JPS63124432A - フイルムキヤリアの配線形成方法 - Google Patents
フイルムキヤリアの配線形成方法Info
- Publication number
- JPS63124432A JPS63124432A JP61270055A JP27005586A JPS63124432A JP S63124432 A JPS63124432 A JP S63124432A JP 61270055 A JP61270055 A JP 61270055A JP 27005586 A JP27005586 A JP 27005586A JP S63124432 A JPS63124432 A JP S63124432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- bumps
- film carrier
- chip
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
！上皇机且分１
本発明は、フィルムキャリアの配線の形成方法に関する
。
。
従来攻伎血
近年の電子機器の薄型化の要請に応じて、種々の方法が
実施提案されている。そのうちの一つとしてＴＡＢ方式
を用いた集積回路素子（以下ＩＣチップという）の取付
方法がある。
実施提案されている。そのうちの一つとしてＴＡＢ方式
を用いた集積回路素子（以下ＩＣチップという）の取付
方法がある。
このＴＡＢ方式は、フィルムキャリアにＩＣチップを取
付ける場合に特に薄型化に有効なものである。ＴＡＢ方
式の一つの工程例としては、バンプ形成基板の表面を導
電膜で被膜し、この導電膜をパターニング技術を通用し
てバンプ用開口を形成し、バンプ用開口にメッキ技術等
を適用してＡＵ等からなるバンプを成長させる。そのあ
とバンプを加圧・加熱して、ポリイミドフィルム上に形
成されたＣｕ箔製のリードに転写し、その後ＩＣチップ
をり−Ｙに取り付けるようにしている。
付ける場合に特に薄型化に有効なものである。ＴＡＢ方
式の一つの工程例としては、バンプ形成基板の表面を導
電膜で被膜し、この導電膜をパターニング技術を通用し
てバンプ用開口を形成し、バンプ用開口にメッキ技術等
を適用してＡＵ等からなるバンプを成長させる。そのあ
とバンプを加圧・加熱して、ポリイミドフィルム上に形
成されたＣｕ箔製のリードに転写し、その後ＩＣチップ
をり−Ｙに取り付けるようにしている。
■が しよ゛とするロ 占
ところで、バンプ形成基板の表面ば通常鏡面研磨によっ
て表面荒さ１５０Å以下の鏡面に仕上げられているので
、その表面に形成されるバンプの裏面も滑らかな状態で
形成されている。
て表面荒さ１５０Å以下の鏡面に仕上げられているので
、その表面に形成されるバンプの裏面も滑らかな状態で
形成されている。
一方、バンプが接合されるＩＣチップのパッドは通常ア
ルミニュウムからできていることが多く、従ってアルミ
ニュウムの表面には薄い（数１０ｎｍ）酸化膜が生成し
ている。
ルミニュウムからできていることが多く、従ってアルミ
ニュウムの表面には薄い（数１０ｎｍ）酸化膜が生成し
ている。
したがって、上記バンプを介してＩＣチップをフィルム
キャリアのリード線に接合した場合、バンプの裏面が滑
らかである関係上、アルミニュウムの酸化膜が効果的に
除去できない傾向がある。
キャリアのリード線に接合した場合、バンプの裏面が滑
らかである関係上、アルミニュウムの酸化膜が効果的に
除去できない傾向がある。
特に、Ａｊ！パッド中央部付近の酸化膜が除去しにくく
、そのためＡｌｌとアルミニュウムとが合金にならない
傾向があり、その結果、Ａｆｆパッドとバンプとの間の
接合の強度にばらつきが生じ、ひいては製品の性能が単
一にならない上、断線のおそれがあるという問題点があ
る。
、そのためＡｌｌとアルミニュウムとが合金にならない
傾向があり、その結果、Ａｆｆパッドとバンプとの間の
接合の強度にばらつきが生じ、ひいては製品の性能が単
一にならない上、断線のおそれがあるという問題点があ
る。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、ＡＪバン
ドの表面の自然酸化膜を有効に除去することにより、前
述の接合強度の向上ひいては製品の性能の向上を図るこ
