JPH0741740B2

JPH0741740B2 - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH0741740B2
Application number: JP60205700A
Authority: JP
Inventors: 顕彦黒岩; 憲良南波; 輝文上條
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1985-09-18
Filing date: 1985-09-18
Publication date: 1995-05-10
Anticipated expiration: 2010-05-10
Also published as: JPS6264597A

Description

【発明の詳細な説明】Ｉ発明の背景技術分野本発明は、光記録媒体に関する。

先行技術光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出し光ヘッド
が非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという
特徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が
行われている。

このような光記録媒体のうち、暗室による現像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。

このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その１例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ビットと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このピットによ
り情報を記録し、このピットを読み出し光で検出して読
み出しを行うピット形成タイプのものがある。

このようなピット形成タイプの媒体、特にそのうち、装
置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものにお
いては、これまで、Teを主体とする材料を記録層とする
ものが大半をしめている。

しかし、近年、Te系材料が有害であること、そしてより
高感度化する必要があること、より製造コストを安価に
する必要があることから、Te系にかえ、色素を主とした
有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や報告
が増加している。

例えば、He−Neレーザー用としては、スクワリリウム色
素〔特開昭56−46221号V.B.Jipson and C.R.Jones,J.Va
c.Sci.Technol.,18（１）105（1981）〕や、金属フタロ
シアニン色素（特開昭57−82094号、同57−82095号）な
どを用いるものがある。

また、金属フタロシアニン色素を半導体レーザー用とし
て使用した例（特開昭56−86795号）もある。

これらは、いずれも色素を蒸着により記録層薄膜とした
ものであり、媒体製造上、Te系と大差はない。

しかし、色素蒸着膜のレーザーに対する反射率は一般に
小さく、反射光量のピットによる変化（減少）によって
読み出し信号をうる、現在行われている通常の方式で
は、大きなS/N比をうることができない。

また、記録層を担持した透明基体を、記録層が対向する
ようにして一体化した、いわゆるエアーサンドイッチ構
造の媒体とし、基体をとおして書き込みおよび読み出し
を行うと、書き込み感度を下げずに記録層の保護がで
き、かつ記録密度も大きくなる点で有利であるが、この
ような記録再生方式も、色素蒸着膜では不可能である。

これは、通常の透明樹脂製基体では、屈折率がある程度
の値をもち（ポリメチルメタクリレートで1.5）、ま
た、表面反射率がある程度大きく（同４％）、記録層の
基体をとおしての反射率が、例えばポリメチルメタクリ
レートでは60％程度以下になるため、低い反射率しか示
さない記録層では検出できないからである。

色素蒸着膜からなる記録層の、読み出しのS/N比を向上
させるためには、通常、基体と記録層との間に、Al等の
蒸着反射膜を介在させている。

この場合、蒸着反射膜は、反射率を上げてS/N比を向上
させるためのものであり、ピット形成により反射膜が露
出して反射率が増大したり、あるいは場合によっては、
反射膜を除去して反射率を減少させるものであるが、当
然のことながら、基体をとおしての記録再生はできな
い。

同様に、特開昭55−161690号には、IR−132色素（コダ
ック社製）とポリ酢酸ビニルとからなる記録層、また、
特開昭57−74845号には、1,1′−ジエチル−2,2′−ト
リカルボシアニンイオダイドとニトロセルロースとから
なる記録層、さらにはK.Y.Law,et al.,Appl.Phys.Lett.
39（９）718（1981）には、3,3′−ジエチル−12−アセ
チルチアテトラカルボシアニンとポリ酢酸ビニルとから
なる記録層など、色素と樹脂とからなる記録層を塗布法
によって設層した媒体が開示されている。

しかし、これらの場合にも、基体と記録層との間に反射
膜を必要としており、基体裏面側からの記録再生ができ
ない点で、色素蒸着膜の場合と同様の欠点をもつ。

このように、基体をとおしての記録再生が可能であり、
Te系材料からなる記録層をもつ媒体との互換性を有す
る、有機材料系の記録層をもつ媒体を実現するには、有
機材料自身が大きな反射率を示す必要がある。

