JPS6139582A - 高電子移動度トランジスタ - Google Patents
高電子移動度トランジスタInfo
- Publication number
- JPS6139582A JPS6139582A JP11630685A JP11630685A JPS6139582A JP S6139582 A JPS6139582 A JP S6139582A JP 11630685 A JP11630685 A JP 11630685A JP 11630685 A JP11630685 A JP 11630685A JP S6139582 A JPS6139582 A JP S6139582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- structures
- semiconductor
- doped
- high electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/40—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels
- H10D30/47—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels having two-dimensional [2D] charge carrier gas channels, e.g. nanoribbon FETs or high electron mobility transistors [HEMT]
- H10D30/471—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT]
- H10D30/473—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having confinement of carriers by multiple heterojunctions, e.g. quantum well HEMT
- H10D30/4732—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having confinement of carriers by multiple heterojunctions, e.g. quantum well HEMT using Group III-V semiconductor material
- H10D30/4738—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having confinement of carriers by multiple heterojunctions, e.g. quantum well HEMT using Group III-V semiconductor material having multiple donor layers
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野］
本発明は半導体電子装置に関Ｊ゛るものである。
もつと詳細にいえば、本発明はｉａｉ電子移動度トラン
ジスタに関するものである。
ジスタに関するものである。
［従来の技術とその問題点］
シリコン電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のような半導
体装置の特性の改善（すなわち、伝播遅延時間を小さく
すること、電流をより大きくすること、バンド幅をより
大ぎくすること、など）・は少なくとも２つの方法で行
なうことができる。すなわち、（１）装置の寸法を小さ
り１゛ること、（′２Ｊキャリアのチャンネル移動度を
大ぎ＜１゛ること、である。この第２の方法については
、シリコンの代りにガリウム・ヒ素を用いるならば、室
温における移動度は約６倍大きくなる。しかし、もっと
有力なこととして、ガリ１クム・ヒ素とドープされたア
ルミニウム・ガリウム・ヒ素とのヘテロ接合構造体を用
い、４ならば、移動度をさらに大きくすることができる
。特に、液体窒素温度では移動度は大きくなる。全般的
なことについては、Ｒ，Ｅｄｅｎのｒｃｏｍｐａｒｉｓ
ｏｎ ｏｆ ＧａＡＳ ｄｅｖｉｃｅ ａｐｐ
ｒｏａｃｈｅｓ ｆｏｒｕｌｔｒａｈｉａｈ−ｓｐｅ
ｅｄ ＶＬＳＩ Ｊ ７０プロシーデインゲス・オフ・
ＩＥＥＥ ５ （１９８２）を参照されたい。このよ
うなヘテロ接合構造体はＮ形にドープされたＡＪｔＧａ
ＡＳ層をドープされていないＧａＡＳｌｌに接合するこ
とによって構成される。
体装置の特性の改善（すなわち、伝播遅延時間を小さく
すること、電流をより大きくすること、バンド幅をより
大ぎくすること、など）・は少なくとも２つの方法で行
なうことができる。すなわち、（１）装置の寸法を小さ
り１゛ること、（′２Ｊキャリアのチャンネル移動度を
大ぎ＜１゛ること、である。この第２の方法については
、シリコンの代りにガリウム・ヒ素を用いるならば、室
温における移動度は約６倍大きくなる。しかし、もっと
有力なこととして、ガリ１クム・ヒ素とドープされたア
ルミニウム・ガリウム・ヒ素とのヘテロ接合構造体を用
い、４ならば、移動度をさらに大きくすることができる
。特に、液体窒素温度では移動度は大きくなる。全般的
なことについては、Ｒ，Ｅｄｅｎのｒｃｏｍｐａｒｉｓ
ｏｎ ｏｆ ＧａＡＳ ｄｅｖｉｃｅ ａｐｐ
ｒｏａｃｈｅｓ ｆｏｒｕｌｔｒａｈｉａｈ−ｓｐｅ
ｅｄ ＶＬＳＩ Ｊ ７０プロシーデインゲス・オフ・
ＩＥＥＥ ５ （１９８２）を参照されたい。このよ
うなヘテロ接合構造体はＮ形にドープされたＡＪｔＧａ
ＡＳ層をドープされていないＧａＡＳｌｌに接合するこ
とによって構成される。
ＡＪｔＧａＡＳのバンド・ギャップがＧａＡＳのバンド
・ギーヤツプより大きいので、電子はより低いエネルギ
位置にあるＧ ａ Ａ Ｓ’の伝導電子バンドに移動す
る。この電子移動の結果、ＡＩＧａＡＳ中には、ドナー
・イオンが後に残されることになる。
・ギーヤツプより大きいので、電子はより低いエネルギ
位置にあるＧ ａ Ａ Ｓ’の伝導電子バンドに移動す
る。この電子移動の結果、ＡＩＧａＡＳ中には、ドナー
・イオンが後に残されることになる。
ドナー・イオンから出た電子がこのように分離されると
、これらの電子の受ける不純物散乱は大幅に小さくなり
、したがって、移動度は増大する。
、これらの電子の受ける不純物散乱は大幅に小さくなり
、したがって、移動度は増大する。
この効果は低温度では特に著しい。
ヘテロ接合は、全体的に、特にＡｊｔＧａＡｓ・ＧａＡ
ｓの場合には、液相エピタクシ（ＬＰＥ）、分子線エピ
