JPS6264597A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工　発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体に関する。

先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出し光ヘッド
が非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという
特徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が
行われている。

このような光記録媒体のうち、暗室による現像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。

このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その１例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ビットと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このビットによ
り情報を記録し、このビットを読み出し光で検出して読
み出しを行うビット形成タイプのものがある。

このようなピット形成タイプの媒体、特にそのうち、装
置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものにお
いては、これまで、Ｔｅを主体とする材料を記録層とす
るものが大半をしめている。

しかし、近年、Ｔｅ系材料が有害であること、そしてよ
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Ｔｅ系にかえ、色素を主と
した有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や
報告が増加している。

例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザー用としては、スクワリリウ
ム色素〔特開昭５８−４８２２１号　Ｖ。

Ｂ、　ｊｉｐｓｏｎ　　ａｎｄ　　Ｃ，Ｒ，Ｊｏｎｅｓ
、　　Ｊ、Ｖａｃ。

Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、、　１８　（１）　１０５　
（１９８１）　）や、金属フタロシアニン色素（特開昭
５７−８２０９４号、同５７−８２０９５号）などを用
いるものがある。

また、金属フタロシアニン色素を半導体レーザー用とし
て使用した例（特開昭５１１ｆ−８６７９５号）もある
。

これらは、いずれも色素を蒸着により記録層薄膜とした
ものであり、媒体製造上、Ｔｅ系と大差はない。

しかし、色素蒸着膜のレーザーに対する反射率は一般に
小さく、反射光量のピットによる変化（減少）によって
読み出し信号をうる、現在性われている通常の方式では
、大きなＳ／Ｎ比をうることができない。

また、記録層を担持した透明基体を、記録層が対向する
ようにして一体化した、いわゆるエアーサンドイッチ構
造の媒体とし、基体をとおして書き込みおよび読み出し
を行うと、書き込み感度を下げずに記録層の保護ができ
、かつ記録密度も大きくなる点で有利であるが、このよ
うな記録再生方式も、色ｉ蒸着膜では不可能である。

これは１通常の透明樹脂製基体では、屈折率がある程度
の値をもち（ポリメチルメタクリレートで１　、５）　
、また１表面反射率がある程度大きく（同　４％）、記
録層の基体をとおしての反射率が１例えばポリメチルメ
タクリレートでは６０％程度以下になるため、低い反射
率しか示さない記録層では検出できないからである。

色素蒸着膜からなる記録層の、読み出しのＳ／Ｎ比を向
上させるためには、通常、基体と記録層との間に、Ａ文
等の蒸着反射膜を介在させている。

この場合、蒸着反射膜は１反射率を上げてＳ／Ｎ比を向
上させるためのものであり、ビット形成により反射膜が
露出して反射率が増大したり、あるいは場合によっては
、反射膜を除去して反射率を減少させるものであるが、
当然のことながら、基体をとおしての記録再生はできな
い。

同様に、特開昭５５−１８１Ｅ１９０号には、ＩＲ−１
３２色素（コダック社製）とポリ酢酸ビニルとからなる
記録層、また、特開昭５７−７４８４５号には、１．１
′−ジエチル−２，２”　−）リカルポシアニンイオダ
イドとニトロセルロースとからなる記録層、さらにはに
、Ｙ、Ｌａｗ、　ｅｔ　ａｔ、、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙ
ｓ。

Ｌｅｔｔ、　３９　（９）　７１Ｂ　（１９８１）には
、　３．３′−ジエチル−１２−アセチルチアテトラカ
ルボシアニンとポリ酢酸ビニルとからなる記録層など、
色素と樹脂とからなる記録層を塗布法によって設層した
媒体が開示されている。

しかし、これらの場合にも、基体と記録層との間に反射
膜を必要としており、基体裏面側からの記録再生ができ
ない点で、色素蒸着膜の場合と同様の欠点をもつ。

このように、基体をとおしての記録再生が可能であり、
Ｔｅ系材料からなる記録層をもつ媒体との互換性を有す
る、有機材料系の記録層をもつ媒体を実現するには、有
機材料自身が大きな反射率を示す必要がある。

しかし、従来、反射層を積層せずに、有機材料の単層に
て高い反射率を示す例はきわめて少ない。

わずかに、へナジルフタロシアニンの蒸着膜が高反射率
を示す旨が報告［Ｐ、Ｋｉｖｉｔｓ　、　ｅｔａｌ、。

Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　Ｐａｒｔ　Ａ　２Ｂ　（２）
　１０１　（１９８１）　、特開昭５５−９７０３３号
〕されているが、おそらく昇華温度が高いためであろう
と思われるが、書き込み感度が低い。

また、チアゾール系やキノリン系等のシアニン色素やメ
ロシアニン色素でも、高反射率が示される旨が報告〔山
木他、第２７回　応用物理学会予稿集　１ｐ−Ｐ−９（
１９８０）　）されており、これにもとづく提案が特開
昭５８−１１２７９０号になされているが、これら色素
は、特に塗膜として設層したときに、溶剤に対する溶解
度が小さく、また結晶化しやすく、さらには読み出し光
に対してきわめて不安定でただちに脱色してしまい、実
用に供しえない。

このような実状に鑑み１本発明者らは、先に、溶剤に対
する溶解度が高く、結晶化も少なく、かつ熱的に安定で
あって、塗膜の反射率が高いインドレニン系のシアニン
色素を単層膜として用いる旨を提案している（特願昭５
７−１３４３９７号、同　５７−１３４１７０号）。

また、インドレニン系、あるいはチアゾール系、キノリ
ン系、セレナゾール系等の他のシアニン色素においても
、長鎖アルキル基を分子中に導入して、溶解性の改善と
結晶化の防止がはかられることを提案している（＃願昭
５７−１８２５８９号、同　５７−１７７７７８号等）
。

さらに、光安定性をまし、特に読み出し光による脱色（
再生劣化）を防止するために、シアニン色素にクエンチ
ャ−を添加する旨の提案を行っている（特願昭５７−１
８８８３２号、同５７−１１１！８０４８号等）。

さらに、スチリル系、インドリル系、ビリリウム、チア
ピリリウム、セレナピリリウムないしテルロピリリウム
系、ポリメチン系等の色素にクエンチャ−を添加して、
再生劣化が減少する旨の提案も行っている（特願昭５８
−１８１３５７号、同　５８−１８１３８８号、同　５
８−１８１３８９号、同５８−１８３４５４号、同５８
−１８３４５５号、同５日−１１３３４５１３号）。

また、さらに、再生劣化がきわめて少なく、耐湿性が良
好な記録層として、色素カチオンとクエンチャ−アニオ
ンとの結合体を含む記録層の提案も行っている（特願昭
５９−１４８４８号等）。

