JPH0316916B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光
記録媒体に関する。 先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出し
ヘツドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化
しないという特徴をもち、このため、種々の光記
録媒体の開発研究が行われている。 このような光記録媒体のうち、暗室による現像
処理が不要である等の点で、ヒートモード光記録
媒体の開発が活発になつている。 このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱
として利用する光記録媒体であり、その１例とし
て、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除
去等して、ピツトと称される小穴を形成して書き
込みを行い、このピツトにより情報を記録し、こ
のピツトを読み出し光で検出して読み出しを行う
ピツト形成タイプのものがある。 このようなピツト形成タイプの媒体、特にその
うち、装置を小型化できる半導体レーザーを光源
とするものにおいては、これまで、Teを主体と
する材料を記録層とするものが大半をしめてい
る。 しかし、近年、Te系材料が有害であること、
そしてより高感度化する必要があること、より製
造コストを安価にする必要があることから、Te
系にかえ、色素を主とした有機材料系の記録層を
用いる媒体についての提案や報告が増加してい
る。 例えば、He−Neレーザー用としては、スクワ
リリウム色素〔特開昭56−46221号V.B.Jipson
and C.R.Jones、J.Vac.Sci.Technol.、18(1)105
（1981）〕や、金属フタロシアニン色素（特開昭57
−82094号、同57−82095号）などを用いるものが
ある。 また、金属フタロシアニン色素を半導体レーザ
ー用として使用した例（特開昭56−86795号）も
ある。 これらは、いずれも色素を蒸着により記録層薄
膜としたものであり、媒体製造上、Te系と大差
はない。 しかし、色素蒸着膜のレーザーに対する反射率
は一般に小さく、反射光量のピツトによる変化
（減少）によつて読み出し信号をうる、現在行わ
れている通常の方式では、大きなＳ／Ｎ比をうる
ことができない。 また、記録層を担持した透明基体を、記録層が
対向するようにして一体化した、いわゆるエアー
サンドイツチ構造の媒体とし、基体をとおして書
き込みおよび読み出しを行うと、書き込み感度を
下げずに記録層の保護ができ、かつ記録密度も大
きくなる点で有利であるが、このような記録再生
方式も、色素蒸着膜では不可能である。 これは、通常の透明樹脂製基体では、屈折率が
ある程度の値をもち（ポリメチルメタクリレート
で1.5）、また、表面反射率がある程度大きく（同
４％）、記録層の基体をとおしての反射率が、例
えばポリメチルメタクリレートでは60％程度以下
になるため、低い反射率しか示さない記録層では
検出できないからである。 色素蒸着膜からなる記録層の、読み出しのＳ／
Ｎ比を向上させるためには、通常、基体と記録層
との間に、Al等の蒸着反射膜を介在させている。 この場合、蒸着反射膜は、反射率を上げてＳ／
Ｎ比を向上させるためのものであり、ピツト形成
により反射膜が露出して反射率が増大したり、あ
るいは場合によつては、反射膜を除去して反射率
を減少させるものであるが、当然のことながら、
基体をとおしての記録再生はできない。 同様に、特開昭55−161690号には、IR−132色
素（コダツク社製）とポリ酢酸ビニルとからなる
記録層、また、特開昭57−74845号には、１，
1′−ジエチル−２，2′−トリカルボシアニンイオ
ダイドとニトロセルロースとからなる記録層、さ
らにはK.Y.Law、et al.、Appl.Phys.Lett.39(9)
718（1981）には、３，3′−ジエチル−12−アセチ
ルチアテトラカルボシアニンとポリ酢酸ビニルと
からなる記録層など、色素と樹脂とからなる記録
層を塗布法によつて設層した媒体が開示されてい
る。 しかし、これらの場合にも、基体と記録層との
間に反射膜を必要としており、基体裏面側からの
記録再生ができない点で、色素蒸着膜の場合と同
様の欠点をもつ。 このように、基体をとおしての記録再生が可能
であり、Te系材料からなる記録層をもつ媒体と
の互換性を有する、有機材料系の記録層をもつ媒
体を実現するには、有機材料自身が大きな反射率
を示す必要がある。 しかし、従来、反射層を積層せずに、有機材料
の単層にて高い反射率を示す例はきわめて少な
い。 例えば、チアゾール系やキノリン系等のシアニ
ン色素やメロシアニン色素でも、高反射率が示さ
れる旨が報告〔山本他、第27回 応用物理学会予
稿集1p−Ｐ−９（1980）〕されており、これにも
とづく提案が特開昭58−112790号になされている
