JPS61140102A - 薄膜抵抗装置の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗装置の製造方法Info
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- JPS61140102A JPS61140102A JP59263358A JP26335884A JPS61140102A JP S61140102 A JPS61140102 A JP S61140102A JP 59263358 A JP59263358 A JP 59263358A JP 26335884 A JP26335884 A JP 26335884A JP S61140102 A JPS61140102 A JP S61140102A
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- JP
- Japan
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- thin film
- film resistor
- manufacture
- resistor
- wiring
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- Pending
Links
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は薄膜抵抗装置の製造方法に関するものである
。
。
従来の薄膜抵抗装置においては、第4図示のように絶縁
基板10上に薄膜抵抗11をパターン形成し、コンタク
ト部分にアルミ配線t2.t5を形成していた。
基板10上に薄膜抵抗11をパターン形成し、コンタク
ト部分にアルミ配線t2.t5を形成していた。
抵抗値はコンタクト部分の距離にLシ決められるが、上
述の従来例では、アルミ配線のエツチング加工精度はあ
まシエぐなく、高精度の抵抗値を得ることが困難であっ
た。また抵抗体としてOr・S1系の材料を用いたとき
配線材料のアルミニウム□ はシリコンS1と反応しやすぐ、Cr5ai材の抵抗値
が変わるという欠点もあった。
述の従来例では、アルミ配線のエツチング加工精度はあ
まシエぐなく、高精度の抵抗値を得ることが困難であっ
た。また抵抗体としてOr・S1系の材料を用いたとき
配線材料のアルミニウム□ はシリコンS1と反応しやすぐ、Cr5ai材の抵抗値
が変わるという欠点もあった。
この発明は上記従来技術における欠点を解決するための
もので、抵抗体の上を絶縁−でIm覆し、その絶縁嗅に
コンタクト窓をあけることにLす、コンタクト間の距離
を制御して高精度の抵抗を得ようとするものである。
もので、抵抗体の上を絶縁−でIm覆し、その絶縁嗅に
コンタクト窓をあけることにLす、コンタクト間の距離
を制御して高精度の抵抗を得ようとするものである。
第1図において、絶縁基板1上に薄膜抵抗体2をパター
ン形成する。抵抗体2の材料としては、Or*Sj、系
の材料などが用いられ、これを絶縁基板1上にデポジシ
ョンし、ホトエツチングでバター二/グする。その上に
シリコン酸化物Sin、にニジ絶縁11!5を全11i
liK被覆形成した後、コンタクト部分4.5′をホト
エツチングで窓明けする(第2図)。そしてコンタクト
部分4.5にアルミニウムで配線パターン6.7を形成
する(第5図)。
ン形成する。抵抗体2の材料としては、Or*Sj、系
の材料などが用いられ、これを絶縁基板1上にデポジシ
ョンし、ホトエツチングでバター二/グする。その上に
シリコン酸化物Sin、にニジ絶縁11!5を全11i
liK被覆形成した後、コンタクト部分4.5′をホト
エツチングで窓明けする(第2図)。そしてコンタクト
部分4.5にアルミニウムで配線パターン6.7を形成
する(第5図)。
本発明においては、コンタクト部分が窓明けされるが、
絶縁11g810.の窓明けの方が従来Kかけるアルミ
配線ニジも梢度工くできるため、コンタクト間の距離の
制御がよ)正確にでき、したがって抵抗の精度を上げる
ことができる。また、抵抗材料11COr−81,系材
料を用いた場合には、Cr−81系材料がアルミニウム
と接触するのはコンタクトホール部分だけに限られて、
これは一定かつ小さくすることができるため、薄膜抵抗
形成時における抵抗材料の比抵抗が保たれ、再現性のL
い抵抗値がえられる。
絶縁11g810.の窓明けの方が従来Kかけるアルミ
配線ニジも梢度工くできるため、コンタクト間の距離の
制御がよ)正確にでき、したがって抵抗の精度を上げる
ことができる。また、抵抗材料11COr−81,系材
料を用いた場合には、Cr−81系材料がアルミニウム
と接触するのはコンタクトホール部分だけに限られて、
これは一定かつ小さくすることができるため、薄膜抵抗
形成時における抵抗材料の比抵抗が保たれ、再現性のL
い抵抗値がえられる。
第1〜第5図は本発明方法の実施例を製造工程を追って
示す断面図で、l!4図は従来例の断面図である。 1・・・絶縁基板 2・・・薄嘆抵抗体 3・・・絶縁嘆 4・・・コンタクト部分 5・・・コンタクト部分 6・・・配線パターン 7・・・配線パターン 以 上
示す断面図で、l!4図は従来例の断面図である。 1・・・絶縁基板 2・・・薄嘆抵抗体 3・・・絶縁嘆 4・・・コンタクト部分 5・・・コンタクト部分 6・・・配線パターン 7・・・配線パターン 以 上
Claims (1)
- 絶縁基板上に薄膜抵抗体をパターン形成し、その上に絶
縁膜を形成し、上記絶縁膜をエッチングしてコンタクト
部分を窓明けし、上記コンタクト部分に配線形成をおこ
なうことを特徴とする薄膜抵抗装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263358A JPS61140102A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 薄膜抵抗装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263358A JPS61140102A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 薄膜抵抗装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61140102A true JPS61140102A (ja) | 1986-06-27 |
Family
ID=17388372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59263358A Pending JPS61140102A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 薄膜抵抗装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61140102A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036012A (ja) * | 1973-08-03 | 1975-04-04 | ||
| JPS50131488A (ja) * | 1974-04-03 | 1975-10-17 | ||
| JPS5259849A (en) * | 1975-11-11 | 1977-05-17 | Nippon Electric Co | Method of producing thin film integrated circuit including resistor and capacitor |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59263358A patent/JPS61140102A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036012A (ja) * | 1973-08-03 | 1975-04-04 | ||
| JPS50131488A (ja) * | 1974-04-03 | 1975-10-17 | ||
| JPS5259849A (en) * | 1975-11-11 | 1977-05-17 | Nippon Electric Co | Method of producing thin film integrated circuit including resistor and capacitor |
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