このような記録層に含まれる種々の色素の中で、ナフタ
ロシアニン化合物は、光、熱、湿度、各種反応性ガス等
いずれに対しても安定であり、堅牢性に優れている。

しかし、ナフタロシアニン化合物を記録層として用いた
場合、近赤外および赤外域に吸収がなく、このような範
囲の記録光では、記録層への書き込みが困難であった。

ＩＩ　　発明の目的 本発明の目的は、光記録媒体を構成する記録層が、光、
熱、湿度、各種ガス等いずれに対しても安定であり、堅
牢性に優れ、しかも近赤外および赤外域の記録光によっ
ても使用可能で感度の良好な光記録媒体を提供すること
にある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、基体上に記録層を有する光記録媒
体において、記録層が下記式ＣＩ）で示される基および
／または下記式（ＩＩ）で示される基を有するナフタロ
シアニン化合物の少なくとも１種を含有することを特徴
とする光記録媒体である。

式ＣＩ）　　　　　−Ｘ＋　Ｒ 式（ＩＩ）　　　　　−ＸｔＱＸ２− （上記式（Ｉ）および（ＩＩ　）において、ｘｌおよび
ｘ２は、それぞれ、ＳまたはＯを表わす、　Ｒは一価の
基を表わし、Ｑは二価の基を表わす、） ■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光記録媒体の記録層は、下記の式（ｌで示され
る基および／または下記式（ＩＴ）で示される基を有す
るナフタロシアニン化合物の少なくとも１種を含有して
いる。

式（Ｉ）　　　　−ＸＩＲ 式（ＩＩ）　　　　−Ｘｔ　ＱＸ２− 上記式（１）および（ＩＩ）において。

ｘｌおよびｘ２は、それぞれＳまたは０を表わす。

Ｒは一価の基を表わし、Ｑは二価の基を表わす。

この場合式（Ｉ）で示される基の数をＸ、式（ＩＴ）で
示される基の数をｙとするとｘ＋２７は１〜２４である
。

このような中で、特に好ましいものは、下記式（■）〜
（ＩＴ）で表わされるナフタロシアニン化合物の１種以
上である。

式（ｍ） Ｍ−Ｎ　ｃ＋ＸＩ　　Ｒ）　　ｎ　（Ｙ）２４−　　ｎ
式（ＩＶ） Ｍ−Ｎ　ｃ（−Ｘｔ　　ＱＸ２　　）ａ（Ｘｔ　　Ｒ）
　　ｒｓ　　（Ｙ）　　２４−２　　ａ−ｒｍ上記式（
ＩＩＩ）および（Ｉ’ｒ）において、Ｎｃは下記構造式
（Ｖ）で表わされるナフタロシアニン核である。

式（Ｖ） 上記構造式（Ｖ）で−Ｘ１Ｒ。

−ＸＩＱＸ２−もしくはＹが置換する位置はｌ−位〜２
４−位のいずれかである。

Ｘ】およびｘ２はそれぞれ、Ｓまたは０を表わす。

Ｍは、ナフタロシアニン核の中心イオンを表わす。

中心イオンとしては、水素、金属ないし半金属、ハロゲ
ン化物、酸化物、硫化物等がある。

金属または半金属としては、例えば、Ｚｎ。

Ｐｂ、Ｃｕ、Ｎｉ　、Ｆｅ、Ｇｏ、Ｓｒ、Ｃａ。

Ｙｂ、Ｌｉ　、Ａｇ１Ｒｕ、Ｓｍ、Ｔｂ、ＤＹ。

Ｕ、Ｔｕ、Ｃ３，Ｐｄ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｉ
　、Ｐｔ　、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｂｅ、Ａｕ。

Ｖ　、　Ｓ　ｎ　、　Ｍ　ｇ　、　Ｔ　ｉ等；　であり
、このなかでＣｕ、Ｎｉ　、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、ＡＪＩ
。

ｐｔ　、ｖ、そして水素が好ましい。

ハロゲン化物としては、ＡｕＣｆＬ。

Ａ文Ｂｒ、ＡＪＩＩ　、ＧａＣＪｌ、ＧａＢｒ。

ＧａＩ、ＩｎＣＭ、ＩｎＦ、ＩｎＢｒ。

Ｉ　ｎＩ　、ＦｅＣ１、Ｓｎ０文２等がある。

＊た。ｓ化物トシテハ、ＶＯ，ＴｉＯ。

ＺｒＯ，ＴｈＯ，ＨｆＯ，ＯｓＯ，ＳｉＯ。

ＧｅＯ，ＳｎＯ，ＶＯ２ また、硫化物としては、Ｔｉｅ、ＶＳ等がある。

なお、さらにナフタロシアニン環の上下には、各種配位
子が配位してもよい。

Ｒは１価、Ｑは２価の基であって、炭素数１〜２０の置
換もしくは非置換の脂肪族基、脂環式基、例えば、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、
ペンチレン基、ヘキシレン基、ベンジル基、フェネチル
基、シクロヘキシル基、アリル基、ドデシル基、 −ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−、シクロヘキセン
基、Ｃ２Ｈ４’ＣＰ　、インプロペニル基、−ｃ２Ｈ４
−０文、　−ＣＨ２−Ｎ＝Ｈ２等； 炭素数６〜２４の置換もしくは非置換の芳香族基、例え
ば、フェニル基、トリル基、フェニレン基、ナフチレン
基、メ］・キシフェニル基、ナフチル基、塩化 フェニル基、キシリル基、　００Ｃ２Ｈｓ、＜＞　　Ｃ
Ｈ２Ｃｌ、−Ｃ）ＣＨ２０Ｈ、スチＩＪ　）Ｉｉ基、シ
ンナミル基、フェネチル基、メチルフェニｌ／ン基、０
Ｃ００ＣＨ３等； 置換もしくは非置換の複素環基、例えば、ピリジル基、
ピロリル基、キノリル基、フリル基、フルフリル基、フ
ェニル基、ピペリジル基、ピリミジル基等； である。

Ｙは、水素原子； ハロゲン原子、例えば、０文、Ｂｒ、Ｉ、Ｆ等： であり、なかでも、Ｈ，Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉが好ましい。

