JPS6230688A - 薄膜の結晶化方法 - Google Patents
薄膜の結晶化方法Info
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜の結晶化技術に関するものである。
従来、薄膜の結晶化技術はＳ ＯＩ （Ｓｅｍ１ｃｏｎ
ｄｕｃ −ｔｏｒ ｏｎ １ｎｓｕｌａｔｏｒ ）技術
と呼ばれ、半導体、特にシリコン薄膜を絶縁膜、特に５
ｉｆｚ上に結晶化する技術が開発されて来た。これを図
によシ説明する。第５図は従来技術を説明するための図
で、特に下層の絶縁膜２０が同図に示すように絶縁膜２
０の他の部分の厚さｔ・・２よシ一部薄い（ｌ・−１の
部分）場合は半導体膜３０を熔融結晶化するとき、熱の
良伝導体の基板１０への熱の流れの大きい、そして絶縁
膜２０の薄い部分ａから固化結晶化が＃まる。
ｄｕｃ −ｔｏｒ ｏｎ １ｎｓｕｌａｔｏｒ ）技術
と呼ばれ、半導体、特にシリコン薄膜を絶縁膜、特に５
ｉｆｚ上に結晶化する技術が開発されて来た。これを図
によシ説明する。第５図は従来技術を説明するための図
で、特に下層の絶縁膜２０が同図に示すように絶縁膜２
０の他の部分の厚さｔ・・２よシ一部薄い（ｌ・−１の
部分）場合は半導体膜３０を熔融結晶化するとき、熱の
良伝導体の基板１０への熱の流れの大きい、そして絶縁
膜２０の薄い部分ａから固化結晶化が＃まる。
しかし、上記絶縁膜の薄い部分の厚さｔ。、１が１００
０ Ａ以下、絶縁膜の厚い部分の厚さｔ・、２が２００
０ Ａ以上の場合はａの部分以外の半導体膜が熔融して
もαの部分の半導体膜が熔融しないので、膜の結晶化が
均一に行われないし、αの部分に素子を作るときは不適
幽である。さらに、αの部分の半導体膜まで熔かそうと
すると絶縁膜の厚い部分は温度が上シすぎて水滴状に熔
融した半導体薄膜がそのまま固まってしまい、一様性の
ない結晶層が出来てしまいやはり素子の製造には不適当
である。
０ Ａ以下、絶縁膜の厚い部分の厚さｔ・、２が２００
０ Ａ以上の場合はａの部分以外の半導体膜が熔融して
もαの部分の半導体膜が熔融しないので、膜の結晶化が
均一に行われないし、αの部分に素子を作るときは不適
幽である。さらに、αの部分の半導体膜まで熔かそうと
すると絶縁膜の厚い部分は温度が上シすぎて水滴状に熔
融した半導体薄膜がそのまま固まってしまい、一様性の
ない結晶層が出来てしまいやはり素子の製造には不適当
である。
本発明は、上記の困難点を解決するためになされたもの
で、熔融結晶化しようとする薄膜下の第１の高融点薄膜
の薄い部分と基板又は基板側の第２の良熱伝導性の薄膜
との間に、１６００Ａ以上の熱伝導の悪い材料から成る
第２の高融点薄膜と第１の良熱伝導性の薄膜とから少な
くとも構成される構造を挿入することによって、薄膜を
一様に熔融し、しかも第１の高融点薄膜の薄い部分に設
けられた前記薄膜の部分から結晶化が始まるようにした
ものである。
で、熔融結晶化しようとする薄膜下の第１の高融点薄膜
の薄い部分と基板又は基板側の第２の良熱伝導性の薄膜
との間に、１６００Ａ以上の熱伝導の悪い材料から成る
第２の高融点薄膜と第１の良熱伝導性の薄膜とから少な
くとも構成される構造を挿入することによって、薄膜を
一様に熔融し、しかも第１の高融点薄膜の薄い部分に設
けられた前記薄膜の部分から結晶化が始まるようにした
ものである。
第１図は、本発明の詳細な説明するための図面である。
第５図で説明した従来例と同様に３０は結晶化する薄膜
、２０は第１の高融点薄膜で、ａの部分ではｔＩ、の厚
みを持ち、ｔｌ、は１０００ Ａ以下である。第１の高
融点薄膜の他の部分の厚さｔＩ２は２０００Ａ以上であ
る。４０は良熱伝導性の薄膜であシ、４１は第２の熱伝
導の悪い材料から成る薄膜で、その厚さＩ’Ｉ３は１６
００Ａ以上である。
、２０は第１の高融点薄膜で、ａの部分ではｔＩ、の厚
みを持ち、ｔｌ、は１０００ Ａ以下である。第１の高
融点薄膜の他の部分の厚さｔＩ２は２０００Ａ以上であ
る。４０は良熱伝導性の薄膜であシ、４１は第２の熱伝
導の悪い材料から成る薄膜で、その厚さＩ’Ｉ３は１６
００Ａ以上である。
１０は基板を示すが、基板上に多層構造が形成されてい
る場合は、第２の良熱伝導性の薄膜としてもよい。基板
１０としてシリコン、第１の高融点薄膜２０としてオキ
シナイトライド膜、結晶化薄膜３０として、化学蒸着さ
れた１５００〜３０００Ａのシリコン薄膜で構成された
断面（第５図示）を有する試料について実験を行った。
