JPS6090378A - 固体表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は基板上の非単結晶半導体を用いケ縦チャネル型
の積層型の絶縁ゲイト型半導体装置（以下ＩＧＦという
）を用いた固体表示装置に関する。

本発明は絶縁性基板上の第１の導電性電極、第１の半導
体、第２の半導体または絶縁体、第３の半導体および第
２の導電性電極よりなる５層に積層された積層体の２つ
の側周辺に、さらにチャネルを形成する非単結晶半導体
を設け、この半導体を用いて２つのＩＧＦを対を構成せ
しめ、その一方の電極より延在させた電極を絵素の一方
の電極としたことを目的としている。

本発明はかかる複合半導体装置をマトリ・ノクス構造に
基板上に設け、固体表示装置である液晶表示型のディス
プレイ装置に応用することを特徴としている。

平面型の固体表示装置を設ける場合、平行な透光性基板
例えばガラス、プラスチ・ツク板肉に一対の電極を設け
てこの電極間に液晶を注入した液晶の固体表示装置が知
られている。

このためこの表示部を複数の絵素とし、それをマトリッ
クス構成させ、任意の絵素をその周辺部に設けられたデ
コーダ、ドライバの論理回路により制御してオンまたは
オフ状態にするには、その絵素に対応したｔ−ＧＦおよ
びインバータ、抵抗等を同一プロセス、同一構造で作る
ことを必要としていた。そしてこのＩＧＦに制御信号を
与えて、それに対応した絵素をオンまたはオフさせたも
のである。

この液晶表示またはエレクトロクロミック表示素子はそ
の等価回路としてキャパシタ（以下Ｃという）にて示す
ことができる。このためＩＧＦとＣとを例えば２×２の
マトリックス構成せしめたものを第１図（Ａ）に示す。

第１図（Ａ）において、マトリックス（４０）の１個の
番地は１個のＩＧＦ　（１０）と２個のＣ（３１）（即
ち表示部としてのＣとストーレイジ用のＣ）により１　
（１１ｉ１の絵素を構成させている。これを行に（５１
）、＜５２）としてビット線に連結し、他方、ゲイ１−
を連結して列（４１）、＜　４２　＞　（ワード）を設
けたものである。

すると、例えば（５１）、＜４１）を「１」とし、（５
２）、（４２）を「０」とすると、ＩＧＦ　（１０）は
オンとなり、ＩＧＦ　（１０’）等の他のＩＧＦはオフ
となる。そして（２，１）番地のみを選択してオンとし
、電気的にＣ（３１）として等測的に示される表示部を
選択的にオン状態にすることができる。

本発明はこのマトリックス構成された２つのＩＧＦを対
構成せしめて、表示部以外のＩＧＦ配線に必要な面積を
少なくさせたことを特長としている。さらに縦チャネル
型とすることにより、第４の半導体であるヂャネル形成
領域を構成する半導体は、水素または弗素が添加された
珪素を主成分とする非単結晶半導体を用いている。さら
にキャリア移動度が小さいという欠点を有するため、第
２の半導体または絶縁体の膜厚を１μまたはそれ以下と
し、その結果第４の半導体に形成されるチャネルを短チ
ャネルとし、１０Ｍｌ１ｚ以上のカットオフ周波数を有
せしめた。

本発明は第１図（Ｂ　）、（Ｃ）に示すごとく、同一基
板上にデコーダ、ドライバを構成せしめるため、他の絶
縁ゲイト型半導体装置（Ｂ）および他のインバータ（Ｃ
）を同一基板上に同一プロセスで設けることができるこ
とを特長としている。

