JPS63242018A - 単安定マルチバイブレ−タ - Google Patents

単安定マルチバイブレ−タ

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JPS63242018A
JPS63242018A JP7402687A JP7402687A JPS63242018A JP S63242018 A JPS63242018 A JP S63242018A JP 7402687 A JP7402687 A JP 7402687A JP 7402687 A JP7402687 A JP 7402687A JP S63242018 A JPS63242018 A JP S63242018A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
transistor
voltage
output
time
Prior art date
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Pending
Application number
JP7402687A
Other languages
English (en)
Inventor
Soichi Isono
聡一 磯野
Shoichi Miyazawa
章一 宮沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS63242018A publication Critical patent/JPS63242018A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 C産業上の利用分野〕 本発明は電子回路に係り、特に半導体集積回路に関する
〔従来の技術〕
単安定マルチバイブレータの基本回路は、第2図に示す
ように、トランジスタ12のコレクタとトランジスタ1
3のベースを抵抗で結合し、トランジスタ13のコレク
タとトランジスタ12のベースをコンデンサ14で結合
し、コンデンサ14の両端を抵抗15と抵抗16で電源
に結合した回路になっている。
そして、公知のように、この回路の出力1日に出力され
るパルスの時間幅は、コンデンサ14の容量をCn[F
)、抵抗15の抵抗値をFLB [Ω〕とした時。
α7 X CB x Re [秒]テアル。
なお、この種の回路は1例えば「パルス回路(猪飼國夫
著、 1970年、CQ出版社)」第102頁から10
5頁等圧記述されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は、出力パルスの時間幅が上記のようにO
17x CB x RBで与えられ、長い時間幅のパル
スを得る忙は、大きな容量のコンデンサと大きな抵抗値
の抵抗が必要であり、この樵の回路を集積回路化する際
や、この棟の回路を組み込んだ装置の小型化に際して、
妨げになっていた。
また、前記抵抗を低い電流値の定電流源で置き換えるこ
とも可能であるが、1μA以下の定電流源は、半導体の
漏れ電流の影響のため、安定に作成することは容易では
ない。
本発明の目的は、小さな抵抗とコンデンサを用いて、長
い時間幅のパルスを出力する単安定マルチバイブレータ
を得ることにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は1時定数を決めるコンデンサに充電1するた
めの充電回路を2系統設け、第1の充電回路が上記コン
デンサに流す電流の極性と、第2の充電回路が上記コン
デンサに流す電流の極性とを逆にし、パルスを出力して
いる途中で、前記コンデンサの充電電流を切り換えるこ
とKより達成される。
〔作用〕 回路の初期状態では、前記コンデンサの両端の電位差が
VOであり、出力回路がオフ状態であったとする。トリ
ガ入力が入ると、出力回路がオン状態になり、前記コン
デンサに第1の充電回路より充電が開始される。一定時
間T1が経過し、前記コンデンサの両端がvlになると
、切り換え回路が動作し、第2の充電回路から、前記コ
ンデンサより充電が開始される。第2の充電回路による
充電開始からT2だけ時間が経過すると前記コンデンサ
の両端の電位差はVo Vcもとり、出力回路はオフ状
態になる。つまり、トリガ入力後に出力回路がオン状態
になっている時間は、TI+T2であり、出力パルスの
時間幅は増加する。
〔実施例〕
以下1本発明の第1の実施例を第1図および第2図によ
り説明する。第1図は本実施例の回路図であり、第2図
は本実施例の各点での電圧変化を示すタイミングチャー
トである。第1図で、トランジスタ1とトランジスタ2
は、それぞれのベースとコレクタ間をたすき掛けに抵抗
8とコンデンサ3で接続されており、コンデンサ3の両
端は、抵抗4と抵抗5により電源に接続されており1回
路で決まる一定の電位忙充電されている。トランジスタ
7のベースは、抵抗6によりトランジスタ2のコレクタ
に接続されている。そして、トリガ入力が入っていない
定常時には、トランジスタ1とトランジスタ7はオンし
ており、トランジスタ2はオフしている。ここで、説明
のため、各トランジスタのオン時のベースとエミッタ間
の電圧をすべて等しくVBF+とじ、抵抗4の抵抗値を
#OL4とし。
抵抗5と抵抗6の抵抗値が等しくRsとし、コンデ・ン
サ3の容量をCBとし、電源電圧をVOOとし。
vco〉3vBBとすると、定常時のトランジスタ1の
ベース電圧はVBgであり、トランジスタ2のコレクタ
電圧は(Voo −VBE)/ 2 トナル。