が、これら色素は、特に塗膜として設層したとき
に、溶剤に対する溶解度が小さく、また結晶化し
やすく、さらには読み出し光に対してきわめてて
不安定でただちに脱色してしまい、実用に供しえ
ない。 このような実状に鑑み、本発明者らは、先に、
溶剤に対する溶解度が高く、結晶化も少なく、か
つ熱的に安定であつて、塗膜の反射率が高いイン
ドレニン系のシアニン色素を単層膜として用いる
旨を提案している（特願昭57−134397号、同57−
134170号）。 また、インドレニン系、あるいはチアゾール
系、キノリン系、セレナゾール系等の他のシアニ
ン色素においても、長鎖アルキル基を分子中に導
入して、溶解性の改善と結晶化の防止がはかられ
ることを提案している（特願昭57−182589号、同
57177776号等）。 さらに、光安定性をまし、特に読み出し光によ
る脱色（再生劣化）を防止するために、シアニン
色素にクエンチヤーを添加する旨の提案を行つて
いる（特願昭57−166832号、同57−168048号等）。 さらに、スチリル系、インドリル系、ピリリウ
ム、チアピリリウム、セレナピリリウムないしテ
ルロピリリウム系、ポリメチン系等の色素にクエ
ンチヤーを添加して、再生劣化が減少する旨の提
案も行つている（特願昭58−181357号、同58−
181368号、同58−181369号、同58−183454号、同
58−183455号、同58−183456号）。 また、さらに、再生劣化がきわめて少なく、耐
湿性が良好な記録層として、色素カチオンとクエ
ンチヤーアニオンとの結合体を含む記録層の提案
も行つている（特願昭59−14848号等）。 このような記録層に含まれる種々の色素の中
で、フタロシアニン化合物は、光、熱、湿度等い
ずれに対しても安定であり、堅牢性に優れてい
る。 しかし、フタロシアニン化合物を記録層として
用いた場合、近赤外および赤外域に吸収がなく、
このような範囲の記録光では、記録層への書き込
みが困難であつた。 また、塗布法で記録層を形成すすることも困難
であつた。 発明の目的 本発明の目的は、光記録媒体を構成する記録層
が、光、熱、湿度、いずれに対しても安定であ
り、堅牢性に優れ、しかも近赤外および赤外域の
記録光によつても使用可能で、塗布法によつて成
膜可能な記録層を有する光記録媒体を提供するこ
とにある。 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によつて達成
される。 すなわち、本発明は、 式（） 式（） ｛式（）および（）中、Pcは、水素原子、
金属もしくは半金属原子またはM₁Xに配位した
フタロシアニン核を表わす。 M₁はＢ金属原子を表わし、Ｘはハロゲン原
子を表わす。 R₁およびR₃は、それぞれ、置換または非置換
の脂肪族基または芳香族基を表わす。 R₂は置換または非置換の２価の脂肪族基また
は芳香族基を表わす。 Ｙは水素原子またはハロゲン原子を表わす。 ｎは５〜16、ｐは１〜８、ｍは０〜14の正の整
数を表わす｝ で示されるフタロシアニン化合物を基体上に塗布
して形成した記録層を有することを特徴とする光
記録媒体である。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明の光記録媒体の記録層は、下記の式
（）または（）で示されるようなフタロシア
ニン化合物を含んでいる。 式（） 式（） 上記式（）および（）において、Pcは水
素原子、金属もしくは半金属原子またはM₁Xに
配位したフタロシアニン核を表わす。 M₁はＢ金属原子を表わし、Ｘはハロゲン原
子を表わす。 金属または半金属原子としては、例えば、Zn、
Pb、Cu、Ni、Fe、Co、Sr、Ca、Yb、Li、Ag、
Ru、Sm、Tb、Dy、Ｕ、Tl、Cs、Pd、Nd、
Ga、In、Sn、Si、Pt、Mn、Ge、Be、Al、Ｖ、
Sn、Mg、Ti等； であり、このなかでCu、Ni、Co、Fe、Zn、Al、
Pt、Ｖ、水素が好ましい。 M₁はＢ金属原子（Al、Ga、In、Tl）であ
り、このなかで特にAl、Ga、Inが好ましい。 Ｘはハロゲン原子、例えばＦ、Cl、Br、Ｉ
等； であり、なかでもCl、Br、Ｉが好ましい。 フタロシアニンは、水素原子や、１価の金属原
子や、M₁Xに対し１：１で配位し、またフタロ
シアニン核１分子は、２価の金属原子等の1/2個
に配位する。 フタロシアニン核は、下記式（）で表わされ
る。 式（） 上記式（）で、−OR₁、−OR₂O−、−OR₃もし
くはＹが置換する位置は１〜16のいずれかであ
る。 R₁およびR₃は１価、R₂は２価であつて、炭素
数１〜20の置換もしくは非置換の脂肪族基、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、エチレン基、プロ
ピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレ
ン基、ベンジル基、フエネチル基、シクロヘキシ
ル基、アリル基、ドデシル基、−CH₂CH₂CH＝
CH−CH₂−、シクロヘキセン基、

