JPS6226864A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS6226864A JPS6226864A JP60167085A JP16708585A JPS6226864A JP S6226864 A JPS6226864 A JP S6226864A JP 60167085 A JP60167085 A JP 60167085A JP 16708585 A JP16708585 A JP 16708585A JP S6226864 A JPS6226864 A JP S6226864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- metal gate
- source electrode
- effect transistor
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、切り込んだ溝内にショットキ金属ゲートを有
する電界効果トランジスタに関する。
する電界効果トランジスタに関する。
この種の電界効果トランジスタとして、第２図に示す構
造のものがある。このトランジスタは、ガリ砒素等でな
る半絶縁性基板１の上面にｎ型のエピタキシャル成長層
でなる半導体層２を形成して、そこに異方性エツチング
により底部が開口部よりも広いダブテイル型（Ｄｏｖｅ
Ｔａ１ｌ；鳩の尻尾型）の溝３を形成し、その溝３内
にショットキ金属ゲート４を配置すると共に、その金属
ゲート４に対して非対称の位置にソース電極５とドレイ
ン電極６とを、半導体層２の上面に設けたものである。
造のものがある。このトランジスタは、ガリ砒素等でな
る半絶縁性基板１の上面にｎ型のエピタキシャル成長層
でなる半導体層２を形成して、そこに異方性エツチング
により底部が開口部よりも広いダブテイル型（Ｄｏｖｅ
Ｔａ１ｌ；鳩の尻尾型）の溝３を形成し、その溝３内
にショットキ金属ゲート４を配置すると共に、その金属
ゲート４に対して非対称の位置にソース電極５とドレイ
ン電極６とを、半導体層２の上面に設けたものである。
ところが、この構造では、電流の通路であるチャンネル
部が、溝３の幅広底の下側となるので、そのチャンネル
長さが長くなり、チャンネル抵抗が大きくなるという問
題がある。また、この構造では、パッシベーション膜（
保護膜）を上方から被着させる際に、ひさし部分が邪魔
となって溝３の底隅まで完全に被着させることが困難で
あるという問題もある。更に、金属ゲート４の上端角４
ａと溝３におけるソース電極５側のひさし２ａとの間の
距離が近くなるので、ゲート・ソース間の容量が大きく
なって動作速度を低下させるという問題もある。
部が、溝３の幅広底の下側となるので、そのチャンネル
長さが長くなり、チャンネル抵抗が大きくなるという問
題がある。また、この構造では、パッシベーション膜（
保護膜）を上方から被着させる際に、ひさし部分が邪魔
となって溝３の底隅まで完全に被着させることが困難で
あるという問題もある。更に、金属ゲート４の上端角４
ａと溝３におけるソース電極５側のひさし２ａとの間の
距離が近くなるので、ゲート・ソース間の容量が大きく
なって動作速度を低下させるという問題もある。
本発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、その
目的は、上記し問題点を解消した電界効果トランジスタ
を提供することである。
目的は、上記し問題点を解消した電界効果トランジスタ
を提供することである。
このために本発明では、溝を■形溝として該Ｖ形溝の谷
底部に、金属ゲートを溝の両側に形成される２個の電極
の一方にずらせて配置している。
底部に、金属ゲートを溝の両側に形成される２個の電極
の一方にずらせて配置している。
以下、本発明の実施例について説明する。第１図はその
一実施例の電界効果トランジスタの断面を示す図である
。本実施例では、ソース電極５とドレイン電極６との間
に、ドレイン電極６よりもソース電極５側に近くなるよ
うにＶ形の溝７を形成し、この溝７の底部分に、ソース
電極５側よりもドレイン電極６側に近くなるようにショ
ットキ金属ゲート８を設けている。
一実施例の電界効果トランジスタの断面を示す図である
。本実施例では、ソース電極５とドレイン電極６との間
に、ドレイン電極６よりもソース電極５側に近くなるよ
うにＶ形の溝７を形成し、この溝７の底部分に、ソース
電極５側よりもドレイン電極６側に近くなるようにショ
ットキ金属ゲート８を設けている。
よって、この構造では、溝７にひさしが生じないので、
ソース電極５と金属ゲート８との間が広くなり、ゲート
・ソース間浮遊容量を少なくすることができ、動作速度
を向上させることができる。
ソース電極５と金属ゲート８との間が広くなり、ゲート
・ソース間浮遊容量を少なくすることができ、動作速度
を向上させることができる。
また、溝７がＶ字形状でその底が狭いためチャンネル長