第3図に示すようK、時刻toのとき、トリガ −人力
10の電圧がVCOからOvに下がると、トランジスタ
1のベース電圧がム激に下がり、トランジスタ1はオフ
し、トランジスタ2はオンし、トランジスタ7はオフす
る。コンデンサ3に蓄積されている電荷は、トランジス
タ2がオフからオンζ変化する時間内では、変化しない
ので、トランジスタ1 (Dヘースハ、 −(Vco 
−5VBm )/2まで下がる。このため、抵抗4を通
じてコンデンサ3が充電され、トランジスターのベース
電圧がVBBニもどる時刻t1までの間、トランジスタ
ーはオフ状態を保持し続ける。そして、時刻toとtl
との間には1次のような関係式が成り立つ。
上式を解くと。
tl−to=R4・CB−6rL− となる。ここまでは従来の回路と同じ動作をする。
時刻t1でトランジスターがオンすると、トランジスタ
2がオフし、抵抗5を通じてコンデンサ3に充電が開始
され、しだいにトランジスタ2のコレクタ電圧と、トラ
ンジスタ7のベース電圧が上昇する。時刻t2でトラン
ジスタ2のコレクタ電圧が(V□o −VB!l ) 
/ 2となると、トランジスタ7のベース電圧はVBB
となり、トランジスタ7はオンする。時刻t1とtlと
の間には1次のような関係式%式% VBFi = Oと仮定して、上式を解くと。
t2− t1= Rs・Ca ta2 となる。
以上のように1本実施例では、トリガ入力かあつた後の
几acstn−+Rs・Cs An 2に相当する時間
は出力トランジスタ7がオフ、つまり出力がハイレベル
を保持する。
次に第2の実施例を第4図および第5図により説明する
。第4図は第2の実施例のブロック図であり、第5図は
本実施例の各点での電圧変化を示すタイミングチャート
である。第4図に示すように1本実施例は、  I(+
8フリップフロッグ19.電圧fi20 、25 、2
6.第1定電流源21.第2定電流源22゜電流スイッ
チ23.コンデンサ24.第1電圧比較器27、第2電
圧比較器2B、 OR,ゲート29により構成されてい
る。I(ISフリップフロップ19は、SとRで示した
端子が入力で、Qで示した端子が出力で。
8入力がハイになると出力はハイ、R入力がハイになる
と出力はロウになる。第1定電流源21と第2定電流源
22を電流スイッチ23で切換えて、コンデンサ24に
充電を行う。電流スイッチ25はRSSフリップフロッ
プ19出力がハイのとき白丸側の第2定電流源22をコ
ンデンサ24に接続し、逆に、RSSフリラグフロタブ
1の出力がロウのとき黒側の第1定電流源21をコンデ
ンサ24に接続する。第1電圧比較器27と第2電圧比
較器28はコンデンサ24の電圧に従って出力がハイま
たはロウに変わり、第1電圧比較器27のスレッシュホ
ールドレベルを電圧源25で決め、第2電圧比較器2日
のスレッシュホールドレベルを電圧源26で決めている
次に第2の実施例の動作を説明する。第5図に示すよう
に、定常状態では、出力端子30のレベルはロウ、コン
デンサ24の電圧は電圧源20の電圧と等しく Va 
、 RSフリップフロヴプ19の出力はロウになってお
り、第1定電流源21がコンデンサ24に接続されてい
る。また、第1定電流源21の電流を工1.第2定電流
源22の電流を12、コンデンサ24の容量をCB 、
電圧源25の電圧をvTl、電圧源26の電圧をVT2
とする。
さて1時刻t5に入力端子18にトリガパルスが入力さ
れると、BBフリップフロップ19の出力はロウになり
、を流スイッチ23により、コンデンサ24は第2定電
流源22と接続される。同時に、出力端子30はハイに
なる。コンデンサ24から工2の電流が流れ出し、しだ
いにコンデンサ24の電圧は低下する。時刻t4でコン
デンサ24の電圧がVT2に達すると、第2電圧比較器
2日の出力がハイになり、BSフリップフロップ19の
出力をロウにする。R,Sフリップフロツプの出力がロ
ウになると、電流スイッチが切換り、第1定電流源21
がコンデンサ24に接続される。コンデンサ24には、
 11の電流が流れ込に、しだいにコンデンサ24の電
圧は上昇する。
時刻t5でコンデンサ24の電圧がVTI K達すると
、第1電圧比較器27がロウになり、出力端子30はロ
ウになる。つまり1時刻t3からtsの間、出力にパル
スが出力される。そして、ts、ta、tsの間には次
のような関係式が成り立つ。
Va −CaI2 (、ta −t3) = VT2V
T2 + CB11 (ts−ta )=VT1上式よ
り 以上のように、第2の実施例では、出力パルス〔発明の
効果〕 本発明によれば、1つのコンデンサの双方向の充電に要
する時間を用いて、単安定マルチバイブレータの出力パ
ルスの時間幅を決められるので、一定の時間幅のパルス
を発生させるためのコンデンサの容量を従来に比べ1/
!にできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は従来例の
回路図、第3図は本発明の一実施例のタイミングチャー
ト、第4図は本発明の他の実施例のブロック図、第5図
は同じくタイミングチャートである。 1・・・トランジスタ。 2・・・トランジスタ。 9・・・微分回路。 10・・・トリガ入力。 目・・・出力端子。 17・・・トリガ入力。 1日・・・入力端子、 19・・・ルSフリップフロップ。 21・・・第1定電流源。 22・・・第2定電流源。 23・・・電流スイッチ。 24・・・コンデンサ。 27・・・第1電圧比較器。 28・・・第2電圧比較器。 30・・・出力端子。 一□□ 代理人弁理士 小 川 勝 男   。 筋 1 口 筋20 筋30