タクシ（ＭＢＥ）、金属・有機物化学蒸気法＠ （ＭＯ
ＣＶＤ）の方法によって成長さしてつくることができる
。ＭＢＥとＭＯＣＶＤはＬＰＥよりも好ましい。ＭＯＣ
ＶＤでは５０Ａ以下の厚さの層で、ＭＢＥではＩＯＡ以
−トの厚さの層で、ＡＩＧａＡＳとＧａＡＳの交互エピ
タクシヤル層を成長させることができる。けれども、製
造に成功するヘテロ接合装首は、ドープされていないＧ
ａＡｓの上にドープされたＡｊｔＧａＡｓをエピタクシ
ヤル成長させる場合に限られる。この構造体は「正規」
構造体と云われている。これに対し、「反転」構造体と
いうのは、ドープされたＡｌＧａＡｓの上にドープされ
ていないＧａＡＳをエピタクシヤル成長させた構造体で
ある。正規構造体の欠点は、急速酸化されたＡｊｔＧａ
Ａｓ上に整流性ゲート接触体（ショツト４二ｍ壁）をつ
くる必要があることであり、そしてこれらの製型の上面
にＡｊｔＧａＡｓがあるのでこれらの製型が劣化しやす
いことである。これらの理由により、反転構造体の方が
好ましい。また、反転構造体ではよりよい電子閉じ込め
かえられる。けれども、反転構造体がもつこれらの潜在
的利点は、正規構造体でえられているような大きな移動
度を反転構造体でうることが難しいということによって
、相殺されていた。このことについては、Ｒ、Ｔｈｏｒ
ｎｅ等のｒ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ Ｉｎｖｅ
ｒｔｅｄ ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ
ｏｏｐｅｃｔ ５ｃｈｏｔｔｋｙ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｆ
ｉｅｌｄ［ｒｆｅｃｔ ＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＪ
２ １ Ｊａｐ、Ｊ、八ｐｐ、Ｐｈｙｓ。
ｓの場合には、液相エピタクシ（ＬＰＥ）、分子線エピ
タクシ（ＭＢＥ）、金属・有機物化学蒸気法＠ （ＭＯ
ＣＶＤ）の方法によって成長さしてつくることができる
。ＭＢＥとＭＯＣＶＤはＬＰＥよりも好ましい。ＭＯＣ
ＶＤでは５０Ａ以下の厚さの層で、ＭＢＥではＩＯＡ以
−トの厚さの層で、ＡＩＧａＡＳとＧａＡＳの交互エピ
タクシヤル層を成長させることができる。けれども、製
造に成功するヘテロ接合装首は、ドープされていないＧ
ａＡｓの上にドープされたＡｊｔＧａＡｓをエピタクシ
ヤル成長させる場合に限られる。この構造体は「正規」
構造体と云われている。これに対し、「反転」構造体と
いうのは、ドープされたＡｌＧａＡｓの上にドープされ
ていないＧａＡＳをエピタクシヤル成長させた構造体で
ある。正規構造体の欠点は、急速酸化されたＡｊｔＧａ
Ａｓ上に整流性ゲート接触体（ショツト４二ｍ壁）をつ
くる必要があることであり、そしてこれらの製型の上面
にＡｊｔＧａＡｓがあるのでこれらの製型が劣化しやす
いことである。これらの理由により、反転構造体の方が
好ましい。また、反転構造体ではよりよい電子閉じ込め
かえられる。けれども、反転構造体がもつこれらの潜在
的利点は、正規構造体でえられているような大きな移動
度を反転構造体でうることが難しいということによって
、相殺されていた。このことについては、Ｒ、Ｔｈｏｒ
ｎｅ等のｒ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ Ｉｎｖｅ
ｒｔｅｄ ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ
ｏｏｐｅｃｔ ５ｃｈｏｔｔｋｙ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｆ
ｉｅｌｄ［ｒｆｅｃｔ ＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＪ
２ １ Ｊａｐ、Ｊ、八ｐｐ、Ｐｈｙｓ。
Ｌ ２２３ （１９８２）を参照されたい。実際、反転
ＩＩ造体装置の特性がよくないことは、トランスコンダ
クタンスが小さいことおよびピンチ・オフがうまく行か
ないことなｐに表れている。
ＩＩ造体装置の特性がよくないことは、トランスコンダ
クタンスが小さいことおよびピンチ・オフがうまく行か
ないことなｐに表れている。
［発明が解決しようとする問題点］
正規構造体装置（典型的なものは「高電子移動度トラン
ジスタ」、すなわち、ＨＥＭＴと呼ばれている装置）の
限界の１つは、標準的ＧａＡＳＦＥＴに比べて、電流容
母がかなり小さいことである。この電流に限界があると
いう問題点を解決するためにすぐに思いつく方法は、Ａ
ＩＧａＡＳとＧａＡｓの交互層を重ねて多重に成長させ
て、一種の多重チャンネルＨＥＭＴをつくることで・あ
る。けれども、前記の考察のように、２つの正規構造体
の間に交互に反転構造体が入るので、このような多重チ
ャンネルＨＥＭＴでは、特性が悪くなるであろう。した
がって、大ぎな電流容δをもつ正規構造体）ＩＥＭＴを
製造することは、先行技術の１つの問題点である。
ジスタ」、すなわち、ＨＥＭＴと呼ばれている装置）の
限界の１つは、標準的ＧａＡＳＦＥＴに比べて、電流容
母がかなり小さいことである。この電流に限界があると
いう問題点を解決するためにすぐに思いつく方法は、Ａ
ＩＧａＡＳとＧａＡｓの交互層を重ねて多重に成長させ
て、一種の多重チャンネルＨＥＭＴをつくることで・あ
る。けれども、前記の考察のように、２つの正規構造体
の間に交互に反転構造体が入るので、このような多重チ
ャンネルＨＥＭＴでは、特性が悪くなるであろう。した
がって、大ぎな電流容δをもつ正規構造体）ＩＥＭＴを
製造することは、先行技術の１つの問題点である。
［問題点を解決するための手段］
本発明の実施例により、ドープされていないＧａＡｓか
らドープされたＡＩＧａＡＳｄ：で、ドープ囲が傾斜し
ている ＡｌＧａＡｓを配置することにより、交互反転構造体を
設けることなく、冬瓜正規構造体Ａｊ！ＧａＡｓ−Ｇａ
Ａｓ高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）かえられる
。したがって、反転構造体接合とそれに対応する伝導電
子バンドの下端の不連続部分は空間的にかなり広がり、
このために、伝導電子バンドの下端は事実上連続的変化
をするようになる。この好ましい実施例により先行技術
の問題点が解決され、それにより、装置の特性を劣化さ
せる反転構造体を設けることなしに、多重正規構造体を
用いてＨＥＭＴの電流容＆を大きくすることができる。
らドープされたＡＩＧａＡＳｄ：で、ドープ囲が傾斜し
ている ＡｌＧａＡｓを配置することにより、交互反転構造体を
設けることなく、冬瓜正規構造体Ａｊ！ＧａＡｓ−Ｇａ