かくすることによって、本発明をその設計仕様に基づい
て組み合わせることにより、ブラウン管に代わる平面テ
レビ用の固体表示装置を作ることができた。

第２図は本発明を実施するための積層型ＩＧＦの縦断面
図およびその製造工程を示したものである。

この図面は２つのＩＧＦを１つの積層体にそって作製す
る製造例を示すが、同一基板に複数ケ作る場合もまった
く同様である。

図面において、絶縁基板例えば石英ガラスまたはボウ珪
酸ガラス基板上に第１の導電膜（２）（以下Ｅ１という
）を下側電極、リードとして設けた。

この実施例では酸化スズを主成分とする透光性導電膜を
０．２μの厚さに形成している。これに選択エッチを第
１のマスク■を用いて施した。さらにこの上面に１）ま
たはＮ型の導電型を有する第１の非単結晶半導体（２）
〈以下単にＳｌという）を１００〜３０００人、第２の
半導体または絶縁体（４）（以下単にＳ２という＞（０
，３〜３μ）、第１の半導体と同一導電型を有する第３
の半導体（５）（以下単にＳ３というＸＯ，１〜０．５
μ）を積層（スタック即らＳという）して設けた。この
積層によりＮＩＮ、　ＰＩＰ構造（夏は絶縁体または真
性半導体）を有せしめた。

図面においては上面にＩＴＯ＜＠化インジューム・スズ
）、　ＭＯ５１２１ｒｔ　ｓｔｔ　＋　ｙｓ　＋Ｚ　Ｉ
　Ｗ、　Ｔｌ　ｌ　ＭＯ等の耐熱性金属の第２の導体（
６）、ここではＣｒを電子ビーム法により０．２μの厚
さに積層した。次にこの第２の導体のうち積層体（６０
）に不要部分を第２のフォトマスク■を用いて除去した
。

さらに積層上に予めＬＰ　ＣＶＤ法（減圧気相法）、　
ＰＣＶＤ法または光ＣＶＤ法により０．３〜１μの厚さ
に酸化珪素ＩＮ（７）を形成しておいてもよい、　ＰＣ
ＶＤ法の場合はＮＯと５ｉｌｌとの反応を２５０℃で行
わしめて作製した。

この第１、第３の半導体のＮ、Ｐ層をＮ’Ｎまたはｐ”
ｐとしてＮ”ＮＩＮＮ”　、Ｐ”ＰＩＦＰｆ（Ｉは絶縁
体または真性半導体）としてＰまたはＮと第１、第２の
電極との接触抵抗を下げることは有効であった。

かくのごとくにして、第１の導体、第１の半導体、第２
の半導体または絶縁体、第３の半導体、第２の導体を層
状に形成して得た。

次に第２図（Ｂ）に示すごとく、マスク■を用いてそれ
ぞれの導体およびＳｌ、Ｓ２．Ｓ３を選択エツチング法
により導体（１６）を除去し、さらに第２の導体をマス
クとしてその下の５３　（５）　、５２　（４）および
５ｌ（３）を除去し、積層体（６０）をそれぞれの導体
および５１．Ｓ２．Ｓ３を互いに概略同一形状に形成し
て設けた。すべて同一マスクでプラズマ気相エッヂ例え
ばＩＩＦ気体またはＣＦ４＋ＯＬの混合気体を用い、０
．１〜０．５ｔｏｒｒ　３０Ｗとしてエッチ速度５００
人／分とした。

この後、これら積層体Ｓｌ　（１３）、Ｓ２　（１４）
、Ｓ３　（１５）。

導体（１６）を覆ってチャネル形成領域を構成する真性
またはＰまたはＮ型の非単結晶半導体を第４の半導体（
２５）として積層させた。この第４の半導体（２５）は
、基板上にシランのグロー放電法（ＰＣＶＤ法）、光Ｃ
ＶＤ法、ＬＴ　ＣＶＤ法（ＩＩＯＭＯＣＶＤ法ともいう
）を利用して室温〜５ｏｏ℃の温度例えばＰＣＶＤ法に
おケル２５０℃、０．１ｔｏｒｒ、３ＯＮ、１３．５６
Ｍｌ１ｚ（７）条件下にて設けたもので、非晶質（アモ
ルファス）または半非晶！！ｆ（セミアモルファス）ま
たは多結晶構造の非単結晶珪素半導体を用いている。本
発明においてはアモルファスまたはセミアモルファス半
導体を中心として示す。

