JPS6327061U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6327061U JPS6327061U JP1986120136U JP12013686U JPS6327061U JP S6327061 U JPS6327061 U JP S6327061U JP 1986120136 U JP1986120136 U JP 1986120136U JP 12013686 U JP12013686 U JP 12013686U JP S6327061 U JPS6327061 U JP S6327061U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- type region
- metal layer
- electrode
- electrode metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
第1図は、この考案の一実施例である半導体装
置を示し、同図aは、その平面図、同図bは、同
図aのX―X線に沿う断面図、第2図は、従来の
半導体装置の構成図、第3図aないしdは、上記
従来の半導体装置の製造方法を示す工程図、第4
図および第5図は、従来の半導体装置の問題点を
説明するための説明図である。 1……シリコン半導体基板、2……PE層、3
……NB層、4……PB層、5……NE層、6…
…絶縁膜、7……カソード電極金属層、7a……
オーバーラツプ部、13……溝、14……ガラス
層、19,20……接合端部。
置を示し、同図aは、その平面図、同図bは、同
図aのX―X線に沿う断面図、第2図は、従来の
半導体装置の構成図、第3図aないしdは、上記
従来の半導体装置の製造方法を示す工程図、第4
図および第5図は、従来の半導体装置の問題点を
説明するための説明図である。 1……シリコン半導体基板、2……PE層、3
……NB層、4……PB層、5……NE層、6…
…絶縁膜、7……カソード電極金属層、7a……
オーバーラツプ部、13……溝、14……ガラス
層、19,20……接合端部。
Claims (1)
- シリコン半導体基板の一方の主面に互いに反対
導電型の第1導電型領域および第2導電型領域を
露出させ、第1導電型領域上には、その導電型領
域の露出範囲内に第1電極金属層が形成され、第
2導電型領域上には、第2電極金属層が形成され
、この第2電極金属層は、第1導電型領域の表面
の一部をエツチング除去した後に形成されたガラ
ス層の表面に、オーバーラツプするように、接合
端部をまたぐ第1導電型領域の一部分上に延在す
る部分を有し、第1導電型領域上に形成された第
1電極金属層、および前記第1導電領域の一部分
上に延在する第2電極金属層の部分からそれぞれ
ワイヤボンデイングによつて電極リード線が引き
出される構造を備えたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986120136U JPH0526770Y2 (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986120136U JPH0526770Y2 (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327061U true JPS6327061U (ja) | 1988-02-22 |
| JPH0526770Y2 JPH0526770Y2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=31008172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986120136U Expired - Lifetime JPH0526770Y2 (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526770Y2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5468162A (en) * | 1977-11-11 | 1979-06-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5866654U (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | 日本電気株式会社 | ガラスパツシベ−シヨン型半導体装置 |
| JPS5895865A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-07 | Hitachi Ltd | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP1986120136U patent/JPH0526770Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5468162A (en) * | 1977-11-11 | 1979-06-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5866654U (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | 日本電気株式会社 | ガラスパツシベ−シヨン型半導体装置 |
| JPS5895865A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-07 | Hitachi Ltd | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0526770Y2 (ja) | 1993-07-07 |