JPS62158339A - 半導体装置におけるｉｃチツプへのボンデイングリ−ドの接着方法 - Google Patents
半導体装置におけるｉｃチツプへのボンデイングリ−ドの接着方法Info
- Publication number
- JPS62158339A JPS62158339A JP60299426A JP29942685A JPS62158339A JP S62158339 A JPS62158339 A JP S62158339A JP 60299426 A JP60299426 A JP 60299426A JP 29942685 A JP29942685 A JP 29942685A JP S62158339 A JPS62158339 A JP S62158339A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- chip
- leads
- bonding leads
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置におけるＩＣチップへのボンディン
グリードの接着方法に関するものである。
グリードの接着方法に関するものである。
（従来の技術とその問題点）
従来、半導体装置のＩＣチップ上た突出して形成された
ボンディングリードを、該ＩＣチップ上に接着する方法
は、第９図に示す様に、加熱されたボンディングボード
員で、ボンディングリード（ｆａ）をＩＣチップ上面（
３ａ）に押圧して全てのボンディングリードＩＬ）を同
時に接着していた。
ボンディングリードを、該ＩＣチップ上に接着する方法
は、第９図に示す様に、加熱されたボンディングボード
員で、ボンディングリード（ｆａ）をＩＣチップ上面（
３ａ）に押圧して全てのボンディングリードＩＬ）を同
時に接着していた。
ところが、この方法は、ボンディングリード（２５と対
向するＩＣチップ上面（了＆）に形成されたポンディン
グパッド（Ｆｆ）に均一な押圧力をかけることが困難な
ため、ＩＣチップ（３５に接着されないボンディングリ
ードがあるという間層があった。
向するＩＣチップ上面（了＆）に形成されたポンディン
グパッド（Ｆｆ）に均一な押圧力をかけることが困難な
ため、ＩＣチップ（３５に接着されないボンディングリ
ードがあるという間層があった。
さらに、この方法では、ボンディングパッド（８５にさ
らに金のバンプ（ｍ）を形成する必要があるため、非常
な手間とコストがかかシ生産性が劣っていた。
らに金のバンプ（ｍ）を形成する必要があるため、非常
な手間とコストがかかシ生産性が劣っていた。
（発明が解決しようとする技術的課題）第１の発明が解
決しようとする技術的課題は、半導体装置のＩＣチップ
上に突出して形成されたボンディングリードを、該ＩＣ
チップに確実に接着することであり、第２の発明が解決
しようとする技術的味ＮｒＩ′ｉ、半導体装置のＩＣチ
ップ上に突出して形成されたボンディングリードを、工
Ｃチップに確実かつ迅速に接着すると共に、低コストに
押えることである。
決しようとする技術的課題は、半導体装置のＩＣチップ
上に突出して形成されたボンディングリードを、該ＩＣ
チップに確実に接着することであり、第２の発明が解決
しようとする技術的味ＮｒＩ′ｉ、半導体装置のＩＣチ
ップ上に突出して形成されたボンディングリードを、工
Ｃチップに確実かつ迅速に接着すると共に、低コストに
押えることである。
（技術的課題を達成するための技術的手段）第１の発明
の技術的課題を達成するための技術的手段は、半導体装
置のＩＣチップ上に突出して形成されたボンディングリ
ードを、該ＩＣチップに１本又は数本ずつボンディング
シールにより圧着することであシ、第２の発明の技術的
課題を達成するための技術的手段は、半導体装置のＩＣ
チップ上に突出して形成されたボンディングリードを、
加熱されたポンディング用ボードでＩＣチップ上面に押
圧し、該ボンディングリードと対向するボンディングボ
ードの上面をボンディングシールを移動させて該ＩＣチ
ップに接着することでめる０ （発明の効果） 第１の発明は以上の様な方法にしたことにより、全ての
ボンディングリードを確実にＩＣチップに接着すること
ができる０ 第２の発明は以上の様な方法にしたことにより、全ての
ボンディングリードを確実でかつ迅速にＩＣチップに接
着することができると共に、低コストで接着することが
できるので、生産性の向上を図ることができる。
の技術的課題を達成するための技術的手段は、半導体装
置のＩＣチップ上に突出して形成されたボンディングリ
ードを、該ＩＣチップに１本又は数本ずつボンディング
シールにより圧着することであシ、第２の発明の技術的
課題を達成するための技術的手段は、半導体装置のＩＣ
チップ上に突出して形成されたボンディングリードを、
加熱されたポンディング用ボードでＩＣチップ上面に押
圧し、該ボンディングリードと対向するボンディングボ
ードの上面をボンディングシールを移動させて該ＩＣチ
ップに接着することでめる０ （発明の効果） 第１の発明は以上の様な方法にしたことにより、全ての
ボンディングリードを確実にＩＣチップに接着すること
ができる０ 第２の発明は以上の様な方法にしたことにより、全ての
ボンディングリードを確実でかつ迅速にＩＣチップに接
着することができると共に、低コストで接着することが
できるので、生産性の向上を図ることができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面により説明する。
図面中第１図〜第３図は第１発明、第４図〜第８図は第
２発明の工程図を夫々示すものであシ、以下第１発明か
ら順に説明する０ 図中（２）は半導体装置を示し、該半導体装置（４）は
