JPH0552567B2 - - Google Patents
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- JPH0552567B2 JPH0552567B2 JP12611784A JP12611784A JPH0552567B2 JP H0552567 B2 JPH0552567 B2 JP H0552567B2 JP 12611784 A JP12611784 A JP 12611784A JP 12611784 A JP12611784 A JP 12611784A JP H0552567 B2 JPH0552567 B2 JP H0552567B2
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- iron oxide
- thin film
- magnetite
- mainly composed
- containing additives
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は磁気デイスク装置等において記録媒体
として用いられる酸化鉄磁性薄膜の製造方法に関
する。 （従来技術とその問題点） 磁気記録装置における記録密度の向上は斯界の
変わらぬ趨勢であり、これを実現する為には磁気
記録体の薄層化、薄膜化が不可欠である。 そこで、高性能磁気記録体として薄膜化が容易
な連続薄膜媒体、特に酸化鉄磁性薄膜が注目され
ている。その理由は、(1)残留磁束密度が小さく、
媒体ノイズが小さい、(2)機械的強度と化学的安定
性に富み、金属薄膜に必要とされる保護膜を必要
とせず、その結果、(3)磁気ヘツド−媒体間がより
小さく出来高密度と低価格化に適しているという
点にある。 これらの酸化鉄磁性薄膜の形成法として種々提
案されているが、特開昭58−4914に見られるよう
にFe3O4焼結体をターゲツトとし、スパツタ法に
より直接Fe3O4を主成分とする酸化鉄磁性薄膜を
形成し、これを熱酸化しγ−Fe2O3を主成分とす
る酸化鉄磁性薄膜とする方法が簡便で量産性に適
している。ここに用いられる基板としては一般に
Al合金上に陽極酸化膜を被覆した基板が用いら
れている。しかし磁性膜のγ−Fe2O3化工程にお
ける熱酸化処理温度によつてはAl合金と酸化被
覆層との熱膨張の差によつてクラツクの発生や、
熱処理による基板の変化による影響で記録媒体の
Ｓ／Ｎ低下などの問題が生じるためγ−Fe2O3化
処理温度は出来るだけ低い方が望ましい。 （発明の目的） 本発明はこのような従来の欠点を除去せしめて
熱酸化処理温度を低減させ高性能な磁気記録体を
提供することにある。 （発明の構成） マグネタイトを主成分とするフエライトもしく
は添加物を含むマグネタイトをターゲツトとし、
スパツタリングにより基板上にマグネタイトもし
くは添加物を含むマグネタイトを主成分とする酸
化鉄連続薄膜を形成した後、熱酸化しγ−Fe2O3
もしくはγ−Fe2O3とFe3O4を主成分とする、ま
たはこれらに添加物を含む酸化鉄連続薄膜を形成
する製造方法において酸化鉄連続薄膜の形成時の
スパツタ圧力を高スパツタ圧力から低スパツタ圧
力へ段階的にもしくは連続的に変えることを特徴
とする磁気記憶体の製造方法が得られる。 （構成の詳細な説明） 本発明は、上述の方法をとることにより従来技
術の問題点を解決した。すなわち、酸化鉄連続薄
膜の形成時のスパツタ圧力を上げる程酸化度の高
い膜が得られ、これを熱酸化すると酸化度の高い
膜程低い温度でγ−Fe2O3が得られる。したがつ
て本方法のように膜形成時に酸化度の高い組成の
膜を酸化が遅い下層へ設けることによつて膜全体
の酸化を容易に促進させることが出来る。 （実施例） 以下本発明の実施例について説明する。 まず、酸化鉄連続薄膜の形成時のスパツタ圧
PArを高スパツタ圧力から１×10-2Torr，４×
10-3Torr，２×10-3Torrと低スパツタ圧力へ３
段階圧力を変化させて形成した試料１、１×10-2
Torrから連続的に２×10-3Torrへ圧力を変化さ
せて形成した試料２、次に比較例として圧力２×
10-3Torr一定で形成した場合の試料３を作製し
た。スパツタターゲツトには2wt％Co，3wt％Cu
を含有したマグネタイトを用い、酸化鉄連続薄膜
の厚さ0.18μmとした。 試料１〜３を大気中で260℃（試料３について
は260℃と300℃以上で）１時間熱酸化した。表に
熱酸化後のそれぞれの薄膜の電気抵抗を示した。
として用いられる酸化鉄磁性薄膜の製造方法に関
する。 （従来技術とその問題点） 磁気記録装置における記録密度の向上は斯界の
変わらぬ趨勢であり、これを実現する為には磁気
記録体の薄層化、薄膜化が不可欠である。 そこで、高性能磁気記録体として薄膜化が容易
な連続薄膜媒体、特に酸化鉄磁性薄膜が注目され
ている。その理由は、(1)残留磁束密度が小さく、
媒体ノイズが小さい、(2)機械的強度と化学的安定
性に富み、金属薄膜に必要とされる保護膜を必要
とせず、その結果、(3)磁気ヘツド−媒体間がより
小さく出来高密度と低価格化に適しているという
点にある。 これらの酸化鉄磁性薄膜の形成法として種々提
案されているが、特開昭58−4914に見られるよう
にFe3O4焼結体をターゲツトとし、スパツタ法に