ｘｌおよびｘ２は、それぞれ、０または、Ｓである。

ｎは、１〜２４の正の整数を表わし、なかでも４〜２４
であることが好ましい。

文は１〜１２１ｍは０〜２２の正の整数を表わす。

以下に本発明のナフタロシアニン化合物の具体例を挙げ
る。

（１）オクタ−１，６−（４−メチル フェノキシ）−ＣｕＮｃ （２）オクタ−（メトキシ）−ＣｕＮｃ（３）オクタ−
（−０Ｃ２Ｈ５）−ＣｕＮｃ（４）オクタ−（−０Ｃ３
Ｈ７）−ＣｕＮｃ（５）オクタ−（−０Ｃ４Ｈｇ　）−
Ｈ２Ｎｃ（６）オクタ−（−ＱＯ）−ＣｕＮｃ （７）　オ’）ター　（−０−Ｃ＞　Ｃ２Ｈ５）ＣｏＮ
ｃ （８）オクタ−（−００ＣＭ）−Ｎ　ｉ　Ｎｃ（９）デ
カ−（−０００ＣＨ３） ＣｕＮｃ （ｌＯ）デカ−（−ＱＣｓ　Ｈｕ）−Ｈ２ＮｃＣｕＮｃ （１２）ペンタデカ−（−０Ｃ２Ｈｓ　）Ｈ２Ｎｃ （１３）ペンタデカ−（−０−Ｃ＞　ＣＯＯＣＨ３）Ｐ
ｂＮｃ （１４）ペンタデカー（−０Ｃ３Ｈ７）ＺｎＮｃ （１５）オクタ−（−０＜）−０ＣＨ３）Ｈ２Ｎｃ （１８）ペンタデカ−（−０＜））−ＣｏＮｃＣｕＮｃ （１８）ペンタデカ−（−０−Ｃ２Ｈｓ）　ＣｕＮｃ （１９）ペンタデカ−（−０−ＣＨ３）ＣｕＮｃ （２０）ペンタデカ−（−０−ＣＨ３）Ｈ２Ｎｃ （２１）ベンタデｊｙ　−（−０＜）−ＣＨ３）ＣｕＮ
ｃ （２２）ペンタデカ−（−０〇０ＣＨ３）　Ｈ２ＮＣ （２３）へキサデカ−（−Ｏ−Ｃ＞　）−ＣｕＮｃ（２
４）ヘ−１−＋１−デカ−（−０−Ｃ＞　ＣＨ３）Ｈ２
Ｎｃ （２５）へキサデカ−（−０−ＣＨ３）ＣｏＮｃ （２Ｇ）へキサデカ−（−０−Ｃ２Ｈｓ　）ＣｕＮｃ （２７）オクタ− （２日）オクタ− （２９）へキサデカ−（−０Ｃ３Ｈ７）ＦｅＮｃ ＣｕＮｃ （３１）オクタ− （−０−Ｃ２Ｈ５）テトラ− ジー（−０−Ｃ６Ｈ１２−０−） ＣｕＮｃ （３３）　ヘキ＋テカ−（−０−Ｃ＞　ＣＨ３）　％／
　−（３４）オクタ−２、５−（−０ＣＨ３）　−Ａｕ
Ｃ文Ｎｃ （３５）オクタ−１、６−（−〇Ｃ２Ｈｓ　）　−Ｉ　
ｎｃｌＮｃ （３Ｂ）オクタ−３，４−（−０−０）−ＧａＣ文Ｎｃ （３７）オクタ−１、４−（−０Ｃ３Ｈ７）　−Ｉ　　
ｎＢ　　ｒＮｃ （３８）オクタ−１、２−（−０Ｃ２Ｈｓ　）　−Ｔ又
　ＣＩＮｃ （３９）オクタ−３，４− （４０）デカ−（−００ＣＨ３） −Ａ　交　Ｃ文　Ｎｃ （４１）デカ−（−０−Ｃ２Ｈ５）Ａ文ＩＮｃａＣ１Ｎ
ｃ （４３）ペンタデカ−（−００Ｃ：旦）−ＩｎＣ文　Ｎ
ｃ （４４）ペンタデカ−（−０４：＞　ＯＣＨ３）−Ａ　
文　Ｃ文　Ｎｃ （４５）ペンタデカ−（−０〇０Ｃ２Ｈｓ　）−ＣａＢ
ｒＮｃ （４６）ペンタデカー（−０−Ｃ２Ｈｓ）ＩｎＩＮｃ （４７）ペンタデカ−（−０−Ｃ２Ｈｓ　）−ＧａＩＮ
ｃ −ＩｎＣ文　Ｎｃ （４９）へキサデカ−（−０＜））ＧａＣｕＮｃ（５０
）へキサデカ−（−０−Ｃ２Ｈｓ）−ＩｎＢｒＮｃ （５１）ヘキサデ、／Ｊ−（−０Ｃ３Ｈ７）−Ａ　文　
Ｃ交　Ｎｃ （５２）へキサデカ−（−０−Ｏ−ＣＨ３）−ＧａＢｒ
Ｎｃ （５３）へキサデカ−（−０＜）−ＣＪＩ）−ＡｕＢｒ
Ｎｃ （５４）ウンデカ−（−０−Ｃ２Ｈｓ）−ＩｎＣ文　Ｎ
ｃ （５５）オクタ−３，６− （−０−Ｃ２Ｈｓ）テトラ−４，５− ジー（−０−Ｃｓ　Ｈ＋ｏ　−０） −Ａ　文　Ｃ文　Ｎｃ （５７）へキサデカ−（−００ＣＨ３）モノ−（５８）
へブタデカ−（−０−Ｃ：２　Ｈ５）−Ｃｕｂａ（５９
）ノナデカ−（−０−Ｃ：Ｈ３）−Ｃ：ｏＮｃ（６０）
アイコサ−（−〇−−Ｃ＞　）−１ｃｕＮｃ（８１）ド
アイコサ−（０−Ｃ２Ｈ５）−Ｃｏｄｅ（６２）テトラ
アイコサ−（０−Ｃ２Ｈ５）−ＣｕＮｃ（６３）ペア　
’）　−（−０−０−）−ＶＯＮＣ（６４）ヘキサ−（
−０−Ｃ５Ｈｖ　）−ＴｉＯＮｃ（６５）オクタ−１，
６−（４−メチルフェノキシ）−ＶｏＮｃ （６６）オクタ−（メトキシ）−ＴｉＯＮｃ（ｌｌｉ７
）　オクタ−（−０Ｃ２Ｈｓ　）　−ＶＯＮｃ（６８）
オクタ−（−０Ｃ３Ｈ７）　−Ｔ　ｉ　ＯＮ　ｃ（８８
）オクタ−（−０Ｃ４Ｈ９）−３１ＯＮｃ（７０）オク
タ−（−００）−ＶＯＮｃ（７１）オクタ−（−００Ｃ
２Ｈｓ　）Ｔｉ０Ｎｃ （７２）オクタ−（−００−０文）−ＳｎＯＮｃ（７３
）デカ−（−０（＞　ＯＣＨ３）ＵＯ２Ｎｃ （７４）　オ’）９−　（−０Ｃ４Ｈ９）　−ＶＯＮｃ
（７５）オクタ−（−０−０−Ｃ２Ｈｓ　）ＶＯＮｃ （７６）デカ−（−〇・（：　５　）（１１）　−Ｓ　
１．　ＯＮ　Ｃ−５１ＯＮｃ （７日）ペンタデカ−（−０Ｃ２Ｈ５）ＶＯＮｃ （７９）ペンタデカ−（−０〇ＣＯＯＣＨ３）５ｎＯＮ
ｃ （８０）ペンタデカ−（−０Ｃ３Ｈ７）Ｔｉ０Ｎｃ （８１）＊’）９−　（−０００ＣＨ３）５ｎＯＮｃ ＶＯＮｃ （８３）オクタ−（−０−０−ＯＣＨ３）ＵＯ２Ｎｃ （８４）ペンタデカ−（−ＣＩ−−０−ｃｏａｃＨ３）