さらに、その上面に同一反応炉にて、第４の半導体表面
を大気に触れさせることなく窒化珪素膜（２４）を光Ｃ
ＶＤ法にてシラン（ジシランでも可）とアンモニアとを
水銀励起法の気相反応により作製し、厚さは３００〜２
０００人とした。

この絶縁膜は１３．５６ＭＩＩｚ〜２．４５ＧＩＩｚの
周波数の電磁エネルギにより活性化して窒素またはアン
モニア雰囲気に１００〜４００″Ｃ浸して固相−気相反
応の窒化珪素を形成してもよい。

マタ、ｐｃｖＤ法により窒化珪素を形成させてもよい。

するとＳ２　（１４）の側周辺では、チャネル形成領域
（９）、（９’）とその上のゲイト絶縁物（２４）とし
ての絶縁物を形成させた。第４の半導体（２５）はＳｌ
、Ｓ３とはダイオード接合を構成させている。

第２［！ｌ　（Ｂ）において、さらに第４のマスク■に
より電極穴開けを行い、この後この積層体上の窒化珪素
膜（２４）を覆って第２の導電ＭｆＪ　（１７）を０．
３〜１μの厚さに形成した。

この導電膜（１７）はＩＴＯ（酸化インジューム・スズ
）のごとき透光性導電ＩＬ　Ｔｉ５ｊ、：　＋Ｍｏ５ｉ
ＬＪＳｉｚ　。

Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ等の耐熱性導電膜としてもよい。ここで
はＰまたはＮ型の不純物の多量にＦ−ブされた珪素半導
体をＰ　ＣＶ　Ｉ３法で作った。即ち、０．４７７のｌ
ｖ、さにリンが１％添加され、かつ微結晶性（粒径５ｏ
〜３００人）の非単結晶半導体をＰＣＶＤ法で作製した
。

この後、この上面にレジスト（１日）を形成した。

さらに第２図（Ｃ）に示されるごとく、第５のフメトリ
ソグラフィ技術により垂直方向よりの異方性エッチを行
った。即ち例えばＣＦＬＣｌ、　＋　ＣＰ、　＋ＯＬ＋
肝等の反応性気体をプラズマ化し、さらにこのプラズマ
を基板の上方より垂直に矢印（２８）のごとくに加えた
。すると導体（１７）は、平面上（上表面）は厚さく０
．４　μ）をエッチすると、この被膜は除去されるが、
側面では積層体の厚さおよび被膜の厚さの合計の２〜３
μを垂直方向に有する。

このため図面に示すごとき垂直方向よりの異方性エッヂ
を行うと、破線（３８）、＜３８’）のとと（にこれら
導体をマスク（１８）のある領域以外にも残すことがで
きた。

その結果、ＷＩ層体の側周辺のみに選択的にゲイト残存
物を設けることができた。さらに本発明はこの残存物を
ゲイト電極（２０＞、（２０’）とし、第３の半導体（
１５）の上方には存在せず、結果として第３の半導体と
ゲイ！・電極との寄生容量を実質的にないに等しくする
ことができた。

図面において積層体（６０）の側周辺の導体のうちゲイ
ト電極およびそのリード（２０）、（２０’）とする以
外の他の側周辺の導体を第６のフォトマスク■により水
平方向の気相エッチ法により除去しそれぞれのゲイトを
独立動作させた。

