JPS615438A - 磁気記憶体の製造方法 - Google Patents
磁気記憶体の製造方法Info
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- JPS615438A JPS615438A JP12611784A JP12611784A JPS615438A JP S615438 A JPS615438 A JP S615438A JP 12611784 A JP12611784 A JP 12611784A JP 12611784 A JP12611784 A JP 12611784A JP S615438 A JPS615438 A JP S615438A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気ディスク装置等において記録媒体として用
いられる酸化鉄磁性薄膜の製造方法に関する。
いられる酸化鉄磁性薄膜の製造方法に関する。
（従来技術とその問題点）
磁気記録装置における記録密度の向上は斯界の変わらぬ
趨勢であり、これを実現する為ζこは磁気記録体の薄層
化、薄膜化が不可欠である。
趨勢であり、これを実現する為ζこは磁気記録体の薄層
化、薄膜化が不可欠である。
そこで、高性能磁気記録体として薄膜化が容易な連続薄
膜媒体、特に酸化鉄磁性薄膜が注目されている。その理
由は、（１）残留磁束密度が小さく、媒体ノイズが小さ
い、（２）機械的強度と化学的安定性に富み、金属薄膜
に必要とされる保護膜を必要とせず、その結果、ｆ３）
Ｉａ気ヘッド−媒体間がより小さく出来高密度と低価格
化に適しているという点にある。
膜媒体、特に酸化鉄磁性薄膜が注目されている。その理
由は、（１）残留磁束密度が小さく、媒体ノイズが小さ
い、（２）機械的強度と化学的安定性に富み、金属薄膜
に必要とされる保護膜を必要とせず、その結果、ｆ３）
Ｉａ気ヘッド−媒体間がより小さく出来高密度と低価格
化に適しているという点にある。
これらの酸化鉄磁性薄膜の形成法として種々提案されて
いるが、特開昭５８−４９１４に見られるようにＦｅ５
０．焼結体をターゲットとし、スパッタ法により直接Ｆ
ｅ、０．を主成分とする酸化鉄磁性薄膜を形成し、これ
を熱酸化し１− Ｆｅ、０．を主成分とする酸化鉄磁性
薄膜とする方法が簡便で量産性に適している。ここに山
いられる基板としては一般（こＭ合金上に陽極酸化膜を
被覆した基板が用いられている。しかし磁性膜のγ−Ｆ
ｅ、０３化工程におけ化工酸化処理温度によってはＭ合
金と酸化被覆層との熱膨張の差によってクラックの発生
や、熱処理による基板の変化による影響で記録媒体の８
／Ｎ低下などの問題が生じるため１−Ｆｅ、０３化処理
温度は出来るだけ低い方が望ましい。
いるが、特開昭５８−４９１４に見られるようにＦｅ５
０．焼結体をターゲットとし、スパッタ法により直接Ｆ
ｅ、０．を主成分とする酸化鉄磁性薄膜を形成し、これ
を熱酸化し１− Ｆｅ、０．を主成分とする酸化鉄磁性
薄膜とする方法が簡便で量産性に適している。ここに山
いられる基板としては一般（こＭ合金上に陽極酸化膜を
被覆した基板が用いられている。しかし磁性膜のγ−Ｆ
ｅ、０３化工程におけ化工酸化処理温度によってはＭ合
金と酸化被覆層との熱膨張の差によってクラックの発生
や、熱処理による基板の変化による影響で記録媒体の８
／Ｎ低下などの問題が生じるため１−Ｆｅ、０３化処理
温度は出来るだけ低い方が望ましい。
（発明の目的）
本発明はこのような従来の欠点を除去せしめて熱酸化処
理温度を低減させ高性能な磁気記録体を提供することに
ある、 （発明の構成） マグネタイトを主成分とするフェライトもしくは添加物
を含むマグネタイトをターゲットとし、スパッタリング
により基板上にマグネタイトもしくは添加物を含むマグ
ネタイトを主成分とする酸化鉄連続薄膜を形成した後、
熱酸化しγ−Ｆｅ、０１もしくはｒ−Ｆｅ、Ｏ，（！：
Ｆｅ５０．を主成分とする、またはこれらに添加物を
含む酸化鉄連続薄膜を形成する製造方法において酸化鉄
連続薄膜の形成時のスパッタ圧力を高スパッタ圧力から
低スパツタ圧力へ段階晶にもしくは連続的に変えること
を特徴とする磁気記憶体の製造方法が得られる。
理温度を低減させ高性能な磁気記録体を提供することに
ある、 （発明の構成） マグネタイトを主成分とするフェライトもしくは添加物
を含むマグネタイトをターゲットとし、スパッタリング
により基板上にマグネタイトもしくは添加物を含むマグ
ネタイトを主成分とする酸化鉄連続薄膜を形成した後、
熱酸化しγ−Ｆｅ、０１もしくはｒ−Ｆｅ、Ｏ，（！：
Ｆｅ５０．を主成分とする、またはこれらに添加物を
含む酸化鉄連続薄膜を形成する製造方法において酸化鉄
連続薄膜の形成時のスパッタ圧力を高スパッタ圧力から
低スパツタ圧力へ段階晶にもしくは連続的に変えること
を特徴とする磁気記憶体の製造方法が得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の方法をとることにより従来技術の問題
点を解決した。すなわち、酸化鉄連続薄膜の形成時のス
パッタ圧力を上げる程酸化度の高い膜が得られ、これを