る場合は、第２の良熱伝導性の薄膜としてもよい。基板
１０としてシリコン、第１の高融点薄膜２０としてオキ
シナイトライド膜、結晶化薄膜３０として、化学蒸着さ
れた１５００〜３０００Ａのシリコン薄膜で構成された
断面（第５図示）を有する試料について実験を行った。
シリコン薄膜の熔融は５〜６Ｗのアルゴンレーザーを０
．２晶化薄膜（シリコン薄膜）３０はαの部分を熔融さ
せるためのレーザーパワーを投入すると、第１の高融点
薄膜２０の厚い部分はシリコン薄膜が蒸発又は凝縮して
固化した後、第１の高融点薄膜２０の上に残らない部分
が出て来る。シリコン薄膜の残った部分は厚さが一様で
なく、しかも場合によってはαの部分に流入して厚くな
っていることが多かった。絶縁膜の薄い部分の厚さｔａ
ｘｌを２００ＯＡまで増加した場合は一様な熔融が可能
なレーザーパワーとスイープ速度が見出された。
．２晶化薄膜（シリコン薄膜）３０はαの部分を熔融さ
せるためのレーザーパワーを投入すると、第１の高融点
薄膜２０の厚い部分はシリコン薄膜が蒸発又は凝縮して
固化した後、第１の高融点薄膜２０の上に残らない部分
が出て来る。シリコン薄膜の残った部分は厚さが一様で
なく、しかも場合によってはαの部分に流入して厚くな
っていることが多かった。絶縁膜の薄い部分の厚さｔａ
ｘｌを２００ＯＡまで増加した場合は一様な熔融が可能
なレーザーパワーとスイープ速度が見出された。
一方、第１図に示すように、第１の良熱伝導性の薄膜４
０として、約４００ＯＡの多結晶シリコン薄膜、結晶化
される薄膜３０として約３００ＯＡのシリコン薄膜、第
２の高融点薄膜４１として膜厚ｔ■３＝ １６０ ＯＡ
以上の５ｉＣｈ、第１の高融点薄膜Ａの５ｉ０２ヲ用い
た場合、アルゴンレーザーパワー５〜６Ｗ、スイープ速
度約２ｃｍ／ｓｅｃの条件で結晶化薄膜３０は一様に熔
融され、αの部分は単結晶または結晶粒の大きい結晶化
膜となった。まだ、第１の高融点薄膜２０は第５図に対
応する実施例ではオキシナイトライド膜を用い、より高
温に耐える材料構成にしたのに対して、本発明の実施例
ではＳｉＯ２で充分であった。
０として、約４００ＯＡの多結晶シリコン薄膜、結晶化
される薄膜３０として約３００ＯＡのシリコン薄膜、第
２の高融点薄膜４１として膜厚ｔ■３＝ １６０ ＯＡ
以上の５ｉＣｈ、第１の高融点薄膜Ａの５ｉ０２ヲ用い
た場合、アルゴンレーザーパワー５〜６Ｗ、スイープ速
度約２ｃｍ／ｓｅｃの条件で結晶化薄膜３０は一様に熔
融され、αの部分は単結晶または結晶粒の大きい結晶化
膜となった。まだ、第１の高融点薄膜２０は第５図に対
応する実施例ではオキシナイトライド膜を用い、より高
温に耐える材料構成にしたのに対して、本発明の実施例
ではＳｉＯ２で充分であった。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
本発明の薄膜の結晶化方法は、再結晶化薄膜の下面に一
部１０００＾以下の薄い絶縁性の高融点薄膜を有する構
造の熔融結晶化方法において不可欠な方法であるが、第
１の良熱伝導性の薄膜４０を第１の高融点薄膜の薄い部
分のみに設けた第２図の構成でも実施可能である。まだ
、第１、第２の高融点薄膜２０．４１はＸ酸化シリコン
窒化シリコン、オキシナイトライド等の高融点絶縁物等
で構成される。結晶化さるべき薄膜３０はシリコン、ゲ
ルマニウム等の半導体または金二警 また、再結晶化のだめの薄膜熔融手段としてアルゴンレ
ーザーを用いる例を示（７たが、電子ビーム、線状高周
波加聾５、線状ランプ加熱、ストリップカーボンヒータ
等公知の手段を用いることができる。
部１０００＾以下の薄い絶縁性の高融点薄膜を有する構
造の熔融結晶化方法において不可欠な方法であるが、第
１の良熱伝導性の薄膜４０を第１の高融点薄膜の薄い部
分のみに設けた第２図の構成でも実施可能である。まだ
、第１、第２の高融点薄膜２０．４１はＸ酸化シリコン
窒化シリコン、オキシナイトライド等の高融点絶縁物等
で構成される。結晶化さるべき薄膜３０はシリコン、ゲ
ルマニウム等の半導体または金二警 また、再結晶化のだめの薄膜熔融手段としてアルゴンレ
ーザーを用いる例を示（７たが、電子ビーム、線状高周
波加聾５、線状ランプ加熱、ストリップカーボンヒータ
等公知の手段を用いることができる。
本発明の製造方法の応用例として、下部にも上部にも薄
い絶縁膜を介して、ゲートを有する新型ＦＥＴを試作し
た。
い絶縁膜を介して、ゲートを有する新型ＦＥＴを試作し
た。
第３図は上記ＦＥＴの断面図で、１０はシリコン基板、