かくして第２図（Ｃ）を得た。

第２図（Ｃ）の平面図を第２図（Ｄ）として示ず。番号
はそれぞれ対応させている。

第２図（Ｃ）、（Ｄ　）にて明らかなどと（，２つのＩ
ＧＦ　（１０）、＜１０つはチャネルを（９）、（９’
）と２つを有し、ソースまたはドレイン（１３）、ドレ
インまたはソース（１５）を有し、ゲイト（２０）、（
２０’）を有するペアを構成をしている。５３　（１５
）の電極（１９）はリード（２１）に延在し、Ｓｌのリ
ードは（２２）により設けである。即ち、図面では２つ
のＩＧＦを対（ペア）として設けることができる。これ
は２つのＩＧＦのチャネル間の半導体または絶縁体が絶
縁性であり、３０μ以上の中を５１．５２．５３が有す
れば数−１−ＭΩの抵抗となり、実質的に独立構成をし
ｊ７るためであり、その特性を利用することにより結晶
２１−導体とはまったく異なった構造を有せしめること
ができた。

本発明の第４の半導体（２５）はアモルファス珪素を含
む非単結晶半導体を用い、その中の不対結合手の中和用
に水素を用い°ζおり、その表面を大気に触れさせるこ
となくゲイト絶縁物を作製している。さらにこの第４の
半導体上にはフォトレジストをそのプロセス中に触れさ
せることがなく、特性劣化がない。さらにこの半導体と
ＰまたはＮのＳｌ、Ｓ３とは十分ダイオード特性を有せ
しめるため、製造上の難点がまったくないという他の特
長を有する。

かくしてソースまたはドレインを５１　（１３）、チャ
ネル形成領域（９）、＜９’）を有するＳ４　（２５）
、ドレインまたはソースを５３　（１５）により形成せ
しめ、チャネル形成領域側面にはゲイト絶縁物（２４）
、その外側面にゲイト電極（２０＞、＜２０’）を設け
た対を構成する積層型のＩＧＦ　（１０）を作ることが
できた。

さらに本発明のＩＧＦにおいて、電子移動度がホールに
比べて５〜３０倍もあるため、Ｎチャネル型とするのが
好ましい。さらにこの基板上の他部にＰチャネルＩＧＦ
をペアを有して構成せしめて相補型トランジスタとすれ
ば有効である。さらに第２図において左側をＮチャネル
、右側をＰチャネルＩＧＦとするペア型の補助トランジ
スタとすることも有効である。

Ｓ４　（２５）にホウ素不純物を被膜形成の際わずか（
０，１〜ＩＯＰＰＭ　＞添加して真性またはＰ−または
Ｎ−半導体としてスレッシュホールド電圧の制御を行う
ことは有効であった。

この発明において、チャネル長はＳ２　（１４）の厚さ
て決められ、一般には０．１〜３μここでは１．０μと
した。かくのごとき短チ十ネルのため非単結晶半導体（
２５）の移動度が単結晶の１１５〜１／１００シかない
にもかかわらず、１０Ｍ１１２以上のカットオフ周波数
特性を双対のトランジスタに有せしめた。

かくして、ドレイン（１５）または（１３）、ソース（
１３）または（１５）、ゲイト（２ｏ）または（２０’
）としテＶ、、＝５Ｖ、Ｖ、、　＝５Ｖ、動作周波数１
５．５ＭＩ＋２を得ることができた。

第３図は第２図に示したＩＧＦを用いて、第１図（Δ）
に示した本発明の固体表示装置の縦断面図を示したもの
である。

第３図（Ａ）は第１図０）　２　ッ（７）ＩＧＦ　（１
０＞、（１０’）がペア構成で設けられた平面図を示し
ている。このＩＧＦの一方の電極より延在した一方の電
極は、絵素で構成する液晶キャパシタ（３４）、および
その残光性を有せしめるストーレッジキャパシタ（３４
）の電極（第３図では下側に設けられているＸ３２）。

（３２’）に連結ゼしめている。即ち、ＩＧＦの電極は
他の２つのキャパシタの電極を併用している。他方の電
極は、液晶（３１）の電極（３０）、ストーレッジキャ
パシタ（３４）の接地電極（３３）が設けられている。

