JPS6088444A - 立体配線の形成方法 - Google Patents
立体配線の形成方法Info
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- JPS6088444A JPS6088444A JP19704783A JP19704783A JPS6088444A JP S6088444 A JPS6088444 A JP S6088444A JP 19704783 A JP19704783 A JP 19704783A JP 19704783 A JP19704783 A JP 19704783A JP S6088444 A JPS6088444 A JP S6088444A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置における立体配線の形成方法に関
し、さらに詳しくは空気絶縁された立体配線の形成方法
に関するものである。
し、さらに詳しくは空気絶縁された立体配線の形成方法
に関するものである。
半導体素子、特に化合物半導体であるＧａＡｓを用いた
接合ゲート型電界効果トランジスタ（以下ＧａＡｓ犯８
ＦＤ’Ｉ’と称する）は８ｉバイポラトランジスタの特
性限界を打破するマイクロ波トランジストとして実用化
されている。このようなマイクロ波でのＧａＡｓＭＢ８
ＦＥＴの出力電力は全ゲート幅を増やすことによって増
加させることができ、る。
接合ゲート型電界効果トランジスタ（以下ＧａＡｓ犯８
ＦＤ’Ｉ’と称する）は８ｉバイポラトランジスタの特
性限界を打破するマイクロ波トランジストとして実用化
されている。このようなマイクロ波でのＧａＡｓＭＢ８
ＦＥＴの出力電力は全ゲート幅を増やすことによって増
加させることができ、る。
そのため通常、電力用の０ａＡｓ避５ＦＥＴは第１図（
ａ）の平面図に示すように櫛型のドレイン電極１１およ
びソース電極１２を交互に配置し、その間にゲート電極
１３を配置する構造がとられている。
ａ）の平面図に示すように櫛型のドレイン電極１１およ
びソース電極１２を交互に配置し、その間にゲート電極
１３を配置する構造がとられている。
このような構成にするには必然的にソース電極１２への
配線１２１とゲート電極１３への給電用配縁１３１とは
点１４のような位置で立体配線（クロスオーバー）され
なければならない。通常これらクロスオーバーは第１図
（ｂ）に第１図（ａ）のＡ−Ａ’部の断面を示すように
ｓｉｏ、膜１５によｐ両配線電極間を絶縁する構造がと
られている。
配線１２１とゲート電極１３への給電用配縁１３１とは
点１４のような位置で立体配線（クロスオーバー）され
なければならない。通常これらクロスオーバーは第１図
（ｂ）に第１図（ａ）のＡ−Ａ’部の断面を示すように
ｓｉｏ、膜１５によｐ両配線電極間を絶縁する構造がと
られている。
しかしながらＸ帯以上の超高周波になると、これら立体
配線部に生じる寄生容量はＦＥＴ自身がもつゲート・ソ
ース間空乏層容量Ｃａｓに比べて無視できなくなり、透
電体損と相俟って利得おるいは帯域特性低下の一因とな
る。立体交差する電極幅を小さくすればある程度を主容
量を低減できるが、配線抵抗の増加しいとは配線電極の
エレクトロマイグレーショ／をきたすので好ましくない
。
配線部に生じる寄生容量はＦＥＴ自身がもつゲート・ソ
ース間空乏層容量Ｃａｓに比べて無視できなくなり、透
電体損と相俟って利得おるいは帯域特性低下の一因とな
る。立体交差する電極幅を小さくすればある程度を主容
量を低減できるが、配線抵抗の増加しいとは配線電極の
エレクトロマイグレーショ／をきたすので好ましくない
。
寄生抵抗の増加なしに吾生容量を大幅に低減する方法と
