JPS62111450A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業−１−の利用分野 本発明は、電話交換等、主として音声通信分野において
、複敷チャンネル間のリンクを司る半導体装置に関する
ものである。

従来の技術 従来のこの種半導体装置について、第２図を用いて説明
する。第２図はＮ［１１８化したＭＯ８型半導体装置の
斜視図で、１はシリコン基板であり、Ｎチャンネルの場
合はＰ型、Ｐチャンネルの場合はＮ型の各シリコンウェ
ーハを使用する。２はシリコン基板１七に形成されたフ
ィールＩ−酸化膜であり、膜厚は通常１μｍｎ前後であ
る。３，４はアルミニウムの蒸着膜等で構成された導体
配線である。

導体配線Ｓ３，４の線幅および線間ギャップは、各々数
μ田であり、これらの寸法はますます縮小する傾向にあ
る。当然のことながら、この２線間には浮遊容ｆｔ　Ｃ
１が存在し、そのギャップが縮小すれば、それに応じて
増加する。例えば、これらの導体配線３，４に電話回線
（Ａ）（Ｂ）が接続された時、電話回線（Ａ）（Ｂ）間
には主として浮遊容置Ｃ，を通したクロストークが生じ
る。実用上許容されるクロストークの量は、音声周波数
帯域で約−９０ｄ　Ｂ以上である。この値を上記の配線
寸法下で実現することは非常に固壁な問題である。

発明が解決しようとする問題点 このように上記従来の構成では、ますます微細化する半
導体装置において、隣接する信号配線間の、主として容
置結合によるクロストークを無くすることができないと
いう問題があった。

問題点を解決するための手段 」二ｌ紀問題点を解決するため、本発明の半導体装置は
、隣接して位置する信号線用の第１及び第２の導体配線
間に、半導体基板と接続された第３の導体配線を配置し
たものである。

作用 北記構成によれば、第３の導体配線がシールド作用を行
い、クロストークが減少する。

実施例 以下、本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。

第１図は本発明の一実施例における半導体装置の斜視図
で、この半導体装置はＭＯＳ型であり、簡略化して図示
している。第１図において、１１゜Ｉ２は信号線用の第
１．第２の導体配線であって、シリコン基板１３の表面
に形成された二酸化シリコン１１りなとのシリコン系絶
縁膜１１１の上に形成されている。１５は第３の導体配
線であり、第］、第２の各導体配線Ｉ＋、＋２の中間に
位置し、コンタクトウィンドウ１６により、シリコン系
絶縁膜１４を貫通して、シリコン基板Ｉ３の不純物濃度
よりやや濃い拡散領域Ｉ７に接続されている。したがっ
て、第３の導体配線１５は、シリコン基板１３と同一電
位に保持される。Ｃ１１は導体配線ＩＩ、１５間の浮遊
容量、Ｃ１２は導体配線１２．１５間のンｌ遊容址、Ｃ
０，は導体配線１１．１２間の浮遊容量である。

次に動作を説明する。（８号線用の各導体配ａ１１゜１
２から発生する電気力線のほとんどは、各信号線用の導
体配線１１．　＋２と第３の導体配線１５との間に集中
し、各信号線用の導体配線１１．１２間のそれはほとん
ど無視できる程度となる。従って、浮遊容量Ｃ１，，Ｃ
１□、Ｃ工、の大小関係は、Ｃ工、≠Ｃ１□）Ｃ１０と
なり、更に第２図に示した従来例の場合との関係におい
ても、各浮遊容量の大小関係で。

Ｃ工）Ｃ１，なる関係を満足することは容易に実現でき
る。

以−ヒのことから、信号線間の浮遊容量に起因するロク
ストーク特性は、第３の導体配１ＩＡｉｓの設置によっ
て大幅に改善されることが期待できる。

発明の効果 以上述べたように本発明によれば、きわめて簡単かつ実
施容易な構成で、クロス１ヘークを大幅に低減すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における半導体装置の斜視図
、第２図は従来の半導体装置の斜視図である。 １１・・・第１の導体配線、１２・・第２の導体配線、
１３シリコン基板、１５・・第ｚ３の導体配線代理人　
　　森　　本　　義　　弘 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、隣接して位置する信号線用の第１及び第２の導体配
   線間に、半導体基板と接続された第３の導体配線を配置
   した半導体装置。