図面において、第３図（Ａ）の平面図のＡ−Ａ’、Ｂ−
Ｂ’の縦断面図を第３図（Ｂ　）、（ｃ　＞に示ず。

第３図において、積層体（６０）に対し、下側電極は２
つ（１２）、＜１２’）が設けられている。上側電極（
１６）は、さらにそれにコンタクト（１９）をへてＸ方
向のリード（５１）を連設している。ゲイト電極（２０
）、＜２０’）は、２つのＩＧＰ　（１０）、＜１０’
）　（第３図（Ａ）での破線で囲まれた領域（１０）、
＜１０’））を除き、リード（４１）、（４２）をＹ方
向に構成している。

下側電極（１２）、＜１２’）はさらに延在して、液晶
およびストーレッジキャパシタの一方の電極（３２）、
＜３２’）になっている。かくしてＸ方向、Ｙ方向にマ
トリックス構成ををし、ＩＴｒ／絵素構造を有せしめる
ことができた。またこのＩＧＦのオーバコー］・用ポリ
イミド樹脂（２６）により、絵素の部分のみに液晶（３
１）が充填させている。またごの絵素（７０）。

（７０’）の周辺部は２つの電極（３０）、＜３２＞間
のスペーサ（厚さ１〜１０μ）をも兼ね、加えてこのス
ペーサをして絵素周辺部を黒色化（無反射）してブラン
クマトリックスとして併用せしめた。このブランクマト
リックス化により、この絵素のコントラストを向上させ
てることができた。さらに（３１）の領域に表示体であ
る例えばネマチック型等の液晶が充填され、この絵素を
ＩＧＰ　（１０）、＜１０’）のオン、オフにより制御
を行なわしめた。

第３図において、Ｓ３　（１５）上には第３図（Ｉ３）
に示すごとく、金属導体（１６）を有し、（Ｃ）では第
２のマスク■にて除去することにより、Ｘ方向のリード
（６１）を構成させた。即らもし導体が設けられている
と、この導体はＹ方向のリードとなり、Ｓ３をＸ方向に
マトリックス化できない。また第３図より明らかなごと
り、Ｓ３さらにＳ４　（２５）は３０μ以上離れると絶
縁体と考えることができるため、Ｙ方向に配列されたＩ
ＧＦ間にはｓ３、ｓ４が残存していてもアイソレイショ
ンが不要である。このためにＹ方向のＩＧＦは少なくと
も３０μ以上互いに２１間してＸ方向の配線（５１）、
（５２）を設けた。また図面において、表示部（３２）
以外のリード（５１）、（５２）、（４１）、＜　４２
　）を絶縁物（２６）で覆うことは有効である。

さらに第３図より明らかなごとく、このディスプレイの
ＩＧＦの必要な面積は全体の１％以下である。表示部は
９１％、リード部８％となる。このことは、対を為すＩ
ＧＦを用いるに加え、チャネル長の短いＩＧＦであるた
め、基板上における必要な面積を少なくできた。かつフ
メトリソグラフィの精度が動作周波数の上限を限定しな
いという他の特長を有する。

さらにこれらの絵素を高周波で動作さゼるため、ＩＧＦ
の周波数特性がきわめて重要であるが、本発明（７）Ｉ
ＧＦはＶｏｗ　＝ｓｖ、ｖ、、　＝ｓｖニおいてカット
オフ周波数１０ＭＨ２以上（１５，５ＭＩＩｚ　）（Ｎ
チャネルＩＧＦ　）を有せしめることができた。Ｖ＋ｈ
　＝０．２〜２ｖにすることが５４　（２５）への添加
不純物の濃度制御で可能となった。