Ａｓ高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）かえられる
。したがって、反転構造体接合とそれに対応する伝導電
子バンドの下端の不連続部分は空間的にかなり広がり、
このために、伝導電子バンドの下端は事実上連続的変化
をするようになる。この好ましい実施例により先行技術
の問題点が解決され、それにより、装置の特性を劣化さ
せる反転構造体を設けることなしに、多重正規構造体を
用いてＨＥＭＴの電流容＆を大きくすることができる。
［実施例］
本発明による装置の好ましい第１実施例を十分に理解す
るには、先行技術による装置を理解することが必要であ
る。第１図は先４行技術による装置の横断面概要図であ
る。この装置は１１で全体的に示されている。この装置
は半絶縁体ＧａＡＳ基板１３と、ドープされていない Ａｘ Ｇａ。、７ＡＳ層１５と、Ｎ第０．３ ＡＩ Ｇａ Ａｓ層１７と、ドープされてい０．
３ ０．７ ないまたは非常にわずかにドープされたＮ形ＧａＡｓ層
１９と、Ｎ形ＡＪ！ Ｇａ Ａｓ層０．３０．
７ ２１と、Ｎ−形ＧａＡｓ層２３と、Ｎ＋形ＧａＡＳ層２
５と、ソース２７と、ドレイン２９と、ゲート３１とを
有している。層１５の厚さは５０００Ａであり、層１７
の厚さは２６０Ａでそしてそのドープ岱は６Ｅ１７原子
／Ｃｍ３であり、層１９の厚さは６００Ａでそしてその
ドープｉＩｉは１Ｅ１５であり、層２１の厚さは２６Ｏ
Ａでそしてそのドープ母は６Ｅ１７であり、層２３の厚
さは４００Ａでそしてそのドープ荀（よ１Ｅ１６であり
、層２５の厚さは３００Ａでそしてそのドープｍは１Ｅ
１８であり、ソース２７とドレイン２９は層２５とオー
ム接触しており、ドレイン２９は層２５とオーム接触し
ており、ゲート３１は層２３と整流性接触（ショットキ
障壁）をしている。
るには、先行技術による装置を理解することが必要であ
る。第１図は先４行技術による装置の横断面概要図であ
る。この装置は１１で全体的に示されている。この装置
は半絶縁体ＧａＡＳ基板１３と、ドープされていない Ａｘ Ｇａ。、７ＡＳ層１５と、Ｎ第０．３ ＡＩ Ｇａ Ａｓ層１７と、ドープされてい０．
３ ０．７ ないまたは非常にわずかにドープされたＮ形ＧａＡｓ層
１９と、Ｎ形ＡＪ！ Ｇａ Ａｓ層０．３０．
７ ２１と、Ｎ−形ＧａＡｓ層２３と、Ｎ＋形ＧａＡＳ層２
５と、ソース２７と、ドレイン２９と、ゲート３１とを
有している。層１５の厚さは５０００Ａであり、層１７
の厚さは２６０Ａでそしてそのドープ岱は６Ｅ１７原子
／Ｃｍ３であり、層１９の厚さは６００Ａでそしてその
ドープｉＩｉは１Ｅ１５であり、層２１の厚さは２６Ｏ
Ａでそしてそのドープ母は６Ｅ１７であり、層２３の厚
さは４００Ａでそしてそのドープ荀（よ１Ｅ１６であり
、層２５の厚さは３００Ａでそしてそのドープｍは１Ｅ
１８であり、ソース２７とドレイン２９は層２５とオー
ム接触しており、ドレイン２９は層２５とオーム接触し
ており、ゲート３１は層２３と整流性接触（ショットキ
障壁）をしている。
厚さが１００Ａまたはそれ以下の
Ａｊ！ Ｇａ Ａｓのドープされていない層を
０．３ ０．７ Ｎ形ＡＩ Ｇａ Ａｓ層とド、−プされ−（イ／
、ＺＯ，３０，７ いＧａＡｓ層との間に挿入することができる。この挿入
された層は、下記で詳細に説明されるように、ドナーイ
オンから供給された電子をさらに分離するスペーサの役
割を果たす。この具体装７ｉ５ｔ ＋；ＬＳ、 Ｌｏｎ
ｇほか名の［ｔｌｉｇｈ ５ｐｅｅｄ ＧａＡｓ Ｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄＣ＋ｒｃｕｉｔｓＪ ７０ Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ｔｃ［ｃ ３ ｂ（
１９８２）に１；ｌ示されている。
０．３ ０．７ Ｎ形ＡＩ Ｇａ Ａｓ層とド、−プされ−（イ／
、ＺＯ，３０，７ いＧａＡｓ層との間に挿入することができる。この挿入
された層は、下記で詳細に説明されるように、ドナーイ
オンから供給された電子をさらに分離するスペーサの役
割を果たす。この具体装７ｉ５ｔ ＋；ＬＳ、 Ｌｏｎ
ｇほか名の［ｔｌｉｇｈ ５ｐｅｅｄ ＧａＡｓ Ｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄＣ＋ｒｃｕｉｔｓＪ ７０ Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ｔｃ［ｃ ３ ｂ（
１９８２）に１；ｌ示されている。
装＠１１の特性を説明しよう。基板１３は半絶縁体であ
って、装置１１の動作には関与しない。
って、装置１１の動作には関与しない。
層１５はバッファ層であって、不純物がドープされてい
ない。層１７は強くドープされたＮ形ＡＩ Ｑａ
ＡＳ層であって、この層１７は０．３ ０．７ 層１７と層１９とによって構成される反転構造体接合に
対する電子の供給体である。層１９はドープされていな
いかまたは非常にわずかにドープされたＧａＡｓ層であ
る。ＡＩ Ｇａ ＡＳの０゜３０．７ バンドギャップ（約１．７２ｅＶ）に比べてＧａＡｓの
バンドギャップ（約１．４２８Ｖ）が小さいために、お
よび電子親和力が異なるために、ＧａＡＳの伝導電子バ
の下端は、層１７と層１９の接合の近傍で、層１７めＡ
Ｉ Ｇａ ＡＳＯ，３０，７ のドープされた伝導電子バンドの下端よりも、エネルギ
的に低い位置にある。したがって、ＡＩ Ｇａ
Ａｓの伝導電子バンド中にある０、３ ０．７ 電子はＧａＡＳの伝導電子の中へ拡散していって、そこ
にトラップされる。このために、 Ａ １ ０．３Ｇ ａ ｏ、７Ａ ８層１７内に固定さ
れたままであるドナーイオンと、この拡散していってト
ラップされた電子とが分離されて存在することになる。
ない。層１７は強くドープされたＮ形ＡＩ Ｑａ
ＡＳ層であって、この層１７は０．３ ０．７ 層１７と層１９とによって構成される反転構造体接合に
対する電子の供給体である。層１９はドープされていな
いかまたは非常にわずかにドープされたＧａＡｓ層であ
る。ＡＩ Ｇａ ＡＳの０゜３０．７ バンドギャップ（約１．７２ｅＶ）に比べてＧａＡｓの
バンドギャップ（約１．４２８Ｖ）が小さいために、お
よび電子親和力が異なるために、ＧａＡＳの伝導電子バ
の下端は、層１７と層１９の接合の近傍で、層１７めＡ
Ｉ Ｇａ ＡＳＯ，３０，７ のドープされた伝導電子バンドの下端よりも、エネルギ
的に低い位置にある。したがって、ＡＩ Ｇａ
Ａｓの伝導電子バンド中にある０、３ ０．７ 電子はＧａＡＳの伝導電子の中へ拡散していって、そこ
にトラップされる。このために、 Ａ １ ０．３Ｇ ａ ｏ、７Ａ ８層１７内に固定さ
れたままであるドナーイオンと、この拡散していってト
ラップされた電子とが分離されて存在することになる。
