JPS61140102A - 薄膜抵抗装置の製造方法 - Google Patents

薄膜抵抗装置の製造方法

Info

Publication number
JPS61140102A
JPS61140102A JP59263358A JP26335884A JPS61140102A JP S61140102 A JPS61140102 A JP S61140102A JP 59263358 A JP59263358 A JP 59263358A JP 26335884 A JP26335884 A JP 26335884A JP S61140102 A JPS61140102 A JP S61140102A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film resistor
manufacture
resistor
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59263358A
Other languages
English (en)
Inventor
小倉 良
野村 吉雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Precision Circuits Inc
Original Assignee
Nippon Precision Circuits Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Precision Circuits Inc filed Critical Nippon Precision Circuits Inc
Priority to JP59263358A priority Critical patent/JPS61140102A/ja
Publication of JPS61140102A publication Critical patent/JPS61140102A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は薄膜抵抗装置の製造方法に関するものである
〔従来の技術〕
従来の薄膜抵抗装置においては、第4図示のように絶縁
基板10上に薄膜抵抗11をパターン形成し、コンタク
ト部分にアルミ配線t2.t5を形成していた。
〔発明が解決しLうとする問題点〕
抵抗値はコンタクト部分の距離にLシ決められるが、上
述の従来例では、アルミ配線のエツチング加工精度はあ
まシエぐなく、高精度の抵抗値を得ることが困難であっ
た。また抵抗体としてOr・S1系の材料を用いたとき
配線材料のアルミニウム□ はシリコンS1と反応しやすぐ、Cr5ai材の抵抗値
が変わるという欠点もあった。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明は上記従来技術における欠点を解決するための
もので、抵抗体の上を絶縁−でIm覆し、その絶縁嗅に
コンタクト窓をあけることにLす、コンタクト間の距離
を制御して高精度の抵抗を得ようとするものである。
〔実施例〕
第1図において、絶縁基板1上に薄膜抵抗体2をパター
ン形成する。抵抗体2の材料としては、Or*Sj、系
の材料などが用いられ、これを絶縁基板1上にデポジシ
ョンし、ホトエツチングでバター二/グする。その上に
シリコン酸化物Sin、にニジ絶縁11!5を全11i
liK被覆形成した後、コンタクト部分4.5′をホト
エツチングで窓明けする(第2図)。そしてコンタクト
部分4.5にアルミニウムで配線パターン6.7を形成
する(第5図)。
〔発明の効果〕
本発明においては、コンタクト部分が窓明けされるが、
絶縁11g810.の窓明けの方が従来Kかけるアルミ
配線ニジも梢度工くできるため、コンタクト間の距離の
制御がよ)正確にでき、したがって抵抗の精度を上げる
ことができる。また、抵抗材料11COr−81,系材
料を用いた場合には、Cr−81系材料がアルミニウム
と接触するのはコンタクトホール部分だけに限られて、
これは一定かつ小さくすることができるため、薄膜抵抗
形成時における抵抗材料の比抵抗が保たれ、再現性のL
い抵抗値がえられる。
【図面の簡単な説明】
第1〜第5図は本発明方法の実施例を製造工程を追って
示す断面図で、l!4図は従来例の断面図である。 1・・・絶縁基板 2・・・薄嘆抵抗体 3・・・絶縁嘆 4・・・コンタクト部分 5・・・コンタクト部分 6・・・配線パターン 7・・・配線パターン 以   上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁基板上に薄膜抵抗体をパターン形成し、その上に絶
    縁膜を形成し、上記絶縁膜をエッチングしてコンタクト
    部分を窓明けし、上記コンタクト部分に配線形成をおこ
    なうことを特徴とする薄膜抵抗装置の製造方法。
JP59263358A 1984-12-13 1984-12-13 薄膜抵抗装置の製造方法 Pending JPS61140102A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59263358A JPS61140102A (ja) 1984-12-13 1984-12-13 薄膜抵抗装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59263358A JPS61140102A (ja) 1984-12-13 1984-12-13 薄膜抵抗装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61140102A true JPS61140102A (ja) 1986-06-27

Family

ID=17388372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59263358A Pending JPS61140102A (ja) 1984-12-13 1984-12-13 薄膜抵抗装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61140102A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5036012A (ja) * 1973-08-03 1975-04-04
JPS50131488A (ja) * 1974-04-03 1975-10-17
JPS5259849A (en) * 1975-11-11 1977-05-17 Nippon Electric Co Method of producing thin film integrated circuit including resistor and capacitor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5036012A (ja) * 1973-08-03 1975-04-04
JPS50131488A (ja) * 1974-04-03 1975-10-17
JPS5259849A (en) * 1975-11-11 1977-05-17 Nippon Electric Co Method of producing thin film integrated circuit including resistor and capacitor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS55163860A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS61140102A (ja) 薄膜抵抗装置の製造方法
JPS61181104A (ja) 白金測温抵抗体
JPS63292071A (ja) 半導体加速度センサの製造方法
JPS6262502A (ja) 薄膜白金温度センサの製造方法
GB1495377A (en) Method of manufacturing a charge transfer device
JPH0360064A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63208751A (ja) 結露センサ
JPS6328069A (ja) 半導体装置
JPS63263702A (ja) 白金薄膜温度センサの製造方法
JPH0315203B2 (ja)
JP2755263B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS58100434A (ja) リフトオフ用スペ−サ−の形成方法
JP2593673B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0133923B2 (ja)
JPS59112944U (ja) 集積回路
JPS572545A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH01194424A (ja) 自己整合パターン形成方法
JPS60261141A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0729711A (ja) 抵抗の形成方法
JPS5923504A (ja) 高精度薄膜抵抗の製造方法
JPH023926A (ja) 配線の形成方法
JPS63250101A (ja) サ−ミスタ
JPS59112963U (ja) 輻射波検出素子
JPS62260338A (ja) 半導体装置の製造方法