周辺部のデコーダ、ドライバに必要な抵抗（Ｄ）、イン
バータ（Ｃ）につき本発明のＩＧＩ”を以下に記す。

第１図（Ｃ）のインバータの縦断面図を第４図に示す。

第４図（Ａ）および（Ｂ）においてＩＧＰ　（６１）。

（６４）は第２図とその番号を対応させている。ドライ
バ（６１）は左側のＩＧＦを、ロードは右側のＩＧＦを
用いた。第４図（Ａ）ではロードのディト電極（２０）
　とＶ。、（６５）とを連続させるエンヘンスメント型
を示す。第４図（Ｂ）は出力（６２）とゲイト電極（２
０）とを連続させたディプレッション型のＩＧ＋＋を示
す。

さらにこのインバータの出力は（６２）よりなり、この
基板上の２つのＩＧＦ　（６１）、（６４）を互いに離
間することなく同一半導体積層体（６０）に複合化して
設けたことを特長としている。

この第４図（Ａ）のインバータは上側電極を２つのＩＧ
Ｆとして独立せしめ（１６＞、（１６’）とした。かく
すると１つのＩＧＦ　（６４８０−ド）を電極（１９）
。

ドレイン（１５）、チャネル（９）、ソース（１３）、
電極（１２）即ち出力（６２）かつ他のＩＧＦ　（６１
０ドライバ）の電極（１２）、ドレイン（１３）、チャ
ネル（９゛）、ソース（１５’）、電極（６６）　とし
て設けることが可能となった。その結果、２つのＩＧＦ
を１つの５１〜Ｓ３のブロックと一体化してインバータ
とすることができた。

また第４図（Ｂ）は下側電極を２つに分割したものであ
る。即ち１つのＩＧＦロード（６４）でｖＤ。

（６５）、下側電極（’１２）、ドレイン（１３）、チ
ャネル（９）、ソース（５）、電極（６２）即ち出力（
６２）、他のＩＧＦ　（ドライバ）（６１）でのドレイ
ン（１５）、チャネル（９’）、ソース（１３）、電極
（１２’）、ｖｓ、　（＋３６）よりなり、入力（６３
）をゲイト電極（２０’）に、また出力（６２）を５３
　（１５）より引き出さセた。

かくのごとく本発明は縦チャネルであり、１つの積層体
を用いて２つの対をなすＩＧＦを作ることができた。こ
のそれぞれのＩＧＦの一方の電極より固体表示装置の絵
素を構成する一方の電極に連結させることにより、実質
的に１つの積）６体即ち１つのＩＧＦに必要なセル面積
にて２つの絵素を制御することができた。このことはこ
の絵素が５００×５００と大容量化し、さらに周辺回路
にも同一ボードに一体化せんとする時、その工業的効果
がきわめて大きいといえる。

製造に必要なマスクも６回で十分であり、マスク精度を
必要としない等の多くの特長をチャネル長が０．２〜１
μときわめて短くすることができることに加えて有せし
めることができた。

さらに液晶（３１）用の配向処理がされた２つの電極（
３０）、＜　３２　）間を１〜１０μとし、その間隙に
例えばネマチック型の液晶を注入して、加えて対抗基板
（１′）内に赤、縁、芭のフィルタをうめこむことによ
り、このディスプレイをカラー表示することが可能であ
る。そして赤縁芭の３つの要素を交互に配列せしめれば
よい。