しかし、従来、反射層を積層せずに、有機材料の単層に
て高い反射率を示す例はきわめて少ない。

わずかに、バナジルフタロシアニンの蒸着膜が高反射率
を示す旨が報告〔P.Kivits,etal.,Appl.Phys.Part A 26
（２）101（1981）、特開昭55−97033号〕されている
が、おそらく昇華温度が高いためであろうと思われる
が、書き込み感度が低い。

また、チアゾール系やキノリン系等のシアニン色素やメ
ロシアニン色素でも、高反射率が示される旨が報告〔山
本他、第27回応用物理学会予稿集 1p−ｐ−９（198
0）〕されており、これにもとづく提案が特開昭58−112
790号になされているが、これら色素は、特に塗膜とし
て設層したときに、溶剤に対する溶解度が小さく、また
結晶化しやすく、さらには読み出し光に対してきわめて
不安定でただちに脱色してしまい、実用に供しえない。

このような実状に鑑み、本発明者らは、先に、溶剤に対
する溶解度が高く、結晶化も少なく、かつ熱的に安定で
あって、塗膜の反射率が高いインドレニン系のシアニン
色素を単層膜として用いる旨を提案している（特願昭57
−134397号、同57−134170号）。

また、インドレニン系、あるいはチアゾール系、キノリ
ン系、セレナゾール系等の他のシアニン色素において
も、長鎖アルキル基を分子中に導入して、溶解性の改善
と結晶化の防止がはかられることを提案している（特願
昭57−182589号、同57−177776号等）。

さらに、光安定性をまし、特に読み出し光による脱色
（再生劣化）を防止するために、シアニン色素をクエン
チャーを添加する旨の提案を行っている（特願昭57−16
6832号、同57−168048号等）。

さらに、スチリル系、インドリル系、ピリリウム、チア
ピリリウム、セレナピリリウムないしテルロピリリウム
系、ポリメチレン系等の色素にクエンチャーを添加し
て、再生劣化が減少する旨に提案も行っている（特願昭
58−181357号、同58−181368号、同58−181369号、同58
−183454号、同58−183455号、同58−183456号）。

また、さらに、再生劣化がきわめて少なく、耐湿性が良
好な記録層として、色素カチオンとクエンチャーアニオ
ンとの結合体を含む記録層の提案も行っている（特願昭
59−14848号等）。

このような記録層に含まれる種々の色素の中で、ナフタ
ロシアニン化合物は、光、熱、湿度、各種反応性ガス等
いずれに対しても安定であり、竪牢性に優れている。

しかし、ナフタロシアニン化合物を記録層として用いた
場合、近赤外および赤外域に吸収がなく、このような範
囲の記録光では、記録層への書き込みが困難であった。

II 発明の目的本発明の目的は、光記録媒体を構成する記録層が、光、
熱、湿度、各種ガス等いずれに対しても安定であり、竪
牢性に優れ、溶解度が高くしかも近赤外および赤外域の
記録光によっても使用可能で感度の良好な光記録媒体を
提供することにある。

III 発明の開示このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、基体上に記録層を有する光記録媒
体において、記録層が下記式（Ｉ）で示される基を少な
くとも５個および／または下記式（II）で示される基を
少なくとも１個有するナフタロシアニン化合物の少なく
とも１種を含有することを特徴とする光記録媒体であ
る。

式（Ｉ） −X₁R 式（II） −X₁QX₂− ｛上記式（Ｉ）および（II）において、 X₁およびX₂は、それぞれ、ＳまたはＯを表わす。Ｒは一
価の置換または非置換の脂肪族基、脂環式基、芳香族基
または複素環基を表わし、Ｑは二価の置換または非置換
の脂肪族基、脂環式基、芳香族基または複素環基を表わ
す。｝ IV 発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光記録媒体の記録層は、下記の式（Ｉ）で示さ
れる基を少なくとも５個および／または下記式（II）で
示される基を少なくとも１個を有するナフタロシアニン
化合物の少なくとも１種を含有している。