【式】イソプロペニル基、−C₂H₄ −Cl、−CH₂−NH₂等； 炭素数６〜24の置換もしくは非置換の芳香族
基、例えば、フエニル基、トリル基、フエニレン
基、ナフチレン基、メトキシフエニル基、ナフチ
ル基、塩化フエニル基、キシリル基、

【式】

【式】

【式】スチリル基、シンナミル 基、フエネチル基、メチルフエニレン基、

【式】、ピリジル基、ピロリル 基、キノリル基、フリル基、フルフリル基、フエ
ニル基、ピペリジル基、ピリミジル基等； である。 Ｙは、水素原子； ハロゲン原子、例えば、Cl、Br、Ｉ、Ｆ等； であり、なかでも、Ｈ、Cl、Br、Ｉが好ましい。 ｎは、５〜16の正の整数を表わし、なかでも８
〜16であることが好ましい。 ｐは１〜８、ｍは０〜14の正の整数を表わす。 以下に本発明のフタロシアニン化合物の具体例
を挙げる。 (1) オクタ−（４−メチルフエノキシ）−CuPc (2) オクタ−（メトキシ）−CuPc (3) オクタ−（−OC₂H₅）−CuPc (4) オクタ−（−OC₃H₇）−CuPc (5) オクタ−（−OC₄H₉）−H₂Pc (6) オクタ−

【式】−CuPc (7) オクタ−

【式】−CuPc (8) オクタ−

【式】−NiPc (9) デカ−

【式】−CoPc (10) デカ−（−OC₅H₁₁）−H₂Pc (11) ウンデカ−

【式】−CoPc (12) ペンタデカ−（−OC₂H₅）−H₂Pc (13) ペンタデカ−

【式】−PbPc (14) ペンタデカ−（−OC₃H₇）−ZnPc (15) オクタ−

【式】−H₂Pc (16) ペンタデカ−

【式】−CuPc (17) ペンタデカ−

【式】− CuPc (18) ペンタデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−CuPc (19) ペンタデカ−（−Ｏ−CH₃）−CuPc (20) ペンタデカ−（−Ｏ−CH₃）−H₂Pc (21) ペンタデカ−

【式】− CuPc (22) ペンタデカ−

【式】− H₂Pc (23) ヘキサデカ−

【式】−CuPc (24) ヘキサデカ−

【式】− H₂Pc (25) ヘキサデカ−（−Ｏ−CH₃）−CuPc (26) ヘキサデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−CuPc (27) オクタ−

