JPS61280441A - ジシクロヘキシルアセチレン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明社電気光学的表示材料として有用な新規なジシク
ロヘキシルアセチレン誘導体に関する。

〔従来の技術〕

液晶表示セルの代表的なものにエム・シャット（Ｍ−８
ｅｈａｄｔ）等（ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣ８ＬＥ
ＴＴＥＲ８１８，１２７〜１２８（１９７１））によっ
て提案された電界効果型セル（フィールド・エフェクト
・モード・セルラ又はジー・エイチ・バイルマイヤー（
Ｇ＊ＨＨ＠ｉ１ｍｅｉ＠ｒ）等（ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧ
　ＯＦ　ＴＨＥ　１．Ｅ、Ｅ、Ｅ、呈、１１６２〜ｆ１
７１（ｆ９ｓ８）］によって提案された動的光散乱型セ
ル（ダイミック・スキャツタリング・モード・セル）又
はジーφエイチ拳バイルマイヤー（Ｇ−ＨＨｅｉｌｍｅ
ｉｅｒ）等（ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣ８ＬＥＴＴ
ＥＲ８旦、９１（１９６Ｂ）］あるいはディー・エル・
ホワイト（Ｄ−Ｌ　Ｗｈｉｔｅ　）等ｒＪＯＵＲＮＡＬ
　ＯＦ　ＡＰＰＬＩＥＤＰＨＹＳＩＣ８４５’、４７１
８（１９７４））によって提案されたゲスト・ホスト型
セルなどがある。

電界効果型セル特にＴＮ型セルに用いられる液晶材料に
は種々の特性が要求されており、Ｎ−Ｉ転移温度の高い
液晶化合物はネマチック液晶の高温側の動作温度範囲を
広げるために必要とされている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、Ｎ−Ｉ転移温度の高い新規な化合物の
提供にある。

〔問題点を解決するための手段〕　　、本発明は、 で表わされる化合物を提供することＫより前記問題点を
解決した。

本発明に係る式（Ｉ）の化合物は次の製造法に従って製
造することができる。

第１段階一式（ＩＩ）の化合物に無水テトラヒドロフラ
ンあるいは無水エーテル中で式（ＩＩＩ）の化合物を反
応させて式ＱＶ）の化合物を製造する。

第２段階−第１段階で製造された式（ＩＶ）の化合物に
クロロホルム等の有機溶媒中で五塩化シんを反応させて
式（Ｖ）の化合物を製造する。

第３段階−第２段階で製造された式（Ｖ）の化合物にＮ
。

Ｎ′−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒中で１，８−
ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７を反応
させて、式（Ｉ）の化合物を製造する。

である式（ＶＩ）の化合物を前記の第１段階、第２段階
、第３段階によって製造し、これＩＮ、Ｎ’−ジメチル
ホルムアミド等の極性溶媒中でシアン化第−銅と反応さ
せて製造した。

斯くして製造される式（Ｉ）の代表的な化合物の転移温
度は、第１表に示す通りである。

第　　　１　　　表 １９６℃（Ｎ口Ｉ） 表中、Ｃは結晶相、Ｎはネマチック相、■は等方性液体
を表わす。

本発明に係る式（Ｉ）の化合物は弱い負又は正の誘電率
異方性を有するネマチック液晶化合物であり、従って例
えば、負又は弱い正の誘電率異方性を有する他のネマチ
ック液晶化合物との混合物の状態で動的光散乱型表示セ
ルの材料として使用することができ、また強い正の誘電
率異方性を有する他のネマチック液晶化合物との混合物
の状態で電界効果型表示セルの材料として使用すること
ができる。

このように、式（Ｉ）の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば４，４−置換
安息香酸フェニルエステル、４　、４’−ｆｆｔｆｔク
シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル、４’−置
換シクロヘキサンカルボン酸ビフェニルエステル、４（
４−ｔｆｍシクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香ｅ
４′−置換フェニルエステル、４（４−［換シクロヘキ
シル）安息香酸４′−置換フェニルエステル、４（４−
１！換シクロヘキシル）安息香酸４′−置換シクロヘキ
シルエステル、４．４’−ビフェニル、４．４’−フェ
ニルシクロヘキサン、４　ｐ　４’−置換１’−フェニ
ル、４．４′−ビフェニルシクロへキサン、２　（４’
−ｔａ）：ｒ−二ル）５−置換ビリミジンなどを挙げる
ことができる。

第２表は時分割駆動特性の優れたネマチック液晶材料と
して現在汎用されている母体液晶（Ａｔの９０重ｆ％と
第１表に示した式（Ｉ）の化合物／Ｉ６１の１０重！＃
％とから成る各混合液晶について測定されたＮ−Ｉ点を
掲示し、比較のために母体液晶（Ｎ自体について測定さ
れたＮ−Ｉ点を掲示したものである。尚、母体液晶は、 及び から成るものである。