５ｉＯＮｃ （８５）ヘ−１−ｔデカ−（−０−Ｑ　）−ＶＯＮ　Ｃ
（８６）オクタ− ＶＯＮｃ ジー（−０−Ｃｓ　Ｈ１２−０−） ５ｉＯＮｃ （８Ｓ）オクタ−３，４−（−００）−ｎＯＮｃ ジー（−０−Ｃ６Ｈ１２−０−） −ＵＯ２Ｎｃ （９１）デカ−（−００ＣＨ３） Ｔｉ０Ｎｃ （９２）デカ−（−０−Ｃ２Ｈｓ　）　−５ｎ０Ｎｃ（
９３）ペンタデカ−（−０−Ｃ２Ｈｓ）ＶＯＮｃ （９４）ペンタデカ−（−０−Ｃ２Ｈｓ）５ｉＯＮｃ （９５）へキサデカ−（−０−Ｃ２Ｈ５）Ｔｉ０Ｎｃ （Ｈ）へ＋サデｔｙ−（−００ＣＨ３）ＶＯＮｃ （９７）　オクタ−１、６−（−０ＣＨ３）−Ａ　文　
Ｃ！；Ｌ　Ｎｃ （９８）オクタ−２、５−（−０Ｃ２Ｈｓ　）−Ｉ　　
ｎｃ　　ｉ　Ｎｃ （９９）オクタ−２、５−（−０−０−）−ＧａＣ文　
Ｎｃ （１００）オクタ−３、４−（−０Ｃ２Ｈ５）−Ａ　立
　Ｃ立　Ｎｃ （１０１）　オフ’）　−１、２−（−０Ｃ３Ｈ７）−
ＩｎＣ文　Ｎｃ （１０２）オクタ−１、４−（−０−Ｃ＞　ＣＨ３）−
Ａ　文　ＢｒＮｃ （１０３）デカ−（−００ＣＪＬ）Ｉ　ｎＣ文Ｎｃ（＋
０４）デカ−（−０〇０ＣＨ３）　Ｇ　ａ　Ｉ　Ｎ　ｃ
（１０５）　ウ７デｊｙ−（−０〇０Ｃ２Ｈｓ　）−Ｔ
　立　Ｃ！；Ｌ　Ｎｃ （１０Ｂ）ペンタデカ−（−０−Ｑ−Ｃ００ＣＨ３）−
Ａ　　ｆＬ　Ｃ文　Ｎｃ （１０７）ペンタデカ−（−００ＣＯＣｆＬ）−ＧａＢ
ｒＮｃ （１０Ｂ）ペンタデカ−（−０−０−ＮＭｅｚ　）−Ｉ
ｎＩＮｃ （１０９）へキサデカ−（−０−Ｃ２Ｈ５）−ＩｎＣＬ
；Ｌ　Ｎｃ −ＩｎＣ又　Ｎｃ （Ｉｌｌ）ヘキサデカ−（−０−Ｃ３Ｈ７）−ＧａＢｒ
Ｎｃ （＋１２）　へキサデカ−（−０−Ｃ３Ｈ７）−Ａ　交
　Ｂ　　ｒＮｃ （１１３）　　ドデカ−（−０００ＣＨ３）−ＩｎＣ１
Ｎｃ （＋１４）へキサデカ−（−００ＣＨ３）−ＩｎＢｒＮ
ｃ （＋１５）　ヘｔ−ｆデカ−（−ｏ−０−Ｃｌ）ａＩＮ
ｃ （１１Ｂ）ヘキサデカ−（−〇−ＣＨ３）−Ａ　　Ａ、
Ｂ　　ｒＮｃ （１１７）　オフ’）−３、６−（−０−Ｃ２Ｈｓ　）
−ＡｕＣ文　Ｎｃ ジ（−０−Ｃｓ　Ｈ＋ｏ−０）　−Ｉ　ｎｃｌＮｃ（１
１９）へキサデカ−（−００ＣＨ３）ＣｕＮｃ （１２０）オクタ−１、６−（−Ｓ＜）　　ＣＨ３）Ｃ
ｕＰＮｃ （１２１）オクタ−（−５ＣＨ３）　−ＣｕＮｃ（１２
２）オクタ−（−５Ｃ２Ｈ５）−ＣｕＮｃ（１２３）オ
クタ−（−５Ｃ３Ｈ７）−ＣｕＮｃ（１２４）オクタ−
（−５Ｃ４Ｈｇ　）−Ｈ２Ｎｃ（１２５）オクタ−（−
５−Ｃ＞　）−ＣｕＮｃ（１２８）オクタ−（Ｓ＜＞　
Ｃ２Ｈｓ　）ＣｏＮｃ （１２７）オクタ−（−５０Ｃ文）−ＮｉＮｃ（＋２８
）　デカ−（−５−ｃｌ−５ＣＨ３）ＣｕＮＣ （１２９）デカ−（−５Ｃ５Ｈｌｊ）−Ｈ２ＮｃＣｕＮ
Ｃ （１３１）ペンタデカ−（−３Ｃ２Ｈｓ）Ｈ２Ｎｃ （１３２）ペンタデカ−（−Ｓ　−Ｃ＞　ＣＯＯＣＨ３
）ＰｂＮｃ （１３３）ペンタデカ−（−３Ｃ３Ｈ７）ＺｎＮｃ （１３４）オクタ−（−３Ｏ３ＣＨ３）（１３５）ペン
タデカ−（−Ｓ＜））−ＣＯＮＣＣｕＮｃ （１３？）ペンタデカ−（−３−Ｃ２Ｈｓ）ＣｕＮｃ （１３Ｂ）ペンタデカ−（−Ｓ−ＣＨ３）ＣｕＮｃ （１３９）ペンタデカ−（−３−Ｃ）Ｉ３）Ｈ２Ｎｃ （１４０）ペンタデカ−（−３−０−ＣＨ３）ＣｕＮｃ （１４１）ペンタデカ−（−Ｓ（）　Ｓ　ＣＨ３）Ｈ２
Ｎｃ （１４２）　へキサデカ−（５Ｏ）−ＣｕＮｃ（１４３
）へキサデカ−（−Ｓ−０−ＣＨ３）Ｈ２Ｎｃ （１４４）へキサデカ−（−３−ＣＨ３）ＣｕＮｃ （＋４５）へキサデカ−（−３−Ｃ２Ｈｓ）ＣｕＮｃ （１４Ｂ）オクタ− （１４７）オクタ− （１４８）へキサデカ−（−ＳＣ３Ｈ７）ＦｅＮｃ ＣｕＮｃ （１５０）オクタ− （−Ｓ−Ｃ２Ｈ５）テトラ− ジー（−Ｓ　−Ｃａ　Ｈ１２−Ｓ　−）　ＣｕＮｃ （＋５２）へキサデカ−（−Ｓ−Ｃ＞　ＣＨ３）モノー
（＋５３）オクタ−２、５−（−ＳＣＨ３）−Ａ　立　
ＣＡ、ＮＣ （１５４）−に’）ター１．６　　（−３Ｃ２Ｈ５）−
ＩｎＣ文　Ｎｃ （ｉ５５）オクタ−３，４−（−ＳＯ）　−ＧａＣ立　
Ｎｃ （己５６）オクタ−１、４−（−ＳＣ３Ｈ７）　−ｎＢ
ｒＮｃ （＋５７）オクタ−１、２−（−３Ｃ２Ｈｓ　）　−Ｔ
　文　Ｃ見　Ｎｃ （＋５８）オクタ−３，４− （１５９）デカ−（−５−０−ＣＨ３）−ＡｉＣ文　Ｎ
ｃ （１６０）デカ−（−３−Ｃ２Ｈ５）−Ａ文ＩＮｃＧａ
Ｃ又　Ｎｃ （１８２）ペンタデカ−（−５０ＣＭ）−Ｉ　　ｎｃ　
　ｆＬ　Ｎｃ （１６３）ペンタデカ−（−３Ｏ３ＣＨ３）−Ａ　文　
Ｃ文　Ｎｃ （ＩＥ１４）ペンタデカ−（−Ｓ−Ｃ！＋　Ｓ　Ｃ２Ｈ
５）−ＣａＢｒＮｃ （１８５）ペンタデカ−（−Ｓ−Ｃ２Ｈｓ）ＩｎＩＮｃ （ＩＨ）ペンタデカ−（−５−Ｃ２Ｈｓ）ＧａＩＮｃ −ＩｎＣ文　Ｎｃ （＋６８）へキサデカ−（−５０，） −ＧａＣ文　Ｎｃ （ＩＨ）ヘキサデカ−（−Ｓ−Ｃ２Ｈｓ）＝ＩｎＢｒＮ