２０はＳｉ ０２．４１は１６００〜５４００Ａの５１
０２．４０はｉ多結晶Ｓｉの下部ゲート、３０Ｃは本発
明の方法により結晶化されたシリコンを用いたチャネル
部分で、下部ゲートとの間の絶縁膜は３５０Ａの５１０
２である。３０Ｃ５３０Ｄはそれぞれ、結晶化シリコン
中に作られたルソース、ルドレインすあり、３３は１多
結晶シリコンで作られた土部ｒ−トである。上部ゲート
絶縁膜厚は２５０Ａで４る。３２Ｓ、３２Ｄはソース及
びドレインの引出し電極である。このトランジスタは第
２図で説明した本発明の実施例の構造から従来のシリコ
ンゲート技術を用いて作ることができる０第４図は第３
図により説明した新型ＦＥＴの出力特性を説明するだめ
のもので、上部ゲート３３からも下部ゲート４０からも
同程度にチャネル電流の制御が可能であシ、さらに、下
部ゲートに与えるバイアスで上部ゲートの闇値電圧の制
御を行うことも可能である。
２０はＳｉ ０２．４１は１６００〜５４００Ａの５１
０２．４０はｉ多結晶Ｓｉの下部ゲート、３０Ｃは本発
明の方法により結晶化されたシリコンを用いたチャネル
部分で、下部ゲートとの間の絶縁膜は３５０Ａの５１０
２である。３０Ｃ５３０Ｄはそれぞれ、結晶化シリコン
中に作られたルソース、ルドレインすあり、３３は１多
結晶シリコンで作られた土部ｒ−トである。上部ゲート
絶縁膜厚は２５０Ａで４る。３２Ｓ、３２Ｄはソース及
びドレインの引出し電極である。このトランジスタは第
２図で説明した本発明の実施例の構造から従来のシリコ
ンゲート技術を用いて作ることができる０第４図は第３
図により説明した新型ＦＥＴの出力特性を説明するだめ
のもので、上部ゲート３３からも下部ゲート４０からも
同程度にチャネル電流の制御が可能であシ、さらに、下
部ゲートに与えるバイアスで上部ゲートの闇値電圧の制
御を行うことも可能である。
以上述べたように、本発明は熔融結晶化しようとするｈ
膜下の第１の高融点薄膜の薄い部分と、基板または基板
側の第２の良熱伝導性の薄から成る第２の高融点薄膜と
第１の良熱伝導性の薄膜とから少なくとも成る構造を挿
入することによυ、結晶化薄膜下に１０００ Ａ以下の
薄いる。従って、多層構造の素子の製造方法として有益
な薄膜の結晶化方法を提供するものである。
膜下の第１の高融点薄膜の薄い部分と、基板または基板
側の第２の良熱伝導性の薄から成る第２の高融点薄膜と
第１の良熱伝導性の薄膜とから少なくとも成る構造を挿
入することによυ、結晶化薄膜下に１０００ Ａ以下の
薄いる。従って、多層構造の素子の製造方法として有益
な薄膜の結晶化方法を提供するものである。
第１図は本発明の詳細な説明するだめの図、第２図は本
発明の他の実施例を説明するだめの図、第３図は本発明
のさらに他の実施例の図、第４図は第３図に示す実施例
のＦＥＴの出力特性を説明するだめの図、第５図は従来
技術を説明するための図である。 図中、１０は基板、２０は第１の高融点薄膜、２０′は
結晶化された薄膜（？＆＋ソース）、３２Ｄは゛レイン
の引出し電極、３２Ｓはソースの引出し前極′晶は？多
結晶シリーンの上部ゲート、４０は第１の良熱伝導性の
薄膜（ＴＬ＋多結晶シリコンの下部ゲート）、４１は第
２の高υ点薄膜（１６００〜５４００Ａの５ｉＯ２）で
ある。 ４−一軸 指定代理人 電子技術総合研究所長佐 藤 孝 平１１
・ ・ パ 第１図 １１３ ％＋０ １０：基板 ４０ ： 烏１ の笈熱ノ云扉ノ庄の適用（（？Ｊ４
０ｏＯ′Ａの孕鰭品ンリコソ簿臘）４１： 第２
の高品虫免りｉ川え （角にス云↓Φ文・いオオ斜Ｖ゛
ら４ る ＠＃ ； ７１３ ＝ １６００Ａ ＞Ａ
’ｒ−ｎＡｎｎ ＳｉＯ２）第２図 １０：巷 籾 ２０：第１の高融前、簿膜 ２０′： 書ち１ の 畠晶立七、薄層（の簿し・輝Ａ
ト３０’ ｇ＆化する前非え ４０： 層５１０ ｔε熱スム］Ｌノ）÷トの膜Ａ４
第３図 １ｏ：基 杖 ２０：第１の高融渭、簿膜（ＳｉＯｚ）３０Ｃ： Ｓ
台曇１ヒご七尺濤Ｉ愛 （すＹンネ＞ＬａＦ３介）３１
：Ａ丞り１月笑
発明の他の実施例を説明するだめの図、第３図は本発明
のさらに他の実施例の図、第４図は第３図に示す実施例
のＦＥＴの出力特性を説明するだめの図、第５図は従来
技術を説明するための図である。 図中、１０は基板、２０は第１の高融点薄膜、２０′は
結晶化された薄膜（？＆＋ソース）、３２Ｄは゛レイン
の引出し電極、３２Ｓはソースの引出し前極′晶は？多
結晶シリーンの上部ゲート、４０は第１の良熱伝導性の