とのできるフィルムキャリアの配線形成方法を提供する
ことを目的としている。
ドの表面の自然酸化膜を有効に除去することにより、前
述の接合強度の向上ひいては製品の性能の向上を図るこ
とのできるフィルムキャリアの配線形成方法を提供する
ことを目的としている。
口・占 ′ るた の
本発明は、表面に微細な凹凸を有するバンプ形成基板に
パターニング手段によりバンプを形成した後、前記バン
プを介してフィルムキャリアのリード線にＩＣチップを
取付けるようにした。
パターニング手段によりバンプを形成した後、前記バン
プを介してフィルムキャリアのリード線にＩＣチップを
取付けるようにした。
１且
バンプ形成基板は微細な凹凸が形成されであるので、こ
れを元にして形成したバンプの裏面側も同じ形状、即ち
、凹凸状になっている。
れを元にして形成したバンプの裏面側も同じ形状、即ち
、凹凸状になっている。
ＩＣチップのＡｎパッドにバンプを接合する場合に、バ
ンプ裏面に形成された前記微細な凹凸は、− バッド表
面に生成している薄い酸化膜を押しのける役目を果たす
。
ンプ裏面に形成された前記微細な凹凸は、− バッド表
面に生成している薄い酸化膜を押しのける役目を果たす
。
実ＪＩＬ例−
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。
。
第１図は本発明に係るバンプ形成基板１０にバンプ２０
が形成されている状態の模式的断面図、第２図は第１図
の模式的なＡ−Ａ線拡大断面図をそれぞれ示す。
が形成されている状態の模式的断面図、第２図は第１図
の模式的なＡ−Ａ線拡大断面図をそれぞれ示す。
バンプ形成基板１０は、その表面１１に０．５〜１．０
μｍ程度の微細な凹凸が形成されたガラス基板である。
μｍ程度の微細な凹凸が形成されたガラス基板である。
このバンプ形成基板１０の表面１１には、約０゜１μｍ
のチタン白金の導電膜１２が蒸着等で形成され、その導
電膜１２上にメッキマスクとしてのホトレジスト１３等
で所定のパターン１３１が形成されていて、さらにパタ
ーン１３１にバンプ２０がメッキ等の技術でもって形成
されている。
のチタン白金の導電膜１２が蒸着等で形成され、その導
電膜１２上にメッキマスクとしてのホトレジスト１３等
で所定のパターン１３１が形成されていて、さらにパタ
ーン１３１にバンプ２０がメッキ等の技術でもって形成
されている。
従って、このようなバンプ形成基板１０を用いて形成さ
れたバンプ２０の裏面２１（第２図参照）もバンプ形成
基板ｌＯの表面１１の凹凸に応じて微細な凹凸が形成さ
れている。
れたバンプ２０の裏面２１（第２図参照）もバンプ形成
基板ｌＯの表面１１の凹凸に応じて微細な凹凸が形成さ
れている。
第３図はポリイミドフィルム３０のＣｕ箔製のリード３
１にバンプ２０を取り付け、そのリード３１をＩＣチッ
プ４０に配線する場合の模式的工程図を示している。
１にバンプ２０を取り付け、そのリード３１をＩＣチッ
プ４０に配線する場合の模式的工程図を示している。
パターン１３１に形成されたバンプ２０と、ポリイミド
フィルム３０のリード３１とを対応させて、約３００℃
でバンプ２０とリード３１とを圧着する（第３図（ａｌ
及び第３図（ｂｌ参照）。
フィルム３０のリード３１とを対応させて、約３００℃
でバンプ２０とリード３１とを圧着する（第３図（ａｌ
及び第３図（ｂｌ参照）。
この圧着によりバンプ形成基板１０のバンプ２０は、リ
ード３１側に転写される（第３図（Ｃ１参照）。
ード３１側に転写される（第３図（Ｃ１参照）。
ＩＣチップ４０のＡＩＶ、パッド４１に、バンプ２０が
転写されたり一ド３１を圧着する（第３図ｆｄｌ参照）
。
転写されたり一ド３１を圧着する（第３図ｆｄｌ参照）
。
その際、バンプ２０の裏面２１には微細な凹凸が形成さ
れているため、Ａｊ２パッド４１表面に形成されている
厚さ数１０ｎｍの酸化膜は、裏面２１の凹凸によって外
側にフローして除去される。即ち、Ａ７！パッド４１表
面の自然酸化膜がバンプ２０の裏面２１の凹凸によって
押しのけられるのである。
れているため、Ａｊ２パッド４１表面に形成されている
厚さ数１０ｎｍの酸化膜は、裏面２１の凹凸によって外
側にフローして除去される。即ち、Ａ７！パッド４１表
面の自然酸化膜がバンプ２０の裏面２１の凹凸によって
押しのけられるのである。
−発１■Ｂ１果