基板（１）と導線（２）及びＩＣチップ（３）とＫよシ
構成される。
２発明の工程図を夫々示すものであシ、以下第１発明か
ら順に説明する０ 図中（２）は半導体装置を示し、該半導体装置（４）は
基板（１）と導線（２）及びＩＣチップ（３）とＫよシ
構成される。
基板（１）はセラミック、ガラスエポキシ樹脂等のプラ
スチック等で適宜大きさに形成され、その上面中央部に
ＩＣチップ（３）を塔載するためのマウント部（４）カ
形成され、該マウント部（４）の周囲にはスルホール部
が縦横列に開穿され、該スルホール部にＩＣＣタケ／
ｈ等に実装される外部引出用リードビン（図示せず）が
固着されているＯ また、該基板（１）の上面とは樹脂フィルム（６）上に
配列形成された導線（２）が該樹脂フィルムを介して貼
着される。
スチック等で適宜大きさに形成され、その上面中央部に
ＩＣチップ（３）を塔載するためのマウント部（４）カ
形成され、該マウント部（４）の周囲にはスルホール部
が縦横列に開穿され、該スルホール部にＩＣＣタケ／
ｈ等に実装される外部引出用リードビン（図示せず）が
固着されているＯ また、該基板（１）の上面とは樹脂フィルム（６）上に
配列形成された導線（２）が該樹脂フィルムを介して貼
着される。
導線（２）は樹脂フィルム（６）上面に適宜厚さの銅箔
及び鋼メッキを施して鋼メッキ層を形成するメッキ工程
と、前記メッキ層に７オートレジスト印刷とおけるレジ
スト塗布処理、パターン合せ・露光処理、現象・焼付処
理を行ってパターンを形成するパターン形成と、該パタ
ーン形成がされた樹脂フィルム（６）をエツチング溶液
に浸漬して食刻部を食刻剥離するエツチング工程により
平板状に形成され、アルミニウムメッキ（７）で被覆さ
れる。
及び鋼メッキを施して鋼メッキ層を形成するメッキ工程
と、前記メッキ層に７オートレジスト印刷とおけるレジ
スト塗布処理、パターン合せ・露光処理、現象・焼付処
理を行ってパターンを形成するパターン形成と、該パタ
ーン形成がされた樹脂フィルム（６）をエツチング溶液
に浸漬して食刻部を食刻剥離するエツチング工程により
平板状に形成され、アルミニウムメッキ（７）で被覆さ
れる。
また、平板状のボンディングリード（２ａ）はＩＣチッ
プ（３）の四周面上に適宜間隔をもって並列状に突出形
成され、該ボンデイア１’）−ドの対向するＩＣチップ
上面（３ａ）には、アルミニウムのボンディングパット
（８）が形成されている。
プ（３）の四周面上に適宜間隔をもって並列状に突出形
成され、該ボンデイア１’）−ドの対向するＩＣチップ
上面（３ａ）には、アルミニウムのボンディングパット
（８）が形成されている。
以下工程図と従って本発明のＩＣチップ（３）のボンデ
ィングリード（２ａ）の接着方法を説明する０ まず、ボンディングリード（２ａ）の上面にボンディン
グシール（９）を当接させた状態で、ＩＣチップ上面（
３ａ）に形成されたボ／ディ／グパフド（８）に所定時
間押圧し、熱圧着ボンディング法、或いは超音波ボンデ
ィング法によりボンディングリード（２ａ）に熱或いは
超音波を与えることによりボンディングリード（２ａ）
とボンディングパット（８）のアルミニウムを溶解させ
て接着する。
ィングリード（２ａ）の接着方法を説明する０ まず、ボンディングリード（２ａ）の上面にボンディン
グシール（９）を当接させた状態で、ＩＣチップ上面（
３ａ）に形成されたボ／ディ／グパフド（８）に所定時
間押圧し、熱圧着ボンディング法、或いは超音波ボンデ
ィング法によりボンディングリード（２ａ）に熱或いは
超音波を与えることによりボンディングリード（２ａ）
とボンディングパット（８）のアルミニウムを溶解させ
て接着する。
そして、上記作業工程により該ボンディングリード（２
ａ）の接着が終了すると、第３図に示す如く、同工程に
より残シのボンディングリード（２ａ）を相隣れる方向
へ順次接着する。
ａ）の接着が終了すると、第３図に示す如く、同工程に
より残シのボンディングリード（２ａ）を相隣れる方向
へ順次接着する。
この場合、ボンディングリード（２ａ）の接着は１本ず
つに限らず均等な押圧力を加えることのできる本数、例
えば、２，３本ずつ接着することも可能である。この場
合にボンディングシール（９）も幅広なものを用いる。
つに限らず均等な押圧力を加えることのできる本数、例
えば、２，３本ずつ接着することも可能である。この場
合にボンディングシール（９）も幅広なものを用いる。
また、該ボンディングリード（２ａ）をアルミニウムメ
ッキ（ηを被覆しない高純度鋼のみで形成して接着する
ことも任意である。
ッキ（ηを被覆しない高純度鋼のみで形成して接着する
ことも任意である。
次に第２発明について説明する。
図中叫はＩＣチップ（３）上方に配置され、かつ該ＩＣ
チップ（３）よりやや小さいか、或いは同等の大きさに
形成されたボンディングボードであシ、該ボンディング
ボード叫は電気的操作により加熱されると共に上下動自
在に形成されている。
チップ（３）よりやや小さいか、或いは同等の大きさに
形成されたボンディングボードであシ、該ボンディング
ボード叫は電気的操作により加熱されると共に上下動自
在に形成されている。
以下工程図に従って第２発明のＩＣチップ（３）へのボ
ンディングリード（２ａ）の接着方法を説明する。
ンディングリード（２ａ）の接着方法を説明する。
まず、最初に加熱されたボンディングボード（転）を下
側に移動させて、ＩＣチップ（３）上面に圧力をかけつ
つ重ね合せて、ボンディングリード（２ａ）をＩＣチッ
プ上面（３ａ）のボンディングバブド（８）に押圧する
。
側に移動させて、ＩＣチップ（３）上面に圧力をかけつ
つ重ね合せて、ボンディングリード（２ａ）をＩＣチッ
プ上面（３ａ）のボンディングバブド（８）に押圧する
。