式（Ｉ） −X₁R 式（II） −X₁QX₂− 上記式（Ｉ）および（II）において、 X₁およびX₂は、それぞれＳまたはＯを表わす。

Ｒは後述の一価の基を表わし、Ｑは後述の二価の基を表
わす。

この場合式（Ｉ）で示される基の数をｘ、式（II）で示
される基の数をｙとするとｘ≧５、ｙ≧１、ｘ＋2yは１
〜24である。

このような中で、特に好ましいものは、下記式（III）
〜（IV）で表わされるナフタロシアニン化合物の１種以
上である。

式（III）Ｍ−NcX₁R）_ｎ（Ｙ）_24-n 式（IV）Ｍ−NcX₁QX₂）_ｌ（X₁R）_ｍ（Ｙ）_24-2l-m 上記式（III）および（IV）において、 Ncは下記構造式（Ｖ）で表わされるナフタロシアニン核
である。

式（Ｖ）上記構造式（Ｖ）で−X₁R, −X₁QX₂−もしくはＹが置換する位置は１−位〜24−位
のいずれかである。

X₁およびX₂はそれぞれ、ＳまたはＯを表わす。

Ｍは、ナフタロシアニン核の中心イオンを表わす。

中心イオンとしては、水素、金属ないし半金属、ハロゲ
ン化物、酸化物、硫化物等がある。

金属または半金属としては、例えば、Zn,Pb,Cu,Ni,Fe,C
o,Sr,Ca,Yb,Li,Ag,Ru,Sm,Tb,Dy,U,Tl,Cs,Pd,Nd,Ga,In,S
n,Si,Pt,Mn,Ge,Be,Al,V,Sn,Mg,Ti等；であり、このなか
でCu,Ni,Co,Fe,Zn,Al,Pt,V,そして水素が好ましい。

ハロゲン化物としては、AlCl,AlBr,AlI,GaCl,GaBr,GaI,
InCl,InF,InBr,InI,FeCl,SnCl₂等がある。

また、酸化物としては、VO,TiO,ZrO,ThO,HfO,OsO,SiO,G
eO,SnO,VO₂ また、硫化物としては、TiS,VS等がある。

なお、さらにナフタロシアニン環の上下には、各種配位
子が配位してもよい。

Ｒは１価、Ｑは２価の基であって、炭素数１〜20の置換
もしくは非置換の脂肪族基、脂環式基、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペ
ンチレン基、ヘキシレン基、ベンジル基、フェネチル
基、シクロヘキシル基、アリル基、ドデシル基、 −CH₂CH₂CH＝CH−CH₂−、シクロヘキセン基、イソプロペニル基、−C₂H₄−Cl、−CH₂−NH₂等；炭素数６〜24の置換もしくは非置換の芳香族基、例え
ば、フェニル基、トリル基、フェニレン基、ナフチレン
基、メトキシフェニル基、ナフチル基、塩化フエニル
基、キシリル基、スチリル基、シンナミル基、フェネチル基、メチルフェ
ニレン基、置換もしくは非置換の複素環基、例えば、ピリジル基、
ピロリル基、キノリル基、フリル基、フルフリル基、フ
ェニル基、ピペリジル基、ピリミジル基等；である。