電荷がこのように分１ｌｉＩｔ−ｖる結果、そこに内１
部電界が発生し、準三角形状の電位ウェルができる。
部電界が発生し、準三角形状の電位ウェルができる。
この電位・シェルの中に電子が束縛され、そしてこれら
の電子はこの電位ウェルの中を２次元電子ガスとして運
動する。第２図は伝導電子バンドの下端の図面であって
、この図の左から右へ進むことは、第１図において上か
ら下へ垂直に進むことに対応する。したがって、第２図
の右側の不連続部分は、層１７と層１９との間の接合に
対応Ｊる。
の電子はこの電位ウェルの中を２次元電子ガスとして運
動する。第２図は伝導電子バンドの下端の図面であって
、この図の左から右へ進むことは、第１図において上か
ら下へ垂直に進むことに対応する。したがって、第２図
の右側の不連続部分は、層１７と層１９との間の接合に
対応Ｊる。
（この接合は、ＧａＡＳがＡ、ｉ！ＧａＡＳの上に成長
されるので、反転構造体である。）第２図の領域３５に
示されているように、伝導電子バンドが曲っていて、層
１７から供給された電子は層１７と層１９との間の界面
に蓄積される。すなわら、これらの電子は層１９内に広
がって均一に分イｌｉ’Ｊるわけでない。
されるので、反転構造体である。）第２図の領域３５に
示されているように、伝導電子バンドが曲っていて、層
１７から供給された電子は層１７と層１９との間の界面
に蓄積される。すなわら、これらの電子は層１９内に広
がって均一に分イｌｉ’Ｊるわけでない。
層２１は層１７と組成が事実上１ｒ＋Ｊじてあり、層１
９と層２１との間の接合４層１７と層１つとの間の接合
と同Ｃである。すなわち、層２１から供給された電子は
層１９内に拡散していき、層１９内に接合の近傍（第２
図の領域３７）にトラップされる。層１９と層２１との
間の接合は、ＧａＡｓの上にＡＪ！ Ｇａ Ａ
ｓが成長して０．３ ０．７ いるので、正規構造体である。
９と層２１との間の接合４層１７と層１つとの間の接合
と同Ｃである。すなわち、層２１から供給された電子は
層１９内に拡散していき、層１９内に接合の近傍（第２
図の領域３７）にトラップされる。層１９と層２１との
間の接合は、ＧａＡｓの上にＡＪ！ Ｇａ Ａ
ｓが成長して０．３ ０．７ いるので、正規構造体である。
層２３と層２５は、ソース２７メタライゼーシヨンとド
レイン２９メタライゼーシヨンとに対する、単なる良い
電気的接触体に過ぎない。ゲート３１は層２３と共にシ
ョットキ障壁を構成する。
レイン２９メタライゼーシヨンとに対する、単なる良い
電気的接触体に過ぎない。ゲート３１は層２３と共にシ
ョットキ障壁を構成する。
ゲート３１にバイアスを加えると、通常のＭＥＳＦＥＴ
動作の場合と同じように、伝導チャンネル（第１図の層
１９の上部分と下部分、第２図の領域３７と領域３５）
を狭くする。
動作の場合と同じように、伝導チャンネル（第１図の層
１９の上部分と下部分、第２図の領域３７と領域３５）
を狭くする。
装置１１のこの２つのヘテロ接合（１つは正規構造体で
他の１つが反転構造体）は、ドープされたＡＩ Ｇ
ａ ＡＳとドープされない０．３ ０．７ ＧａＡｓとの交互層をもつと多く挿入することにＪ：つ
て、繰り返すことが可能である。その結果えられる構造
体は、第２図に示された伝導電子バンド端の構造を繰り
返した、伝導？ｈ子バンド端をもつであろう。このＪ：
うな多重層構造体にしたときにえられる利点は、電流容
量を大きくすることができることである。
他の１つが反転構造体）は、ドープされたＡＩ Ｇ
ａ ＡＳとドープされない０．３ ０．７ ＧａＡｓとの交互層をもつと多く挿入することにＪ：つ
て、繰り返すことが可能である。その結果えられる構造
体は、第２図に示された伝導電子バンド端の構造を繰り
返した、伝導？ｈ子バンド端をもつであろう。このＪ：
うな多重層構造体にしたときにえられる利点は、電流容
量を大きくすることができることである。
装置１１の問題点は反転構造体がどうして一ム必要であ
ることである。すなわら、層１７とＶＵ１９との間の接
合が必然的に含まれることである。このような反転構造
体はＩ［Ｉ］待Ｊるにうには実行されない。そして、装
置１１や同称なＶＣ詔の全体のｒｊ性を劣化させる。
ることである。すなわら、層１７とＶＵ１９との間の接
合が必然的に含まれることである。このような反転構造
体はＩ［Ｉ］待Ｊるにうには実行されない。そして、装
置１１や同称なＶＣ詔の全体のｒｊ性を劣化させる。
本発明による装置の好ましい第１実施例の横断面概要図
が第３図に示されている。この装置は４１で全体的に示
されている。装ｖ！Ｊ４１は半絶縁体ＧａＡｓ基板層４
３と、厚さが１ミクロンのドープされていないＧａＡｓ
層４５と、厚さが７０Ａのドープされていない ＡＩ Ｇａ ＡＳ層４７と、ｊ９さが５００Δ０．
３ ０．７ でドープ量が１Ｅ１８のＮ形にドープされたＡＩ
Ｇａ ＡＳ層４９と、厚さが５００八〇、３ ０
．７ でドープされていないＡｊ！ＧａＡＳで構成ｘ １
−ｘ された層５１であって、ここでＸが層５１の上端から下
端に向ってＯと０．３の闇を連続的に変動する層５１と
、ドープされていない ＡＩ Ｇａ 。、７Ａｓで厚さが７０Ａである層０．
３ ５５（層５５は層４７と同等な層である）と、厚ざがｂ
ｏＯＡでド ７ｍがＩ Ｅｌ ８（７）Ｎ形ＡＩ Ｇ
ａｏ、７ＡＳの層５７と、厚さが０．３ １００Ａで強くドープされたＮ形ＧａＡＳの層５９とソ
ース・メタライゼーションである領域６１と、ドレイン
・メタライゼーションである領域６３と層５９と共にシ
ョットキ障壁を構成するゲー１−である領域６５とを有
する。
が第３図に示されている。この装置は４１で全体的に示
されている。装ｖ！Ｊ４１は半絶縁体ＧａＡｓ基板層４
３と、厚さが１ミクロンのドープされていないＧａＡｓ
層４５と、厚さが７０Ａのドープされていない ＡＩ Ｇａ ＡＳ層４７と、ｊ９さが５００Δ０．
３ ０．７ でドープ量が１Ｅ１８のＮ形にドープされたＡＩ
Ｇａ ＡＳ層４９と、厚さが５００八〇、３ ０
．７ でドープされていないＡｊ！ＧａＡＳで構成ｘ １
−ｘ された層５１であって、ここでＸが層５１の上端から下
端に向ってＯと０．３の闇を連続的に変動する層５１と
、ドープされていない ＡＩ Ｇａ 。、７Ａｓで厚さが７０Ａである層０．
３ ５５（層５５は層４７と同等な層である）と、厚ざがｂ
ｏＯＡでド ７ｍがＩ Ｅｌ ８（７）Ｎ形ＡＩ Ｇ
ａｏ、７ＡＳの層５７と、厚さが０．３ １００Ａで強くドープされたＮ形ＧａＡＳの層５９とソ
ース・メタライゼーションである領域６１と、ドレイン
・メタライゼーションである領域６３と層５９と共にシ
ョットキ障壁を構成するゲー１−である領域６５とを有
する。
領域６１と領域６３は電気接触体のための領域であって
、いずれもオーム接触体である。