熱酸化すると酸化度の高い膜程低い温度でｒ−Ｆｅ、０
３が得られる。したかって本方法のように膜形成時に酸
化度の高い組成の膜を酸化が遅い下層へ設けることによ
って膜全体の酸化を容易に促進させることが出来る。
点を解決した。すなわち、酸化鉄連続薄膜の形成時のス
パッタ圧力を上げる程酸化度の高い膜が得られ、これを
熱酸化すると酸化度の高い膜程低い温度でｒ−Ｆｅ、０
３が得られる。したかって本方法のように膜形成時に酸
化度の高い組成の膜を酸化が遅い下層へ設けることによ
って膜全体の酸化を容易に促進させることが出来る。
（実施例）
以下本発明の実施例について説明する。
まず、酸化鉄連続薄膜の形成時のスパッタ圧ＰＡｒを高
スパッタ圧力からＩ Ｘ １Ｏ−２Ｔｈｒｒ 、 ４
Ｘｌ０−３”ｒｒ Ｗ ２ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒと低
スパツタ圧力へ３段階圧力を変化させて形成した試料１
． Ｉ ＸＩＯ”Ｔｏｒｒ Ｓ、□か
ら連続的に２ Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒ へ圧力を変化
させて形成した試料２５次に比較例として圧力２ＸｌＯ
−３Ｔｏｒｒ 一定で形成した場合の試料３を作製した
、スパッタターゲットには２ｗｔ％Ｃｏ 、 ３ｗｔ％
Ｃｕを含有したマグネタイトを用い、酸化鉄連続薄膜の
厚さ０．１８μｍとした。
スパッタ圧力からＩ Ｘ １Ｏ−２Ｔｈｒｒ 、 ４
Ｘｌ０−３”ｒｒ Ｗ ２ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒと低
スパツタ圧力へ３段階圧力を変化させて形成した試料１
． Ｉ ＸＩＯ”Ｔｏｒｒ Ｓ、□か
ら連続的に２ Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒ へ圧力を変化
させて形成した試料２５次に比較例として圧力２ＸｌＯ
−３Ｔｏｒｒ 一定で形成した場合の試料３を作製した
、スパッタターゲットには２ｗｔ％Ｃｏ 、 ３ｗｔ％
Ｃｕを含有したマグネタイトを用い、酸化鉄連続薄膜の
厚さ０．１８μｍとした。
試料１〜３を大気中で２６０℃（試料３については２６
０℃と３００℃以上で）１時間熱酸化した０表に熱酸化
後のそれぞれの薄膜の電気抵抗を示した。
０℃と３００℃以上で）１時間熱酸化した０表に熱酸化
後のそれぞれの薄膜の電気抵抗を示した。
表
（発明の効果）
以上のように本発明によれば従来より大幅に熱酸化温度
を低減でき、クラック発生や８／Ｎ低下を防止できた。
を低減でき、クラック発生や８／Ｎ低下を防止できた。
Claims (1)
- マグネタイトを主成分とするフェライトもしくは添加物
を含むマグネタイトをターゲットとし、スパッタリング
により基板上にマグネタイトもしくは添加物を含むマグ
ネタイトを主成分とする酸化鉄連続薄膜を形成した後、
熱酸化しγ−Ｆｅ＿２Ｏ＿３もしくはγ−Ｆｅ＿２Ｏ＿
３とＦｅ＿３Ｏ＿４を主成分とするまたはこれらに添加
物を含む酸化鉄連続薄膜を形成する製造方法において、
酸化鉄連続薄膜の形成時のスパッタ圧力を高圧力から低
圧力へ段階的にもしくは連続的に変えることを特徴とす
る磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12611784A JPS615438A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁気記憶体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12611784A JPS615438A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁気記憶体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615438A true JPS615438A (ja) | 1986-01-11 |
| JPH0552567B2 JPH0552567B2 (ja) | 1993-08-05 |
Family
ID=14927057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12611784A Granted JPS615438A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁気記憶体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615438A (ja) |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12611784A patent/JPS615438A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0552567B2 (ja) | 1993-08-05 |
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