Ｙは、水素原子；ハロゲン原子、例えば、Cl、Br、Ｉ、Ｆ等；であり、なかでも、Ｈ、Cl、Br、Ｉが好ましい。

X₁およびX₂は、それぞれ、Ｏまたは,Sである。

ｎは、５〜24の正の整数を表わす。

ｌは１〜12、ｍは０〜22の正の整数を表わす。

以下に本発明のナフタロシアニン化合物の具体例を挙げ
る。

（１）オクタ−1,6−（４−メチルフェノキシ）−CuNc （２）オクタ−（メトキシ）−CuNc （３）オクタ−（−OC₂H₅）−CuNc （４）オクタ−（−OC₃H₇）−CuNc （５）オクタ−（−OC₄H₉）−H₂Nc （10）デカ−（−OC₅H₁₁）−H₂Nc （12）ペンタデカ−（−OC₂H₅）−H₂Nc （14）ペンタデカ−（−OC₂H₇）−ZnNc （18）ペンタデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−CuNc （19）ペンタデカ−（−Ｏ−CH₃）−CuNc （20）ペンタデカ−（−Ｏ−CH₃）−H₂Nc （25）ヘキサデカ−（−Ｏ−CH₃）−C₀Nc （26）ヘキサデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−CuNc （29）ヘキサデカ−（−Ｏ−C₃H₇）−FeNc （34）オクタ−2,5−（−OCH₃）−AlClNc （35）オクタ−1,6−（−OC₂H₅）−InClNc （37）オクタ−1,4−（−OC₃H₇）−InBrNc （38）オクタ−1,2−（−OC₂H₅）−TlClNc （41）デカ−（−Ｏ−C₂H₅）AlINc （46）ペンタデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−InINc （47）ペンタデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−GaINc （50）ヘキサデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−InBrNc （51）ヘキサデカ−（−OC₃H₇）−AlClNc （54）ウンデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−InClNc （58）ヘプタデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−CuNc （59）ノナデカ−（−Ｏ−CH₃）−CoNc （61）ドアイコサ−（−Ｏ−C₂H₅）−CoNc （62）テトラアイコサ−（Ｏ−C₂H₅）−CuNc （64）ヘキサ−（−Ｏ−C₅H₁₁）−TiONc （65）オクタ−1,6−（４−メチルフェノキシ）−VoNc （66）オクタ−（メトキシ）−TiONc （67）オクタ−（−OC₂H₅）−VONc （68）オクタ−（OC₃H₇）−TiONc （69）オクタ−（−OC₄H₉）−SiONc （74）オクタ−（−OC₄H₉）−VONc （76）デカ−（−OC₅H₁₁）−SiONc （78）ペンタデカ−（−OC₂H₅）−VONc （80）ペンタデカ−（−OC₃H₇）−TiONc （92）デカ−（−Ｏ−C₂H₅）−SnONc （93）ペンタデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−VONc （94）ペンタデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−SiONc （95）ヘキサデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−TiONc （97）オクタ−1,6−（−OCH₃）−AlClNc （98）オクタ−2,5−（−Ｏ−C₂H₅）−InClNc （100）オクタ−3,4−（−Ｏ−C₂H₅）−AlClNc （101）オクタ−1,2−（−OC₃H₇）−InClNc （109）ヘキサデカ−（−Ｏ−C₂H₅）−InClNc （111）ヘキサデカ−（−（Ｏ−C₃H₇）−CaBrNc （112）ヘキサデカ−（−（Ｏ−C₃H₇）−AlBrNc （116）ヘキサデカ−（−Ｏ−CH₃）−AlBrNc （121）オクタ−（−SCH₃）−CuNc （122）オクタ−（−SC₂H₅）−CuNc （123）オクタ−（−SC₃H₇）−CuNc （124）オクタ−（−SC₄H₉）−H₂Nc （129）デカ−（−SC₅H₁₁）−H₂Nc （131）ペンタデカ−（−SC₂H₅）−H₂Nc （133）ペンタデカ−（−SC₃H₇）−NnNc （137）ペンタデカ−（−Ｓ−C₂H₅）−CuNc （138）ペンタデカ−（−Ｓ−CH₃）−CuNc （139）ペンタデカ−（−Ｓ−CH₃）−H₂Nc （144）ヘキサデカ−（−Ｓ−CH₃）−CuNc （145）ヘキサデカ−（−Ｓ−C₂H₅）−CuNc （148）ヘキサデカ−（−SC₃H₇）−FeNc （153）オクタ−2,5−（−SCH₃）−AlClNc （154）オクタ−1,6−（−SC₂H₅）−InClNc （156）オクタ−1,4−（−SC₃H₇）−InBrNc （157）オクタ−1,2−（−SC₂H₅）−TlClNc （160）デカ−（−Ｓ−C₂H₅）−AlINc （165）ペンタデカ−（−Ｓ−C₂H₅）−InINc （166）ペンタデカ−（−Ｓ−C₂H₅）−GaINc （169）ヘキサデカ−（−Ｓ−C₂H₅）−InBrNc （170）ヘキサデカ−（−SC₃H₇）−AlClNc （173）ウンデカ−（−Ｓ−C₂H₅）−InClNc （177）ヘプタデカ−（−Ｓ−C₂H₅）−CuNc （178）ノナデカ−（−Ｓ−CH₃）−CoNc （180）ドアイコサ−（−Ｓ−C₂H₅）−CoNc （181）テトラアイコサ−（−Ｓ−C₂H₅）CuNc （183）ヘキサ−（−Ｓ−C₅H₁₁）−TiONc （185）オクタ−（−SCH₃）−TiONc （186）オクタ−（−SC₂H₅）−VONc （187）オクタ−（−SC₃₇）−TiONc （188）オクタ−（−SC₄H₉）−SiONc （193）オクタ−（−SC₄H₉）−UONc （195）デカ−（−SC₅H₁₁）−SiONc （197）ペンタデカ−（−SC₂H₅）−VONc （199）ペンタデカ−（−SC₃H₇）−TaONc （211）デカ−（−Ｓ−C₂H₅）−SnONc （212）ペンタデカ−（−Ｓ−C₂H₅）−VONc （213）ペンタデカ−（−Ｓ−C₂H₅）−SiONc （214）ヘキサデカ−（−Ｓ−C₂H₅）−TiONc （216）オクタ−1,6−（−SCH₃）−AlClNc （217）オクタ−2,5−（−SC₂H₅）−InClNc （219）オクタ−3,4−（−SC₂H₅）−AlClNc （220）オクタ−1,2−（−SC₃H₇）−InClNc （228）ヘキサデカ−（−Ｓ−C₂H₅）−InClNc （230）ヘキサデカ−（−Ｓ−C₃H₇）−GaBrNc （231）ヘキサデカ−（−Ｓ−C₃H₇）−AlBrNc （235）ヘキサデカ−（−Ｓ−CH₃）−AlBrNc 本発明のナフタロシアニン化合物は、一般に次のスキー
ムに従う方法で合成することができる。