しては、送電体を介さずに立体交差部を空気絶縁する（
エアークロスオーバ構造）のが最も有効である。
しては、送電体を介さずに立体交差部を空気絶縁する（
エアークロスオーバ構造）のが最も有効である。
これまでにエアークロスオーバー構造をもったデバイス
が幾つか報告されているが、それらの形成方法はいずれ
もエツチングの選択性を主に利用したものである。即ち
、スペーサ材となる金属（一般に鋼が多用されている）
を両配線電極間に電解めっき等で形成した後、スペーサ
材のみを選択的にエツチング除去することによシェアー
クロクロスオーバー構造を得る方法である。
が幾つか報告されているが、それらの形成方法はいずれ
もエツチングの選択性を主に利用したものである。即ち
、スペーサ材となる金属（一般に鋼が多用されている）
を両配線電極間に電解めっき等で形成した後、スペーサ
材のみを選択的にエツチング除去することによシェアー
クロクロスオーバー構造を得る方法である。
このような従来の方法を用いてＧａＡｓＭＨ８ＦＥＴの
エアークロスオーバー化を図ろうとした場合。
エアークロスオーバー化を図ろうとした場合。
以下に述べるような問題点を生じる。即ち、１）酸ある
いはアルカリ溶液に弱いＧａＡｓあるいはＡ［から成る
ゲート電極等を全く侵さずスペーサ材のみを選択的に除
去できるエツチング液が得難い。
いはアルカリ溶液に弱いＧａＡｓあるいはＡ［から成る
ゲート電極等を全く侵さずスペーサ材のみを選択的に除
去できるエツチング液が得難い。
２）数μｍの厚さに形成されたスペーサ材をウェー内で
均一性よく加工することが困難等である。
均一性よく加工することが困難等である。
本発明の目的は、空気絶縁された新規な立体配線の形成
方法を提供するものである。
方法を提供するものである。
本発明によれば、基板上の第１の配線となる帯状の電極
上に厚膜から成る第１のホトレジスト層を形成し、ＣＦ
、グツズ中にさらすことによシ表面に弗素原子を多く含
む変質層を形成する工程、該第１のホトレジスト層をマ
スクとして電解めっきを施すことによシ該第１のホトレ
ジスト善と同程度の厚さの厚膜配素を形成する工程、全
面に給電用の金属膜を被着した後、前記第１の配線との
交差部が開口した第２のホトレジスト層を形成し、再度
電解めっきを施すことによシ前記第１の配線と立体交差
した第２の配線を形成する工程、前記第２のホトレジス
ト層を除去した後、前記第２の配線をマスクとして前記
給電用の金属膜をイオンエツチングあるいは化学エツチ
ングで除去し、さらに露出した前記第１のホトレジスト
層を０．プラズマ処理して変質層を除去し、しかる後有
機溶剤で除去する工程を含むことを特徴とする空気絶縁
された立体配線の形成方法が得られる。
上に厚膜から成る第１のホトレジスト層を形成し、ＣＦ
、グツズ中にさらすことによシ表面に弗素原子を多く含
む変質層を形成する工程、該第１のホトレジスト層をマ
スクとして電解めっきを施すことによシ該第１のホトレ
ジスト善と同程度の厚さの厚膜配素を形成する工程、全
面に給電用の金属膜を被着した後、前記第１の配線との
交差部が開口した第２のホトレジスト層を形成し、再度
電解めっきを施すことによシ前記第１の配線と立体交差
した第２の配線を形成する工程、前記第２のホトレジス
ト層を除去した後、前記第２の配線をマスクとして前記
給電用の金属膜をイオンエツチングあるいは化学エツチ
ングで除去し、さらに露出した前記第１のホトレジスト
層を０．プラズマ処理して変質層を除去し、しかる後有
機溶剤で除去する工程を含むことを特徴とする空気絶縁
された立体配線の形成方法が得られる。
前記本発明によれば、通常のホトリソグツイエ程で簡単