そして、該ボンディングリード（２ａ）と対向するボン
ディングボード（ト）の上面に、ボンディングシール（
９）を押し、該上面を適宜速さでなぞシ、熱圧着ポンデ
ィング法或いは超音波ボンディ方法により該ボード員の
上からボンディングリード（２ａ）及びボンディングパ
ブド（８）に熱或いは超音波を与えて、これらのアルミ
ニウムを溶解して接着する。
ディングボード（ト）の上面に、ボンディングシール（
９）を押し、該上面を適宜速さでなぞシ、熱圧着ポンデ
ィング法或いは超音波ボンディ方法により該ボード員の
上からボンディングリード（２ａ）及びボンディングパ
ブド（８）に熱或いは超音波を与えて、これらのアルミ
ニウムを溶解して接着する。
尚、このボンディングボード叫の上面をボンディングシ
ール（９）でなぞる方法は、ボンディングリード（２＆
）上を一撥になぞる方法の他に、２．３本ずつ、或いは
１本ずつなぞる方法も考えられ、いずれを使用して接着
することも任意である。
ール（９）でなぞる方法は、ボンディングリード（２＆
）上を一撥になぞる方法の他に、２．３本ずつ、或いは
１本ずつなぞる方法も考えられ、いずれを使用して接着
することも任意である。
また、該ボンディングシール（９）は、横方向と縦方向
の夫々別個のもの２対設けて、それを同時に使用して接
着することも考えられる０
の夫々別個のもの２対設けて、それを同時に使用して接
着することも考えられる０
第１図〜第３図は第１発明のＩＣチップへのボンディン
グリードの接着方法を示す工程図、第４図〜第８図は、
第２発明の工程図、第９図は従来のボンディングリード
の接着方法を示す断面図である。 尚、図中 囚：半導体装置、（２６）：ボンディグリート（３）
： Ｉ Ｃチップ、 （ト）：ボンディングボード
（９）： ボンディングシール を夫々示す。 ｅ） 袂 ｒ ／＋Ｓｒ ｌ”１
グリードの接着方法を示す工程図、第４図〜第８図は、
第２発明の工程図、第９図は従来のボンディングリード
の接着方法を示す断面図である。 尚、図中 囚：半導体装置、（２６）：ボンディグリート（３）
： Ｉ Ｃチップ、 （ト）：ボンディングボード
（９）： ボンディングシール を夫々示す。 ｅ） 袂 ｒ ／＋Ｓｒ ｌ”１
Claims (2)
- （１）半導体装置のＩＣチップ上に突出して形成された
ボンディングリードを、該ＩＣチップに１本又は数本ず
つボンディングシールにより圧着する半導体装置におけ
るＩＣチップへのボンディングリードの接着方法。 - （２）半導体装置のＩＣチップ上に突出して形成された
ボンディングリードを、加熱されたボンディング用ボー
ドでＩＣチップ上面に押圧し、該ボンディングリードと
対向するボンディングボードの上面をボンディングシー
ルを移動させて該ＩＣチップに接着する半導体装置にお
けるＩＣチップへのボンディングリードの接着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60299426A JPS62158339A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 半導体装置におけるｉｃチツプへのボンデイングリ−ドの接着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60299426A JPS62158339A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 半導体装置におけるｉｃチツプへのボンデイングリ−ドの接着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62158339A true JPS62158339A (ja) | 1987-07-14 |
Family
ID=17872412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60299426A Pending JPS62158339A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 半導体装置におけるｉｃチツプへのボンデイングリ−ドの接着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62158339A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334940A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5313367A (en) * | 1990-06-26 | 1994-05-17 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having a multilayer interconnection structure |
-
1985
- 1985-12-28 JP JP60299426A patent/JPS62158339A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334940A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5313367A (en) * | 1990-06-26 | 1994-05-17 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having a multilayer interconnection structure |
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