この方法を用いた場合の反応生成物の精製は次のように
行う。

反応生成物を100℃に冷却し、エタノールで希釈した
後、室温に戻して濾過する。この濾別したものをエタノ
ールで洗浄し、さらにエタノール−水溶液で洗浄し、乾
燥する。こうして得られた粗生成物をシリカカラムでト
ルエンや、クロロホルム等によって展開し、分離して精
製する。

この場合の反応生成物の精製は、スキーム１と同様に行
う。

次に、本発明のナフタロシアニン化合物の合成例を挙げ
る。

合成例1.例示化合物（３）の合成エタノール12gとKOH 6gとをキノリン中で145℃にて２
時間反応させた。これにCuNc（Cl）₁₆を加え、150〜180
℃にて３時間反応させた。得られた反応生成物を100℃
に冷却した後、エタノール（EtOH）で希釈して室温に戻
し、濾過した。濾別したものをEtOHで洗浄し、さらにEt
OH−H₂O（1:1）溶液で洗浄し、乾燥した。

このようにして得られた粗生成物をシリカカラムでトル
エンによって展開し、分離、精製した。これを２回繰り
返して目的物を得た。

構造は元素分析で固定した。

合成例2.例示化合物（137）の合成１モルとエタンチオール（EtSH）６モルとを135℃で３
時間反応させ、を得た。この化合物４モルに Li⁺（OC₅H₁₁）^-3モルを加えて、130℃で2.5時間反応さ
せ、 Li₂NcSEt）₁₅を得た。さらに、この化合物１モルにCu
Cl₂1モルを加えてアミルアルコール中で125℃で２時間
反応させ、目的物を得た。

精製は合成例１と同様に行なった。

固定は元素分析によって行った。

このようなナフタロシアニン化合物は、２種以上用いて
もよい。また本発明の効果をそこなわない範囲で、他の
色素と組み合わせて記録層を形成してもよい。

記録層中には、必要に応じ、樹脂が含まれていてもよ
い。

用いる樹脂としては、自己酸化性、解重合性ないし熱可
塑性樹脂が好適である。

これらのうち、特に好適に用いることができる可塑性樹
脂には、以下のようなものがある。

ｉ）ポリオレフィンポリエチレン、ポルプロピレン、ポリ４−メチルペンテ
ン−１など。

ii）ポリオレフィン共重合体例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ア
クリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重
合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテ
ン−１共重合体、エチレン−無水マレイン酸共重合体、
エチレンプロピレンターポリマー（EPT）など。

