉｉｒ記両入力端子の電位がある幅を持つ所定の
しきい領内で一致した時、前記サーボモータの回転を停
止させて、前記撮影レンズの駆動を停止させるようにし
たことを１・１′徴とする測距装置。
（７）発光素子から発ぜられた光を測距対象に向けて投
射し、その反射光を共通電極及び一対の検出用電極を有
する半導体装置検出素子で受光する二角測距方式の測距
装置において、１ｉｉｆ記半心体光位置検出素子におけ
る共通電極と夫々の検出用電極間の出力を増幅する増幅
回路の増幅率を一定時間内において低増幅率から高増幅
率へ掃引し、共通電極と一方の検出用電極間の増幅され
た出力がある設定値に達した１１５点て、共通電極と他
方の検出用電極間の増幅された出力の状態の電圧値をデ
ジタル値に変換して記憶し、その後、撮影レンズをｉ］
’動範囲の一方の極限位置から他方の極限位置へ向けて
駆動すると共に、該駆動の歩進量をエンコーダによりデ
ジタル量に変換し、該デジタル量か前記記憶デジタル値
と一致した時、前記撮影レンズの駆動を停止させるよう
にしたことを特徴とする測距装ｆｉ：ｉ：０
（８）・定時間内に共通電極と一方の検出用電極間の増
１ｉ、ｆされた出力がある設定値に遅しない時は、撮影
レンズが優先して遠距離側の極限位置で停止されるよう
にしたことを特徴とする特許請求の範囲第五項乃至第七
項記載の測距装置。