薄膜（ＴＬ＋多結晶シリコンの下部ゲート）、４１は第
２の高υ点薄膜（１６００〜５４００Ａの５ｉＯ２）で
ある。 ４−一軸 指定代理人 電子技術総合研究所長佐 藤 孝 平１１
・ ・ パ 第１図 １１３ ％＋０ １０：基板 ４０ ： 烏１ の笈熱ノ云扉ノ庄の適用（（？Ｊ４
０ｏＯ′Ａの孕鰭品ンリコソ簿臘）４１： 第２
の高品虫免りｉ川え （角にス云↓Φ文・いオオ斜Ｖ゛
ら４ る ＠＃ ； ７１３ ＝ １６００Ａ ＞Ａ
’ｒ−ｎＡｎｎ ＳｉＯ２）第２図 １０：巷 籾 ２０：第１の高融前、簿膜 ２０′： 書ち１ の 畠晶立七、薄層（の簿し・輝Ａ
ト３０’ ｇ＆化する前非え ４０： 層５１０ ｔε熱スム］Ｌノ）÷トの膜Ａ４
第３図 １ｏ：基 杖 ２０：第１の高融渭、簿膜（ＳｉＯｚ）３０Ｃ： Ｓ
台曇１ヒご七尺濤Ｉ愛 （すＹンネ＞ＬａＦ３介）３１
：Ａ丞り１月笑
Claims (1)
- 熔融結晶化されるべき薄膜と、該薄膜に接して基板側に
設けられた一部に１０００Å以下の薄い部分を有し他部
分は１０００Åより厚い第１の高融点絶縁膜とからなる
二層構造において、少なくとも前記第１の高融点薄膜の
下に第１の良熱伝導性の薄膜と、１６００Å以上の熱伝
導の悪い材料からなる第２の高融点薄膜とからなる第２
の二層構造を基板側に挿入し熔融結晶化を行うことを特
徴とする薄膜の結晶化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16872685A JPS6230688A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 薄膜の結晶化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16872685A JPS6230688A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 薄膜の結晶化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230688A true JPS6230688A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0432039B2 JPH0432039B2 (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=15873284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16872685A Granted JPS6230688A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 薄膜の結晶化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230688A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63139240U (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-13 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855395A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-01 | Toshiba Corp | シリコン単結晶膜の成長方法 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16872685A patent/JPS6230688A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855395A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-01 | Toshiba Corp | シリコン単結晶膜の成長方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63139240U (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0432039B2 (ja) | 1992-05-28 |
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