この場合、コモノマーの重合比は任意のものとすること
ができる。

iii）塩化ビニル共重合体例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニル
−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−無水マレイン
酸共重合体、アクリル酸エステルないしメタアクリル酸
エステルと塩化ビニルとの共重合体、アクリロニトリル
−塩化ビニル共重合体、塩化ビニルエーテル共重合体、
エチレンないしプロピレン−塩化ビニル共重合体、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニルをグラフト重合
したものなど。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

iv）塩化ビニリデン共重合体塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニリ
デン−ブタジエン−ハロゲン化ビニル共重合体など。

この場合、共重合比は、任意のものとすることができ
る。

ｖ）ポリスチレン vi）スチレン共重合体例えば、スチレン−アクリロニトリル共重合体（AS樹
脂）、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン共重合
体（ABS樹脂）、スチレン−無水マレイン酸共重合体（S
MA樹脂）、スチレン−アクリル酸エステル−アクリルア
ミド共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体（SB
R）、スチレン−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−
メチルメタアクリレート共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

vii）スチレン型重合体例えば、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、2,
5−ジクロルスチレン、α，β−ビニルナフタレン、α
−ビニルピリジン、アセナフテン、ビニルアントラセン
など、あるいはこれらの共重合体、例えば、α−メチル
スチレンとメタクリル酸エステルとの共重合体。

viii）クロマン−インデン樹脂クロマン−インデン−スチレンの共重合体。

ix）テルペン樹脂ないしピコライト例えば、α−ピネンから得られるリモネンの重合体であ
るテルペン樹脂や、β−ピネンから得られるピコライ
ト。

ｘ）アクリル樹脂特に下記式で示される原子団を含むものが好ましい。

上記式において、R₁₀は、水素原子またはアルキル基を
表わし、R₂₀は、置換または非置換のアルキル基を表わ
す。この場合、上記式において、R₁₀は、水素原子また
は炭素原子数１〜４の低級アルキル基、特に水素原子ま
たはメチル基であることが好ましい。

また、R₂₀は、置換、非置換いずれのアルキル基であっ
てもよいが、アルキル基の炭素原子数は１〜８であるこ
とが好ましく、また、R₂₀が置換アルキル基であるとき
には、アルキル基を置換する置換基は、水酸基、ハロゲ
ン原子またはアミノ基（特に、ジアルキルアミノ基）で
あることが好ましい。

このような上記式で示される原子団は、他のくりかえし
原子団とともに、共重合体を形成して各種アクリル樹脂
を構成してもよいが、通常は、上記式で示される原子団
の１種または２種以上をくりかえし単位とする単独重合
体または共重合体を形成してアクリル樹脂を構成するこ
とになる。

とができる。

xi）ポリアクリロニトリル xii）アクリロニトリル共重合体例えば、アクリロニトリル−酢酸ビニル共重合体、アク
リロニトリル−塩化ビニル共重合体、アクリロニトリル
−スチレン共重合体、アクリロニトリル−塩化ビニリデ
ン共重合体、アクリロニトリル−ビニルピリジン共重合
体、アクリロニトリル−メタクリル酸メチル共重合体、
アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニト
リル−アクリル酸ブチル共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

xiii）ダイアセトンアクリルアミドポリマーアクリロニトリルにアセトンを作用させたダイアセトン
アクリルアミドポリマー。

xiv）ポリ酢酸ビニル xv）酢酸ビニル共重合体例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテル、エチレ
ン、塩化ビニル等との共重合体など。

共重合比は任意のものであってよい。

xvi）ポリビニルエーテル例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチル
エーテル、ポリビニルブチルエーテルなど。

xvii）ポリアミドこの場合、ポリアミドとしては、ナイロン６、ナイロン
６−６、ナイロン６−10、ナイロン６−12、ナイロン
９、ナイロン11、ナイロン12、ナイロン13等の通常のホ
モナイロンの他、ナイロン6/6−6/6−10、ナイロン6/6
−6/12、ナイロン6/6−6/11等の重合体や、場合によっ
ては変性ナイロンであってもよい。

xviii）ポリエステル例えば、シュウ酸、コハク酸、マレイン酸、アジピン
酸、セバステン酸等の脂肪族二塩基酸、あるいはイソフ
タル酸、テレフタル酸などの芳香族二塩基酸などの各種
二塩基酸と、エチレングリコール、テトラメチレングリ
コール、ヘキサメチレングリコール等のグリコール類と
の縮合物や、共縮合物が好適である。