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体スイッチとコンデンサと前記コンデンサを充
    電する第1の充電回路と前記第1の充電回路と逆方向に
    前記コンデンサに電流を流す第2の充電回路と前記第1
    と第2の充電回路を切り換える回路より成る単安定マル
    チバイブレータにおいて、出力パルスの時間幅を、前記
    コンデンサと第1の充電回路により決まる第1の時定数
    と、前記コンデンサと第2の充電回路により決まる第2
    の時定数の、前記2つの時定数の和にしたことを特徴と
    する単安定マルチバイブレータ。
JP7402687A 1987-03-30 1987-03-30 単安定マルチバイブレ−タ Pending JPS63242018A (ja)

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JP7402687A JPS63242018A (ja) 1987-03-30 1987-03-30 単安定マルチバイブレ−タ

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JPS63242018A true JPS63242018A (ja) 1988-10-07

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JP (1) JPS63242018A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03280692A (ja) * 1990-03-28 1991-12-11 Toa Corp 通話装置
JP2012199782A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Seiko Epson Corp パルス発生回路、集積回路装置、検出装置
US9310240B2 (en) 2011-03-22 2016-04-12 Seiko Epson Corporation Circuit device, integrated circuit and detection device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH03280692A (ja) * 1990-03-28 1991-12-11 Toa Corp 通話装置
JP2012199782A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Seiko Epson Corp パルス発生回路、集積回路装置、検出装置
US9310240B2 (en) 2011-03-22 2016-04-12 Seiko Epson Corporation Circuit device, integrated circuit and detection device

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