ｃ （＋７０）へキサデカ−（−ＳＣ３Ｈ７）−Ａ　旦　Ｃ
交　Ｎｃ （＋７１）へキサデカ−（−３＜）ＣＨ３）−ＧａＢｒ
Ｎｃ （１７２）へキサデカ−（−３ＯＣｆＬ）−ＡｆＬＢ　
　ｒＮｃ （＋７３）ウンデカ−（−５−Ｃ２Ｈｓ）−ＩｎＣｉＮ
Ｃ （＋７４）オクタ−３，６− （−５−Ｃ２Ｈ５）テトラ−４，５− ジー（−Ｓ−ＣｓＨ＋ｏ−３） −Ａ　立　Ｃ文　Ｎｃ （１７８）へキサデカ−（−Ｓ＜）ＣＨ３）モノ〜（１
７７）へブタデカ−（−３−Ｃ２Ｈｓ　）　−ｕＮｃ （１７Ｂ）ノナデカ−（−５−ＣＨ３）−ｏＮｃ （１７９）アイコサ−（−Ｓ−８）− ｕＮｃ （１８０）　　ドアイコサ−（−５−Ｃ２Ｈｓ）−ｏＮ
ｃ （１８１）テトラアイコサ＝（−３−Ｃ２Ｈ５）ｕＮｃ （＋８２）ペンタ−（−５−Ｑ　）−ＶＯＮｃ（＋８３
）ヘキサ−（−３−ＣｓＨｕ）−ＴｉＯＮｃ （１８４）オクタ−１、６−（−Ｓ　−−Ｃ＞　ＣＨ３
）ＶｏＮｃ Ｃ１８５）オクタ−（−３ＣＨ３）　−Ｔ　ｉ　ＯＮ　
ｃ（１８６）オクタ−（−ＳＣ２Ｈ５）−ＶＯＮｃ（＋
３７）オクタ−（−５Ｃ３Ｈ７）−ＴｉＯＮｃ（１８８
）オクタ−（−３Ｃ４Ｈ９）　−３ｉ　０Ｎｃ（１８９
）　オ’）ター　（−８Ｏ）−ＶＯＮｃ（１９０）オク
タ−（−５０Ｃ２Ｈ５）−Ｔ　　ｉ　　ＯＮ　　ｃ （＋９１）オクタ−（−Ｓ　０Ｃｌ　）　−Ｓ　ｎ　Ｏ
Ｎ　ｃ（１９２）デカ−（−５Ｏ５ＣＨ３） ＵＯ２Ｎｃ ｉ１９３）オクタ−（−ＳＣ４Ｈ９） ＵＯＮｃ （１９４）オクタ−（５０Ｃ２Ｈ５） 　ＶＯＮｃ （１９５）デカ−（−ＳＣ５ＨＩｌ）−３ｉＯＮｃ５ｉ
ＯＮｃ （１９７）ペンタデカ−（−ＳＣ２Ｈｓ）ＶＯＮｃ （１９８）ペンタデカ−（−Ｓ−０−ＣＯＯＣＨ３）５
ｎＯＮｃ （１９９）ペンタデカ−（−３Ｃ３Ｈ７）−Ｔ　　ｉ　
　ＯＮ　　ｃ （２００）オクタ−（−５−Ｑ−Ｓ　ＣＨ３）−５ｎＯ
Ｎｃ ＶＯＮｃ （２０２）オクタ−（−３−−０−−５ＣＨ３）ＵＯ２
Ｎｃ （２０３）ペンタデカー（−５−−０−−ＣＯＯＣＨ３
）−３ｉＯＮｃ （２０４）へキサデカ−（−５Ｏ）−ＶＯＮｃ（２０５
）オクタ− −ＶＯＮ　　ｃ ジー（−５−Ｃ６Ｈ１２−５−） ５ｉＯＮｃ （２０８）オクタ−３，４−（−Ｓ＜））−ｎ０Ｎｃ ジー（−Ｓ−Ｃ６Ｈ１！−Ｓ　−） −ＵＯ２Ｎｃ （２１０）デカ−（−３＜＞ＣＨ３） −Ｔ　　ｉ　　ＯＮ　　Ｃ （２１１）デカ−（−３−Ｃ２Ｈ５）　−３ｎ０Ｎｃ（
２］２）ペンタデカ−（−Ｓ−Ｃ２Ｈｓ）ＶＯＮＣ （２１３）ペンタデカ−（−Ｓ−Ｃ２Ｈｓ）５ｉＯＮｃ （２１４）へキサデカ−（−５−Ｃ２Ｈｓ）Ｔｉ０Ｎｃ （２１５）へキサデカ−（−Ｓ＜）ＣＨ３）ＶＯＮＣ （２１６）オクタ−１，６−（−３ＣＨ３）−Ａ　文　
Ｃ交　Ｎｃ （２１？）オクタ−２、５−（−３Ｃ２Ｈ５）＝　Ｉｎ
Ｃ文　Ｎｃ （２１８）オクタ−２、５−（−５−−０−）−Ｇ　　
ａＣ文　Ｎｃ （２１９）オクタ−３、４−（−ＳＣ２Ｈｓ　）−Ａ　
交　Ｃ交　Ｎｃ （２２０）オクタ−１、２−（−５Ｃ３Ｈ７）−ＩｎＣ
交　Ｎｃ （２２１）オクタ−１、４−（−Ｓ−１０−ＣＨ３）−
Ａ　文　ＢｒＮｃ （２２２）デカ−（−５−０−０文）−Ｉ　ｎｃｉＮｃ
（２２３）デカ−（−Ｓ’Ｃ＞　ＯＣＨ３）ＧａＩＮｃ （２２４）　ｆｙ　７デカー（−Ｓ００Ｃ２Ｈ５）−Ｔ
　ｆＬ　ｃ　　文　Ｎｃ （２２５）ペンタデーｈ　−（−Ｓ　（）　ＣＯＯＣＨ
３）−Ａ　文　ＣＩＮｃ （２２１３）ペンタデカ−（−５−０”０００文）−Ｇ
ａＢｒＮｃ （２２７）ペンタデカー（−Ｓ（）−ＮＭｅｚ　）−Ｉ
ｎＩＮｃ （２２８）へキサデカ−（−５−Ｃ２Ｈｓ）−Ｉ　　ｎ
ｃｌＮｃ −ＩｎＣ又　Ｎｃ （２３０）ヘキサデカ−（−３−Ｃ３Ｈ７）−ＧａＢｒ
ＮＣ （２３１）へキサデカ−（−３−Ｃ３Ｈ７）−Ａ　　ｆ
Ｌ　Ｂ　　ｒＮｃ （２３２）　　ドデカ−（−５００ＣＨ３）−Ｉ　　ｎ
ｃｉＮｃ （２３３）へキサデカ−（−ＳＯＣＨ３）−ＩｎＢｒＮ
ｃ （２３４）ヘキサデカ−（−３ａｃ文）Ｇａ１ＮＧ （２３５）へキサデカ−（−３−ＣＨ３）−Ａ　文　Ｂ
ｒＮｃ （２３Ｇ）オクタ−３，６−（−５−Ｃ２Ｈ５）−Ａ　
見　Ｃ立　Ｎｃ ジ（−３−Ｃ５Ｈ＋ｏ　　Ｓ）　−Ｉ　ｎｃｌＮｃ（２
３８）へキサデカ−（−５０ＣＨ３）ＣｕＮｃ （２３９）へキサ（−５ＣＨ３）へキサ（−Ｓ　Ｏ）オ
クタ（−０Ｃ２Ｈｓ） ＣｕＮｃ （２４０）テトラ（−Ｓ　Ｏ）へキサ （−ＳＣ２Ｈ５）オクタ （−０Ｃ２Ｈ５）　−Ｃｏ　Ｎ　ｃ （２４１）へキサ（−ＳＯ）オクタ （−０Ｃ２Ｈｓ　）　−Ｖ　ＯＮ　ｃ （２４２）テトラ（−５Ｃ２Ｈｓ）テトラ（−ＱＱ　）
−ＶＯＮｃ 本発明のナフタロシアニン化合物は、一般に次のスキー
ムに従う方法で合成することができる。