そして、これらのうちでは、特に脂肪族二塩基酸とグリ
コール類との縮合物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸
との共縮合物は、特に好適である。

さらに、例えば、無水フタル酸とグリセリンとの縮合物
であるグリプタル樹脂を、脂肪族、天然樹脂等でエステ
ル化変性した変性グリプタル樹脂等も好適に使用され
る。

xix）ポリビニルアセタール系樹脂ポリビニルアルコールを、アセタール化して得られるポ
リビニルホルマール、ポリビニルアセタール系樹脂はい
ずれも好適に使用される。

この場合、ポリビニルアセタール系樹脂のアセタール化
度は任意のものとすることができる。

xx）ポリウレタン樹脂ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹脂。

特に、グリコール類とジイソシアナート類との縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂、とりわけ、アルキレン
グリコールとアルキレンジイソシアナートとの縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂が好適である。

xxi）ポリエーテルスチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの開環重合
物、ポリエチレンオキサイドおよびグリコール、ポリプ
ロピレンオキサイドおよびグリコール、プロピレンオキ
サイド−エチレンオキサイド共重合体、ポリフェニレン
オキサイドなど。

xxii）セルロース誘導体例えば、ニトロセルロース、アセチルセルロース、エチ
ルセルロース、アセチルブチルセルロース、ヒドロキシ
エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、メ
チルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロースな
ど、セルロースの各種エステル、エーテルないしこれら
の混合体。

xxiii）ポリカーボネート例えば、ポリジオキシジフェニルメタンカーボネート、
ジオキシジフェニルプロパンカーボネート等の各種ポリ
カーボネート。

xxiv）アイオノマーメタクリル酸、アクリル酸などのNa,Li,Zn,Mg塩など。

xxv）ケトン樹脂例えば、シクロヘキサノンやアセトフェノン等の環状ケ
トンとホルムアルデヒドとの縮合物。

xxvi）キシレン樹脂例えば、ｍ−キシレンまたはメシチレンとホルマリンと
の縮合物、あるいはその変性体。

xxvii）石油樹脂 C₅系、C₉系、C₅−C₉共重合系、ジシクロペンタジエン
系、あるいは、これらの共重合体ないし変性体など。

xxviii）上記ｉ）〜xxvii）の２種以上のブレンド体、
またはその他の熱可塑性樹脂とのブレンド体。

なお、樹脂の分子量等は、種々のものであってよい。

このような樹脂と、前記の色素とは、通常、重量比で１
対0.1〜100の広範な量比にて設層される。

なお、のような記録層中には、別途他のクエンチャー、
例えば、特願昭58−181368号等に記載したものが含有さ
れてもよい。

このような記録層を設層するには、一般に常法に従い塗
設すればよい。

そして、記録層の厚さは、通常、0.02〜10μｍ程度とさ
れる。

なお、このような記録層には、この他、他の色素や、他
のポリマーないしオリゴマー、各種可塑剤、界面活性
剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤、酸化
防止剤、そして架橋剤等が含有されていてもよい。

このような記録層を設層するには、基体上に、所定の溶
媒を用いて塗布、乾燥すればよい。

なお、塗布に用いる溶媒としては、例えば、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルビトール
アセテート、ブチルカルビトールアセテート等のエステ
ル系、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のエーテ
ル系、ないしトルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロ
ロエタン等のハロゲン化アルキル系、アルカン系、脂環
系、アルコール系などを用いればよい。

このような記録層を設層する基体の材質としては、書き
込み光および読み出し光に対し実質的に透明なものであ
れば、特に制限はなく、各種樹脂、ガラス等いずれであ
ってもよい。

また、その形状は使用用途に応じ、テープ、カードドラ
ム、ベルト等いずれであってもよい。

なお、基体は、通常、トラッキング用の溝を有する。

また、基体用の樹脂材質としては、ポリメチルメタクリ
レート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルサルフォ
ン、メチルペンテンポリマー等の、みぞ付きないしみぞ
なし基体が好適である。

これらの基体には、耐溶剤性、ぬれ性、表面張力、熱伝
導度等を改善するために、基体上に下地層を形成するこ
とが好ましい。下地層の材質としては、Si,Ti,Al,Zr,I
n,Ni,Ta等の有機錯化合物や有機多官能性化合物を塗
布、加熱乾燥して形成された酸化物であることが好まし
い。