に処理できるホトレジスト自体をスペーサ材として使用
するため、立体配線形成に要する工程が従来法に比べ大
幅に簡略化される。
に処理できるホトレジスト自体をスペーサ材として使用
するため、立体配線形成に要する工程が従来法に比べ大
幅に簡略化される。
以下、本発明の一実施例としてＧａＡｓＭＥ８ＦＩ（Ｔ
のエアークロスオーバー化を例にとり詳しく説明する。
のエアークロスオーバー化を例にとり詳しく説明する。
第２図、第３図は本発明の一実施例を説明するための図
で、第２図（ａ）〜（ｆ）は製作工程の要部平面図、第
３図（ａ）〜（ｆ）は各々第２図におけるＡ−Ａ’Ｂ−
Ｂ’ 、 Ｃ−Ｃ’ 、 Ｄ−Ｄ’ 、 Ｅ−Ｈ’ 、
Ｆ−Ｆ’の要部断面図を示す。まず櫃初に、半絶縁性
ＧａＡｓ基板２０上にエピタキシャル成長された動作層
２１を形成し、この上にショットキーバリア形成用のＡ
Ｉから成るゲート電極２２、およびＡｕＧｅＮｉから成
るオーム性のソース電極２３、ドレイン電極２４を通常
の光学露光によシリフトオフ法で形成する（第２図（ａ
））。次ＫＡｌゲート電極２２の４ＭａｍとｆｘるＳｉ
Ｏ，！２５をＣＶＤ法によｊ９３０００＾程度ウメー・
・全面に被着させ、ソースおよびドレイン電極数シ出し
部２３１，２４１およびゲート電極域シ出し部２２１に
窓をあける。次にＡＩから成るゲートパッド部２２２と
そこから引き出されるＡｕから成るボンディング線との
反応を防止するために、例えばＴｉ／Ｐｔ 等の反応防
止用電極２２３を選択的にゲートパッド部２２２に形成
した後、電解めっきのための給電用金属膜２６として１
例えばＴ ｉ ／Ａｕ を各々約５０ＯＡ蒸着する（第
３図（ｂ））。ウェーッ・全面にＡＺ１３７５（商品名
）等のポジ型ホトレジスト２７を４〜６μｍのｊｑさに
塗布後、ゲート電極２２への給電用配線２２４を選択的
に被覆するようにパターニングを行う（第２図（Ｃ）で
斜線を施した領域）。次に１２０℃、６０分程度ベーキ
ングを施した後、ＣＦ４ガス圧Ｑ、 ３ Ｔｏｒｒ 、
ＲＦ電力２００Ｗの条件下でＣＦ、プラズマ処理を２
程度夏行って表面に約２００Ｘの弗素原子を多く含む変
質層２８を形成する。この変質層２８はＡＺ系レジスト
の溶剤であるｎ−ブチルアセテート等の有機溶媒やＡＺ
系レジストのｍ＜＊液に不溶であるが、Ｏ，プラズマ処
理で容易に除去できる。このＣＦ、プラズマ処理はこの
後のホトプロセス工程においてレジストパターン２７が
変形するのを防止する効果をもつものでおる。次に第２
図（ｄ）のｆ＋線部にＡｕめっきを施すことによシ、ホ
トレジスト層２７と同程度の厚さの厚膜配線２９を形成
する。後に形成されるクロスオーバー電極の完成後の変
形を防ぐ目的から、厚膜配線２９の厚みはホトレジスト
層２７と同等かあるいは若干厚めに形成することが望ま
しい。次に全面に前述したと同様の給電用金属膜３０を
再度蒸着によって形成した後、Ａ Ｚ １３５０Ｊ等の
ホトレジスト３１を塗布し、第２図（ｅ）の斜線部が選
択的に覆われるようにパターニングを行う。
で、第２図（ａ）〜（ｆ）は製作工程の要部平面図、第
３図（ａ）〜（ｆ）は各々第２図におけるＡ−Ａ’Ｂ−
Ｂ’ 、 Ｃ−Ｃ’ 、 Ｄ−Ｄ’ 、 Ｅ−Ｈ’ 、
Ｆ−Ｆ’の要部断面図を示す。まず櫃初に、半絶縁性
ＧａＡｓ基板２０上にエピタキシャル成長された動作層
２１を形成し、この上にショットキーバリア形成用のＡ
Ｉから成るゲート電極２２、およびＡｕＧｅＮｉから成
るオーム性のソース電極２３、ドレイン電極２４を通常
の光学露光によシリフトオフ法で形成する（第２図（ａ
））。次ＫＡｌゲート電極２２の４ＭａｍとｆｘるＳｉ
Ｏ，！２５をＣＶＤ法によｊ９３０００＾程度ウメー・
・全面に被着させ、ソースおよびドレイン電極数シ出し