【式】−CuPc (28) オクタ−

【式】−CoPc (29) ヘキサデカ−（−OC₃H₇）−FePc (30) ヘキサデカ−

【式】− CuPc (31) オクタ−（−Ｏ−C₂H₅）テトラー４，５−

【式】−CuPc (32) デカー

【式】ジ−（−Ｏ− C₆H₁₂−Ｏ−）−CuPc (33) ヘキサデカ−

【式】モノ −

【式】−H₂Pc (34) オクター（−OCH₃）−AlClPc (35) オクタ−（−OC₂H₅）−InClPc (36) オクタ−

【式】−GaClPc (37) オクタ−（−OC₃H₇）−InBrPc (38) オクタ−（−OC₂H₅）−TlClPc (39) オクタ−

【式】−AlClPc (40) デカ−

【式】−AlBrPc (41) デカ−（−Ｏ−C₂H₅）AlIPc (42) ウンデカ−

【式】− GaBrPc (43) ペンタデカ−

【式】InClPc (44) ペンタデカ−

【式】 AlClPc (45) ペンタデカ−

【式】 CaClPc (46) ペンタデカ−（−Ｏ−C₂H₅）InIPc (47) ペンタデカ−（−Ｏ−C₂H₅）GaIPc (48) ヘキサデカ−

【式】 InClPc (49) ヘキサデカ−

【式】GaClPc (50) ヘキサデカ−（−Ｏ−C₂H₅）InBrPc (51) ヘキサデカ−（−OC₃H₇）AlClPc (52) ヘキサデカ−

【式】 GaBrPc (53) ヘキサデカ−

【式】AlBrPc (54) ウンデカ−（−Ｏ−C₂H₅）InClPc (55) オクタ−３，６−（−Ｏ−C₂H₅）テトラ

【式】−AlClPc (56) デカ−

【式】ジ−（−Ｏ− C₅H₁₀−Ｏ） (57) ヘキサデカ−

【式】モノ −

【式】AlBrPc 本発明のフタロシアニン化合物は、一般に次の
スキームに従う方法で合成することができる。 スキーム １ R₁OH＋KOHキノリン中 ――――――――→ 140℃、1hrR₁O^-K⁺nR₁O^-K⁺＋M_kPc（Ｙ）₁₆ ―――――――――――――→ ―――――――――――――→ 160〜180℃、1hrM_k−Pc−（OR₁）_o（Ｙ）_16-o＋副生成
物 この方法を用いた場合の反応生成物の精製は次
のように行なう。 反応生成物を100℃に冷却し、エタノールで希
釈した後、室温に戻して濾過する。この濾別した
ものをエタノールで洗浄し、さらにエタノール−
水溶液で洗浄し、乾燥する。こうして得られた組
生成物をシリカカラムでトルエンによつて展開
し、分離して精製する。 この場合の反応生成物の精製は、スキーム１と
同様に行う。 この場合の反応生成物の精製は、スキーム１と
同様に行う。 次に、本発明のフタロシアニン化合物の合成例
を挙げる。 合成例 １ 例示化合物(3)の合成 エタノール12ｇとKOH ６ｇとをキノリン中で
145℃にて２時間反応させた。これにCuPc（Cl）₁₆
７ｇを加え、160〜180℃にて２時間反応させた。
得られた反応生成物を100℃に冷却した後、エタ
ノール（EtOH）で希釈して室温に戻し、濾過し
た。濾別したものをEtOHで洗浄し、さらに
EtOH−H₂O（１：１）溶液で洗浄し、乾燥した。 このようにして得られた粗生成物をシリカカラ
ムでトルエンによつて展開し、分離、精製した。
これを２回繰り返して目的物を得た。 収 率 35％ 元素分析 Ｃ Ｏ Ｎ Cu 計算値／％ 49.52 11.01 9.63 5.46 実測値／％ 47.21 11.31 9.69 5.52 吸収極大λmax 710nｍ（スピンナー塗布により0.1μｍ厚の薄
膜を形成して測定） 合成例 ２ 例示化合物(6)の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 42％ 元素分析 Ｃ Ｏ Ｎ Cu 計算値／％ 62.05 8.27 7.24 4.10 実測値／％ 60.03 8.41 7.21 4.24 合成例 ３ 例示化合物（15）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 18％ 元素分析 Ｃ Ｏ Ｎ Ｈ 計算値／％ 59.81 14.50 6.34 3.29 実測値／％ 60.21 14.01 6.52 3.01 合成例 ４ 例示化合物(11)の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 19.7％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 73.77 3.33 4.85 2.75 実測値／％ 71.68 3.71 4.83 2.98 合成例 ５ 例示化合物（18）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。 収 率 18.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 58.58 5.91 8.82 5.00 実測値／％ 58.62 5.81 8.80 5.03 合成例 ６ 例示化合物（26）の合成 １モルとエタノール（EtOH）４モルとを130
℃で３時間反応させ、 を得た。この化合物４モルにLi⁺（OC₅H₁₁）^-2モル
を加えて、130℃で２時間反応させ、Li₂Pc−（
OEt）₁₆を得た。さらに、この化合物１モルに
CuCl₂1モルを加えてアミルアルコール中で120℃
で２時間反応させ、目的物を得た。 精製は実施例１と同様に行なつた。 収 率 23.9％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 60.02 6.25 8.75 4.96 実測値／％ 60.14 6.20 8.69 4.91 吸収極大λmax 810nｍ（スピンナー塗布により0.01μｍ厚の
薄膜を形成して測定） 合成例 ７ 例示化合物（28）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 33.5％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Co 計算値／％ 67.79 2.82 5.65 2.97 実測値／％ 66.99 2.85 5.70 2.91 合成例 ８ 例示化合物（23）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 19.8％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 75.02 3.91 5.47 3.10 実測値／％ 73.82 3.93 5.52 3.06 合成例 ９ 例示化合物（29）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 28.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Fe 計算値／％ 64.18 7.49 7.49 3.73 実測値／％ 62.94 7.45 7.38 3.84 合成例 10 例示化合物（30）の合成 合成例６と同様にして目的物を得た。 収 率 36.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Cu 計算値／％ 80.91 3.93 39.30 2.23 実測値／％ 82.90 3.92 39.10 2.21 合成例 11 例示化合物（50）の合成

