JPS6285434A - 絶縁膜への開孔形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は半導体装置の製造方法に関するものであり、更
に詳しくは、Ｓｉ基板上に形成されたＳ　ｉ　３Ｎ４膜
（以下、単にｒＳｉＮ膜」という）とＳ　ｉ０２膜の２
層絶縁膜に開孔（コンタクト孔）を形成する方法に関す
るものである。

〈従来の技術〉 第２図は従来の開孔形成方法の工程断面図である。図に
於いて、１はＳｉ基板、２はＳ　ｉ０２膜、３はＳｉＮ
膜、４，５はレジスト層である。

（１）周知のホト・リソグラフィー技術により５ｉ０２
膜２上のＳｉＮ膜３を開孔する。

（２）　　レジスト層４を除去して新たなレジスト層５
を形成し、ＳｉＮ膜３の開孔部の十分内側ＫＳｉＯ２Ｓ
ｉＯ２全開孔−ンニングし、５ｉＯｚ膜２を開孔する。

（３）　　レジスト層５を除去する。

以上のように、従来の方法に於いては、２度のリソグラ
フィー・プロセスによりＳｉＮ膜及び５ｉ０２膜を個々
に開孔する。これは、ＳＩＮ膜下に５ｉ０２膜の開孔部
が入り込む、ＳｉＮ膜のオーバー・ノヘング状態を避け
るためである。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記構成では、当然のことながら位置合
わせに於けるマージン等を考慮しなければならないので
、開孔部はかなりのスペースが必要となり、この点が高
集積化を進める上で大きな障害となっていた。

１回のホト・リソグラフィ一工程にてＳｉＮ膜と５ｉ０
２膜を１度に開孔し、しかも、オーツ（−・）１ングを
防ぐ方法としては、プラズマのガス組成をＳｉＯ２に対
するＳｉＮのエツチングの選択比が１以上となる条件に
し、一度にプラズマ・エツチングする方法があげられる
が、この方法では、下地Ｓ１　との選択比が大きく取れ
ない為、下地Ｓｉ基板をエツチングしてしまう可能性が
大である。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、下地Ｓ
ｉ基板に影響を及ぼすことなく、１回のマスク合わせの
みでＳｉＮ膜と５ｉ０２膜の２層絶縁膜に良好な形状の
開孔を形成することができる方法を提供するものである
。

く問題点を解決するための手段〉 ＳｉＮ膜上に所定パターンのレジスト層を形成し、該レ
ジスト層をマスクとしてエツチングを行い、ＳｉＮ膜を
開孔する。次いで、ＳｉＮ膜をマスクとしてエツチング
を行い、５ｉ０２膜を開孔する。その後、全面にアルミ
を蒸着し、レジスト層上及び開孔部Ｓｉ基板上にアルミ
膜を形成する。続いて、所定のエツチング材によるエツ
チングによりＳｉＮ膜のオーバー・ハング部分を除去し
、最後に、レジスト剥離液にてレジスト層及びレジスト
層上のアルミ膜を除去する。

〈実施例〉 以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例の工程断面図である。

図に於いて、ＩＩはＳｉ基板、Ｉ２は熱５ｉ０２膜（以
下、単に「５ｉ０２膜」という）、１３はＳｉＮ膜、１
４はホト・レジスト層（以下、単に「レジスト層」とい
う）、１５はＳｉＮ膜のオーツく−・ノ・ング部分、１
６はアルミ膜である。

（１）　　ＳｉＮ膜Ｉ膜上３上ジスト層１４を形成し、
コンタクト孔部パターンニングを行う。

（２１ＣＦ４系のプラズマ又は熱リン酸にてＳｉＮ膜１
膜上３ツチングする。

（３１ＨＦ系のエッチャントにて５ｉＯｚ膜１２をエツ
チングする。この時、５ｉ０２膜１２はＳｉＮ膜１膜上
３スクとしてエツチングされるため、ＳｉＮ膜のオーバ
ー・〕・ング部分１５が形成される。

（４１ＳｉＮ膜Ｉ３及び５ｉ０２膜１２のエツチング完
了後、全面にアルミを蒸着させる。この時、レジスト層
１４及びＳｉＮ膜Ｉ３がオーツ；−・）・ング状態であ
ることから、形成されるアルミ膜１６は開孔部のＳｉ基
板上とレジスト層上とに分離される。

（５）再度ＣＦ４系のプラズマにてＳｉＮ膜のオーバー
・ハング部分１５をエツチング除去する。下地Ｓｉ基板
１１はアルミ膜１６で覆われているため、エツチングの
影響は受けない。

（６）　　レジスト剥離液にてレジスト層１４及び該レ
ジスト層上のアルミ膜Ｉ６を除去し、開孔形成を完了す
る。

〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明によれば、下地Ｓｉ
基板に何ら影響を与えることなく、−回のマスク合わせ
のみで良好な形状の開孔を形成することができるもので
あり、これにより、開孔部寸法を小さくすることができ
るので、高集積化デバイスの作成が可能となるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図（１）乃至（６）は本発明の一実施例の工程断面
図、第２図（１）乃至（３）は従来の開孔形成方法の工
程断面図である。 符号の説明 ］１：Ｓｉ基板、１２　：　５ｉＯｚ膜、１３・ＳｉＮ
膜、１４ニレジスト層、＋　５　：　ＳｉＮ膜のオーバ
ー・ハング部分、】６：アルミ膜。 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名）＾　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＾０　　　　
　　　　　　　　ψ 梶　慢 嘉 邑　　　　　　デ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、Ｓｉ基板上に形成されたＳｉ＿３Ｎ＿４膜とＳｉＯ
   ＿２膜の２層絶縁膜に開孔を形成する方法に於いて、ａ
   ）上記Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜上に所定パターンのレジスト層
   を形成する工程と、 ｂ）上記レジスト層をマスクとしてエッチングを行い、
   上記Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜に開孔を形成する工程と、 ｃ）上記開孔形成後のＳｉ＿３Ｎ＿４膜をマスクとして
   エッチングを行い、上記ＳｉＯ＿２膜に開孔を形成する
   工程と、 ｄ）全面にアルミを蒸着し、上記レジスト層上及び開孔
   部Ｓｉ基板上にアルミ膜を形成する工程と、 ｅ）所定のエッチング材によるエッチングにより上記Ｓ
   ｉ＿３Ｎ＿４膜のオーバー・ハング部分を除去する工程
   と、 ｆ）レジスト剥離液にて上記レジスト層及び該レジスト
   層上のアルミ膜を除去する工程と、から成ることを特徴
   とする、絶縁膜への開孔形成方法。