部２３１，２４１およびゲート電極域シ出し部２２１に
窓をあける。次にＡＩから成るゲートパッド部２２２と
そこから引き出されるＡｕから成るボンディング線との
反応を防止するために、例えばＴｉ／Ｐｔ 等の反応防
止用電極２２３を選択的にゲートパッド部２２２に形成
した後、電解めっきのための給電用金属膜２６として１
例えばＴ ｉ ／Ａｕ を各々約５０ＯＡ蒸着する（第
３図（ｂ））。ウェーッ・全面にＡＺ１３７５（商品名
）等のポジ型ホトレジスト２７を４〜６μｍのｊｑさに
塗布後、ゲート電極２２への給電用配線２２４を選択的
に被覆するようにパターニングを行う（第２図（Ｃ）で
斜線を施した領域）。次に１２０℃、６０分程度ベーキ
ングを施した後、ＣＦ４ガス圧Ｑ、 ３ Ｔｏｒｒ 、
ＲＦ電力２００Ｗの条件下でＣＦ、プラズマ処理を２
程度夏行って表面に約２００Ｘの弗素原子を多く含む変
質層２８を形成する。この変質層２８はＡＺ系レジスト
の溶剤であるｎ−ブチルアセテート等の有機溶媒やＡＺ
系レジストのｍ＜＊液に不溶であるが、Ｏ，プラズマ処
理で容易に除去できる。このＣＦ、プラズマ処理はこの
後のホトプロセス工程においてレジストパターン２７が
変形するのを防止する効果をもつものでおる。次に第２
図（ｄ）のｆ＋線部にＡｕめっきを施すことによシ、ホ
トレジスト層２７と同程度の厚さの厚膜配線２９を形成
する。後に形成されるクロスオーバー電極の完成後の変
形を防ぐ目的から、厚膜配線２９の厚みはホトレジスト
層２７と同等かあるいは若干厚めに形成することが望ま
しい。次に全面に前述したと同様の給電用金属膜３０を
再度蒸着によって形成した後、Ａ Ｚ １３５０Ｊ等の
ホトレジスト３１を塗布し、第２図（ｅ）の斜線部が選
択的に覆われるようにパターニングを行う。
第１斤コ目のホトレジスト２７にｃｌ！’、プラズマ処
理を施さない従来法では、段差部の形状が複雑なために
被覆性が劣るのが原因と思われるが、その他にこの２層
目のホトレジスト３１のパターニングの際、第１層目の
レジストを溶解して給電用金属膜３０が変形あるいはリ
ントオフされてしまい。
理を施さない従来法では、段差部の形状が複雑なために
被覆性が劣るのが原因と思われるが、その他にこの２層
目のホトレジスト３１のパターニングの際、第１層目の
レジストを溶解して給電用金属膜３０が変形あるいはリ
ントオフされてしまい。
後のクロスオーバー電極の形成が困難であった。
次にホトレジストＮ３１を、マスクに再＆Ａｕめっきを
施して例えば２〜３μｍ厚のクロスオーバー電極３２を
形成する（第３図（ｅ））。次にアセトン等の肩櫨溶剤
でホトレジスト３１を除去した後。
施して例えば２〜３μｍ厚のクロスオーバー電極３２を
形成する（第３図（ｅ））。次にアセトン等の肩櫨溶剤
でホトレジスト３１を除去した後。
クロスオーバーｔＨｉｍ３２ｅマスクとして、Ａｒイオ
ンビームエツチングあるいはＩ、 ：ＫＩ：Ｈ，０系お
よびＨ２ｓｏ、系のエツチング液を用いてクロスオーバ
ー電極３２部以外の不要な給電用金属膜３２を除去する
。次ＫＯ，ｌＪス圧０．５ Ｔｏ ｒ ｒ、 ＲＦ屯方
力２００Ｗ条件下でＯ，プラズマ処理を２分間程度行っ
て露出したホトレジスト層２７よそ面の変質層２８を除
去した後、レジスト１４Ｉ １ｍ剤（Ｊ’−１００）を
用いて完全にホトレジスト２７を除去し、最後に、前記
同様のエツチング液を用いて選択的に不要な給電用金属
膜２６を除去することによシ、第３図（ｆ）に示すよう
なゲート給酸用配線２２４とクロスオーバー成極３２と
が空気絶縁されたエアーを用いＩｔば、従来のようｌ＃
雑ｉ工程を必妥とするスペーサ材の形成を通’＋＜のホ
トプロセスでｔｌｊｔｉに行なえるため、生腫住、歩留