スキームエ ｎＲＸ”’Ｋ”　　＋　　ＭＮｃ　（Ｙ）＋５１６０〜
１９０℃、２ｈｒ　　Ｍ−Ｎｃ＋ｘＲ）　ｎ　（Ｙ）　
ＩＢ−ｎ　リ■励この方法を用いた場合の反応生成物の
精製は次のように行う。

反応生成物を１００℃に冷却し、エタノールで希釈した
後、室温に戻して濾過する。　この濾別したものをエタ
ノールで洗浄し、さらにエタノール−水溶液で洗浄し、
乾燥する。　こうして得られた粗生成物をシリカカラム
でトルエンや、クロロホルム等によって展開し１分離し
て精製する。

この場合の反応生成物の精製は、スキーム１と同様に行
う。

ｃｉ この場合の反応生成物の精製は、スキーム１と同様に行
う。

次に、本発明のナフタロシアニン化合物の合成例を挙げ
る。

合成例１．　　八　　　　３ エタノール　１２ｇとＫＯＨ６ｇとをキノリン中で１４
５℃にて２時間反応させた。

これにＣｕＮｃ（０文）】６を加え、１５０〜１８０℃
にて３時間反応させた。　得られた反応生成物を１００
℃に冷却した後、エタノール（Ｅ　ｔ　ＯＨ）で希釈し
て室温に戻し、濾過した。　濾別したものをＥｔＯＨで
洗浄し、さらにＥ　ｔ　０Ｈ−Ｈ２０（１：　１）溶液
で洗浄し、乾燥した。

このようにして得られた粗生成物をシリカカラムでトル
エンによって展開し、分離、精製した。　これを２回繰
り返して目的物を得た。

構造は元素分析で固定した。

合成例２．　　六Ｉ　　　　１３７ １モルとエタンチオール（ＥｔＳＨ）６モルとを１３５
℃で３時間反応させ、 を得た。　この化合物４モルに Ｌｆ”　（ＯＣ５ＨＨ）−３モルを加えて、１３０℃で
２．５時間反応させ、 Ｌ　ｉ２　Ｎｃ（−９ＥＬ）１５を得た。　さらに、こ
の化合物１モルにＣｕＣｌ２１モルを加えてアミルアル
コール中で１２５℃で２時間反応させ、目的物を得た。