【式】 １モルと、エタノール（EtOH）４モルとを
140℃、２時間で反応させ、

【式】を得た。 この化合物４モルにLi⁺（OC₅H₁₁）^-2モルを加え
て150℃で２時間反応させ、Li₂Pc−（OEt）₁₆を得
た。さらに、この化合物１モルにInCl₃1モルを加
えて、アミルアルコール中で130℃に１時間反応
させ、目的物を得た。この反応生成物を100℃に
冷却した後、エタノール（EtOH）で希釈して室
温に戻し、濾過した。瀘別したものをEtOHで洗
浄し、さらにEtOH−H₂O（１：１）溶液で洗浄
し、乾燥した。このようにして得られた粗生成物
をシリカカラムでトルエンによつて展開し、分
離、精製して目的物を得た。 収 率 18.6％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 54.44 5.67 7.94 8.14 実測値／％ 54.52 5.66 7.91 8.16 吸収極大 λmax 830nｍ（スピンナー塗布により0.1μｍ厚の薄
膜を形成して測定） 合成例 12 例示化合物（35）の合成 合成例11と同様にして目的物を得た。 収 率 23.2％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 44.66 3.10 8.68 8.90 実測値／％ 43.92 3.11 8.66 8.94 合成例 13 例示化合物（36）の合成 合成例11と同様にして目的物を得た。 収 率 28.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Ga 計算値／％ 58.94 2.46 6.88 4.28 実測値／％ 57.94 2.47 6.91 4.30 合成例 14 例示化合物（39）の合成 合成例11と同様にして目的物を得た。 収 率 31.8％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Ga 計算値／％ 66.25 2.76 5.52 3.44 実測値／％ 65.84 2.72 5.58 3.49 合成例 15 例示化合物（48）の合成 βナフトール16モルとKOH16モルとをキノリ
ン中で140℃にて１時間反応させた。 これにInClPc（Cl）₁₆1モルを加え、160〜180℃
にて１時間反応させた。 得られた反応生成物の精製は合成例11と同様に
行つた。 収 率 23.6％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 78.52 3.82 3.82 3.91 実測値／％ 77.94 3.85 3.88 3.89 吸収極大 λmax 840nｍ（スピンナー塗布により0.1μｍ厚の薄
膜を形成して測定） 合成例 16 例示化合物（44）の合成 合成例15と同様にして目的物を得た。 収 率 28.5％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ Al 計算値／％ 69.11 1.89 4.71 1.13 実測値／％ 69.25 1.87 4.70 1.13 合成例 17 例示化合物（37）の合成 合成例15と同様にして目的物を得た。 収 率 22.8％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 37.29 3.10 6.22 6.37 実測値／％ 37.11 3.12 6.21 6.39 合成例 18 例示化合物（54）の合成 合成例15と同様にして目的物を得た。 収 率 29.4％ 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ In 計算値／％ 49.15 4.17 8.49 8.71 実測値／％ 48.93 4.19 8.51 8.70 このようなフタロシアニン化合物は、２種以上
用いてもよい。また本発明の効果をそこなわない
範囲で、他の色素と組み合わせて記録層を形成し
てもよい。 記録層中には、必要に応じ、樹脂が含まれてい
てもよい。 用いる樹脂としては、自己酸化性、解重合性な
いし熱可塑性樹脂が好適である。 これらのうち、特に好適に用いることができる
熱可塑性樹脂には、以下のようなものがある。 (i) ポリオレフイン ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メ
チルペンテン−１など。 (ii) ポリオレフイン共重合体 例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エ
チレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレ
ン−アクリル酸共重合体、エチレン−プロピレ