また逆方向リークは、第１図に示すようなＳｌまたはＳ
３をＳＪ’ＸＣＩ−ｘ　（０＜　Ｘ　＜　ｌ　例えばｘ
　−０，２）とすることにより、さらにｓ２を”ｉｔ　
Ｎ４．ｘ　（０≦Ｘ〈４）または５ｉｘＣ１ｙ　（０≦
ｘ＜ｌ）として絶縁物化することにより、この５ＩＳＳ
３の不純物が８２に流入することが少なくなり、このＮ
−１接合またはＰ−■接合のリークは逆方向にＩＯＶを
加えてもｌＯｎ／１／ｄ以下であった。これは単結晶の
逆リークよりもさらに２〜３桁も少なく、非単結晶半導
体特有の物性を積極的に利用したことによる好ましいも
のであった。さらに高温での動作において、電極の金属
が非単結晶の５１、Ｓ３内に混入して不良になりやすい
ため、この電極に密接した側を５ｉｘＣ＋−ｘ（０＜ｘ
＜１例えばｘ＝０．２）とした。その結果１５０℃で１
０００時間動作させたが何等の動作不良が１０００素子
を評価しても見られなかった。これはこの電極に密接し
てアモルファス珪素のみでＳｌまたはＳ３を形成した場
合、１５０°Ｃで１０時間も耐えないことを考えると、
きわめて高い信頼性の向上となった。

さらにかかる積層型のＩＧＦのため、従来のように高精
度のフォトリソグラフィ技術を用いることなく、基板特
に絶縁基板上に複数個のＩＧＦ　、抵抗、キャパシタを
作ることが可能になった。そして液晶表示ディスプレイ
にまで発展させることが可能になった。

本発明における非単結晶半導体は珪素、ゲルマニューム
または炭化珪素（ＳｉｘＣ１−ＸＯ＜　ｘ　＜　１　）
。

絶縁体は炭化珪素または窒化珪素を用いた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による絶縁ゲイト型半導体装置、インバ
ータ、抵抗、キャパシタまたは絶縁ゲイト型半導体装置
とキャパシタとを絵素としたマトリックス構造の等価回
路を示す。 第２図は本発明の積層型絶縁ゲイト型半導体装置の工程
を示す縦断面図である。 第３図は本発明の積層型絶縁ゲイト型半導体装置とキャ
パシタまた表示部とを一体化した平面ディスプレイを示
す複合半導体の縦断面図である。 第４図は本発明の積層型絶縁ゲイト半導体装置のインバ
ータ構造を示す。 （１，２）　（２，２） ｕ５）　１１　ＬＣ） 箪４■

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上の第１の電極上の第１の半導体、第２の半導
   体または絶縁体、第３の半導体および導体の第２の電極
   を概略同一形状に積層した積層体を有し、前記第１およ
   び第３の半導体をしてソースおよびドレインを構成せし
   め、前記積層体の側部に隣接して第４の半導体をチャネ
   ル形成領域を構成して設け、該第４の半導体上のゲイト
   絶縁膜と該ゲイト絶縁膜上に隣接して２つのゲイト電極
   を前記積層体の２つの側面に配設して２つの絶縁ゲイト
   型半導体装置を設け、前記第１または第２の電極のいず
   れかより延在した電極は絵素の一方の電極を構成したこ
   とを特徴とする固体表示装置。 ２、基板上の透光性導電膜の２つの第１の電極上の第１
   の半導体、第２の半導体または絶縁体、第３の半導体お
   よび導体の第２の電極を概略同一形状にＷＩＪＷシた積
   層体を有し、前記第１、および第３の半導体をしてソー
   スおよびドレインを構成せしめ、前記積層体の側部に隣
   接して第４の半導体をチャネル形成領域を構成して設け
   、該第４の半導体上のゲイト絶縁膜と該ゲイ１色縁膜上
   に隣接して２つのゲイト電極を前記積層体の２つの側面
   に配設して２つの絶縁ゲイト型半導体装置を設け、前記
   ２つの第１の電極より延在した電極は２つの絵素の一方
   の電極を構成せしめ、前記ゲイト電極の構成物は前記積
   層体両側面に設けられたＹ方向のリードを構成せしめ、
   前記第２の電極がＸ方向のリードに連結して設けられた
   ことを特徴とする固体表示装置。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項において、第２
   の半導体または絶縁体はＳｉ、Ｎ４−イ（０≦Ｘ〈４）
   ）または５ｉｘＣ１−×（０≦ｘく１）を主成分とした
   ことを特徴とする固体表示装置。