精製は合成例１と同様に行なった。

固定は元素分析によって行った。

このようなナフタロシアニン化合物は、２種以上用いて
もよい。　また本発明の効果をそこなわない範囲で、他
の色素と組み合わせて記録層を形成してもよい。

記録層中には、必要に応じ、樹脂が含まれていてもよい
。

用いる樹脂としては、自己酸化性、解重合性ないし熱可
塑性樹脂が好適である。

これらのうち、特に好適に用いることができる熱可塑性
樹脂には、以下のようなものがある。

Ｉ）ポリオレフィン ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メチルペンテ
ン−１など。

爾）ポリオレフィン共重合体 例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ア
クリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重
合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテ
ン−１共玉合体、エチレン−無水マレイン酸共重合体、
エチレンプロピレンターポリマー（ＥＦＴ）など。

この場合、コモノマーの重合比は任意のものとすること
ができる。

１ｉｉ）塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニル
−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−無水マレイン
酸共重合体、アクリル酸エステルないしメタアクリル酸
エステルと塩化ビニルとの共重合体、アクリロニトリル
−塩化ビニル共重合体、塩化ビニルエーテル共重合体、
エチレンないしプロピレン−塩化ビニル共重合体、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニルをグラフト重合
したものなど。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

ｉｖ）塩化ビニリデン共重合体 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−塩化ビニル−７クリロニトリル共重合体、塩化ビニリ
デン−ブタジェン−ハロゲン化ビニル共重合体など。

この場合、共重合比は、任意のものどすることができる
。

マ）ポリスチレン マｉ）スチレン共重合体 例えば、スチレン−アクリロニトリル共重合体（ＡＳ樹
脂）、スチレン−アクリロニトリル−ブタジェン共重合
体（ＡＢＳ樹脂）、スチレン−無水マレイン酸共重合体
（ＳＭＡ樹脂）、スチレン−アクリル酸エステル−アク
リルアミド共重合体、ス′チレンーブタジエン共重合体
（ＳＢＲ）、スチレン−塩化ビニリデン共重合体、スチ
レン−メチルメタアクリレート共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとするこマ目）スチレ
ン型重合体 例えば、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、２
．５−ジクロルスチレン、α。

β−ビニルナフタレン、α−ビニルピリジン、アセナフ
テン、ビニルアントラセンなど、あるいはこれらの共重
合体、例えば、α−メチルスチレンとメタクリル酸エス
テルとの共重合体。

マｉ爾）クマロン−インデン樹脂 クマロン−インデン−スチレンの共重合体。

ｉｚ）テルペン樹脂ないしピコライト 例えば、α−ピネンから得られるリモネンの重合体であ
るテルペン樹脂や、β−ピネンから得られるピコライト
。

りアクリル樹脂 特に下記式で示される原子団を含むものが好ましい。

式　　　　　　　　　Ｒ１゜ ＣＨ−Ｃ− −０Ｒ２０ ■ 上記式において１Ｒ＋Ｏは、水素原子またはアルキル基
を表わし１Ｒ２１１は、置換または非置換のアルキル基
を表わす。　この場合、上記式において１Ｒ１０は、水
素原子または炭素原子数１〜４の低級アルキル基、特に
水素原子またはメチル基であることが好ましい。

また１Ｒｈｏは、置換、非置換いずれのアルキル基であ
ってもよいが、アルキル基の炭素原子数は１〜８である
ことが好ましく、また、Ｒ２０が置換アルキル基である
ときには、アルキル基を置換する置換基は、水酸基、ハ
ロゲン原子またはアミノ基（特に、ジアルキルアミノ基
）であることが好ましい。

このような上記式で示される原子団は、他のくりかえし
原子団とともに、共重合体を形成して各種アクリル樹脂
をＭＩ！成してもよいが、通常は、上記式で示される原
子団の１種または２種以上をくりかえし単位とする単独
重合体または共重合体を形成してアクリル樹脂を構成す
ることになる。

とができる。

ｘｉ）ポリアクリロニトリル ｘｉｉ）アクリロニトリル共重合体 重合体、アクリロニトリル−塩化ビニル共重合体、アク
リロニトリル−スチレン共重合体、アクリロこトリル−
塩化ビニリデン共重合体、アクリロニトリル−ビニルピ
リジン共重合体、アクリロニトリル−メタクリル酸メチ
ル共重合体、アクリロニトリル−ブタジェン共重合体、
アクリロニトリル−アクリル酸ブチル共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

ｘｉｉｉ）ダイアセトンアクリルアミドポリマーアクリ
ロニトリルにアセトンを作用させたダイア七トンアクリ
ルアミドポリマー。

ｘｉｉ）ポリ酢酸ビニル Ｘマ）酢酸ビニル共重合体 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテル、エチレ
ン、塩化ビニル等との共重合体など。

共重合比は任意のものであってよい。

例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチル
エーテル、ポリビニルブチルエーテルなど。

ｘｖｉｉ）ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン６、ナイロン
６−６、ナイロン５−ｔＯ。

ナイロン６−１２．ナイロン９、ナイロン１１、ナイロ
ンエ２、ナイロン１３等の通常のホモナイロンの他、ナ
イロン６／６−６／６−１０、ナイロン６／６−６７１
２．ナイロン６／６−６／１１等の重合体や、場合によ
っては変性ナイロンであってもよい。

にマ１ｉｉ）ポリエステル 例えば、シュウ酸、コハク酸、マレイン酸、アジピン酸
、セバステン醜等の脂肪族二塩基酸、あるいはイソフタ
ル酸、テレフタル酸などの芳香族二塩基酸などの各種二
塩基酸と、エチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレングリコール等のグリコール類との
縮合物や、共縮合物が好適である。

そして、これらのうちでは、特に脂肪族二塩基酸とグリ
コール類との縮合物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸
との共縮合物は、特に好適である。

さらに１例えば、無水フタル酸とグリセリンとの縮合物
であるグリプタル樹脂を、脂肪醜、天然樹脂等でエステ
ル化変性した変性グリプタル樹脂等も好適に使用される
。

ｘｉｘ）ポリビニルアセタール系樹脂 ポリビニルアルコールを、アセタール化して得られるポ
リビニルホルマール、ポリビニルアセタール系樹脂はい
ずれも好適に使用される。

この場合、ポリビニルアセタール系樹脂のアセタール化
度は任意のものとすることができる。

！りポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹脂。

特に、グリコール類とジイソシアナート類との縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂、とりわけ、アルキレン
グリコールとアルキレンジイソシアナートとの縮合によ
って得らするポリウレタン樹脂が好適である。

ｔｘｉ）ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの開環重合物
、ポリエチレンオキサイドおよびグリコール、ポリプロ
ピレンオキサイドおよびグリコール、プロピレンオキサ
イド−エチレンオキサイド共重合体、ポリフェニレンオ
キサイドなど。

！πｉｉ）セルロース誘導体 例えば、ニトロセルロース、アセチルセルロース、エチ
ルセルロース、アセチルブチルセルロース、ヒドロキシ
エチルセルロース。

ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、エ
チルヒドロキシエチルセルロースなど、セルロースの各
種エステル、エーテルないしこれらの混合体。