を短くすることができ、チャンネル抵抗を低減すること
ができる。更に、溝７の底が先鋭であるので、そこにお
けるチャンネル部分がゲートにより効果的に制御され、
よって実効上ゲート長さが短くなる。更に、溝７が７字
形状であることにより、パッシベーション膜の被着を容
易に完全に行うことができる。従って以上から、周波数
特性やノイズ指数（ＮＦ ）も向上させることができる
。
を短くすることができ、チャンネル抵抗を低減すること
ができる。更に、溝７の底が先鋭であるので、そこにお
けるチャンネル部分がゲートにより効果的に制御され、
よって実効上ゲート長さが短くなる。更に、溝７が７字
形状であることにより、パッシベーション膜の被着を容
易に完全に行うことができる。従って以上から、周波数
特性やノイズ指数（ＮＦ ）も向上させることができる
。
なお、上記した半絶縁性基板１は、領域２の導電型と異
なる導電型の半導体基板、或いは絶縁性基板に代えるこ
ともできる。
なる導電型の半導体基板、或いは絶縁性基板に代えるこ
ともできる。
・ 〔発明の効果〕
以上から本発明によれば、チャンネル抵抗、ゲート・ソ
ース間浮遊容量、パッシベーション膜被着等について従
来よりも改良することができ、またゲート長さも実効上
狭くすることができ、よって周波数特性やノイズ指数（
ＮＦ ）を向上させることができる。
ース間浮遊容量、パッシベーション膜被着等について従
来よりも改良することができ、またゲート長さも実効上
狭くすることができ、よって周波数特性やノイズ指数（
ＮＦ ）を向上させることができる。
第１図は本発明の電界効果トランジスタの構造を示す断
面図、第２図は従来の電界効果トランジスタの構造を示
す断面図である。 １・・・半絶縁性基板、２・・・半導体層、５・・・ソ
ース電極、６・・・ドレイン電極、７・・・Ｖ形溝、８
・・・ショットキ金属ゲート。
面図、第２図は従来の電界効果トランジスタの構造を示
す断面図である。 １・・・半絶縁性基板、２・・・半導体層、５・・・ソ
ース電極、６・・・ドレイン電極、７・・・Ｖ形溝、８
・・・ショットキ金属ゲート。
Claims (3)
- （１）、基板の上に半導体層を有し、該半導体層のの上
記基板側と反対側の面に溝を有し、該溝内にショットキ
金属ゲートを有し、上記溝の両側に２個の電極が形成さ
れた電界効果トランジスタにおいて、上記溝をＶ形溝と
して該Ｖ形溝の谷底部に、上記金属ゲートを上記電極の
一方にずらせて配置したことを特徴とする電界効果トラ
ンジスタ。 - （２）、上記２個の電極がソース電極とドレイン電極で
成り、上記金属ゲートが上記ソース電極側に近づくよう
にずらせて配置されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の電界効果トランジスタ。 - （３）、上記基板が、上記半導体層の導電型と異なる導
電型の半導体基板、絶縁基板、或いは半絶縁性基板であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項或いは２項記
載の電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167085A JPS6226864A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167085A JPS6226864A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226864A true JPS6226864A (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=15843133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60167085A Pending JPS6226864A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6226864A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6069375A (en) * | 1995-05-31 | 2000-05-30 | Nec Corporation | Field effect transistor |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP60167085A patent/JPS6226864A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6069375A (en) * | 1995-05-31 | 2000-05-30 | Nec Corporation | Field effect transistor |
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