この他、各種感光性樹脂等下地層として用いることもで
きる。

また、記録層上には、必要に応じ、各種最上層保護層、
ハーフミラー層などを設けることもできる。

本発明の媒体は、このような基体の一面上に上記の記録
層を有するものであってもよく、その両面に記録層を有
するものであってもよい。

また、基体の一面上に記録層を塗設したものを２つ用
い、それらを記録層が向かいあうようにして、所定の間
隙をもって対向させ、それを密閉したりして、ホコリや
キズがつかないようにすることもできる。

また、このような所定の間隙に、シリコーン樹脂等を充
填して、密着型にすることもできる。

Ｖ発明の具体的作用本発明の媒体は、走行ないし回転下において記録光をパ
ルス状に照射する。このとき記録層中の色素の発熱によ
り、色素が融解等し、ピットが形成される。

このように形成されたピットは、やはり媒体の走行ない
し回転下、読み出し光の反射光ないし透過光、特に反射
光を検出することにより読み出される。

この場合、記録および読み出しは、主に、基体側から基
体をとおして行う。

そして、一旦記録層に形成したピットを光ないし熱で消
去し、再書き込みを行うこともできる。

なお、記録ないし読み出し光としては、半導体レーザー
等を用いることができる。

VI 発明の具体的効果本発明によれば、読み出し光による再生劣化がきわめて
小さくなる。

そして、耐光性も向上し、明室保存による特性劣化が少
なく、さらに耐熱性、耐酸化性、耐湿性、耐ガス性にも
優れる。

そして、消去および再書き込み行うようなときにも特性
の劣化が少ない。さらには、保存性も向上する。

また、近赤外および赤外域の記録光によっても、容易に
書き込みができて感度も向上する。そして、溶解度が高
く、良好な塗膜性をもつ。

また、反射層を積層しなくても、基体をとおして書き込
みと読み出しまたは消去を良好に行うことができる。

VII 発明の具体的実施例以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１下記表１に示されるナフタロシアニン化合物を用い、ナ
フタロシアニン化合物0.05gを有機溶剤エチルシクロヘ
キサン2.7gに溶解して、濾過した後、直径30cmの案内溝
付アクリルディスク基板（Si系オーバーコート層付）上
に、0.07μｍの厚さにスピンナーを用いて塗布設層し
て、各種媒体をえた。

なお、用いたナフタロシアニン化合物は上記にて例示し
たNo.のものを用いた。これらではいずれも良好な塗膜
性であったが、例示化合物（63）のペンタフェノキシVO
NcをテトラフェノキシVONcにかえたところ、溶解度が低
下し、塗膜欠陥が生じた。

このようにして作製した各媒体を、900r.p.mにて回転さ
せながら、波長83nmの半導体レーザーを用いて、基板裏
面側から書き込みを行った。この場合、集光部出力は10
mW、周波数は2MHzである。

次いで、半導体レーザーを読み出し光とし、基板をとお
しての反射光を検出してヒューレットパッカード社製の
スペクトラムアナライザーにて、バンド巾30KHzでC/N比
を測定した。

これらの結果を表１に示す。

表１の結果から、本発明の効果があきらかである。

フロントページの続き (56)参考文献特開昭60−23451（ＪＰ，Ａ) 特開昭60−184565（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−25886（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−163891（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−163892（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−177287（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−177288（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−39286（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−268487（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−122787（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−122788（ＪＰ，Ａ) 米国特許4492750（ＵＳ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に記録層を有する光記録媒体におい
て、記録層が下記式（Ｉ）で示される基を少なくとも５
個および／または下記式（II）で示される基を少なくと
も１個有するナフタロシアニン化合物の少なくとも１種
を含有することを特徴とする光記録媒体。式（Ｉ） −X₁R 式（II） −X₁QX₂− ｛上記式（Ｉ）および（II）において、 X₁およびX₂は、それぞれ、ＳまたはＯを表わす。Ｒは一
価の置換または非置換の脂肪族基、脂環式基、芳香族基
または複素環基を表わし、Ｑは二価の置換または非置換
の脂肪族基、脂環式基、芳香族基または複素環基を表わ
す。｝