）及び侶頑度の大幅な向上がＯＴ能となった。
ンビームエツチングあるいはＩ、 ：ＫＩ：Ｈ，０系お
よびＨ２ｓｏ、系のエツチング液を用いてクロスオーバ
ー電極３２部以外の不要な給電用金属膜３２を除去する
。次ＫＯ，ｌＪス圧０．５ Ｔｏ ｒ ｒ、 ＲＦ屯方
力２００Ｗ条件下でＯ，プラズマ処理を２分間程度行っ
て露出したホトレジスト層２７よそ面の変質層２８を除
去した後、レジスト１４Ｉ １ｍ剤（Ｊ’−１００）を
用いて完全にホトレジスト２７を除去し、最後に、前記
同様のエツチング液を用いて選択的に不要な給電用金属
膜２６を除去することによシ、第３図（ｆ）に示すよう
なゲート給酸用配線２２４とクロスオーバー成極３２と
が空気絶縁されたエアーを用いＩｔば、従来のようｌ＃
雑ｉ工程を必妥とするスペーサ材の形成を通’＋＜のホ
トプロセスでｔｌｊｔｉに行なえるため、生腫住、歩留
）及び侶頑度の大幅な向上がＯＴ能となった。
第１図（ａ）、υ）はそれぞれ一般の電力用ＧａＡｓ
−ＭＥＳＦＲＴの構債？示す平面」凶および要部断面図
で。 １１．１２．１３はそノしそれドレイン、ソース、ゲー
ト電極、１５ｔ、１．５ｉ０２ｎ灸、１２１はソースｄ
己線、１３１ばゲート配線１４１１まソース配４Ｊ１２
１とゲート配線１３１の立体配線部を示す。 第２図（ａ）〜（ｆ）、第３ ｉＶ （ａ）〜（ｆ）は
本発明の一天施例計説明するための図で、第２図（ａ）
〜Ｃｆ）は製作工程の黴都平面図、第３図（ａ）〜（ｆ
）は嶋２図の要部断面図である。 １７図において、２０・・・・・・半絶縁性（］ａＡａ
基板、２１・・・・・・動作１％、２２，２３，２４・
・・・・・そねぞれゲート、ソース、ドレイン′ｒＪＬ
極、２５・・・・・・ｓｈｏ。 ＩＩ＜’−！、、 ２６ 、３０・・・・・・給電用金
属Ｊ模、２７．３１・・・・・・ポジ型ホトレジスト、
２８・・・・・・変質層、２９・・・・・・厚膜配線、
３２・・・・・・クロスオーバー′＃ｔＩ’Ａ、２２１
゜２３１．２４１・・・・・・それぞれＳｔＯ，膜２５
に聞けらむたゲート、ソース、ドレイン電極用の窓、２
２２・・・・・・ゲートパッド、２２３・・・・・・反
応防止、用＠属；便、２２４・・・・・・ゲート＠筒用
配線を示す。 萬 ７ 図 （θ２ ３１ ｔｂ） 箔 Ｚ 図 ζＩ） ｔｅ） （Ｃ） （ｆ） 萬 ３ （ａ） １ 【Ｉりノ （１） 図 ｔｄ＋ （ｅ） （ｆ）
−ＭＥＳＦＲＴの構債？示す平面」凶および要部断面図
で。 １１．１２．１３はそノしそれドレイン、ソース、ゲー
ト電極、１５ｔ、１．５ｉ０２ｎ灸、１２１はソースｄ
己線、１３１ばゲート配線１４１１まソース配４Ｊ１２
１とゲート配線１３１の立体配線部を示す。 第２図（ａ）〜（ｆ）、第３ ｉＶ （ａ）〜（ｆ）は
本発明の一天施例計説明するための図で、第２図（ａ）
〜Ｃｆ）は製作工程の黴都平面図、第３図（ａ）〜（ｆ
）は嶋２図の要部断面図である。 １７図において、２０・・・・・・半絶縁性（］ａＡａ
基板、２１・・・・・・動作１％、２２，２３，２４・
・・・・・そねぞれゲート、ソース、ドレイン′ｒＪＬ
極、２５・・・・・・ｓｈｏ。 ＩＩ＜’−！、、 ２６ 、３０・・・・・・給電用金
属Ｊ模、２７．３１・・・・・・ポジ型ホトレジスト、
２８・・・・・・変質層、２９・・・・・・厚膜配線、
３２・・・・・・クロスオーバー′＃ｔＩ’Ａ、２２１
゜２３１．２４１・・・・・・それぞれＳｔＯ，膜２５
に聞けらむたゲート、ソース、ドレイン電極用の窓、２
２２・・・・・・ゲートパッド、２２３・・・・・・反
応防止、用＠属；便、２２４・・・・・・ゲート＠筒用
配線を示す。 萬 ７ 図 （θ２ ３１ ｔｂ） 箔 Ｚ 図 ζＩ） ｔｅ） （Ｃ） （ｆ） 萬 ３ （ａ） １ 【Ｉりノ （１） 図 ｔｄ＋ （ｅ） （ｆ）
Claims (2)
- （１）基板上の第１の配線の上に表面に弗素原子を多く
含む第１のホトレジスト層を形成する工程と、該第１の
ホトレジスト層をマスクとしてこれと同程度の厚さの第
２の配置を形成する工程と、前記第１の配線との交差部
が開口した第２のホトレジスト層を形成する工程と、前
記第１の配線と立体交差した第２の配線を形成する工程
と、前記第２のホトレジスト層を除去した後、さらに露
出させた前記第１のホトレジスト層を除去する工程とを
さむことを特徴とする空気絶縁された立体配線の形成方
法。 - （２）第１および第２のホトレジスト層がポジ型のレジ
ストである特許請求の範囲第（１）項に記載の立体配線
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19704783A JPS6088444A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 立体配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19704783A JPS6088444A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 立体配線の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088444A true JPS6088444A (ja) | 1985-05-18 |
| JPH0226385B2 JPH0226385B2 (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=16367825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19704783A Granted JPS6088444A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 立体配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088444A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240744A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 集積回路配線の製作方法 |
| JP2005302351A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54115065A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19704783A patent/JPS6088444A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54115065A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240744A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 集積回路配線の製作方法 |
| JP2005302351A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0226385B2 (ja) | 1990-06-08 |
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