第２表 （’Ｃ） （Ａ）　　　　　　　　　　　　　　５４．０（Ａ）十
屓１　　　　　　　　　６ａＯ第２表に掲示したデータ
から、式（Ｉ）の化合物は母体液晶のＮ−Ｉ点を実用上
充分なまでに上昇せしめ得ることが理解できる。

本発明の効果は、下記の比較実験によっても明らかにさ
れる。化学構造が本発明に係る式（Ｉ）の化合物に類似
している式 で表わされる公知化合物を前記の母体液晶（Ａｌに種々
の割合で混合した。同様に本発明に係る化合物の１つ、
即ち式で表わされる化合物を母体液晶＋Ａ＋に種々の割
合で混合した。

斯くして得られた２種類の混合液晶について、夫々のＮ
−１点を測定した。これらの測定結果に基いて、添付図
面の第１図にＮ−１点と添加量の関係を示した。

これらの事実から、本発明に係る式（Ｉ）の化合物は公
知の類似化合物に比べて母体液晶のＮ−Ｉ点を大幅に上
昇させ得ることが理解できる。

〔実施例〕

トランス−４−ｎ−７’ロピルシクロヘキシルメチルブ
ロマイド１３．１９（ＣＬＯ５９８ｍｏ／）を無水テト
ラヒトｏ７ラン５２ｍに溶解させ、これをマグネシウム
ｔ６０９（［１０１０６５８９−ａｔに攪拌しながら２
５°〜３０℃で滴下した後、さらに室温（２５℃）で１
時間反応させてトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シルメチルマグネシウムブロマイドを生成させた。

次に、トランス−４−（トランス−４′−ｎ−プロビル
ジ。

クロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸クロライドＩ
　Ａ３９（［ＬＯ５００ｍｏｊ）を無水テトラヒトｏ７
ラン２７ｉｄに溶解させ、これに上記反応で生成した、
トランス−４−ｎ　−７’ロビルシクロヘキシルメチル
マグネシウムブロマイドの無水ナト２ヒドロフラン溶液
を攪拌しながら、５°−１０℃で滴下した後、さらに同
温度で３０分間反応させた。

反応混合物を冷希壇酸中に加えた後、反応生成物をエー
テルで抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液からエー
テルを留去した。得られた反応生成物をエタノールから
再結晶させて精製し、下記化合物１　ｔ５９（１０３０
７ｍｏｊ）を得た。

この化合物にクロロホルム２３ｄ、五塩化リンフ、７ｇ
（１０３７ｍｏｊ）を加え、これらを攪拌しながら還流
温度で６時間反応させた。反応混合物を冷却し、冷希壇
酸中に加えた後、反応生成物をクロロホルムで抽出し、
抽出液を水洗、乾燥後、この液からクロロホルムを留去
し、下記化この組生成物１ｃ、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホル
ムアミド２５ｊＬ／及び１，８−ジアザ−ビシクロ（５
，４，０）ウンデセン−７１ａ７９（α１２３ｍｏ／）
を加え、これらを攪拌しながら還流温度で２２時間反応
させた。反応混合物を冷却し、希壇酸を加えて酸性とし
た後、反応生成物をｎ−ヘキサンで抽出し、抽出液を水
洗、乾燥後、この液からｎ−へキサンを留去した。得ら
れ九反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
によって精製し、下記化合物２．４０９（（ＬＯＯ６７
５ｍｏｊ）ｔ−得た。

収　　率　　１３．５％ 転移温度　　１６５℃（Ｃ→Ｎ） １９６℃（Ｎ口■） 〔発明の効果〕 本発明に係る式（Ｉ）の化合物は、Ｎ−Ｔ−移温度の高
い液晶化合物であシ、さらに類似構造の化合物とくらべ
て、既存の液晶組成物に混合した際に低温体にスメクチ
ック相を示しに＜＜、効果的にその液晶組成物のＮ−Ｉ
転移温度を上昇せしめるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る化合物の１つである（４１　）
の化合物及びこれと類似構造をもつ公知化合物（ａｔの
夫々を現在汎用されている母体液晶ｆＡ＋に添加して得
られる混合液晶のＮ−１点と（ａｌ又は（４１）の添加
量の関係を示す図表である。 代理人　　弁理士　　高　橋　勝　利 第１　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒは炭素原子数１〜１０の直鎖状アルキル基も
   しくはアルコキシル基もしくはハロゲン原子もしくはシ
   アノ基を表わし、▲数式、化学式、表等があります▼は
   ▲数式、化学式、表等があります▼もしくは▲数式、化
   学式、表等があります▼を表わし、Ｒ′は炭素原子数１
   〜１０の直鎖状アルキル基を表わし、シクロヘキサン環
   はトランス（エカトリアル−エカトリアル）配置である
   。〕で表わされる化合物。