より直接Fe3O4を主成分とする酸化鉄磁性薄膜を
形成し、これを熱酸化しγ−Fe2O3を主成分とす
る酸化鉄磁性薄膜とする方法が簡便で量産性に適
している。ここに用いられる基板としては一般に
Al合金上に陽極酸化膜を被覆した基板が用いら
れている。しかし磁性膜のγ−Fe2O3化工程にお
ける熱酸化処理温度によつてはAl合金と酸化被
覆層との熱膨張の差によつてクラツクの発生や、
熱処理による基板の変化による影響で記録媒体の
Ｓ／Ｎ低下などの問題が生じるためγ−Fe2O3化
処理温度は出来るだけ低い方が望ましい。 （発明の目的） 本発明はこのような従来の欠点を除去せしめて
熱酸化処理温度を低減させ高性能な磁気記録体を
提供することにある。 （発明の構成） マグネタイトを主成分とするフエライトもしく
は添加物を含むマグネタイトをターゲツトとし、
スパツタリングにより基板上にマグネタイトもし
くは添加物を含むマグネタイトを主成分とする酸
化鉄連続薄膜を形成した後、熱酸化しγ−Fe2O3
もしくはγ−Fe2O3とFe3O4を主成分とする、ま
たはこれらに添加物を含む酸化鉄連続薄膜を形成
する製造方法において酸化鉄連続薄膜の形成時の
スパツタ圧力を高スパツタ圧力から低スパツタ圧
力へ段階的にもしくは連続的に変えることを特徴
とする磁気記憶体の製造方法が得られる。 （構成の詳細な説明） 本発明は、上述の方法をとることにより従来技
術の問題点を解決した。すなわち、酸化鉄連続薄
膜の形成時のスパツタ圧力を上げる程酸化度の高
い膜が得られ、これを熱酸化すると酸化度の高い
膜程低い温度でγ−Fe2O3が得られる。したがつ
て本方法のように膜形成時に酸化度の高い組成の
膜を酸化が遅い下層へ設けることによつて膜全体
の酸化を容易に促進させることが出来る。 （実施例） 以下本発明の実施例について説明する。 まず、酸化鉄連続薄膜の形成時のスパツタ圧
PArを高スパツタ圧力から１×10-2Torr，４×
10-3Torr，２×10-3Torrと低スパツタ圧力へ３
段階圧力を変化させて形成した試料１、１×10-2
Torrから連続的に２×10-3Torrへ圧力を変化さ
せて形成した試料２、次に比較例として圧力２×
10-3Torr一定で形成した場合の試料３を作製し
た。スパツタターゲツトには2wt％Co，3wt％Cu
を含有したマグネタイトを用い、酸化鉄連続薄膜
の厚さ0.18μmとした。 試料１〜３を大気中で260℃（試料３について
は260℃と300℃以上で）１時間熱酸化した。表に
熱酸化後のそれぞれの薄膜の電気抵抗を示した。
【表】
（発明の効果）
以上のように本発明によれば従来より大幅に熱
酸化温度を低減でき、クラツク発生やＳ／Ｎ低下
を防止できた。
酸化温度を低減でき、クラツク発生やＳ／Ｎ低下
を防止できた。
Claims (1)
- １ マグネタイトを主成分とするフエライトもし
くは添加物を含むマグネタイトをターゲツトと
し、アルゴンガスによるスパツタリングにより基
板上にマグネタイトもしくは添加物を含むマグネ
タイトを主成分とする酸化鉄連続薄膜を形成した
後、熱酸化しγ−Fe2O3もしくはγ−Fe2O3とFe3
O4を主成分とするまたはこれらに添加物を含む
酸化鉄連続薄膜を形成する製造方法において、酸
化鉄連続薄膜の形成時のスパツタ圧力を高圧力か
ら低圧力へ段階的にもしくは連続的に変えること
を特徴とする磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12611784A JPS615438A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁気記憶体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12611784A JPS615438A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁気記憶体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615438A JPS615438A (ja) | 1986-01-11 |
| JPH0552567B2 true JPH0552567B2 (ja) | 1993-08-05 |
Family
ID=14927057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12611784A Granted JPS615438A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁気記憶体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615438A (ja) |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12611784A patent/JPS615438A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS615438A (ja) | 1986-01-11 |
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