、いずれもオーム接触体である。
次に、装置４１の特性と動作を説明しよう。まず、層４
５と、層４７と、層４９とは、前記のように、正規構造
体を構成する。（層４７は、層４５の上部に蓄積する２
次元電子ガスから、層４９内の正に帯電したドナーイオ
ンを分離する単なるスペーサである。）同じように、層
５３と、層５５と、層５７とは第２の正規構造体を構成
する。（再び、層５５はスベーリーである。）第４図は
装置４１の伝導電子バンドの下端の図面である。
５と、層４７と、層４９とは、前記のように、正規構造
体を構成する。（層４７は、層４５の上部に蓄積する２
次元電子ガスから、層４９内の正に帯電したドナーイオ
ンを分離する単なるスペーサである。）同じように、層
５３と、層５５と、層５７とは第２の正規構造体を構成
する。（再び、層５５はスベーリーである。）第４図は
装置４１の伝導電子バンドの下端の図面である。
第４図で左から右へ進むことは、第３図でトから下へ進
むことに対応する。分離層４７と分１ｌｌＩ（層５５は
第４図では便宜上省略されていることを断っておく。こ
れらの分離層は伝導電子バンドの下端が曲っているその
曲率に影響を向えるだ【）である。また、ドープ量が変
わるとこの曲線図は変わるが、バンド端の連続性は変わ
らない。もつと虫要なことは、傾斜層５１によって、２
つの正規（１４遺体（層４５．４７．４９と層５３．５
５．５７）の間の反転層が消えていることである。この
ことは、第４図において、伝導電子バンド端がこの接合
で連続していて、不連続がないことに現われ一〇いる。
むことに対応する。分離層４７と分１ｌｌＩ（層５５は
第４図では便宜上省略されていることを断っておく。こ
れらの分離層は伝導電子バンドの下端が曲っているその
曲率に影響を向えるだ【）である。また、ドープ量が変
わるとこの曲線図は変わるが、バンド端の連続性は変わ
らない。もつと虫要なことは、傾斜層５１によって、２
つの正規（１４遺体（層４５．４７．４９と層５３．５
５．５７）の間の反転層が消えていることである。この
ことは、第４図において、伝導電子バンド端がこの接合
で連続していて、不連続がないことに現われ一〇いる。
通常の正規構造体の場合のＪ：うに、ドープされたＡｊ
！ Ｇａ ＡＳから供給された電子は）と０．
３ ０．７ 合近傍のＧａＡＳ中にトラップされ、第４図の領域６７
および領域６９に示されているＪ：うに、２次元電子ガ
スができる。これらの領域は第３図中の層５３の上部お
よび層４５の上部に対応する。
！ Ｇａ ＡＳから供給された電子は）と０．
３ ０．７ 合近傍のＧａＡＳ中にトラップされ、第４図の領域６７
および領域６９に示されているＪ：うに、２次元電子ガ
スができる。これらの領域は第３図中の層５３の上部お
よび層４５の上部に対応する。
層４１に対応する２重正規構造体検査用装首と、（層５
３．５５．５７．５９に丁度対応する）１重正規構造体
制御検査用装置とがＭＢＥによって製造され、そしてそ
れらを比較することにより、傾斜層５１が移動度または
電子ガス濃度に影響を与えるかどうかが調べられた。Ｖ
ａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ−Ｈａｌｌの測定結果は次の通
りである。
３．５５．５７．５９に丁度対応する）１重正規構造体
制御検査用装置とがＭＢＥによって製造され、そしてそ
れらを比較することにより、傾斜層５１が移動度または
電子ガス濃度に影響を与えるかどうかが調べられた。Ｖ
ａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ−Ｈａｌｌの測定結果は次の通
りである。
移動度 キャリア面濃度
（ｃｍ ／Ｖｓ） （ｃｒａ−２）３００Ｋ
７７Ｋ ３００Ｋ ７７に構造体 １重正規 ８０００ Ｇ９，０００ ７．５Ｅ１１
６．７Ｅ１１構造体 この測定結果によると、傾斜層５１を設けて反転構造体
を消去することによって、特性が劣化しないことがわか
る。
７７Ｋ ３００Ｋ ７７に構造体 １重正規 ８０００ Ｇ９，０００ ７．５Ｅ１１
６．７Ｅ１１構造体 この測定結果によると、傾斜層５１を設けて反転構造体
を消去することによって、特性が劣化しないことがわか
る。
本発明による装置のこの他の所ましい実施例は、いろい
ろなドープ■やいろいろな厚さの層を有する傾斜Ａ１Ｇ
ａＡｓ層によって隔てられた３個しス上の正規構造体や
、１つの工程によってエピタクシヤル層成長の順序が接
合の特性に影響を与える他の材料による多重装置や、い
ろいろな形式のソース、ドレインおよびゲートをイ■Ｊ
゛る形である。
ろなドープ■やいろいろな厚さの層を有する傾斜Ａ１Ｇ
ａＡｓ層によって隔てられた３個しス上の正規構造体や
、１つの工程によってエピタクシヤル層成長の順序が接
合の特性に影響を与える他の材料による多重装置や、い
ろいろな形式のソース、ドレインおよびゲートをイ■Ｊ
゛る形である。
［発明の効果］
本発明により、電流容量が大きくかつ劣化の影響を受け
ることが少ない高電子移ＩＩ！ｌＪ度装置を比較的容易
にうろことができる。高電子移動度半導体装置の電流容
」を大きくするために多重構造体にする場合、先行技術
では正規構造体と交互に反転構造体を設けていた。本発
明では、２つの構造体の間に中間接続層を設け、この中
間接続層のドープσを傾斜分布させ、この中間接続層の
上面おにび下面においてそれぞれの構造体と境を接する
部分の組成をそれぞれの構造体の組成と一致させること
により、反転構造体を空間的に広がらＵて、反転構造体
ににる欠点を事実上ｔ！ｉ ／〔ない高電子移動度半導
体装置をうることができた。。
ることが少ない高電子移ＩＩ！ｌＪ度装置を比較的容易
にうろことができる。高電子移動度半導体装置の電流容
」を大きくするために多重構造体にする場合、先行技術
では正規構造体と交互に反転構造体を設けていた。本発
明では、２つの構造体の間に中間接続層を設け、この中
間接続層のドープσを傾斜分布させ、この中間接続層の
上面おにび下面においてそれぞれの構造体と境を接する
部分の組成をそれぞれの構造体の組成と一致させること
により、反転構造体を空間的に広がらＵて、反転構造体
ににる欠点を事実上ｔ！ｉ ／〔ない高電子移動度半導
体装置をうることができた。。
第１図は正規構造体と反転構造体との両者を有する装置
の横断面概要図、 第２図は第１図の装置の伝導電子バンドの下端の図面、 第３図は２つの正規構造体を有し、反転構造体が介在し
ていない、好ましい実施例による装置の横断面概要図、 第４図は第３図の装置の伝導電子バンドの下端の図面。 ［符号の説明コ ４５．４７．４９； 、テ。接合体 ５３．５５．５７ ４９．５７ °第１半導体材料４５．５３
第２半導体材料５１ 接続
層