ン共重合体、エチレン−ブテン−１共重合体、
エチレン−無水マレイン酸共重合体、エチレン
プロピレンターポリマー（EPT）など。 この場合、コモノマーの重合比は任意のもの
とすることができる。 (iii) 塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、
塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビ
ニル−無水マレイン酸共重合体、アクリル酸エ
ステルないしメタアクリル酸エステルと塩化ビ
ニルとの共重合体、アクリロニトリル−塩化ビ
ニル共重合体、塩化ビニルエーテル共重合体、
エチレンないしプロピレン−塩化ビニル共重合
体、エチレン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニ
ルをグラフト重合したものなど。 この場合、共重合比は任意のものとすること
ができる。 (iv) 塩化ビニリデン共重合体 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化
ビニリデン−塩化ビニル−アクリロニトリル共
重合体、塩化ビニリデン−ブタジエン−ハロゲ
ン化ビニル共重合体など。 この場合、共重合比は、任意のものとするこ
とができる。 (v) ポリスチレン (vi) スチレン共重合体 例えば、スチレン−アクリロニトリル共重合
体（AS樹脂）、スチレン−アクリロニトリル−
ブタジエン共重合体（ABS樹脂）、スチレン−
無水マレイン酸共重合体（SMA樹脂）、スチレ
ン−アクリル酸エステル−アクリルアミド共重
合体、スチレン−ブタジエン共重合体
（SBR）、スチレン−塩化ビニリデン共重合体、
スチレン−メチルメタアクリレート共重合体な
ど。 この場合、共重合比は任意のものとすること
ができる。 (vii) スチレン型重合体 例えば、α−メチルスチレン、ｐ−メチルス
チレン、２，５−ジクロルスチレン、α，β−
ビニルナフタレン、α−ビニルピリジン、アセ
ナフテン、ビニルアントラセンなど、あるいは
これらの共重合体、例えば、α−メチルスチレ
ンとメタクリル酸エステルとの共重合体。 (viii) クマロン−インデン樹脂 クマロン−インデン−スチレンの共重合体。 (ix) テルペン樹脂ないしピコライト 例えば、α−ピネンから得られるリモネンの
重合体であるテルペン樹脂や、β−ピネンから
得られるピコライト。 (x) アクリル樹脂 特に下記式で示される原子団を含むものが好
ましい。 式 上記式において、R₁₀は、水素原子またはア
ルキル基を表わし、R₂₀は、置換または非置換
のアルキル基を表わす。この場合、上記式にお
いて、R₁₀は、水素原子または炭素原子数１〜
４の低級アルキル基、特に水素原子またはメチ
ル基であることが好ましい。 また、R₂₀は、置換、非置換いずれのアルキ
ル基であつてもよいが、アルキル基の炭素原子
数は１〜８であることが好ましく、また、R₂₀
が置換アルキル基であるときには、アルキル基
を置換する置換基は、水酸基、ハロゲン原子ま
たはアミノ基（特に、ジアルキルアミノ基）で
あることが好ましい。 このような上記式で示される原子団は、他の
くりかえし原子団とともに、共重合体を形成し
て各種アクリル樹脂を構成してもよいが、通常
は、上記式で示される原子団の１種または２種
以上をくりかえし単位とする単独重合体または
共重合体を形成してアクリル樹脂を構成するこ
とになる。 () ポリアクリロニトリル () アクリロニトリル共重合体 例えば、アクリロニトリル−酢酸ビニル共重
合体、アクリロニトリル−塩化ビニル共重合
体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ア
クリロニトリル−塩化ビニリデン共重合体、ア
クリロニトリル−ビニルピリジン共重合体、ア
クリロニトリル−メタクリル酸メチル共重合
体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、
アクリロニトリル−アクリル酸ブチル共重合体
など。 この場合、共重合比は任意のものとすること
ができる。 () ダイアセトンアクリルアミドポリマー アクリロニトリルにアセトンを作用させたダ
イアセトンアクリルアミドポリマー。 () ポリ酢酸ビニル () 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエ
ーテル、エチレン、塩化ビニル等との共重合体
など。 共重合比は任意のものであつてよい。 () ポリビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビ
ニルエチルエーテル、ポリビニルブチルエーテ
ルなど。 () ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン
６、ナイロン６−６、ナイロン６−10、ナイロ
ン６−12、ナイロン９、ナイロン11、ナイロン
12、ナイロン13等の通常のホモナイロンの他、
ナイロン６／６−６／６−10、ナイロン６／６
−６／12、ナイロン６／６−６／11等の重合体
や、場合によつては変性ナイロンであつてもよ
い。 () ポリエステル 例えば、シユウ酸、コハク酸、マレイン酸、
アジピン酸、セバステン酸等の脂肪族二塩基
酸、あるいはイソフタル酸、テレフタル酸など
の芳香族二塩基酸などの各種二塩基酸と、エチ
レングリコール、テトラメチレングリコール、
ヘキサメチレングリコール等のグリコール類と
の縮合物や、共縮合物が好適である。 そして、これらのうちでは、特に脂肪族二塩
基酸とグリコール類との縮合物や、グリコール
類と脂肪族二塩基酸との共縮合物は、特に好適
である。 さらに、例えば、無水フタル酸とグリセリン
との縮合物であるグリプタル樹脂を、脂肪酸、
天然樹脂等でエステル化変性した変性グリプタ
ル樹脂等も好適に使用される。 () ポリビニルアセタール系樹脂 ポリビニルアルコールを、アセタール化して
得られるポリビニルホルマール、ポリビニルア
セタール系樹脂はいずれも好適に使用される。 この場合、ポリビニルアセタール系樹脂のア
セタール化度は任意のものとすることができ
る。 () ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹
脂。 特に、グリコール類とジイソシアナート類と
の縮合によつて得られるポリウレタン樹脂、と
りわけ、アルキレングリコールとアルキレンジ
イソシアナートとの縮合によつて得られるポリ
ウレタン樹脂が好適である。 () ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの
開環重合物、ポリエチレンオキサイドおよびグ
リコール、ポリプロピレンオキサイドおよびグ
リコール、プロピレンオキサイド−エチレンオ
キサイド共重合体、ポリフエニレンオキサイド
など。 () セルロース誘導体 例えば、ニトロセルロース、アセチルセルロ
ース、エチルセルロース、アセチルブチルセル
ロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロ
キシプロピルセルロース、メチルセルロース、
エチルヒドロキシエチルセルロースなど、セル
ロースの各種エステル、エーテルないしこれら
の混合体。 () ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフエニルメタンカー
ボネート、ジオキシジフエニルプロパンカーボ
ネート等の各種ポリカーボネート。 () アイオノマー メタクリル酸、アクリル酸などのNa、Li、
Zn、Mg塩など。 () ケトン樹脂 例えば、シクロヘキサノンやアセトフエノン
等の環状ケトンとホルムアルデヒドとの縮合
物。 () キシレン樹脂 例えば、ｍ−キシレンまたはメシチレンとホ
ルマリンとの縮合物、あるいはその変性体。 () 石油樹脂 C₅系、C₉系、C₅−C₉共重合系、ジシクロペ
ンタジエン系、あるいは、これらの共重合体な
いし変性体など。 () 上記(i)〜（）の２種以上のブレ
ンド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレ
ンド体。 なお、樹脂の分子量等は、種々のものであつて
よい。 このような樹脂と、前記の色素とは、通常、重
量比で１対0.1〜100の広範な量比にて設層され
る。 なお、このような記録層中には、別途他のクエ
ンチヤー、例えば、特願昭58−181368号等に記載
したものが含有されてもよい。 このような記録層を設層するには、常法に従い
塗設すればよい。 そして、記録層の厚さは、通常、0.02〜10μｍ
程度とされる。 なお、このような記録層には、この他、他の色
素や、他のポリマーないしオリゴマー、各種可塑
剤、界面活性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安
定剤、分散剤、酸化防止剤、そして架橋剤等が含
有されていてもよい。 このような記録層を設層するには、基体上に、
所定の溶媒を用いて塗布、乾燥すればよい。 なお、塗布に用いる溶媒としては、例えば、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸
エチル、カルビトールアセテート、ブチルカルビ
トールアセテート等のエステル系、メチルセロソ
ルブ、エチルセロソルブ等のエーテル系、ないし
トルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロロエタ
ン等のハロゲン化アルキル系、アルカン系、脂環