ｘｘｉｉｉ）ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフェニルメタンカーボネート、
ジオキシジフェニルプロパンカーポネート等の各種ポリ
カーボネート。

ｔｘｉマ）アイオノマー メタクリル醜、アクリル酸などのＮａ。

Ｌｉ、Ｚｎ、Ｍｇ塩など。

ＸＸマ）ケトン樹脂 Ｈえば、シクロヘキサノンやアセトフェノン等の環状ケ
トンとホルムアルデヒドとの縮合物。

ｘｘｖｉ）キシレン樹脂 例えば、ｍ−キシレンまたはメシチレンとホルマリンと
の縮合物、あるいはその変性体。

ｘｘｖｉｉ）石油樹脂 Ｃ５系、ｃｇ系、Ｃ５−ｃｇ共重合系、ジシクロペンタ
ジェン系、あるいは、これらの共重合体ないし変性体な
ど。

ｘｘｖｉｉｉ）ｈ記　ｉ）　〜Ｂｖｉｉ）の２種以上の
ブレンド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレンド
体。

なお、樹脂の分子量等は、種々のものであってよい。

このような樹脂と、前記の色素とは、通常、重量比で１
対０．１〜１００の広範な量比にて設層される。

なお、このような記録層中には、別途能のクエンチャ−
１例えば、特願昭５８−１８１３Ｈ号等に記載したもの
が含有されてもよい。

このような記録層を設層するには、一般に常法に従い塗
設すればよい。

そして、記録層の厚さは、通常、０．０２〜１０ルｍ程
度とされる。

なお、このような記録層には、この他、他の色素や、他
のポリマーないしオリゴマー、各種可塑剤、界面活性剤
、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤、酸化防
止剤、そして架橋剤等が含有されていてもよい。

このような記録層を設層するには、基体上に、所定の溶
媒を用いて塗布、乾燥すればよい。

なお、塗布に用いる溶媒としては、例えば、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピトール
アセテート、ブチルカルピトールアセテート等のエステ
ル系、メチルセロンルブ、エチルセロソルブ等のエーテ
ル系、ないしトルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロ
ロエタン等のハロゲン化アルキル系、アルカン系、脂環
系、アルコール系などを用いればよい。

このような記録層を設層する基体の材質としては、書き
込み光および読み出し光に対し実質的に透明なものであ
れば、特に制限はなく、各種樹脂、ガラス等いずれであ
ってもよい。

また、その形状は使用用途に応じ、テープ、カード、ド
ラム、ベルト等いずれであってもよい。

なお、基体は、通常、トラッキング用の溝を有する。

また、基体用の樹脂材質としては、ポリメチルメタクリ
レート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリサル７オン樹脂、ポリエーテルサルフォン
、メチルペンテンポリマー等の、みぞ付きないしみぞな
し基体が好適である。

これらの基体には、耐溶剤性、ぬれ性、表面張力、熱伝
導度等を改善するために、基体上に下地層を形成するこ
とが好ましい、　下地層の材質としては、Ｓｉ　、Ｔｆ
　、Ａ１．Ｚｒ。

Ｉｎ、Ｎｉ、Ｔａ等の有機錯化合物や有機多官能性化合
物を塗布、加熱乾燥して形成された酸化物であることが
好ましい。

この他、各種感光性樹脂等下地層として用いることもで
きる。

また、記録層上には、必要に応じ、各種最上層保、護層
、ハーフミラ一層などを設けることもできる。

本発明の媒体は、このような基体の一面上に上記の記録
層を有するものであってもよく、その両面に記録層を有
するものであってもよい。

また、基体の一面上に記録層を塗設したものを２つ用い
、それらを記録層が向かいあうようにして、所定の間隙
をもって対向させ、それを密閉したりして、ホコリやキ
ズがつかないようにすることもできる。

また、このような所定の間隙に、シリコーン樹脂等を充
填して、密着型にすることもできる。

■　発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において記録光をパ
ルス状に照射する。　このとき記録層中の色素の発熱に
より１色素が融解等し、ビットが形成される。

このように形成されたビットは、やはり媒体の走行ない
し回転下、読み出し光の反射光ないし透過光、特に反射
光を検出することにより読み出される。

この場合、記録および読み出しは、主に、基体側から基
体をとおして行う。

そして、一旦記録層に形成したビットを光ないし熱で消
去し、再書き込みを行うこともできる。

なお、記録ないし読み出し光としては、半導体レーザー
等を用いることができる。

■　発明の具体的効果 本発明によれば、読み出し光による再生劣化がきわめて
小さくなる。

そして、耐光性も向上し、明室保存による特性劣化が少
なく、さらに耐熱性、耐酸化性、耐湿性、耐ガス性にも
優れる。

そして、消去および再書き込みを行うようなときにも特
性の劣化が少ない、さらには、保存性も向上する。

また、近赤外および赤外域の記録光によっても、容易に
書き込みができて感度も向上する。

また、反射層を積層しなくても、基体をとおして書き込
みと読み出しまたは消去を良好に行うことができる。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ 下記表１に示されるナフタロシアニン化合物を用い、ナ
フタロシアニン化合物０．０５ｇをトルエン等の有機溶
剤２．７ｇに溶解して、濾過した後、直径３０ｃｍの案
内溝付アクリルディスク基板（Ｓｉ系オーバーコート層
付）上に、０．０７ｐｍの厚さにスピンナーを用いて塗
布設層して、各種媒体をえた。

なお、用いたナフタロシアニン化合物は上記にて例示し
たＮｏ、のちのを用いた。

このようにして作製した各媒体を、９００ｒ、ｐ、ｍ、
にて回転させながら、半導体レーザーを用いて、基板裏
面側から書き込みを行った。

この場合、集光部出力は１０ｍＷ、周波数は２ＭＨｚで
ある。

次いで、半導体レーザーを読み出し光とし、基板をとお
しての反射光を検出してヒユーレットバラカード社製の
スペクトラムアナライザーにて、バンド巾３０ＫＨｚで
Ｃ／Ｎ比を測定した。

これらの結果を表１に示す。

表１の結果から、本発明の効果があきらかである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に記録層を有する光記録媒体において、記
   録層が下記式（ I ）で示される基および／または下記
   式（II）で示される基を有するナフタロシアニン化合物
   の少なくとも１種を含有することを特徴とする光記録媒
   体。 式（ I ）−Ｘ＿１Ｒ 式（II）−Ｘ＿１ＱＸ＿２− ｛上記式（ I ）および（II）において、 Ｘ＿１およびＸ＿２は、それぞれ、ＳまたはＯを表わす
   、Ｒは一価の基を表わし、Ｑは二価の基を表わす。｝