本発明に係るフィルムキャリアの配線形成方法によると
、バンプの裏面には微細な凹凸が形成されているため、
ＩＣチップのＡＡバンドにバンプの付いたリードを圧着
接合する際に、バンプの裏面の凹凸によってＡｊ２パッ
ド表面の酸化膜が除去され、実接合面積の増加によりＩ
Ｃチップとリードとの接合強度が増し、製品のばらつき
がなくなり、断線のおそれがない。また、バンプの底面
の凹凸の段差は約０．５〜１．０μｍ程度であるため、
導電膜やホトレジストのカバレイジが悪化することなく
、バンプの形状にも影響がでない。
、バンプの裏面には微細な凹凸が形成されているため、
ＩＣチップのＡＡバンドにバンプの付いたリードを圧着
接合する際に、バンプの裏面の凹凸によってＡｊ２パッ
ド表面の酸化膜が除去され、実接合面積の増加によりＩ
Ｃチップとリードとの接合強度が増し、製品のばらつき
がなくなり、断線のおそれがない。また、バンプの底面
の凹凸の段差は約０．５〜１．０μｍ程度であるため、
導電膜やホトレジストのカバレイジが悪化することなく
、バンプの形状にも影響がでない。
第１図は本発明に係るバンプ形成基板の模式的断面図、
第２図は第１図の模式的なｌ−Ａ線拡大断面図、第３図
はポリイミドフィルムのリードにバンプを取り付け、そ
のリードにＩＣチップを配線する場合の模式的工程図で
ある。 １０・・・バンプ形成基板、１１・・・ハンプ形成基板
の表面、１２・・・導電膜、１３１ ・・・パターン
、２０・・ ・バンプ、３１・ ・ ・リード、４０・
・ ・ＩＣチップ。 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁理士
大 西 孝 治 第１図 第２図 第３図（ａ）
第２図は第１図の模式的なｌ−Ａ線拡大断面図、第３図
はポリイミドフィルムのリードにバンプを取り付け、そ
のリードにＩＣチップを配線する場合の模式的工程図で
ある。 １０・・・バンプ形成基板、１１・・・ハンプ形成基板
の表面、１２・・・導電膜、１３１ ・・・パターン
、２０・・ ・バンプ、３１・ ・ ・リード、４０・
・ ・ＩＣチップ。 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁理士
大 西 孝 治 第１図 第２図 第３図（ａ）
Claims (1)
- （１）表面に微細な凹凸を有するバンプ形成基板にパタ
ーニング手段によりバンプを形成した後、前記バンプを
介してフィルムキャリアのリード線にＩＣチップを取付
けるようにしたことを特徴とするフィルムキャリアの配
線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61270055A JPS63124432A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | フイルムキヤリアの配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61270055A JPS63124432A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | フイルムキヤリアの配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124432A true JPS63124432A (ja) | 1988-05-27 |
Family
ID=17480890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61270055A Pending JPS63124432A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | フイルムキヤリアの配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124432A (ja) |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP61270055A patent/JPS63124432A/ja active Pending
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