の横断面概要図、 第２図は第１図の装置の伝導電子バンドの下端の図面、 第３図は２つの正規構造体を有し、反転構造体が介在し
ていない、好ましい実施例による装置の横断面概要図、 第４図は第３図の装置の伝導電子バンドの下端の図面。 ［符号の説明コ ４５．４７．４９； 、テ。接合体 ５３．５５．５７ ４９．５７ °第１半導体材料４５．５３
第２半導体材料５１ 接続
層
Claims (12)
- （１）（イ）２つのヘテロ接合構造体であつて、前記ヘ
テロ接合構造体のおのおのが第２半導体材料層の上に第
１半導体材料層をそなえた構成を有することを特徴とす
る２つの前記ヘテロ接合構造体と、 （ロ）２つの前記構造体の間に配置された 接続層であつて、前記接続層の第１表面が前記構造体の
うちの第１構造体の前記第１材料層と境を接しており、
かつ前記接続層の第２表面が前記構造体のうちの第２構
造体の前記第２材料層と境を接している前記接続層とを
有し、かつ、 （ハ）前記接続層の前記第１表面における 半導体材料が前記第１半導体材料と事実上同じであり、
かつ、前記接続層の前記第２表面における半導体材料が
前記第２半導体材料と事実上同じであるように、前記接
続層の半導体材料の組成が前記第１表面から前記第２表
面まで傾斜していることを特徴とする、 高電子移動度トランジスタのためのチャンネル。 - （２）特許請求の範囲第１項において、 （イ）前記第１材料がアルミニウム・カリ ウム・ヒ素合金（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ）であ
ることと、 （ロ）前記第２材料がガリウム・ヒ素であ ることとを特徴とする、 高電子移動度トランジスタ・チャンネル。 - （３）特許請求の範囲第２項において、 （イ）前記合金Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓにおいて
、ｘが約０．３であることを特徴とする、高電子移動度
トランジスタ・チヤンネル。 - （４）特許請求の範囲第１項において、 （イ）前記ヘテロ接合構造体が前記第２材 料の上に前記第１材料を分子線エピタクシヤル成長する
ことによつて製造されることを特徴とする、高電子移動
度トランジスタ・チャンネル。 - （５）特許請求の範囲第１項において、 （イ）前記構造体の前記第１材料がドープされているこ
とと、 （ロ）前記構造体の前記第２材料がドープされていない
ことと、 （ハ）前記接続層の前記材料がドープされていないこと
とを特徴とする、高電子移動度トランジスタ・チャンネ
ル。 - （６）特許請求の範囲第５項において、 （イ）前記第１材料の前記層のドープされ ていない部分で構成され、かつ、前記部分が前記第２材
料層と境を接している、スペーサ層を前記構造体のおの
おのの中にさらに有することを特徴とする、 高電子移動度トランジスタ・チャンネル。 - （７）（イ）半導体本体内で、ソースとドレインの間に
あり、かつ、ゲートの下にある、チャンネル領域を有す
ることと、 （ロ）前記チャンネル領域が境を接するよ うに間に配置された接続層を有する少なくとも２つのヘ
テロ接合構造体の積層体を有することと、前記構造体が
第２半導体材料の層の上につくられた第１半導体材料の
層によつて構成されることを特徴とすることと、前記接
続層が前記第１構造体と境を接する部分から前記第２構
造体と境を接する部分まで組成が傾斜した半導体材料に
よつて構成されそのさい前記第１構造体と境を接する部
分の前記接続層の半導体材料の組成が前記第１材料の組
成と事実上同じでありかつ前記第２構造体と境を接する
部分の前記接続層の半導体材料の組成が前記第２材料の
組成と事実上同じであることを特徴とする、 電界効果半導体装置。 - （８）特許請求の範囲第７項おいて、 （イ）前記第１材料がアルミニウム・ガリ ウム・ヒ素合金（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ）であ
ることと、 （ロ）前記第２材料がガリウム・ヒ素であ ることとを特徴とする、 電界効果半導体装置。 - （９）特許請求の範囲第７項において、 （イ）前記合金がｘを約０．３とした Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓであることを特徴とする
、電界効果半導体装置。 - （１０）特許請求の範囲第７項において、 （イ）前記ヘテロ接合構造体が前記第２材 料の上に前記第１材料を分子線エピタクシヤル成長する
ことによつて製造されることを特徴とする、電界効果半
導体装置。 - （１１）特許請求の範囲第７項において、 （イ）前記第１構造体の中の前記第１材料 がドープされていることと、 （ロ）前記構造体の中の前記第２材料がド ープされていないことと、 （ハ）前記接続層の前記材料がドープされ ていないこととを特徴とする、 電界効果半導体装置。
- （１２）特許請求の範囲第１１項において、（イ）前記
第１材料の前記層のドープされ ていない部分で構成され、かつ、前記部分が前記第２材
料層と境を接している、スペーサ層を前記構造体のおの
おのの中にさらに有することを特徴とする、 電界効果半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/615,978 US4558337A (en) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | Multiple high electron mobility transistor structures without inverted heterojunctions |
| US615978 | 1984-05-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139582A true JPS6139582A (ja) | 1986-02-25 |
| JPH0573055B2 JPH0573055B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=24467550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11630685A Granted JPS6139582A (ja) | 1984-05-30 | 1985-05-29 | 高電子移動度トランジスタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4558337A (ja) |
| EP (1) | EP0163203B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6139582A (ja) |
