JPS6116548A - 厚膜金属パタ−ンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は厚膜金属パターンの選択メッキを簡易に形成し
得る製造方法に関する。

（従来技術とその問題点） 従来、厚膜の金属パターンを選択メッキして形成する場
合、特に、Ｘ線マスク基板上にＡｕ　　メッキＸ線吸収
体パターンを形成する場合においては、プラズマＣＶＤ
によ多形成したシリコン窒化膜をスペーサーに用い、下
地の金属層を電極に用いて所望の厚さまでメッキし、そ
の後にシリコン窒化膜スペーサーをエツチング除去した
。（グロシーディング・オブ・テンス・インターナショ
ナル・コンファレンスＱオン・エレクトロン０アンド、
・イオン・ビーム・サイエンス・アンド・テクノロジー
（Ｐｒｏｃ、　ｏｆ　１０　ｔｈ　Ｉｎｔ＊Ｃｏｎｆ＠
ｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎａｎｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ　５
ｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　）（１
９８２）３３３）。しかしこの方法は工程が複雑である
ためにパターン寸法の制御や欠陥の低減が難かしいとい
う欠点があった。

（発明の目的） 本発明は、このような従来の欠点を除去せしめて、金属
メッキパターンと簡易に形成し得る製造方法を提供する
ととＫある口 （実施例） 以下図を参照しながら本発明の詳細な説明する０第１図
の（、）から（ｅ）までの図は本発明による半導体装置
の主要製造工程の一実施例における断面図を順次示した
ものである０ （ａ）はＳｊ基板ｌの表面上にＴ＋２を厚さ５０Ｘ、Ａ
ｕ３を厚さ２００Ｘ程度この順に連続スパッタリングに
よシ形成したものであろう（ｂ）は厚さ１μｍから３μ
ｍ程度の下層ネガ型レジスト材料４をスピン塗布して１
５０〜２００℃以上の高温で１時間位焼きしめた後に、
上層レジスト材料としてｔドライエツチング性の高い８
ｉ含有レジストを厚さ０．１〜０．３μｍスピン塗布し
て電子線やイオンビーム、Ｘ線等によシ所望パターンを
露光し、現像したものである。

（ｃ）は上層レジストパターンをマスクとして下層レジ
スト′ｆｒ、Ｏ，ガスによシスバッタエツチングしてパ
ターニングしたものである０（ｄ）は前記Ｔｉ　−Ａｕ
層２．３を電極にして、前記下層レジストパターンをス
ペーサーに用いて、Ａｕメツキロしたものである０（ｅ
）は前記下層レジストパターンをはくシ液によシ除去し
たものである。

ここでは下層レジスト材料としてネガ屋ヲ使ったがポジ
形を使りてもよい。その際最後に除去するときはＯ，ガ
スによる灰化をすればよい。

（発明の効果） 本発明によって得られた半導体装置の製造方法によシ、
従来の方法に比較して簡略なプロセスによシ厚膜金属メ
ッキパターンを得ることが可能となシ、Ｘ線マスクの製
造や配線パターンの形成等にきわめて有効である０プロ
セスの簡略化に伴なってメッキパターンの寸法制御性が
向上し、欠陥が低減した。

【図面の簡単な説明】

第１図（３１〜ｔｅｌは本発明による半導体装置の製造
方法の一実施例について、その主要工程における断面を
順次示した図である。 １・・・半導体基板、２・・・Ｔビ・・薄膜、３・・・
Ａｕ薄膜、４・・・下層レジスト、５・・・上層レジス
ト、６・・・Ａｕ層。 ７＋１　図 手続補正書（自発） 、事件の表示　　　昭和５９年　特　許　願第１３７６
１９号、発明の名称　　　厚膜金属パターンの形成方法
、補正をする者 事件との関係　　　　　　　出　願　人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３）　　　日本電気株式会社 代表者　関本忠弘

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板上に金属層を形成した後に、厚い有機物を
   塗布して高温で焼きしめる工程と、前記有機物の上にレ
   ジストを塗布した後に、露光現像して所望のレジストパ
   ターンを形成する工程と、前記レジストパターンとマス
   クに用いて、下地の有機物をエッチングする工程と、前
   記金属層を電極に用い、前記有機物パターンをスペーサ
   ーに用いて、前記金属層と同じ金属を所望の厚さまで選
   択メッキする工程と、前記有機物パターンを剥離する工
   程とを含むことを特徴とする厚膜金属パターンの形成方
   法。