系、アルコール系などを用いればよい。 このような記録層を設層する基体の材質として
は、書き込み光および読み出し光に対し実質的に
透明なものであれば、特に制限はなく、各種樹
脂、ガラス等いずれであつてもよい。 また、その形状は使用用途に応じ、テープ、カ
ード、ドラム、ベルト等いずれであつてもよい。 なお、基体は、通常、トラツキング用の溝を有
する。 また、基体用の樹脂材質としては、ポリメチル
メタクリレート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリサルフオン樹脂、ポ
リエーテルサルフオン、メチルペンテンポリマー
等の、みぞ付きないしみぞなし基体が好適であ
る。 これらの基体には、耐溶剤性、ぬれ性、表面張
力、熱伝導度等を改善するために、基体上に下地
層を形成することが好ましい。下地層の材質とし
ては、Si、Ti、Al、Zr、In、Ni、Ta等の有機錯
化合物や有機多官能性化合物を塗布、加熱乾燥し
て形成された酸化物であることが好ましい。 この他、各種感光性樹脂等下地層として用いる
こともできる。 また、記録層上には、必要に応じ、各種最上層
保護層、ハーフミラー層などを設けることもでき
る。 本発明の媒体は、このような基体の一面上に上
記の記録層を有するものであつてもよく、その両
面に記録層を有するものであつてもよい。 また、基体の一面上に記録層を塗設したものを
２つ用い、それらを記録層が向かいあうようにし
て、所定の間隙をもつて対向させ、それを密閉し
たりして、ホコリやキズがつかないようにするこ
ともできる。 また、このような所定の間隙に、シリコーン樹
脂等を充填して、密着型にすることもできる。 発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において記
録光をパルス状に照射する。このとき記録層中の
色素の発熱により、色素が融解等し、ビツトが形
成される。 このように形成されたビツトは、やはり媒体の
走行ないし回転下、読み出し光の反射光ないし透
過光、特に反射光を検出することにより読し出さ
れる。 この場合、記録および読み出しは、主に、基体
側から基体をとおして行う。 そして、一旦記録層に形成したピツトを光ない
し熱で消去し、再書き込みを行うこともできる。 なお、記録ないし読み出し光としては、半導体
レーザー等を用いることができる。 発明の具体的効果 本発明によれば、読み出し光による再生劣化が
きわめて小さくなる。 そして、耐光性も向上し、明室保存による特性
劣化が少なく、さらに耐熱性、耐酸化性、耐湿性
にも優れる。 そして、消去および再書き込みを行うようなと
きにも特性の劣化が少ない。さらには、保存性も
向上する。 また、近赤外および赤外域の記録光によつて
も、容易に書き込みができる。 また、反射層を積層しなくても、基体をとおし
て書き込みと読み出しを良好に行うことができ
る。 そして、このような効果をもつ記録層を、量産
性の高い塗布法によつて成膜することができる。
この際、膜の均一性はきわめて良好である。 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例 １ 下記表１に示されるフタロシアニン化合物を用
い、フタロシアニン化合物0.05ｇをトルエン等の
有機溶剤2.7ｇに溶解して、濾過した後、直径30
cmの案内溝付アクリルデイスク基板上に、0.08μ
ｍの厚さにスピンナーを用いて塗布設層して、各
種媒体をえた。 なお、用いたフタロシアニン化合物は上記にて
例示したNo.のものを用いた。 このようにして作製した各媒体を、900r.p.m.
にて回転させながら、半導体レーザーを用いて、
基板裏面側から書き込みを行つた。この場合、集
光部出力は10ｍＷ、周波数は2MHzである。 次いで、半導体レーザーを読み出し光とし、基
板をとおしての反射光を検出してヒユーレツトパ
ツカード社製のスペクトラムアナライザーにて、
バンド巾30KHzでＣ／Ｎ比を測定した。 これらの結果を表１に示す。

【表】 表１の結果から、本発明の効果があきらかであ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 式（） 式（） ｛式（）および（）中、Pcは、水素原子、
   金属もしくは半金属原子またはM₁Xに配位した
   フタロシアニン核を表わす。 M₁はＢ金属原子を表わし、Ｘはハロゲン原
   子を表わす。 R₁およびR₃は、それぞれ、置換または非置換
   の脂肪族基または芳香族基を表わす。 R₂は置換または非置換の２価の脂肪族基また
   は芳香族基を表わす。 Ｙは水素原子またはハロゲン原子を表わす。 ｎは５〜16、ｐは１〜８、ｍは０〜14の正の整
   数を表わす｝ で示されるフタロシアニン化合物を基体上に塗布
   して形成した記録層を有することを特徴とする光
   記録媒体。