| DE (1) | DE3578602D1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0783107B2 (ja) * | 1984-04-19 | 1995-09-06 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| JP2604349B2 (ja) * | 1984-12-12 | 1997-04-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPH088350B2 (ja) * | 1985-04-08 | 1996-01-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPS61292369A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | Canon Inc | 電界効果型薄膜トランジスタ |
| US5273919A (en) * | 1985-06-20 | 1993-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing a thin film field effect transistor |
| US4652896A (en) * | 1985-06-27 | 1987-03-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Modulation doped GaAs/AlGaAs field effect transistor |
| FR2600821B1 (fr) * | 1986-06-30 | 1988-12-30 | Thomson Csf | Dispositif semi-conducteur a heterojonction et double canal, son application a un transistor a effet de champ, et son application a un dispositif de transductance negative |
| JPS63102374A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-05-07 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 電界効果トランジスタ |
| US4987462A (en) * | 1987-01-06 | 1991-01-22 | Texas Instruments Incorporated | Power MISFET |
| US4812886A (en) * | 1987-02-09 | 1989-03-14 | International Business Machines Corporation | Multilayer contact apparatus and method |
| US4882608A (en) * | 1987-02-09 | 1989-11-21 | International Business Machines Corporation | Multilayer semiconductor device having multiple paths of current flow |
| US4855797A (en) * | 1987-07-06 | 1989-08-08 | Siemens Corporate Research And Support, Inc. | Modulation doped high electron mobility transistor with n-i-p-i structure |
| US5381027A (en) * | 1988-01-26 | 1995-01-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having a heterojunction and a two dimensional gas as an active layer |
| US5091759A (en) * | 1989-10-30 | 1992-02-25 | Texas Instruments Incorporated | Heterostructure field effect transistor |
| US4994868A (en) | 1988-12-06 | 1991-02-19 | Itt Corporation | Heterojunction confined channel FET |
| EP0436089A3 (en) * | 1989-12-19 | 1992-08-05 | International Business Machines Corporation | Superlattice multistate circuits |
| US5111255A (en) * | 1990-06-05 | 1992-05-05 | At&T Bell Laboratories | Buried channel heterojunction field effect transistor |
| US5147817A (en) * | 1990-11-16 | 1992-09-15 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming programmable resistive element |
| JP2924239B2 (ja) * | 1991-03-26 | 1999-07-26 | 三菱電機株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| GB2279806B (en) * | 1993-07-05 | 1997-05-21 | Toshiba Cambridge Res Center | Semiconductor device and method of making same |
| US5986291A (en) * | 1993-10-12 | 1999-11-16 | La Corporation De L'ecole Polytechnique | Field effect devices |
| JPH07249780A (ja) * | 1994-03-08 | 1995-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果型半導体素子 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL252729A (ja) * | 1959-06-18 | |||
| US3748480A (en) * | 1970-11-02 | 1973-07-24 | Motorola Inc | Monolithic coupling device including light emitter and light sensor |
| DE2847451C2 (de) * | 1978-11-02 | 1986-06-12 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen |
| FR2465318A1 (fr) * | 1979-09-10 | 1981-03-20 | Thomson Csf | Transistor a effet de champ a frequence de coupure elevee |
| EP0029481A1 (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-03 | International Business Machines Corporation | Field effect semiconductor structure |
| JPS5840855A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-09 | Hitachi Ltd | 半導体記憶素子 |
| JPS5870573A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-27 | Nec Corp | 化合物半導体電界効果トランジスタ |
-
1984
- 1984-05-30 US US06/615,978 patent/US4558337A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-05-15 DE DE8585105994T patent/DE3578602D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-05-15 EP EP85105994A patent/EP0163203B1/en not_active Expired
- 1985-05-29 JP JP11630685A patent/JPS6139582A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0163203A3 (en) | 1986-09-03 |
| US4558337A (en) | 1985-12-10 |
| DE3578602D1 (de) | 1990-08-16 |
| EP0163203A2 (en) | 1985-12-04 |
| EP0163203B1 (en) | 1990-07-11 |
| JPH0573055B2 (ja) | 1993-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4558337A (en) | Multiple high electron mobility transistor structures without inverted heterojunctions | |
| JP2676442B2 (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP3602150B2 (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
| EP0051271B1 (en) | Heterojunction semiconductor device | |
| US5408111A (en) | Field-effect transistor having a double pulse-doped structure | |
| JP2994863B2 (ja) | ヘテロ接合半導体装置 | |
| JPH06105717B2 (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
| JP3021894B2 (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ | |
| JPH03211839A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3625954B2 (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
| JPH06244218A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JP2567730B2 (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ | |
| JPH0261149B2 (ja) | ||
| JP2504782B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH06163602A (ja) | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2701567B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH0322541A (ja) | エピタキシャルウエハ | |
| JPH04245645A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH06252175A (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
| JPH05235053A (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
| JPH06295926A (ja) | 電界効果トランジスタを含む半導体装置 | |
| JPH04241431A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH01101671A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6050969A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH01150368A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |